氧化鎵憑借其性能與成本優(yōu)勢，有望成為繼碳化硅之后最具潛力的半導體材料，近年來熱度不斷上漲，頻頻傳出各類利好消息。
9月12日，據(jù)杭州富加鎵業(yè)科技有限公司（以下簡稱：富加鎵業(yè)）官微消息，富加鎵業(yè)6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線于9月10日在杭州富陽開工建設。
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資料顯示，富加鎵業(yè)成立于2019年12月，致力于超寬禁帶半導體氧化鎵材料的產(chǎn)業(yè)化工作，主要從事氧化鎵單晶材料生長、氧化鎵襯底及外延片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售工作，產(chǎn)品主要應用于功率器件、微波射頻及光電探測等領域。
據(jù)稱，富加鎵業(yè)是國內目前唯一一家同時具備6英寸單晶生長及外延的公司，開工建設的6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線也是國內第一條6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線。
據(jù)富加鎵業(yè)介紹，氧化鎵單晶可以通過熔體法生長，從而在制備成本、單晶質量、缺陷或尺寸等方面相對于寬禁帶半導體碳化硅、氮化鎵材料及超寬禁帶半導體氮化鋁、金剛石材料有明顯優(yōu)勢。
此外，氧化鎵材料的熱處理溫度及硬度均與單晶硅較為接近，從單晶硅器件線轉為氧化鎵器件線僅僅需要更換5%設備，相比而言，碳化硅材料硬度較大，且熱處理溫度較高，從單晶硅器件線轉為碳化硅器件線，需要更換25%設備。
富加鎵業(yè)表示，現(xiàn)存單晶硅的器件線以6英寸及8英寸為主，氧化鎵單晶材料及外延片需要跨過6英寸門檻后才能進入產(chǎn)業(yè)化快車道?，F(xiàn)階段，富加鎵業(yè)已經(jīng)實現(xiàn)了6英寸導電型及絕緣型氧化鎵單晶襯底的制備，單晶外延技術也取得重要進展，已達到6英寸硅基器件線產(chǎn)業(yè)化門檻。
據(jù)集邦化合物半導體了解，包括富加鎵業(yè)在內的國內廠商和研究機構正在加速布局氧化鎵產(chǎn)業(yè)，并取得了一系列成果。
去年2月，中國電科46所成功制備出6英寸氧化鎵單晶，技術達到了國際一流水平。
同年10月，北京鎵和半導體有限公司實現(xiàn)了4英寸氧化鎵晶圓襯底技術突破，推出多規(guī)格氧化鎵單晶襯底并首發(fā)4英寸（100）面單晶襯底參數(shù)。
而在今年2月，鎵仁半導體聯(lián)合浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院、硅及先進半導體材料全國重點實驗室，采用自主開創(chuàng)的鑄造法成功制備了高質量6英寸非故意摻雜及導電型氧化鎵單晶，并加工獲得了6英寸氧化鎵襯底片。在此基礎上，鎵仁半導體于今年7月制備出了3英寸晶圓級（010）氧化鎵單晶襯底。（集邦化合物半導體Zac整理）
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