10月14日，據“成都發(fā)布”官微消息，成都萊普科技股份有限公司（以下簡稱：萊普科技）的全國總部暨集成電路裝備研發(fā)制造基地項目目前正處于內外裝施工階段，預計今年年底前完工，明年實現(xiàn)設備搬入、投產。
source：成都發(fā)布
據悉，該項目位于成都市高新區(qū)，總投資16.6億元，占地面積39畝，建筑面積6.5萬平米，于2023年10月開工建設，預計2025年5月前通過并聯(lián)并行竣工驗收，2026年5月全面達產。
建成后，該項目包括企業(yè)全國總部、技術中心、制造中心、服務中心以及核心零部件研發(fā)及產業(yè)化基地，并將同步建設中科院半導體所成都半導體材料先進激光加工技術聯(lián)合實驗室及培訓基地、四川省全固態(tài)先進激光工程技術研究中心等項目。
官網資料顯示，萊普科技成立于2003年，是國內集半導體激光裝備研發(fā)、制造、銷售和服務為一體的廠商。公司總部位于成都市高新區(qū)，建有深圳分公司和江蘇子公司，同時在蘇州、深圳、武漢、北京、西安等地建有服務辦公室。
業(yè)務進展方面，萊普科技在半導體晶圓制造、封裝測試、精密電子制造等領域推出了三十余種激光應用專業(yè)設備，擁有五十多項自主知識產權。
在功率半導體領域，萊普科技的硅基IGBT激光退火設備及碳化硅歐姆接觸激光退火設備與進口廠家同廠比對并勝出，銷售至株洲中車時代半導體、無錫華潤上華、上海積塔半導體等企業(yè)。
目前，萊普科技正在推進A股IPO進程。今年3月4日，萊普科技在四川證監(jiān)局辦理輔導備案登記，輔導券商為中信建投證券。萊普科技現(xiàn)已完成第二期輔導。（集邦化合物半導體Zac整理）
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