2022年，AI領(lǐng)域全明星產(chǎn)品ChatGPT、AI繪畫工具M(jìn)idjourney橫空出世，AIGC科技浪潮席卷大眾視野。同年，我國累計建成開通5G基站超過230萬個。

2024年4月，中關(guān)村泛聯(lián)院常務(wù)副院長黃宇紅在2024中關(guān)村論壇年會期間介紹，6G技術(shù)有望在2030年實現(xiàn)商用。6月，全自動無人駕駛汽車“蘿卜快跑”在武漢爆火，目前已經(jīng)在武漢、北京、深圳等城市，開啟了全無人自動駕駛運營，自動駕駛出行服務(wù)已不再那么“小眾”。

誠然，無論是人工智能亦或是通信領(lǐng)域，每個新興智能事物爆火的背后都離不開支撐它們成型、發(fā)展的大量數(shù)據(jù)和算法。而這些海量數(shù)據(jù)的傳輸和處理，溯其根本，都是光模塊“承擔(dān)了所有”。

圖片來源于@蘿卜快跑 官方微博

新定義：回顧光模塊發(fā)展史

光模塊（Optical Module），是進(jìn)行光電和電光轉(zhuǎn)換的光電子器件，也是光纖通信中的重要組成部分。其作用是，在發(fā)送端把電信號轉(zhuǎn)換成光信號，通過光纖傳送后，在接收端再把光信號轉(zhuǎn)換成電信號。

光模塊的發(fā)展經(jīng)歷了多個階段，一般來說，其體積和速率呈反方向發(fā)展趨勢。早期的光模塊體積較大，隨著技術(shù)的進(jìn)步和需求的增加，光模塊的體積逐漸減小，速率卻得到了顯著提升。同時，由于傳輸速率越高，結(jié)構(gòu)也越復(fù)雜，由此產(chǎn)生了不同的光模塊封裝方式。常見的封裝類型有：SFP、SFP+、SFP28、QSFP+、CFP、CFP2 /CFP2-DCO、QSFP28、QSFP-DD。從早期的SFP，到如今的QSFP-DD，每一次封裝技術(shù)的迭代都伴隨著體積的進(jìn)一步減小，帶來光模塊整體性能的提升和精度與速率的提高。

在應(yīng)用領(lǐng)域方面，除了人工智能和通信領(lǐng)域，現(xiàn)如今，光模塊還涉及物聯(lián)網(wǎng)、廣播電視傳輸、軍事和航天等領(lǐng)域。隨著光纖通信技術(shù)的不斷發(fā)展，更多應(yīng)用領(lǐng)域還在不斷擴展。

2023年，光模塊被評為年度“十大科技熱詞”之一。目前，光模塊的市場火爆，熱度在持續(xù)上升。

新演變：走向更高傳輸速率

現(xiàn)在，光模塊產(chǎn)品正在向小型化、高速率、低功耗方向不斷迭代升級，其演進(jìn)方向映射著技術(shù)的前瞻布局。

新技術(shù)的快速發(fā)展使數(shù)據(jù)流量呈現(xiàn)出爆炸式增長的趨勢，這種趨勢對數(shù)據(jù)中心的規(guī)模和性能提出了更高的要求，促使其向大型化、集中化轉(zhuǎn)變，并帶動了對高速率光模塊的需求。目前，全球主要的云廠商已經(jīng)開始批量部署200G和400G光模塊，以滿足不斷增長的數(shù)據(jù)傳輸需求。同時，在AI驅(qū)動下，更高速率的800G開始進(jìn)入導(dǎo)入驗證及批量出貨的進(jìn)程，1.6T產(chǎn)品不斷前瞻研發(fā)中。

不難看出，數(shù)據(jù)中心正在逐步向更高密度的數(shù)據(jù)傳輸能力邁進(jìn)，以應(yīng)對未來更加復(fù)雜和龐大的數(shù)據(jù)處理任務(wù)。同時，高速率光模塊的研發(fā)，能夠支持更高的數(shù)據(jù)傳輸速率，以滿足未來更大帶寬、更高算力的需求，并切實為各種應(yīng)用場景提供更加高效、可靠的數(shù)據(jù)傳輸解決方案。

新挑戰(zhàn)：精度與速率的平衡

然而，要實現(xiàn)新工藝下光模塊的快速發(fā)展、突破光模塊的原有性能也絕非易事。

首先，更小體積、更高精度的光模塊對制造工藝和材料的要求也更為嚴(yán)格，精細(xì)的電路布局和復(fù)雜的封裝技術(shù)在一定程度上增加了生產(chǎn)難度和成本。其次，精度的提升往往伴隨著速率的挑戰(zhàn)。在追求更高傳輸速率的同時，則可能遇到功率損耗增加、信號質(zhì)量等問題。因此，如何確保信號的穩(wěn)定性和可靠性，是廠商們所必須要面對的問題。這些因素共同作用，促使業(yè)界不斷探索和采用多種創(chuàng)新技術(shù)路徑，以克服技術(shù)障礙，實現(xiàn)光模塊性能的持續(xù)優(yōu)化與成本的有效控制。

新設(shè)備：AS8136光模塊貼片機

卓興精準(zhǔn)把握行業(yè)難題，自主研發(fā)AS8136光模塊貼片機，以解決光模塊生產(chǎn)所面臨的精度與速度之間的工藝壁壘。

AS8136是第三代貼片機機構(gòu)，采用轉(zhuǎn)塔式貼裝，更加精準(zhǔn)和高效，速度快、精度高。位置精度精準(zhǔn)至±3um，角度精度精準(zhǔn)至±0.2°。除此之外，AS8136支持多種來料混合，包括支持2、4、6、8、12寸晶圓、4張2寸晶圓或者Waffle Pack、GelPAK上料。同時，AS8136設(shè)備支持微米級工作臺和亞微米級工作臺。

除了光模塊，AS8136還適用多款產(chǎn)品，包括傳感器、加速器、陀螺儀、MEMS馬達(dá)等，可針對客戶的需求定制不同的生產(chǎn)方案，具體產(chǎn)品信息歡迎咨詢。（來源：卓興半導(dǎo)體）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

據(jù)悉，新潔能總部基地及產(chǎn)業(yè)化項目總投資13.5億元，用地面積約3.17萬平方米，建筑面積約5.4-5.7萬平方米，該項目于2023年1月開工建設(shè)，預(yù)計2024年底竣工投用。

該項目建成投產(chǎn)后，預(yù)計年產(chǎn)碳化硅/氮化鎵功率器件2640萬只；年產(chǎn)14.52億只IC及智能功率模塊（IPM）等功率集成模塊；年產(chǎn)362.6萬只SiC/IGBT/MOSFET等功率集成模塊（含車規(guī)級）。預(yù)計達(dá)產(chǎn)后可實現(xiàn)年產(chǎn)值16.66億元。

官網(wǎng)資料顯示，新潔能成立于2013年1月，擁有新潔能香港、電基集成、金蘭功率半導(dǎo)體、國硅集成電路四家子公司以及深圳分公司、寧波分公司。新潔能專注于MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體芯片和功率器件的研發(fā)、設(shè)計及銷售，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于消費電子、汽車電子、工業(yè)電子、新能源汽車及充電樁、智能裝備制造、軌道交通、光伏新能源、5G等領(lǐng)域。

產(chǎn)品方面，新潔能構(gòu)建了IGBT、屏蔽柵MOSFET（SGT MOSFET）、超結(jié)MOSFET（SJ MOSFET）、溝槽型MOSFET（Trench MOSFET）四大產(chǎn)品工藝平臺，并已陸續(xù)推出車規(guī)級功率器件、SiC MOSFET、GaN HEMT、功率模塊、柵極驅(qū)動IC、電源管理IC等產(chǎn)品，電壓覆蓋12V-1700V全系列。

目前，新潔能的SiC MOSFET部分產(chǎn)品已通過客戶驗證并實現(xiàn)小規(guī)模銷售，GaN HEMT部分產(chǎn)品已開發(fā)完成并通過可靠性測試。

具體來看，新潔能已開發(fā)完成1200V 23mohm-75moh和750V 26mohm SiC MOSFET系列產(chǎn)品，新增產(chǎn)品6款，相關(guān)產(chǎn)品處于小規(guī)模銷售階段；650V/190mohm E-Mode GaN HEMT產(chǎn)品、650V 460mohm D-Mode GaN HEMT已開發(fā)完成，新增產(chǎn)品2款，100V/200V GaN產(chǎn)品正在開發(fā)中。

業(yè)績方面，2024年上半年，新潔能實現(xiàn)營收8.73億元，同比增長15.16%；歸母凈利潤2.18億元，同比增長47.45%；歸母扣非凈利潤2.14億元，同比增長55.21%。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

據(jù)悉，三方本次合作的核心內(nèi)容圍繞碳化硅襯底、碳化硅外延片及汽車空調(diào)關(guān)鍵零部件的生產(chǎn)展開，將共同打造高質(zhì)量的碳化硅產(chǎn)品生產(chǎn)線。

官網(wǎng)資料顯示，鉅芯半導(dǎo)體是一家專業(yè)從事半導(dǎo)體功率器件及芯片的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售的廠商。公司占地24975平方米，建設(shè)標(biāo)準(zhǔn)化廠房及辦公用房13000平方米，可年產(chǎn)半導(dǎo)體GPP芯片360萬片；高端的小型化、低功耗半導(dǎo)體功率器件3600KK。

據(jù)了解，今年以來，部分韓國半導(dǎo)體廠商正在持續(xù)發(fā)力碳化硅產(chǎn)業(yè)，并不斷取得新進(jìn)展。

據(jù)韓媒ETnews報道，今年3月26日，半導(dǎo)體設(shè)計公司Power Cube Semi宣布，已在韓國首次成功開發(fā)出2300V碳化硅MOSFET，并將于明年初量產(chǎn)。Power Cube Semi稱，2300V碳化硅MOSFET繼承了現(xiàn)有1700V碳化硅MOSFET的開發(fā)和量產(chǎn)經(jīng)驗。

隨后在6月5日，韓國貿(mào)易、工業(yè)和能源部宣布，韓國本土半導(dǎo)體制造商EYEQ Lab已開始在釜山功率半導(dǎo)體元件和材料特區(qū)內(nèi)建設(shè)韓國首座8英寸碳化硅功率半導(dǎo)體工廠，該項目已于當(dāng)日舉行了奠基儀式。

EYEQ Lab公司本次計劃投資1000億韓元（約5.2億人民幣）建設(shè)8英寸碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠，工廠規(guī)劃產(chǎn)能為14.4萬片/年，投產(chǎn)時間預(yù)計為2025年9月。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

針對業(yè)績變動捷捷微電表示，業(yè)績增長受益于半導(dǎo)體行業(yè)的溫和復(fù)蘇以及公司的綜合產(chǎn)能提升。
捷捷微電還指出，隨著子公司捷捷南通科技的產(chǎn)能不斷提升，其盈利能力進(jìn)一步增強，凈利潤較去年同期有較大幅度的增長。

資料顯示，捷捷微電創(chuàng)建于1995年，專業(yè)從事半導(dǎo)體分立器件、電力電子元器件研發(fā)、制造和銷售，其主要產(chǎn)品是功率半導(dǎo)體芯片和封裝器件。其中，功率半導(dǎo)體芯片是決定功率半導(dǎo)體分立器件性能的核心，在經(jīng)過后道工序封裝后，成為功率半導(dǎo)體分立器件成品。

在碳化硅領(lǐng)域，捷捷微電主要產(chǎn)品為塑封碳化硅肖特基二極管（SiC SBD）器件。碳化硅肖特基二極管具有超快的開關(guān)速度，超低的開關(guān)損耗，易于并聯(lián)，可承受更高耐壓和更大的浪涌電流，可用于電動汽車、消費類電子、新能源、軌道交通等領(lǐng)域。2024年，捷捷微電推出了1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品。

合作方面，捷捷微電在今年6月與吉利旗下子公司晶能微電子簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將進(jìn)一步加強在工控IGBT領(lǐng)域的戰(zhàn)略合作，并拓展在汽車電子領(lǐng)域的合作范圍。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

source:方正微電子

據(jù)方正微電子副總裁/產(chǎn)品總經(jīng)理彭建華介紹，公司當(dāng)前有兩個Fab。

其中，F(xiàn)ab1已實現(xiàn)6英寸碳化硅晶圓9000片/月的生產(chǎn)能力，到2024年底，這一數(shù)字預(yù)計將增長至每月1.4萬片。彭建華還表示，2025年公司將具備年產(chǎn)16.8萬片車規(guī)級碳化硅MOS的生產(chǎn)能力。此外，F(xiàn)ab1還負(fù)責(zé)生產(chǎn)氮化鎵晶圓，目前月產(chǎn)能為4000片。

Fab2的8英寸碳化硅晶圓生產(chǎn)線將于2024年底通線，長遠(yuǎn)規(guī)劃產(chǎn)能6萬片/月。
資料顯示方正微電子成立于2003年12月，是國內(nèi)第一批進(jìn)入6英寸碳化硅器件領(lǐng)域進(jìn)行制造工藝研究開發(fā)的廠商之一。

2021年，深圳市重大產(chǎn)業(yè)投資集團(tuán)有限公司（下文簡稱“深重投”）成功入主方正微電子，將公司納入深圳集成電路產(chǎn)業(yè)“比學(xué)趕超”發(fā)展戰(zhàn)略的重要產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)，導(dǎo)入全球尖端科技資源，助力戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展，致力于將方正微電子打造為國家第三代半導(dǎo)體制造高地。

目前，方正微電子的系列產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于新能源汽車的多個場景，包括主驅(qū)逆變控制器、OBC、DC/DC、空調(diào)壓縮機以及充電樁等，特別是其車規(guī)1200V碳化硅MOS產(chǎn)品，已在新能源汽車主驅(qū)控制器上實現(xiàn)了規(guī)模應(yīng)用。

除碳化硅功率器件外，方正微電子開發(fā)的氮化鎵系列功率器件產(chǎn)品已經(jīng)應(yīng)用于消費快充、PC電源、服務(wù)器電源等場景。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

資料顯示，百傲化學(xué)是一家來自大連的化工企業(yè)，主要從事異噻唑啉酮類工業(yè)殺菌劑的生產(chǎn)、研發(fā)和銷售。2017年上市。芯慧聯(lián)則是一家成立于2019年的半導(dǎo)體設(shè)備公司，主要產(chǎn)品包括涂膠顯影機、光刻機、濕法清洗設(shè)備、半導(dǎo)體產(chǎn)線用自動化設(shè)備等。

百傲化學(xué)表示，本次股權(quán)并購屬于跨行業(yè)并購。集邦化合物半導(dǎo)體注意到，此次并購其實早有鋪墊：

2月7日，百傲化學(xué)公告稱，公司與芯慧聯(lián)簽訂《戰(zhàn)略合作協(xié)議》及《半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)務(wù)合作協(xié)議》。

綜合兩份協(xié)議內(nèi)容，百傲化學(xué)擬委托芯慧聯(lián)以自有資金購買半導(dǎo)體設(shè)備，合同價款合計不超過人民幣1.4億元，由芯慧聯(lián)負(fù)責(zé)對其進(jìn)行再制造、升級改造和技術(shù)服務(wù)及對外銷售。就半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)務(wù)產(chǎn)生的利潤，雙方按照50%：50%比例進(jìn)行分成。

雙方將合作開展包括但不限于以下先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備的技術(shù)創(chuàng)新及研發(fā)迭代：全球領(lǐng)先的涂膠顯影設(shè)備、先進(jìn)高端型濕法電鍍設(shè)備、創(chuàng)新自主研發(fā)的半導(dǎo)體自動化設(shè)備、高技術(shù)壁壘的晶圓鍵合設(shè)備、尖端的濕法清洗設(shè)備等。

4月8日，百傲化學(xué)宣布，擬以自有或自籌資金合計人民幣5億元，出資設(shè)立全資子公司“上海傲芯科技有限公司”，作為百傲化學(xué)開展半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的運營平臺。

5月，芯傲華與芯慧聯(lián)及其創(chuàng)始人、實際控制人劉紅軍就股權(quán)投資事宜簽署意向性協(xié)議，正式啟動對芯慧聯(lián)的收購進(jìn)程。

從攜手芯慧聯(lián)，到設(shè)立全資子公司，再到并購芯慧聯(lián)股權(quán)；從1.4億的合同價款，到5億成立半導(dǎo)體業(yè)務(wù)運營平臺，再到7億增資，投資規(guī)模之大，彰顯著百傲化學(xué)進(jìn)入半導(dǎo)體領(lǐng)域的決心。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

于此同時，由 Apollo、The Baupost Group、Fidelity Management & Research Company和Capital Group牽頭的投資基金財團(tuán)已同意向 Wolfspeed 提供額外的7.5億美元（折合人民幣月53億元）新融資。

Wolfspeed表示，這些投資有利于公司的長期增長計劃，并促進(jìn)美國國內(nèi)碳化硅生產(chǎn)，為電動汽車 (EV)、人工智能 (AI) 數(shù)據(jù)中心、電池存儲等清潔能源系統(tǒng)提供動力。

此外，Wolfspeed預(yù)計將從《芯片與科學(xué)法案》所設(shè)立的先進(jìn)制造業(yè)稅收抵免中獲得10億美元現(xiàn)金（折合人民幣約71億元）退稅，公司預(yù)計總共可以獲得高達(dá)25億美元（折合人民幣約178億元）的資本資助，以支持其在美國擴大碳化硅制造業(yè)務(wù)。

值得注意的是，加強國內(nèi)碳化硅生產(chǎn)已成為美國國內(nèi)多個聯(lián)邦機構(gòu)的共識；美國能源部將其列為17種“關(guān)鍵材料”之一，這些材料對于清潔能源技術(shù)至關(guān)重要，且存在較高的供應(yīng)中斷風(fēng)險；而美國商務(wù)部則認(rèn)為碳化硅半導(dǎo)體對國家安全至關(guān)重要。

Wolfspeed 首席執(zhí)行官Gregg Lowe 表示：“碳化硅已經(jīng)為電動汽車、電動交通、太陽能和風(fēng)能、工業(yè)電力應(yīng)用和人工智能數(shù)據(jù)中心等未來的關(guān)鍵任務(wù)行業(yè)帶來了卓越的能源效率。雖然到目前為止，電動汽車一直是碳化硅應(yīng)用的驅(qū)動力，但我們相信，隨著越來越多的行業(yè)發(fā)現(xiàn)自己需要解決與汽車制造商相同的功率損耗、系統(tǒng)尺寸和系統(tǒng)成本的挑戰(zhàn)，公司技術(shù)的用例將不斷增長?！?/p>

TrendForce集邦咨詢《2024全球SiC Power Device市場分析報告》顯示，盡管純電動汽車（BEV）銷量增速的明顯放緩已經(jīng)開始影響到SiC供應(yīng)鏈，但作為未來電力電子技術(shù)的重要發(fā)展方向，SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應(yīng)用市場中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢，預(yù)估2028年全球SiCPowerDevice市場規(guī)模有望達(dá)到91.7億美金。

這些擬議資金預(yù)計將在Wolfspeed未來幾年內(nèi)取得里程碑式成就后到賬，將助力其完成其耗資數(shù)十億美元的美國綠地產(chǎn)能擴張計劃，其中包括全球最大、最先進(jìn)的8英寸碳化硅產(chǎn)能擴張。除了擬議的直接資金外，Wolfspeed 還打算從美國財政部投資稅收抵免中受益，該抵免額最高可達(dá)合格資本支出的 25%，主要與北卡羅來納州西勒城的JohnPalmour 碳化硅制造中心的設(shè)備建設(shè)和安裝以及紐約州尤蒂卡的莫霍克谷工廠M-Line West 擴建工程的完成有關(guān)。

source：Wolfspeed

這筆數(shù)十億美元的投資將改善 Wolfspeed 公司的資產(chǎn)負(fù)債情況，并將有助于通過產(chǎn)生現(xiàn)金推動公司的大幅增長，加快實現(xiàn)長期盈利目標(biāo)。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

東部高科某高層表示，這項投資將利用Sangwoo園區(qū)的一個閑置廠房，建立半導(dǎo)體生產(chǎn)基礎(chǔ)，該公司預(yù)計到2027年10月末將投入總計2500億韓元（約13億人民幣）、到2030年投入1.7萬億韓元（約89億人民幣）。

目前，東部高科已進(jìn)入建立8英寸試點工藝的最后階段。據(jù)悉，潔凈室的擴建工作將從下個月（11月）開始進(jìn)行廠房設(shè)計，并計劃在明年年末完成內(nèi)部施工和各項設(shè)備安裝。計劃從2026年開始，東部高科將投入生產(chǎn)設(shè)備，建立正式的量產(chǎn)體系。

產(chǎn)能方面，項目投產(chǎn)后，東部高科8英寸碳化硅晶圓產(chǎn)能將達(dá)3.5萬片/月，這將使其月生產(chǎn)能力從目前的15.4萬張?zhí)岣?3%，達(dá)到19萬片。

公開資料顯示，東部高科是一家專門從事晶圓代工的公司，主要業(yè)務(wù)包括半導(dǎo)體芯片的設(shè)計與制造，是韓國第二大芯片代工廠商。

近年來，東部高科加大了在碳化硅和氮化鎵半導(dǎo)體領(lǐng)域的布局力度，以支持未來的業(yè)務(wù)增長。

在碳化硅方面，擁有8英寸晶圓廠的東部高科正計劃進(jìn)軍8英寸碳化硅市場，作為政府政策舉措的一部分，東部高科正在與釜山科技園合作開發(fā)碳化硅。

氮化鎵方面，2023年底，有業(yè)內(nèi)人士透露，東部高科聘請了安森美前技術(shù)開發(fā)高級總監(jiān)Ali Salih，并讓他負(fù)責(zé)氮化鎵工藝開發(fā)，以加快氮化鎵業(yè)務(wù)的技術(shù)開發(fā)和商業(yè)化。

在氮化鎵半導(dǎo)體制造方面，東部高科正在與無晶圓廠公司A-PRO Semicon合作，以優(yōu)化代工工藝。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

source：成都發(fā)布

據(jù)悉，該項目位于成都市高新區(qū)，總投資16.6億元，占地面積39畝，建筑面積6.5萬平米，于2023年10月開工建設(shè)，預(yù)計2025年5月前通過并聯(lián)并行竣工驗收，2026年5月全面達(dá)產(chǎn)。

建成后，該項目包括企業(yè)全國總部、技術(shù)中心、制造中心、服務(wù)中心以及核心零部件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地，并將同步建設(shè)中科院半導(dǎo)體所成都半導(dǎo)體材料先進(jìn)激光加工技術(shù)聯(lián)合實驗室及培訓(xùn)基地、四川省全固態(tài)先進(jìn)激光工程技術(shù)研究中心等項目。

官網(wǎng)資料顯示，萊普科技成立于2003年，是國內(nèi)集半導(dǎo)體激光裝備研發(fā)、制造、銷售和服務(wù)為一體的廠商。公司總部位于成都市高新區(qū)，建有深圳分公司和江蘇子公司，同時在蘇州、深圳、武漢、北京、西安等地建有服務(wù)辦公室。

業(yè)務(wù)進(jìn)展方面，萊普科技在半導(dǎo)體晶圓制造、封裝測試、精密電子制造等領(lǐng)域推出了三十余種激光應(yīng)用專業(yè)設(shè)備，擁有五十多項自主知識產(chǎn)權(quán)。

在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，萊普科技的硅基IGBT激光退火設(shè)備及碳化硅歐姆接觸激光退火設(shè)備與進(jìn)口廠家同廠比對并勝出，銷售至株洲中車時代半導(dǎo)體、無錫華潤上華、上海積塔半導(dǎo)體等企業(yè)。

目前，萊普科技正在推進(jìn)A股IPO進(jìn)程。今年3月4日，萊普科技在四川證監(jiān)局辦理輔導(dǎo)備案登記，輔導(dǎo)券商為中信建投證券。萊普科技現(xiàn)已完成第二期輔導(dǎo)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

報告期內(nèi)，公司預(yù)計營收為188.3億元-216.8億元，同比增長29.08%-48.61%；歸母凈利潤41.3億元-47.5億元，同比增長43.19%-64.69%；扣非凈利潤39.5億元-45.5億元，同比增長49.62%-71.97%。

今年第三季度，北方華創(chuàng)預(yù)計營收74.2億元-85.4億元，同比增長20.42%-38.60%；歸母凈利潤15.6億元-17.9億元，同比增長43.78%-64.98%；扣非凈利潤15億元-17.3億元，同比增長45.49%-67.80%。

北方華創(chuàng)表示，針對業(yè)績增長的主要原因是公司精研客戶需求，豐富產(chǎn)品矩陣，拓寬工藝覆蓋范圍，主營業(yè)務(wù)繼續(xù)保持 良好發(fā)展態(tài)勢，市場占有率穩(wěn)步攀升，前三季度收入實現(xiàn)同比穩(wěn)健增長。

并且，隨著公司營收規(guī)模持續(xù)擴大，平臺優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)，經(jīng)營效率持續(xù)提高，成本費用率穩(wěn)定下降，前三季度歸屬于上市公司股東的凈利潤同比持續(xù)增長。

據(jù)悉，北方華創(chuàng)專注于半導(dǎo)體基礎(chǔ)產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術(shù)服務(wù)，主要產(chǎn)品為電子工藝裝備和電子元器件，電子工藝裝備包括半導(dǎo)體裝備、真空裝備和新能源鋰電裝備，電子元器件包括電阻、電容、晶體器件、模塊電源、微波組件等。

在半導(dǎo)體裝備業(yè)務(wù)板塊，北方華創(chuàng)的主要產(chǎn)品包括刻蝕、薄膜沉積、爐管、清洗、晶體生長等核心工藝裝備，廣泛應(yīng)用于集成電路、功率半導(dǎo)體、三維集成和先進(jìn)封裝、化合物半導(dǎo)體、新型顯示、新能源光伏、襯底材料等制造領(lǐng)域。

目前，北方華創(chuàng)已具備單晶硅、多晶硅、SiC、GaN等多種材料外延生長技術(shù)能力，覆蓋集成電路、功率半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體等領(lǐng)域應(yīng)用需求。截至2023年底，北方華創(chuàng)已發(fā)布20余款量產(chǎn)型外延設(shè)備，累計出貨超1000腔。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。