因搭載高壓平臺的電動汽車在補能、續(xù)航等方面的表現(xiàn)出色，可以大幅提高客戶的使用體驗，大有成為主流之勢。而SiC MOSFET在高壓車載領域的良好表現(xiàn)，受到市場的追捧，新規(guī)格SiC MOSFET和其衍生品也在不斷出新。就SiC MOSFET領域來看，又有兩家企業(yè)有了新動態(tài)。
Power Integrations推出具有快速短路保護功能且適配62mm SiC MOSFET和IGBT模塊的門極驅(qū)動器
PI近日推出全新系列的即插即用型門極驅(qū)動器，新驅(qū)動器適配額定耐壓在1700V以內(nèi)的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊，具有增強的保護功能，可確保安全可靠的工作。SCALE-2 2SP0230T2x0雙通道門極驅(qū)動器可在不到2微秒的時間內(nèi)部署短路保護功能，保護緊湊型SiC MOSFET免受過電流的損壞。新驅(qū)動器還具有高級有源鉗位(AAC)功能，可保護開關在關斷期間免受過壓影響，從而實現(xiàn)更高的直流母線工作電壓。
據(jù)介紹，2SP0230T2x0門極驅(qū)動器基于Power Integrations成熟的SCALE-2技術，集成度更高、尺寸更小、功能更強、系統(tǒng)可靠性更高，是軌道交通輔助變換器、電動汽車非車載型充電裝置和電網(wǎng)靜止同步補償器(STATCOM)穩(wěn)壓器等應用的理想之選。Power Integrations的緊湊型2SP0230T2x0外形尺寸為134x62mm，可提供1700V加強絕緣，可驅(qū)動耐壓在1700V以內(nèi)的功率模塊；這比通常限制在1200V的傳統(tǒng)驅(qū)動器高出500V。
南瑞半導體自主研發(fā)的1200V/40mΩ SiC MOSFET通過車規(guī)級可靠性認證
近日，南瑞半導體自主研發(fā)的1200V/40mΩ SiC MOSFET器件（NCM40S12T4K2）順利通過AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證。
據(jù)了解，AEC-Q作為國際通用的車規(guī)級電子元器件測試規(guī)范，目前已成為車用元器件質(zhì)量與可靠性的標志。該認證包括各類環(huán)境應力、可靠性、耐久性、壽命測試等，通過AEC-Q認證代表著器件具有優(yōu)異品質(zhì)和高可靠性，更是打開車載供應鏈的敲門磚和試金石。
據(jù)悉，南瑞半導體成立于2019年，布局功率半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。專注電網(wǎng)領域核心器件自主可控，提供IGBT芯片研制、模塊設計、封裝測試、應用分析等全業(yè)務流程產(chǎn)品和服務。
據(jù)集邦化合物半導體不完全統(tǒng)計，目前僅有以下企業(yè)的SiC功率器件通過AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證：
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現(xiàn)今，南瑞半導體躋身通過AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證企業(yè)之列，將助力國內(nèi)車載SiC功率器件發(fā)展。（文：集邦化合物半導體Morty整理）
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