9月20日，杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導體”）發(fā)布了公司首臺氧化鎵專用晶體生長設備。該設備不僅滿足氧化鎵晶體生長的各項需求，還集成了多項自主創(chuàng)新技術，是鎵仁半導體實現氧化鎵單晶材料技術閉環(huán)的新里程碑。
source：鎵仁半導體
據介紹，鎵仁半導體此次推出的氧化鎵專用晶體生長設備滿足氧化鎵生長所需的高溫和高氧環(huán)境。設備采用非銥（Ir）坩堝材料，可在空氣氣氛下工作。研發(fā)團隊自主設計了獨特的復合測溫技術和控溫算法，確保晶體生長過程的穩(wěn)定性、均勻性和一致性。
該設備實現了全自動化晶體生長流程，減少了人工干預，顯著提高了生產效率和晶體質量。通過該設備制備的氧化鎵晶體為柱狀外形，通過工藝控制可獲得多種不同晶面的大尺寸單晶，且支持向更大尺寸單晶的升級，以適應不斷發(fā)展的外延技術和器件需求。
除了在設備領域有動作，鎵仁半導體今年在融資、合作以及氧化鎵技術方面也有相關進展。
今年4月，鎵仁半導體推出了新產品2英寸晶圓級（010）氧化鎵半絕緣單晶襯底，并實現了2英寸（010）氧化鎵單晶襯底的自主量產，打破了國際壟斷。
6月底，鎵仁半導體與蘇州邁姆思半導體科技有限公司簽訂合作協議，雙方將協作實現碳化硅和氧化鎵的鍵合，用碳化硅出色的散熱性能來彌補氧化鎵散熱性能的不足，同時通過氧化鎵和硅的鍵合，大幅度降低成本，推動氧化鎵作為功率器件的量產化。
7月，鎵仁半導體成功制備出了3英寸晶圓級（010）氧化鎵單晶襯底。
8月，鎵仁半導體完成了Pre-A輪融資并與杭州銀行戰(zhàn)略合作協議的簽訂。
9月上旬，鎵仁半導體宣布公司在氧化鎵襯底加工技術上取得突破性進展，成功研制超薄6英寸襯底，襯底厚度小于200微米。（集邦化合物半導體整理）
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