10月18日，凌銳半導體（上海）有限公司（下文簡稱“凌銳半導體”）官方公眾號發(fā)文宣布，凌銳半導體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。
據(jù)介紹，該產品具備開關損耗更低、柵氧質量更好、而且兼容15V和18V驅動的特點，能夠滿足高可靠性、高性能的應用需求。
圖片來源：拍信網正版圖庫
目前凌銳1200V 18毫歐和35毫歐SiC MOS已達量產階段，并在Q4實現(xiàn)客戶端批量交貨。
同時，公司正積極布局研發(fā)下一代更高性能的產品。
凌銳半導體專注第三代半導體SiC車規(guī)級芯片研發(fā)與銷售，公司自創(chuàng)立起，精準定位高端車規(guī)級MOSFET，對標國際一線大廠產品，并與產業(yè)鏈上下游建立了深度合作，目前有多款產品通過核心客戶測試驗證，并已獲得多家同行業(yè)上市公司的戰(zhàn)略入股。（文：集邦化合物半導體Morty整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。