臺(tái)灣應(yīng)用晶體:8英寸碳化硅最快年底送樣

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 10 月 14 日 17:50 | 分類 企業(yè)

9月5日,據(jù)臺(tái)媒報(bào)道,臺(tái)灣大立光電集團(tuán)控股子公司臺(tái)灣應(yīng)用晶體(下文簡(jiǎn)稱“應(yīng)用晶體”)生產(chǎn)碳化硅(SiC),公司旗下6英寸碳化硅預(yù)計(jì)10月送樣,8英寸產(chǎn)品最快年底送樣。

資料顯示,臺(tái)灣應(yīng)用晶體成立于2012年3月,實(shí)收資本額為3億元新臺(tái)幣(折合人民幣約6600萬(wàn)元)。企業(yè)前期主做晶體設(shè)備,后逐步發(fā)展材料開(kāi)發(fā)碳化硅,2022年底正式轉(zhuǎn)型材料開(kāi)發(fā)廠。

2023年7月,應(yīng)用晶體與臺(tái)灣中山大學(xué)簽訂價(jià)值5000萬(wàn)新臺(tái)幣(折合人民幣約1099萬(wàn)元)的技術(shù)轉(zhuǎn)移合同,合約時(shí)長(zhǎng)5年。

根據(jù)合同,臺(tái)灣中山大學(xué)將6英寸碳化硅晶體相關(guān)技術(shù)移轉(zhuǎn)至臺(tái)灣應(yīng)用晶體公司及其所屬集團(tuán),以每年1千萬(wàn)專屬授權(quán)的買斷合約形式進(jìn)行。雙方于未來(lái)5年在6英寸、8英寸大尺寸的導(dǎo)電型(N-type)與半絕緣型4H、6H碳化硅單晶,都將攜手合作。

圖片來(lái)源:拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

據(jù)悉,大立光集團(tuán)早在幾年前就對(duì)材料相關(guān)領(lǐng)域進(jìn)行評(píng)估及布局,經(jīng)過(guò)評(píng)估第三代半導(dǎo)體材料后,最終選擇投資碳化硅領(lǐng)域的臺(tái)灣應(yīng)用晶體,并于2023年7月投資,目前持股超70%,是該公司最大股東。

臺(tái)灣應(yīng)用晶體總經(jīng)理林謂昌指出,6英寸碳化硅預(yù)計(jì)10月送樣,12月底至明年1月送樣8英寸碳化硅,產(chǎn)能規(guī)劃上則視客戶屆時(shí)的需求為主。

長(zhǎng)晶爐部份,臺(tái)灣應(yīng)用晶體在明年6英寸及8英寸正式量產(chǎn)后,也會(huì)投入外延,循長(zhǎng)晶模式,規(guī)劃明年下半年先買設(shè)備,預(yù)計(jì)2026年量產(chǎn)。

此外,臺(tái)灣應(yīng)用晶體也正開(kāi)發(fā)第四代半導(dǎo)體材料氧化鎵。林謂昌說(shuō),氧化鎵與成大一起合作開(kāi)發(fā),目前正處于初步階段,利用導(dǎo)膜(EFG)法技術(shù)透過(guò)虹吸現(xiàn)象生產(chǎn)氧化鎵。鑒于電壓越高材料被擊穿毀損機(jī)會(huì)越大,氧化鎵可能承受電壓及被擊穿損毀都優(yōu)于碳化矽,因此臺(tái)灣應(yīng)用晶體也積極往這塊領(lǐng)域發(fā)展。(財(cái)報(bào)快訊、集邦化合物半導(dǎo)體整理)

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