13.5億,新潔能總部基地及產(chǎn)業(yè)化項目即將竣工投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 10 月 18 日 18:00 | 分類 企業(yè)

10月17日,據(jù)無錫市新吳區(qū)官網(wǎng)消息,位于無錫市高新區(qū)(新吳區(qū))的新潔能總部基地及產(chǎn)業(yè)化項目即將竣工投產(chǎn)。

圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫

據(jù)悉,新潔能總部基地及產(chǎn)業(yè)化項目總投資13.5億元,用地面積約3.17萬平方米,建筑面積約5.4-5.7萬平方米,該項目于2023年1月開工建設(shè),預(yù)計2024年底竣工投用。

該項目建成投產(chǎn)后,預(yù)計年產(chǎn)碳化硅/氮化鎵功率器件2640萬只;年產(chǎn)14.52億只IC及智能功率模塊(IPM)等功率集成模塊;年產(chǎn)362.6萬只SiC/IGBT/MOSFET等功率集成模塊(含車規(guī)級)。預(yù)計達產(chǎn)后可實現(xiàn)年產(chǎn)值16.66億元。

官網(wǎng)資料顯示,新潔能成立于2013年1月,擁有新潔能香港、電基集成、金蘭功率半導(dǎo)體、國硅集成電路四家子公司以及深圳分公司、寧波分公司。新潔能專注于MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體芯片和功率器件的研發(fā)、設(shè)計及銷售,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于消費電子、汽車電子、工業(yè)電子、新能源汽車及充電樁、智能裝備制造、軌道交通、光伏新能源、5G等領(lǐng)域。

產(chǎn)品方面,新潔能構(gòu)建了IGBT、屏蔽柵MOSFET(SGT MOSFET)、超結(jié)MOSFET(SJ MOSFET)、溝槽型MOSFET(Trench MOSFET)四大產(chǎn)品工藝平臺,并已陸續(xù)推出車規(guī)級功率器件、SiC MOSFET、GaN HEMT、功率模塊、柵極驅(qū)動IC、電源管理IC等產(chǎn)品,電壓覆蓋12V-1700V全系列。

目前,新潔能的SiC MOSFET部分產(chǎn)品已通過客戶驗證并實現(xiàn)小規(guī)模銷售,GaN HEMT部分產(chǎn)品已開發(fā)完成并通過可靠性測試。

具體來看,新潔能已開發(fā)完成1200V 23mohm-75moh和750V 26mohm SiC MOSFET系列產(chǎn)品,新增產(chǎn)品6款,相關(guān)產(chǎn)品處于小規(guī)模銷售階段;650V/190mohm E-Mode GaN HEMT產(chǎn)品、650V 460mohm D-Mode GaN HEMT已開發(fā)完成,新增產(chǎn)品2款,100V/200V GaN產(chǎn)品正在開發(fā)中。

業(yè)績方面,2024年上半年,新潔能實現(xiàn)營收8.73億元,同比增長15.16%;歸母凈利潤2.18億元,同比增長47.45%;歸母扣非凈利潤2.14億元,同比增長55.21%。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)

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