123,123 http://szzm-kj.com 集邦化合物半導體是化合物半導體行業(yè)門戶網(wǎng)站,提供SiC、GaN等化合物半導體產(chǎn)業(yè)資訊、研討會以及分析報告。 Wed, 21 Aug 2024 09:22:35 +0000 zh-CN hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.3.1 三菱電機今年將量產(chǎn)新一代光收發(fā)器芯片 http://szzm-kj.com/Opto/newsdetail-69278.html Wed, 21 Aug 2024 09:50:07 +0000 http://szzm-kj.com/?p=69278 8月20日,三菱電機宣布,公司已開發(fā)出一種用于下一代光纖通信的光收發(fā)器接收器芯片,計劃于10月1日開始提供樣品,并于2024年底實現(xiàn)量產(chǎn)。

該接收器芯片的傳輸速度可達200Gbps,可應對生成人工智能(AI)廣泛應用下不斷增長的數(shù)據(jù)中心(DC)網(wǎng)絡高速化和大容量化的需求。

新開發(fā)的“800Gbps/1.6Tbps光纖通信用200Gbps pin-PD芯片”結(jié)合了背面入射光的結(jié)構(gòu)與以凸透鏡形式積聚光的結(jié)構(gòu)相結(jié)合,縮小了光電轉(zhuǎn)換區(qū)域。

三菱電機新一代光收發(fā)器芯片圖

source:三菱電機

與目前主流的100Gbps產(chǎn)品相比,該產(chǎn)品傳輸能力提高了2倍,可實現(xiàn)高速運行。假設在光收發(fā)器內(nèi)安裝4個新型芯片可以實現(xiàn)800Gbps的傳輸速度,安裝8個則可達1.6Tbps的傳輸速度。

據(jù)悉,數(shù)據(jù)中心內(nèi)的光通信正在從傳統(tǒng)的400Gbps向800Gbps、1.6Tbps過渡。三菱也從4月份開始批量生產(chǎn)200Gbps的發(fā)送芯片,應用于生成AI用計算設備的數(shù)據(jù)處理路徑交換開關(guān)的光收發(fā)器,但市場上符合接收芯片性能要求的產(chǎn)品還很少。

三菱電機表示:”公司利用多年的業(yè)績和在光器件設計及制造方面積累的專業(yè)知識,首次實現(xiàn)了可高速運行的接收用光器件的光電二極管(PD)產(chǎn)品化。”

另值得注意的是,在美國主導的數(shù)據(jù)中心行業(yè),業(yè)界預計在未來30年左右將考慮引入更高速的光通信。三菱電機也考慮到這一點,正在致力于開發(fā)用于光收發(fā)器的400Gbps發(fā)送接收芯片。(集邦化合物半導體Morty編譯)

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美國廠商推出碳化硅光電二極管 http://szzm-kj.com/Opto/newsdetail-68973.html Fri, 02 Aug 2024 02:58:47 +0000 http://szzm-kj.com/?p=68973 7月24日,美國光電元件和組件制造商Marktech Optoelectronics推出碳化硅(SiC)光電二極管用于深紫外光檢測,新品具有可見光或日盲(solar blind)特性,成為235nm和255nm深遠UVC LED檢測的理想方案。

圖片來源:Marktech Optoelectronics

新型UVC檢測光電二極管有兩種封裝類型,分別是采用TO-46金屬管帽封裝的MT12-001, 采用專有ATLAS密封封裝技術(shù)的SMD產(chǎn)品MTSM1057SMF2-046。

兩種封裝均可保護芯片免受水分、氧氣、氣體和其他蒸汽的影響,確保光電二極管長期保持一致的性能。此外,通過應用具有共價鍵合特征的碳化硅材料,光電二極管具有較高的內(nèi)在溫度穩(wěn)定性,可在高達170°C的溫度下運行。

Marktech Optoelectronics介紹,新款碳化硅光電光電二極管主要有以下關(guān)鍵優(yōu)勢:

1.日盲特點:碳化硅光電二極管在400nm響應極小,具有不到1%的峰值響應,因此對可見光、紅外光和太陽光基本不敏感,確保了UVC光在不同環(huán)境條件下探測的準確性。

2.高靈敏度和精確度:碳化硅材料在檢測深紫外波長方面具有卓越的靈敏度和精確度,增強了UVC監(jiān)測系統(tǒng)的有效性。

3.耐用性和可靠性:產(chǎn)品專為長期使用而設計,通過應用專有的密封封裝技術(shù),碳化硅光電二極管具有強大的性能,具有較高抗環(huán)境退化能力。在高劑量的UVC輻射下表現(xiàn)出卓越的長期耐用性。

4.產(chǎn)品具有出色的溫度穩(wěn)定性:可在高達+170°C的溫度下保持穩(wěn)定性能。

5.廣泛的應用范圍:光電二極管適用于各種需可靠UVC檢測技術(shù)的應用中,如空氣和表面消毒、水凈化以及分析儀器等。

Marktech Optoelectronics表示,新款的碳化硅光電二極管代表了UVC檢測技術(shù)的重大進步,其能夠準確檢測235nm和255nm的UVC波長,且不會受到可見光或紅外光的干擾,成為多種UVC監(jiān)測系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件。

資料顯示,Marktech Optoelectronics成立于1985年,如今該公司是世界知名的紫外線、可見光、近紅外 (NIR) 和短波紅外 (SWIR) 發(fā)射器和光電二極管探測器制造商之一。是Cree授權(quán)的高亮度LED和材料解決方案提供商。該公司還設計和制造硅光電探測器晶圓、芯片和 InP 外延晶圓等材料。(文:集邦化合物半導體)

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愛思強公布上半年業(yè)績 http://szzm-kj.com/Opto/newsdetail-68958.html Thu, 01 Aug 2024 07:06:17 +0000 http://szzm-kj.com/?p=68958 7月25日,愛思強公布2024年2季度與上半年業(yè)績數(shù)據(jù)。2季度,愛思強實現(xiàn)營收1.32億歐元(約合人民幣10.33億元),同比下滑24%,環(huán)比有所提升;息稅前利潤(EBIT)為1300萬歐元,同比下降71%;實現(xiàn)訂單金額1.76億歐元,與去年同期基本持平;經(jīng)營活動現(xiàn)金流為2020萬歐元,同比正向成長。

2024上半年,愛思強實現(xiàn)營收2.50億歐元(約合人民幣19.57億元),同比保持穩(wěn)定;息稅前利潤(EBIT)為2300萬歐元,同比下滑53%;實現(xiàn)訂單金額2.96億歐元,同比下降7%。

愛思強表示,在上半年市場整體表現(xiàn)疲弱的情況下,公司的G10產(chǎn)品系列驅(qū)動公司訂單需求增長。其中,2季度訂單金額與去年同期創(chuàng)紀錄的1.78億歐元基本持平,這是由于電力電子行業(yè)對于SiC和GaN功率應用設備業(yè)務需求持續(xù)增長,報告期SiC功率應用設備業(yè)務占新訂單比重為57%,GaN功率設備業(yè)務占訂單比重29%。

按業(yè)務類型分析,上半年,愛思強總營收中79%來自設備銷售(去年同期為82%),21%來自售后服務及耗材和備件(去年同期為18%)。

按終端應用來看,上半年GaN功率設備應用占總營收34%;其次是包含Micro LED技術(shù)在內(nèi)的LED設備應用,占總營收32%;SiC功率應用設備、光電子及通訊、研發(fā)等其他終端應用分別占愛思強上半年營收18%、9%、7%。

按市場區(qū)域來看,愛思強上半年營收主要來自于亞洲市場(65%),其次為歐洲市場(27%),美洲市場占比僅為8%。

基于當前電力電子領域業(yè)務環(huán)境,和大部分2季訂單需明年交付的情況,愛思強預計,3季度公司營收1.5億~1.8億歐元;全年營收下調(diào)至6.20~6.60億歐元,毛利率預計仍為43%~45%,息稅前利潤率下調(diào)至22%~25%。(來源:集邦化合物半導體)

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光通信巨頭:馬來西亞工廠光收發(fā)器出貨已達3億個 http://szzm-kj.com/Opto/newsdetail-68954.html Thu, 01 Aug 2024 07:03:46 +0000 http://szzm-kj.com/?p=68954 近期,光通信廠商coherent宣布,其位于馬來西亞怡保的制造工廠光收發(fā)器(Optical Transceiver)的出貨量已達到3億個。

據(jù)介紹,coherent馬來西亞怡保工廠成立于2001年,占地約6萬平方米,擁有3600名高技能員工。coherent表示,該工廠在生產(chǎn)下一代800G光收發(fā)器方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用,并且正在為1.6T和3.2T等下一代光收發(fā)器做準備。

AI爆火拉升光收發(fā)器出貨

據(jù)悉,光收發(fā)器主要用于光電轉(zhuǎn)換和電光轉(zhuǎn)換,在發(fā)送端將光通信設備的電信號轉(zhuǎn)換成光信號,通過光纖傳輸后,在接收端把光信號轉(zhuǎn)換成電信號,由設備進行信息處理。該器件主要應用于電信承載網(wǎng)、接入網(wǎng),數(shù)據(jù)中心及以太網(wǎng)三大場景。

隨著AI模型的持續(xù)迭代,對算力資源的需求不斷上升,推動了數(shù)據(jù)中心發(fā)展的同時也增加了對高速光收發(fā)器的需求,Coherent作為光收發(fā)器巨頭,也受益其中。

據(jù)Coherent披露的2024年Q3財報數(shù)據(jù)顯示,報告期內(nèi),公司實現(xiàn)營收12.09億美元,上個季度11.31億美元,去年同期12.40億美元;GAAP毛利率30.3%,上個季度31.0%,去年同期33.9%;非GAAP毛利率35.8%,上個季度36.0%,去年同期37.3%。

source:Coherent

Coherent指出,人工智能/機器學習相關(guān)數(shù)據(jù)通信收發(fā)器連續(xù)四個季度需求強勁。公司800G收發(fā)器產(chǎn)品營收環(huán)比增長近80%,達到近2億美元,并有望在2024財年第四季度超過2.5億美元。

為了響應客戶需求,Coherent正朝著在2025年商業(yè)化推出1.6T數(shù)據(jù)通信收發(fā)器和組件的方向取得進展,并預計從2025財年第一季度開始向客戶交付1.6T產(chǎn)品的商業(yè)樣品。

國內(nèi)企業(yè)后發(fā)先至

在光收發(fā)器領域,國內(nèi)相關(guān)企業(yè)雖然起步較晚,但是發(fā)展極其快速。

目前,光收發(fā)器市場的主要參與者有旭創(chuàng)科技(中國)、Coherent(美國)、光迅科技(中國)、海信寬帶(中國)、住友電氣(日本)、英特爾(美國)、富士通(日本)等企業(yè)。

雖然我國光收發(fā)器核心技術(shù)還與美國、日本有一定差距,但差距正在逐漸減小。隨著中國已對包括砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)和硅光(SiPh)等光子制造平臺和相關(guān)的技術(shù)研發(fā)進行了投資,我國在全球光通信產(chǎn)業(yè)的話語權(quán)逐漸加重。(集邦化合物半導體Rick)

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VCSEL芯片廠商識光完成Pre-A+輪融資 http://szzm-kj.com/Opto/newsdetail-68594.html Fri, 28 Jun 2024 08:33:31 +0000 http://szzm-kj.com/?p=68594 6月27日,據(jù)和高資本官微消息,蘇州識光芯科技術(shù)有限公司(以下簡稱識光)于近日完成Pre-A+輪融資,本輪投資方包括和高資本、星奇基金等,融資資金將主要用于產(chǎn)品推進和團隊建設。

官網(wǎng)資料顯示,識光致力于為自動駕駛、機器人、XR等終端應用提供高性能、高可靠性和低成本的SPAD-SoC芯片及相關(guān)dToF三維感知技術(shù)。識光通過全芯片化和全數(shù)字化片上集成,大幅簡化系統(tǒng)結(jié)構(gòu),幫助激光雷達突破現(xiàn)有的在性能、外形、可靠性和成本等方面的邊界,以最終實現(xiàn)三維感知的廣泛應用。

據(jù)悉,單光子雪崩二極管(Single Photon Avalanche Diode,SPAD)是一種具有單光子探測能力的光電器件,能夠用光速實現(xiàn)距離測量,達到微秒級測量時間及亞毫米測量精度,同時它能以光子計數(shù)的方式進行圖像采集,實現(xiàn)夜視成像或高速成像,是新一代單光子感知芯片的核心器件,也是激光雷達實現(xiàn)固態(tài)化的關(guān)鍵零部件。

圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫

識光通過全芯片化和全數(shù)字化片上系統(tǒng)集成,將高性能背照式單光子雪崩二極管(BSI SPAD)、高精度時鐘采樣矩陣(TDC)、單光子測距引擎(TCSPC)、高并發(fā)dToF感知算法加速器(DSP)、激光雷達控制單元(MCU)及高速數(shù)據(jù)接口等關(guān)鍵模塊集成到單顆芯片上,實現(xiàn)了全數(shù)字化數(shù)據(jù)采集與海量數(shù)據(jù)的實時片上處理,從而簡化系統(tǒng)結(jié)構(gòu),幫助激光雷達突破現(xiàn)有的在性能、外形、可靠性和成本等方面的邊界,真正實現(xiàn)三維感知的廣泛應用。

作為VCSEL+SPAD激光雷達技術(shù)路線的先行者,識光形成了獨有的從激光雷達系統(tǒng)視角定義并優(yōu)化SPAD-SoC芯片架構(gòu)的能力,攻克了高集成度芯片在激光雷達領域落地的技術(shù)關(guān)卡,縮短開發(fā)時間的同時實現(xiàn)性能、效率和成本的優(yōu)化,使激光雷達的全面普及成為可能。

自2021年4月成立至今,識光已完成3輪融資,包括2022年12月的天使輪、2023年1月的Pre-A輪以及本次的Pre-A+輪融資,投資方包括BV百度風投、匯川產(chǎn)投、浦科投資、獵鷹投資、芯禾資本、脩正創(chuàng)投、蘇高新金控、雨逸投資、匯毅資本等眾多機構(gòu)。(來源:和高資本,集邦化合物半導體整理)

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材料廠商旭化成宣布量產(chǎn)4英寸氮化鋁襯底 http://szzm-kj.com/Opto/newsdetail-68433.html Wed, 19 Jun 2024 08:20:32 +0000 http://szzm-kj.com/?p=68433 近日,日本化工企業(yè)旭化成(Asahi Kasei)旗下的UVC LED制造商Crystal IS宣布,公司根據(jù)UVC LED的當前業(yè)務需求,將在美國批量生產(chǎn)4英寸單晶氮化鋁襯底,其可用面積達到99%。

據(jù)悉,氮化鋁的超寬帶隙和高導熱性有助于提高UVC LED和其他下一代RF和功率器件的可靠性和性能。

左:2024年Q1,Crystal IS的100mm氮化鋁襯底的可用面積為90%;右:2024年Q2,氮化鋁襯底其可用面積為99.3%。

Crystal IS表示,在過去九個月,公司氮化鋁大直徑襯底實現(xiàn)了質(zhì)的提升,展示了公司團隊在晶體生長方面的豐富經(jīng)驗與專業(yè)知識,氮化鋁固有的熱優(yōu)勢可以使射頻和功率設備性能更高。

Crystal IS計劃在今年向主要合作伙伴供應直徑為4英寸的氮化鋁襯底,這些襯底將在其美國工廠獨家生產(chǎn),Crystal IS也將繼續(xù)拓展UVC LED以外的業(yè)務。

資料顯示,Crystal IS成立于1997年,致力于開發(fā)氮化鋁襯底,其技術(shù)工藝可用于2英寸直徑襯底中生產(chǎn)UVC LED。這些LED具有260-270nm波長,以及高可靠性和高性能特點,可滿足水消毒、空氣和表面消毒等應用。

去年8月,Crystal IS宣布生產(chǎn)出了首款4英寸氮化鋁襯底,展示了公司生長氮化鋁塊狀單晶工藝的可擴展性,能夠滿足各類應用的生產(chǎn)需求。(文:集邦化合物半導體)

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]]> LED封裝龍頭億光切入第三代半導體封測賽道 http://szzm-kj.com/Opto/newsdetail-68327.html Thu, 13 Jun 2024 09:25:30 +0000 http://szzm-kj.com/?p=68327 LED廠億光周三召開股東會,由董事長葉寅夫主持,億光致力于從中階光耦向高階發(fā)展,更跨足第三代半導體封裝測試新市場,億光董座認為,有看到旺季恢復跡象,但尚未達強勢盛況,億光第一季財報優(yōu)于預期,今年可望逐季成長,營收今年力拚雙位數(shù)成長持續(xù)努力中,毛利率受惠高階產(chǎn)品而進一步成長,年度EPS可望近年高檔,而第三類半導體封裝測試新市場預估明后年放量將更顯著。

source:億光

億光今年5月營收18.74億元(新臺幣,下同),年增18.69%、月減3.90%;前5月營收87.51億元,年增18.13%。億光第一季財報優(yōu)于預期,單季毛利率穩(wěn)居3成以上高檔,首季EPS為1.67元,持平9年半高點。

億光葉董表示,今年景氣得宜,有恢復旺季水平,下半年可望優(yōu)于上半年,目標逐季成長,營收今年力拼力拚雙位數(shù)成長持續(xù)努力中,毛利率受惠高階產(chǎn)品而進一步成長,年度EPS可望近年高檔。
億光未來聚焦在高價值產(chǎn)品上有著廣泛的應用,車用氛圍燈已延伸至消費性產(chǎn)品,如RGB LED在電競周邊產(chǎn)品中的應用,以及網(wǎng)通設備產(chǎn)品中RGB色彩呈現(xiàn)的趨勢;家電領域,像洗衣機、洗碗機、空調(diào)廠商也紛紛導入RGB技術(shù),除提升生活質(zhì)感外,也增加產(chǎn)品價值。

在不可見光領域,億光涉足光耦、IR與Sensor等三大市場,從綠能到工控,再到穿戴產(chǎn)品、家用監(jiān)視器以及元宇宙,不可見光技術(shù)的應用前景龐大。億光致力于從中階光耦向高階發(fā)展,不斷開發(fā)設計,并積極開拓各領域的市場,為產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來更多可能性。光耦占億光三成營收,放眼紅外線領域,億光更達全球市占第一。

億光也跨足第三類半導體封裝測試的新市場,目前雖由國際巨頭主導,但長交期與高價格使得發(fā)展受限。而近年臺灣地區(qū)在此領域?qū)I(yè)分工日益明晰,有助于產(chǎn)業(yè)價格下降及交期縮短,且因后段封測廠商仍相對稀少,此時切入不失為一個良好的契機。由于LED與第三類半導體制程相似,利用現(xiàn)有設備就可增加利潤成長空間。尤其億光已身處于車用市場的國際供應鏈之中,進一步擴大產(chǎn)品線將可進一步提高公司的附加價值。

第三類半導體封裝測試新市場,億光董座說明,新領域公司新對外征募數(shù)十位加入,由公司銅鑼廠產(chǎn)線耕耘,雖然目前占比仍低,良率也尚未達到理想水平,但今年底即可望更明朗,明年放量可望優(yōu)于今年表現(xiàn)。(來源:工商時報)

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銦杰半導體宣布磷化銦材料漲價15% http://szzm-kj.com/Opto/newsdetail-68020.html Sat, 11 May 2024 10:10:04 +0000 http://szzm-kj.com/?p=68020 昨日(5/10),陜西磷化銦材料廠商銦杰半導體公布調(diào)價通知,其磷化銦多晶產(chǎn)品將自5月31日起漲價15%。

對于此次調(diào)價的原因,銦杰半導體指出,原材料高純銦價格自2024年1月開始持續(xù)上漲,漲幅超40%,同時,其余材料成本也都有所上升,在此背景下,公司決定調(diào)整產(chǎn)品價格。

據(jù)了解,銦資源極度稀缺,是戰(zhàn)略金屬資源之一,在科技領域用途廣泛。據(jù)曲合期貨行情中心顯示,近一年來,銦的報價從2000元/千克上漲至今年5月10日的3000元/千克,漲幅達50%,價格創(chuàng)2016年以來新高。

而磷化銦是一種多功能的化合物半導體材料,在光電子和微電子行業(yè)中扮演著重要角色,尤其在5G高速通信、光模塊、自動駕駛激光雷達以及可穿戴設備傳感器等領域有著廣泛的應用,是現(xiàn)代光電子產(chǎn)業(yè)重要的基礎材料。

銦杰半導體致力于磷化銦化合物半導體多晶材料的研究與開發(fā),擁有完全自主產(chǎn)權(quán)的設備、工藝和控制系統(tǒng),據(jù)稱已實現(xiàn)核心材料進口替代,是國內(nèi)唯一一家可以批量生產(chǎn)高純磷化銦多晶的本土企業(yè)。目前,該公司正在建設年產(chǎn)220噸磷化銦材料生產(chǎn)線項目。

從產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)來看,磷化銦材料漲價將傳導至下游光電芯片等領域,相關(guān)廠商如三安光電、長光華芯、縱慧芯光、源杰半導體等。若后續(xù)更多材料廠商作出產(chǎn)品調(diào)整的通知,光電芯片等下游產(chǎn)品的價格或?qū)⑼缴蠞q。(集邦化合物半導體Jenny整理)

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全球首個6英寸磷化銦InP晶圓廠問世 http://szzm-kj.com/Opto/newsdetail-67458.html Tue, 26 Mar 2024 06:19:45 +0000 http://szzm-kj.com/?p=67458 昨日(3/25)消息,Coherent宣布已建立全球首個6英寸磷化銦(InP)晶圓生產(chǎn)能力,借此擴大其在歐美地區(qū)的InP產(chǎn)能,并大幅降低激光器、探測器及電子產(chǎn)品等InP光電器件的芯片成本(Die Cost)。

具體來看,Coherent在其美國德克薩斯州謝爾曼縣(Sherman, Texas)和瑞典J?rf?lla的晶圓廠分別建設了6英寸InP產(chǎn)能,未來將實現(xiàn)60%以上的成本降幅,賦能光通訊、數(shù)據(jù)通信收發(fā)器、AI智能互聯(lián)、消費電子及可穿戴設備用先進傳感、醫(yī)療與汽車、甚至往后的6G無線網(wǎng)絡、衛(wèi)星通信網(wǎng)絡等應用場景。

來源:Coherent官網(wǎng)

目前,Coherent正在推進幾款基于6英寸InP平臺產(chǎn)品的驗證,如200G電吸收調(diào)制激光器(EML)、200G分布反饋激光器、馬赫-曾德爾調(diào)制器(DFB-MZ)、100G電吸收調(diào)制激光器(EML)、高速光探測器、硅光子用高功率連續(xù)波(CW)激光器等。

Coherent表示,此次成功擴建6英寸InP產(chǎn)能,得益于公司在創(chuàng)新與技術(shù)開發(fā)領域的持續(xù)投入,也是多年來在智能手機傳感用VCSEL陣列制造領域的投資與運營經(jīng)驗的成果。

據(jù)了解,Coherent去年以來在VCSEL領域取得了不少成果。產(chǎn)品開發(fā)方面,其發(fā)布了集成VCSEL陣列的超緊湊動態(tài)照明與傳感專利模塊架構(gòu),該產(chǎn)品針對光學傳感應用進行了優(yōu)化,可實現(xiàn)動態(tài)場景中對關(guān)注區(qū)域的選擇性照明;今年初,Coherent發(fā)布了面向汽車及工業(yè)近中距離LiDAR(激光雷達)應用,推出了VCSEL照明模塊平臺。產(chǎn)品出貨量方面,截至2023年8月1日,Coherent傳感器用VCSEL發(fā)射器出貨量超2000億顆。

在未來幾年的時間里,Coherent預期InP大部分生產(chǎn)將從3英寸向6英寸過渡,以充分利用大尺寸晶圓、更高產(chǎn)量及更優(yōu)性能等的優(yōu)勢,鞏固其在通信和傳感領域的可持續(xù)競爭力。(來源:LEDinside)

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業(yè)績創(chuàng)新高,中微公司發(fā)布2023年年度報告 http://szzm-kj.com/Opto/newsdetail-67385.html Wed, 20 Mar 2024 06:05:15 +0000 http://szzm-kj.com/?p=67385 3月19日,中微公司發(fā)布2023年年度報告。

中微公司是一家以中國為基地、面向全球的微觀加工高端設備公司,致力于為全球集成電路和LED芯片制造商提供領先的加工設備和工藝技術(shù)解決方案。

中微公司主要擁有五類設備產(chǎn)品,分別是CCP電容性刻蝕機、ICP電感性刻蝕機、深硅刻蝕機、MOCVD、薄膜沉積設備、VOC設備。

在刻蝕設備業(yè)務的帶動下,2023年中微公司業(yè)績創(chuàng)歷史新高,公司實現(xiàn)營業(yè)收入62.64億元,同比增長32.15%;實現(xiàn)歸母凈利潤17.86億元,同比增長52.67%;公司總資產(chǎn)約215.26億元,較報告期初增長7.44%。報告期內(nèi),中微公司新簽設備訂單83.60億元,同比增長32.30%,其中刻蝕設備新增訂單約69.5億元,同比增長約60.1%。

報告期內(nèi),中微公司的刻蝕設備業(yè)務實現(xiàn)營收47.03億元,同比增長49.43%。中微公司表示,其刻蝕設備技術(shù)已達到5nm及以下,設備具備了更先進點的工藝水平,設備收到了多家客戶的批量訂單,市場占有率持續(xù)提升。

MOCVD設備營收則達到了4.62億元,同比下降約33.95%。中微公司表示,公司的MOCVD設備在Mini LED等氮化鎵基設備領域市場占有率較大份額,此外公司還在繼續(xù)開發(fā)用于氮化鎵、碳化硅等功率器件及Micro LED器件制造的MOCVD設備。報告期內(nèi),受終端市場波動影響,2023年MOCVD設備訂單同比下降約72.2%。

目前,在LED領域,中微公司的MOCVD設備包括了用于LED藍光照明的PRISMO A7、用于深紫外LED的PRISMO HiT3、用于MiniLED顯示的PRISMO UniMax等產(chǎn)品。其中 PRISMO UniMax 產(chǎn)品自2021年6月正式發(fā)布以來,憑借高產(chǎn)量、高波長均勻性、高良率等優(yōu)點,受到下游客戶的廣泛認可。
而針對Micro LED應用的MOCVD設備目前開發(fā)順利,實驗室初步結(jié)果實現(xiàn)了優(yōu)良的波長均勻性能,并于報告期內(nèi)交運樣機至國內(nèi)領先客戶開展生產(chǎn)驗證。

在氮化鎵、碳化硅領域,中微公司于2022年推出了用于氮化鎵功率器件生產(chǎn)的MOCVD設備PRISMO PD5,已交付至國內(nèi)外領先客戶,并取得了重復訂單。而碳化硅功率器件外延生產(chǎn)設備正在開發(fā)中,報告期內(nèi),中微公司取得較大的技術(shù)進展,實現(xiàn)了優(yōu)良的工藝結(jié)果,正與多家領先客戶開展商務洽談,預計2024年第一季度將開展客戶端生產(chǎn)驗證。

報告期內(nèi),中微公司繼續(xù)加大研發(fā)與產(chǎn)能建設與投入,其研發(fā)費用提升至12.62億元,同比增長35.89%。項目建設方面,其位于南昌的約14萬平方米的生產(chǎn)和研發(fā)基地已于2023年7月投入使用;在上海臨港的約18萬平方米的生產(chǎn)和研發(fā)基地部分生產(chǎn)廠房及成品倉庫已經(jīng)于2023年10月投入使用;上海臨港約10萬平方米的研發(fā)中心暨總部大樓也即將封頂,未來將進一步提升中微公司的綜合競爭力。

中微公司表示,公司已形成三個維度擴展未來公司業(yè)務的布局規(guī)劃,將深耕集成電路關(guān)鍵設備領域、擴展在泛半導體關(guān)鍵設備領域應用并探索其他新興領域的機會。

在集成電路設備領域,公司考慮擴大在刻蝕設備領域的競爭優(yōu)勢,延伸到薄膜、檢測等其他關(guān)鍵設備領域;在泛半導體領域設備的應用,公司計劃擴展布局顯示、MEMS、功率器件等的關(guān)鍵設備;在其他新興領域的機會,公司擬探索利用獨特的設備及工藝技術(shù),考慮從設備制造向器件大規(guī)模生產(chǎn)的機會,以及探索更多集成電路及泛半導體設備生產(chǎn)線相關(guān)環(huán)保設備及醫(yī)療健康智能設備等領域的市場機會。

文:集邦化合物半導體

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