– 01 -AI應(yīng)用普及，GaN有望成為減熱增效的幕后英雄

AI技術(shù)的演進(jìn)，帶動(dòng)算力需求持續(xù)攀升，CPU/GPU的功耗問(wèn)題日益顯著。為了應(yīng)對(duì)更高端的AI運(yùn)算，服務(wù)器電源的效能、功率密度必須進(jìn)一步提高，GaN已成為關(guān)鍵解決技術(shù)之一。臺(tái)達(dá)為全球最大的服務(wù)器電源供應(yīng)商，市占率近5成。觀察其服務(wù)器電源的進(jìn)階過(guò)程，功率密度在過(guò)去10年里由33.7W/in3上升至100.3W/in3，同時(shí)功率等級(jí)來(lái)到了3.2kW甚及5.5kW，而下一代預(yù)計(jì)將達(dá)到8 kW以上。
TrendForce集邦咨詢(xún)研究表明，2024年AI服務(wù)器占整體服務(wù)器出貨的比重預(yù)估將達(dá)12.2%，較2023年提升約3.4%，而一般型服務(wù)器出貨量年增率僅有1.9%。

為了搶占商機(jī)，英飛凌與納微半導(dǎo)體均在今年公布了針對(duì)AI數(shù)據(jù)中心的技術(shù)路線圖。英飛凌表示，將液冷技術(shù)與GaN相結(jié)合，在較低結(jié)溫下具有明顯的優(yōu)勢(shì)，為數(shù)據(jù)中心提供了巨大的機(jī)會(huì)，可以最大程度地提高效率，滿(mǎn)足不斷增長(zhǎng)的電力需求，并克服服務(wù)器發(fā)熱量不斷增加所帶來(lái)的挑戰(zhàn)。

– 02 -電機(jī)驅(qū)動(dòng)場(chǎng)景，GaN高頻特性潛力凸顯

在機(jī)器人等電機(jī)驅(qū)動(dòng)場(chǎng)景，GaN的應(yīng)用潛力逐漸浮現(xiàn)。相對(duì)工業(yè)機(jī)器人，人形機(jī)器人（Humanoid Robot）由于自由度（Degrees of Freedom, DoF）急劇上升，對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的需求量大幅增加。人形機(jī)器人的關(guān)節(jié)模組承擔(dān)了主要的發(fā)力與制動(dòng)任務(wù)，為了獲得更高的爆發(fā)力，需要配置高功率密度、高效率、高響應(yīng)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，GaN因此受到市場(chǎng)關(guān)注，特別是在腿部等負(fù)載較高的部位。
德州儀器、EPC（宜普電源轉(zhuǎn)換）持續(xù)推動(dòng)著GaN于電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域的應(yīng)用，并不斷吸引新玩家進(jìn)入。未來(lái)的機(jī)器人定會(huì)超乎想象，而精確、快速和強(qiáng)大的運(yùn)動(dòng)能力是其中之關(guān)鍵，驅(qū)動(dòng)其運(yùn)動(dòng)所需的電機(jī)也勢(shì)必隨之進(jìn)步，GaN將因此受益。

– 03 -GaN為汽車(chē)功率電子提供新方案

相對(duì)于SiC在汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的繁榮景象，GaN汽車(chē)應(yīng)用亦不斷吸引著業(yè)界關(guān)注，其中車(chē)載充電機(jī)(OBC)被視為最佳突破點(diǎn)。第一個(gè)符合汽車(chē)AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的功率GaN產(chǎn)品在2017年由Transphorm（現(xiàn)Renesas-瑞薩電子）發(fā)布，截至目前，已有多家廠商推出豐富的汽車(chē)級(jí)產(chǎn)品。
整體而言，雖然GaN進(jìn)入Inverter、OBC等動(dòng)力系統(tǒng)組件還面臨著多個(gè)技術(shù)問(wèn)題，但相信在英飛凌、瑞薩等汽車(chē)芯片大廠的持續(xù)投資推動(dòng)下，GaN不久就會(huì)成為汽車(chē)功率組件中的關(guān)鍵角色。

– 04 -消費(fèi)電子仍是GaN的主戰(zhàn)場(chǎng)

消費(fèi)電子是功率GaN產(chǎn)業(yè)的主戰(zhàn)場(chǎng)，并由快速充電器迅速延伸至家電、智能手機(jī)等領(lǐng)域。
具體而言，GaN已經(jīng)在低功率的手機(jī)快速充電器中被大規(guī)模采用，下一步GaN將進(jìn)入可靠性要求更為嚴(yán)格的筆電、家電電源。另外，其他蘊(yùn)藏潛力的消費(fèi)場(chǎng)景包括Class-D Audio、Smartphone OVP等。

TrendForce集邦咨詢(xún)認(rèn)為，功率GaN產(chǎn)業(yè)正處于關(guān)鍵的突圍時(shí)刻，幾大潛力應(yīng)用同步推動(dòng)著產(chǎn)業(yè)規(guī)模加速成長(zhǎng)。同時(shí)，為了進(jìn)入更為復(fù)雜的大功率、高頻化場(chǎng)景，GaN在可靠性基礎(chǔ)上有望引入新結(jié)構(gòu)、新工藝，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入新動(dòng)能。另外，從產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)程來(lái)看，F(xiàn)abless（無(wú)晶圓廠）公司在過(guò)去一段時(shí)間里表現(xiàn)較為活躍，但隨著產(chǎn)業(yè)不斷整合以及應(yīng)用市場(chǎng)逐步打開(kāi)，未來(lái)將看到傳統(tǒng)IDM（集成器件制造）大廠的話(huà)語(yǔ)權(quán)顯著上升，為產(chǎn)業(yè)格局的未來(lái)圖景帶來(lái)新的重大變數(shù)。（文：TrendForce集邦咨詢(xún)）

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2023年全球SiC功率元件營(yíng)收市占率

TrendForce集邦咨詢(xún)分析，2024年來(lái)自AI服務(wù)器等領(lǐng)域的需求則顯著大增，然而，純電動(dòng)汽車(chē)銷(xiāo)量成長(zhǎng)速度的明顯放緩和工業(yè)需求走弱正在影響SiC供應(yīng)鏈，預(yù)計(jì)2024年全球SiC功率元件產(chǎn)業(yè)營(yíng)收年成長(zhǎng)幅度將較過(guò)去幾年顯著收斂。

ST

作為關(guān)鍵的車(chē)用SiC MOSFET供應(yīng)商，ST正在意大利卡塔尼亞打造一座全流程SiC工廠，預(yù)計(jì)2026年投產(chǎn)。此外，ST與三安光電在中國(guó)成立的8英寸SiC合資工廠有望最快在今年年底通線，屆時(shí)ST可結(jié)合位于當(dāng)?shù)氐暮蠖畏鉁y(cè)產(chǎn)線以及三安光電提供的配套襯底材料工廠，達(dá)到垂直整合效益。

onsemi

onsemi近年來(lái)SiC業(yè)務(wù)進(jìn)展迅速，這主要?dú)w功于其車(chē)用EliteSiC系列產(chǎn)品。onsemi位于韓國(guó)富川的SiC晶圓廠在2023年完成擴(kuò)建，并計(jì)劃在2025年完成相關(guān)技術(shù)驗(yàn)證后轉(zhuǎn)為8英寸。自完成對(duì)GTAT收購(gòu)后，目前onsemi的SiC襯底材料自給率已超過(guò)50%，隨著內(nèi)部材料產(chǎn)能的提升，公司正在朝著毛利率達(dá)到50%的目標(biāo)前進(jìn)。

Infineon

Infineon的SiC營(yíng)收近一半來(lái)自于工業(yè)市場(chǎng)，其馬來(lái)西亞居林工廠的主要客戶(hù) SolarEdge陷入困境，對(duì)Infineon營(yíng)運(yùn)產(chǎn)生沖擊。相較之下，Infineon的汽車(chē)業(yè)務(wù)發(fā)展較為穩(wěn)健，例如近期小米SU7的design win，另外過(guò)去相對(duì)落后的產(chǎn)能建設(shè)進(jìn)度反倒讓其在市場(chǎng)逆風(fēng)中處于有利地位。相較于其他幾家領(lǐng)先的SiC IDM廠商，Infineon缺少SiC晶體材料的內(nèi)部生產(chǎn)能力，因此積極推動(dòng)多元化供應(yīng)商體系，以確保供應(yīng)鏈穩(wěn)定。

Wolfspeed

Wolfspeed在過(guò)去兩年里錯(cuò)失了一些市場(chǎng)機(jī)會(huì)，功率元件業(yè)務(wù)市占有所下滑。不過(guò)Wolfspeed仍然是全球最大的SiC材料供應(yīng)商，特別是汽車(chē)級(jí) MOSFET襯底，并在8英寸領(lǐng)域具備先發(fā)優(yōu)勢(shì)。隨著Wolfspeed的The JP工廠即將投產(chǎn)，有望顯著提高材料產(chǎn)能，并推動(dòng)莫霍克谷工廠（MVF）的投產(chǎn)進(jìn)程。

ROHM

ROHM近期收購(gòu)了Solar Frontier的國(guó)富町工廠作為其第四個(gè)SiC工廠，并計(jì)劃在今年開(kāi)始生產(chǎn)8英寸SiC襯底，后續(xù)亦將投入功率元件的制造。ROHM與Vitesco Technologies、馬自達(dá)、吉利汽車(chē)等車(chē)廠及Tier1建立了長(zhǎng)期的合作關(guān)系，并加速新一代功率模塊開(kāi)發(fā)，盼借此帶動(dòng)市占率的提升。

TrendForce集邦咨詢(xún)認(rèn)為，整體而言，SiC正處于一個(gè)快速成長(zhǎng)和高度競(jìng)爭(zhēng)的市場(chǎng)，規(guī)模經(jīng)濟(jì)比任何其他因素更為重要。領(lǐng)先的IDM廠商紛紛一改過(guò)去保守、沉穩(wěn)的戰(zhàn)略姿態(tài)，轉(zhuǎn)而積極投資SiC擴(kuò)張計(jì)劃，期望建立領(lǐng)導(dǎo)地位。截至目前，全球已有超過(guò)10家廠商正在投資建設(shè)8英寸SiC晶圓廠?？梢灶A(yù)見(jiàn)，未來(lái)隨著市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大，SiC領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)也將更為激烈。（文：TrendForce集邦咨詢(xún)）

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其中，純電車(chē)(BEV)的牽引逆變器裝機(jī)量占比為48%，季減5%；而油電混合動(dòng)力車(chē)(HEV)及插電混合式電動(dòng)車(chē)(PHEV)的牽引逆變器裝機(jī)量則從47%提高至52%。從數(shù)據(jù)上的此消彼漲可看出，里程焦慮問(wèn)題目前仍為消費(fèi)者購(gòu)車(chē)時(shí)的優(yōu)先考量。

從第一季電動(dòng)車(chē)各電壓區(qū)間的牽引逆變器裝機(jī)量來(lái)看，由于混動(dòng)車(chē)型的增長(zhǎng)，電壓≤300V的牽引逆變器裝機(jī)量占比達(dá)36%，季增2%；而純電車(chē)的衰退，導(dǎo)致電壓>300V≤550V的裝機(jī)量占比季減1%，下降至55%，>550V的裝機(jī)量占比為9%，與上季持平。雖然各區(qū)間占比略有波動(dòng)，市場(chǎng)主流電壓區(qū)間仍為>300V≤550V。

供應(yīng)鏈方面，在中國(guó)國(guó)產(chǎn)替代的戰(zhàn)略下，全球前五大的牽引逆變器Tier 1中，已有比亞迪及匯川技術(shù)兩家中國(guó)企業(yè)。其中，比亞迪的逆變器屬于自研自產(chǎn)產(chǎn)品，用于自家車(chē)型，匯川技術(shù)深耕理想、小鵬、小米等新創(chuàng)新能源車(chē)廠。

此外，華為的市占率已連續(xù)三季季增1%，未來(lái)能否進(jìn)入前五大供應(yīng)商值得觀察。整體而言，第一季包含比亞迪與匯川技術(shù)在內(nèi)的中國(guó)占比為34%，由歐美日Tier 1主導(dǎo)牽引逆變器的局面已被打破。

由于里程焦慮為結(jié)構(gòu)性因素，加上地緣政治影響，消費(fèi)者在購(gòu)買(mǎi)BEV時(shí)可能仍采取較保守的態(tài)度，或轉(zhuǎn)而購(gòu)買(mǎi)混動(dòng)車(chē)型。根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)預(yù)估，BEV第二季的牽引逆變器裝機(jī)量可能持平或最多小幅增長(zhǎng)，純電車(chē)型與混動(dòng)車(chē)型將以均分的形式持續(xù)推動(dòng)牽引逆變器裝機(jī)量。整體來(lái)看，第二季牽引逆變器市場(chǎng)將告別淡季，小幅回暖，預(yù)估裝機(jī)量季增約10%至20%。（來(lái)源：TrendForce集邦咨詢(xún)）

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Tesla和比亞迪是兩個(gè)備受矚目的BEV品牌，近期均報(bào)告了令人失望的銷(xiāo)售數(shù)據(jù)，其中Tesla在1Q24更迎來(lái)了四年來(lái)首次季度銷(xiāo)量同環(huán)比下滑，這讓 SiC供應(yīng)鏈面臨短期壓力。不過(guò)，從長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展角度來(lái)看，隨著800V系統(tǒng)滲透率持續(xù)提升，以及SiC供應(yīng)鏈成本不斷優(yōu)化， SiC在汽車(chē)市場(chǎng)發(fā)展前景依舊光明。作為汽車(chē)電動(dòng)化轉(zhuǎn)型中最閃耀的明星之一，SiC一直處于風(fēng)口浪尖，這從最近中國(guó)兩大汽車(chē)品牌智己和小米之間的爭(zhēng)吵中顯而易見(jiàn)。

SiC市場(chǎng)始終熱情不減，在過(guò)去的2023年里，并購(gòu)案例如Bosch 透過(guò)收購(gòu)TSI Semiconductors的關(guān)鍵資產(chǎn)來(lái)加速8英寸SiC晶圓生產(chǎn)，以及Veeco收購(gòu)Epiluvac AB切入 SiC外延設(shè)備市場(chǎng)。另外，Renesas與Wolfspeed簽訂10年的SiC材料供應(yīng)協(xié)議，亦凸顯了新進(jìn)入者之決心。

襯底材料的供應(yīng)緊缺問(wèn)題是過(guò)去幾年中限制SiC市場(chǎng)發(fā)展的主要因素，洶涌的擴(kuò)產(chǎn)潮隨之而來(lái)，在此期間中國(guó)供應(yīng)商迅速崛起，并進(jìn)入全球前三。不過(guò)，瘋狂的產(chǎn)能擴(kuò)張背后亦蘊(yùn)藏著價(jià)格和產(chǎn)能過(guò)剩風(fēng)險(xiǎn)，生產(chǎn)商們必須加以重視并積極調(diào)整應(yīng)對(duì)。在此情況下，Infineon等IDM大廠在確保穩(wěn)定的材料供應(yīng)后，已將更多注意力轉(zhuǎn)移到元件、封裝和應(yīng)用技術(shù)上，這是未來(lái)關(guān)鍵競(jìng)爭(zhēng)力之所在。

總的來(lái)說(shuō)，SiC正處于一個(gè)快速成長(zhǎng)和高度競(jìng)爭(zhēng)的市場(chǎng)，規(guī)模經(jīng)濟(jì)比任何其他因素更為重要。領(lǐng)先的IDM廠商紛紛一改過(guò)去保守、沉穩(wěn)的戰(zhàn)略姿態(tài)，轉(zhuǎn)而激進(jìn)投資SiC擴(kuò)張計(jì)劃，期望建立領(lǐng)導(dǎo)地位?？梢灶A(yù)見(jiàn)，未來(lái)隨著市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大，SiC領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)將愈發(fā)激烈。（文：TrendForce集邦咨詢(xún)）

《2024 全球SiC Power Device市場(chǎng)分析報(bào)告》

語(yǔ)系：簡(jiǎn)體中文 丨 格式：PDF 丨 頁(yè)數(shù)：約70頁(yè)

一、概況
-全球SiC產(chǎn)業(yè)格局
-全球SiC供應(yīng)鏈現(xiàn)狀
-全球SiC產(chǎn)業(yè)并購(gòu)動(dòng)態(tài)
-全球主要SiC廠商業(yè)務(wù)布局

二、SiC Substrate市場(chǎng)分析
-SiC Substrate廠商分布
-SiC Substrate成本結(jié)構(gòu)分析
-SiC Substrate價(jià)格趨勢(shì)
-SiC Substrate尺寸趨勢(shì)
-8-inch SiC Substrate進(jìn)展
-SiC Substrate技術(shù)創(chuàng)新
-SiC Substrate供應(yīng)商營(yíng)收份額
-SiC Substrate市場(chǎng)規(guī)模
-SiC Substrate供應(yīng)格局
-SiC Substrate產(chǎn)能預(yù)測(cè)

三、SiC Epitaxial Wafer市場(chǎng)分析
-SiC Epitaxial Wafer廠商分布
-SiC Epitaxial Wafer成本結(jié)構(gòu)分析
-SiC Epitaxial Wafer供應(yīng)商業(yè)務(wù)布局
-SiC Epitaxial Wafer供應(yīng)商營(yíng)收份額
-SiC Epitaxial Wafer市場(chǎng)規(guī)模
-SiC Epitaxial Reactor市場(chǎng)規(guī)模

四、SiC Power Device市場(chǎng)分析
-SiC Power Device廠商分布
-SiC Power Device成本結(jié)構(gòu)分析
-SiC MOSFET技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
-SiC Power Device供應(yīng)商產(chǎn)品線情況
-SiC Power Device供應(yīng)商營(yíng)收份額
-SiC Power Device市場(chǎng)規(guī)模
-8-inch SiC Wafer Fab情況
-SiC Wafer Foundry情況

五、車(chē)用SiC市場(chǎng)分析
-全球新能源汽車(chē)市場(chǎng)狀況
-SiC車(chē)用組件概況
-車(chē)用SiC供應(yīng)鏈狀況
-汽車(chē)主逆變器功率模組發(fā)展趨勢(shì)
-汽車(chē)主逆變器SiC搭載進(jìn)程
-汽車(chē)主逆變器SiC供應(yīng)格局
-800V系統(tǒng)滲透率預(yù)測(cè)
-車(chē)用市場(chǎng)SiC晶圓需求預(yù)測(cè)
-車(chē)用功率半導(dǎo)體市場(chǎng)份額(Si/SiC/GaN)

六、主要SiC廠商分析
-Wolfspeed
-Infineon
-ST
-onsemi
-ROHM
-Bosch
-Coherent
-Resonac
-X-FAB

七、中國(guó)SiC市場(chǎng)動(dòng)態(tài)
-中國(guó)SiC供應(yīng)鏈現(xiàn)狀
-中國(guó)主要SiC廠商業(yè)務(wù)布局
-中國(guó)SiC產(chǎn)線情況-Substrate & Epitaxy
-中國(guó)SiC產(chǎn)線情況 – Wafer Fab
-中國(guó)SiC生產(chǎn)設(shè)備發(fā)展現(xiàn)狀
-中國(guó)車(chē)用SiC產(chǎn)業(yè)近況
-主要廠商動(dòng)態(tài)分析

2023年消費(fèi)性電子產(chǎn)品導(dǎo)入3D感測(cè)的品牌包含Apple（手機(jī)、平板電腦）、Honor（手機(jī)）、Meta Quest 3、Magic Leap 2。iPhone 15 Pro 采用Sony堆疊結(jié)構(gòu)技術(shù)，將 VCSEL及驅(qū)動(dòng) IC、SPAD及ISP（ASIC Chip）以堆疊結(jié)構(gòu)使系統(tǒng)尺寸大幅減少，并同時(shí)實(shí)現(xiàn)高速回應(yīng)和高輸出功率，在相同功率下提供更好的光達(dá)掃描（LiDAR Scanner）性能，拉長(zhǎng)電池續(xù)航時(shí)間，同時(shí)提高相機(jī)和擴(kuò)增實(shí)境的性能。

受惠于Apple 計(jì)劃 2024年導(dǎo)入MetaLens技術(shù)，以縮小發(fā)射元件（Transmitters）體積，計(jì)劃于2027年采用全屏下3D感測(cè)（Under-Display 3D Sensing）技術(shù)，以提升顯示屏占比，由于屏下3D感測(cè)采用短波紅外線VCSEL（SWIR VCSEL），不僅可降低太陽(yáng)光及環(huán)境光干擾，也較不易產(chǎn)生白點(diǎn)現(xiàn)象。藉由導(dǎo)入短波紅外線VCSEL（SWIR VCSEL）技術(shù)，帶動(dòng)VCSEL價(jià)格上升。根據(jù) TrendForce集邦咨詢(xún)調(diào)查，1,130nm VCSEL于2023下半年已可達(dá)到PCE>30%，其中以艾邁斯歐司朗（ams OSRAM）的 1,130nm VCSEL有絕對(duì)優(yōu)異的產(chǎn)品表現(xiàn)。

而隨著Apple Vision Pro 將于2024年正式出貨，采用結(jié)構(gòu)光（Structured Light）、直接式飛時(shí)測(cè)距（dToF）、主動(dòng)式雙目視覺(jué)（Active Stereo Vision），共三項(xiàng)3D感測(cè)技術(shù)。加上 Sony、Meta、Microsoft、Google 等品牌廠商持續(xù)推出 擴(kuò)增/虛擬實(shí)境產(chǎn)品，也將穩(wěn)定帶動(dòng) 3D 感測(cè)市場(chǎng)需求。預(yù)估至2028年消費(fèi)性電子3D感測(cè)VCSEL市場(chǎng)產(chǎn)值上看14.04億美元，2023~2028年復(fù)合成長(zhǎng)率約11%。（文：TrendForce集邦咨詢(xún)）

集邦咨詢(xún) 2024紅外線感測(cè)市場(chǎng)分析報(bào)告

出刊時(shí)間: 2024年 01 月 01 日
文件格式: PDF
報(bào)告語(yǔ)系: 繁體中文 /英文
頁(yè)數(shù): 162

展望第四季，在年底節(jié)慶預(yù)期心理下，智能手機(jī)、筆電供應(yīng)鏈備貨急單有望延續(xù)，又以智能手機(jī)的零部件拉貨動(dòng)能較明顯。盡管終端尚未全面復(fù)蘇，但中國(guó)Android陣營(yíng)手機(jī)年底銷(xiāo)售季前備貨動(dòng)能略?xún)?yōu)于預(yù)期，包括5G中低端、4G手機(jī)AP等，以及部分延續(xù)的Apple iPhone新機(jī)效應(yīng)，第四季全球前十大晶圓代工產(chǎn)值預(yù)期會(huì)持續(xù)向上，成長(zhǎng)幅度應(yīng)會(huì)高于第三季。
臺(tái)積電3nm正式貢獻(xiàn)營(yíng)收，第三季市占率上升至58%

臺(tái)積電（TSMC）受惠于PC、智能手機(jī)零部件如iPhone與Android新機(jī)，以及5G、4G中低端手機(jī)庫(kù)存回補(bǔ)急單助力，加上3nm高價(jià)制程正式貢獻(xiàn)營(yíng)收，抵銷(xiāo)第三季晶圓出貨量下滑負(fù)面因素，第三季營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)10.2%，達(dá)172.5億美元。其中3nm在第三季營(yíng)收占比達(dá)6%，而臺(tái)積電整體先進(jìn)制程（7nm含以下）營(yíng)收占比已達(dá)近6成。三星晶圓代工事業(yè)（Samsung Foundry）受惠先進(jìn)制程Qualcomm中低端5G AP SoC、Qualcomm 5G modem，及成熟制程28nm OLED DDI等訂單加持，第三季營(yíng)收達(dá)36.9億美元，環(huán)比增長(zhǎng)14.1%。

格芯（GlobalFoundries）第三季晶圓出貨和平均銷(xiāo)售單價(jià)持平第二季，故營(yíng)收也與第二季相近，約18.5億美元。第三季營(yíng)收支撐主力來(lái)自于家用和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域（Home and Industrial IoT），其中美國(guó)航天與國(guó)防訂單占比約20%。聯(lián)電（UMC）受惠于急單支撐，大致抵銷(xiāo)車(chē)用訂單的修正，整體晶圓出貨仍小幅下跌、營(yíng)收微幅環(huán)比減少1.7%，約18億美元，其中28/22nm營(yíng)收季增近一成、占比上升至32%。

中芯國(guó)際（SMIC）同樣受惠于消費(fèi)性產(chǎn)品季節(jié)性因素，尤以智能手機(jī)相關(guān)急單為主，第三季營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)3.8%，達(dá)16.2億美元。由于供應(yīng)鏈持續(xù)有分流趨勢(shì)，同時(shí)中國(guó)本土客戶(hù)基于本土化號(hào)召回流、及智能手機(jī)零部件備貨急單，營(yíng)收占比增長(zhǎng)至84%。
IFS首次進(jìn)榜，第三季營(yíng)收成長(zhǎng)幅度居冠

第六至第十名最大變化在于世界先進(jìn)（VIS）、IFS（Intel Foundry Service）排名上升，且IFS是自Intel財(cái)務(wù)拆分后首度擠進(jìn)全球前十名。世界先進(jìn)（VIS）第三季因應(yīng)LDDI庫(kù)存已落至健康水位，LDDI與面板相關(guān)PMIC投片逐步復(fù)蘇，以及部分預(yù)先生產(chǎn)的晶圓（Prebuild）出貨，營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)3.8%，達(dá)3.3億美元，排名首度超越力積電（PSMC），上升至第八名。IFS則受惠于下半年筆電拉貨季節(jié)性因素，加上自身先進(jìn)高價(jià)制程貢獻(xiàn)，第三季營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)約34.1%，約3.1億美元。

其余業(yè)者如華虹集團(tuán)（HuaHong Group）第三季營(yíng)收環(huán)比減少9.3%，約7.7億美元。旗下HHGrace雖晶圓出貨大致與前季持平，但為維持客戶(hù)投片啟動(dòng)讓價(jià)，平均銷(xiāo)售單價(jià)季減約一成，導(dǎo)致?tīng)I(yíng)收下跌。高塔半導(dǎo)體受惠季節(jié)性因素，在智能手機(jī)、車(chē)用/工控領(lǐng)域相關(guān)半導(dǎo)體需求相對(duì)穩(wěn)定，第三季營(yíng)收約3.6億美元，大致持平第二季。力積電第三季營(yíng)收環(huán)比減少7.5%，約3.1億美元，其中PMIC與Power Discrete營(yíng)收分別季減近一成與近兩成，影響整體營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)。

文：TrendForce集邦咨詢(xún)

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從全球晶圓代工趨勢(shì)洞悉AI應(yīng)用發(fā)展

消費(fèi)性電子產(chǎn)品需求隨著全球景氣低迷而委靡不振，而AI應(yīng)用帶動(dòng)HPC芯片需求逆勢(shì)大幅成長(zhǎng)。除采用現(xiàn)有芯片供應(yīng)商解決方案外，客制化自研芯片趨勢(shì)也已崛起，高速運(yùn)算應(yīng)用成為先進(jìn)制程最大驅(qū)動(dòng)力。然而，先進(jìn)制程產(chǎn)能過(guò)度集中也引發(fā)國(guó)際客戶(hù)的擔(dān)憂(yōu)，據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)資料顯示，截至2024年底，全球仍有超過(guò)70%的先進(jìn)制程產(chǎn)能位于臺(tái)灣地區(qū)。在地緣風(fēng)險(xiǎn)下，各國(guó)以?xún)?yōu)渥的補(bǔ)貼政策吸引晶圓廠前往當(dāng)?shù)卦O(shè)廠，臺(tái)灣地區(qū)的半導(dǎo)體關(guān)鍵地位及產(chǎn)能版圖變化成為供應(yīng)鏈關(guān)注重點(diǎn)。

全球服務(wù)器市場(chǎng)變化下的臺(tái)廠機(jī)遇與挑戰(zhàn)

2023年在全球性通脹壓力持續(xù)下，無(wú)論是Server OEMs或CSPs均持續(xù)盤(pán)整供應(yīng)鏈庫(kù)存與調(diào)整年度出貨與ODMs生產(chǎn)計(jì)劃，使得2023年服務(wù)器市場(chǎng)呈現(xiàn)近年的首度衰退。展望2024年，全球經(jīng)濟(jì)態(tài)勢(shì)不確定性仍高，加上CSPs對(duì)于AI投資力道增強(qiáng)，預(yù)期服務(wù)器投資將呈現(xiàn)與今年相仿的排擠效應(yīng)，導(dǎo)致服務(wù)器出貨規(guī)模受到抑制。

搶攻生成式AI版圖：AI服務(wù)器市場(chǎng)預(yù)測(cè)及供應(yīng)鏈動(dòng)態(tài)解析

2023年隨ChatBOT等應(yīng)用帶動(dòng)AI Server蓬勃發(fā)展，又以CSPs如Microsoft、Google、AWS等積極投入，TrendForce集邦咨詢(xún)預(yù)期2023年AI服務(wù)器（含搭載GPU、FPGA、ASIC等）出貨量逾120萬(wàn)臺(tái)，年增38%，2024年將再成長(zhǎng)逾33%，AI占比將突破雙位數(shù)達(dá)近12%。市場(chǎng)又以NVIDIA 高端AI芯片如A100、H100需求成長(zhǎng)明顯，2023年出貨量上修至年增逾7成，2024年將再成長(zhǎng)近8成，另大型CSPs逐步擴(kuò)大自研ASIC亦值得關(guān)注，尤以Google、AWS于2023~2024年將扮領(lǐng)頭角色。預(yù)期在AI Server成長(zhǎng)趨勢(shì)下，亦帶動(dòng)供應(yīng)鏈如存儲(chǔ)器、ODM/OEM、PSU等往高規(guī)格發(fā)展。

AI浪潮推動(dòng)HBM需求大躍進(jìn)

HBM是高端AI芯片上搭載的存儲(chǔ)器，屬于DRAM中的一個(gè)類(lèi)別，主要由三大供應(yīng)商三星（Samsung）、SK海力士（SK hynix）與美光（Micron）供應(yīng)。隨著AI熱潮帶動(dòng)AI芯片需求，對(duì)HBM需求量在2023年與2024年也隨之提升，促使原廠也紛紛加大HBM產(chǎn)能，展望2024年，HBM供給情況可望大幅改善。而以規(guī)格而言，伴隨AI芯片需要更高的效能，HBM主流也將在2024年移轉(zhuǎn)至HBM3與HBM3e。整體而言，在需求位元提高以及HBM3與HBM3e平均銷(xiāo)售價(jià)格高于前代產(chǎn)品的情形下，2024年HBM營(yíng)收可望有顯著的成長(zhǎng)。

2024全球汽車(chē)市場(chǎng)展望：電動(dòng)車(chē)戰(zhàn)國(guó)時(shí)代來(lái)臨

中國(guó)車(chē)廠有不得不出海擴(kuò)張的壓力，內(nèi)需有限下，海外市場(chǎng)是其生存下去的必要條件，2024年預(yù)期中國(guó)品牌收斂會(huì)持續(xù)進(jìn)行。國(guó)際車(chē)廠在電動(dòng)化進(jìn)展上呈現(xiàn)分岐，落后的車(chē)廠陷入平臺(tái)開(kāi)發(fā)緩慢和車(chē)價(jià)缺乏競(jìng)爭(zhēng)力的困境，若無(wú)法盡快擺脫內(nèi)部問(wèn)題，將逐漸被市場(chǎng)邊緣化。供應(yīng)鏈分散化是另一項(xiàng)考驗(yàn)，美國(guó)電動(dòng)車(chē)補(bǔ)貼除了要求在地化組裝外，還限制電池關(guān)鍵礦物及電池零組件產(chǎn)地，而兩者的價(jià)值比重分別在2024年將提高至50%、60%，各國(guó)在地化策略促使車(chē)廠、供應(yīng)商須于各地設(shè)廠，在利率與通脹皆高的時(shí)期，每一項(xiàng)投資都是步步為營(yíng)。

EV動(dòng)力效能提升，第三代半導(dǎo)體扮演關(guān)鍵角色

2024年新能源車(chē)(BEV與PHEV)將持續(xù)推動(dòng)電動(dòng)車(chē)（HEV、PHEV、BEV、FCV）市場(chǎng)成長(zhǎng)。隨著新能源車(chē)逐漸走向NEP（New Electric Platform）平臺(tái)化生產(chǎn)，更緊湊及高效的動(dòng)力設(shè)計(jì)成為車(chē)廠的核心競(jìng)爭(zhēng)力。第三代半導(dǎo)體因有著較小的尺寸及較低的損耗成為提高動(dòng)力能源轉(zhuǎn)換效率的關(guān)鍵零件，在主驅(qū)逆變器需求的帶領(lǐng)下，TrendForce集邦咨詢(xún)預(yù)測(cè)2024年SiC芯片的需求年成長(zhǎng)約40%。面對(duì)車(chē)廠更進(jìn)階的技術(shù)路線下，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的IDM廠除了積極擴(kuò)產(chǎn)外也將繼續(xù)領(lǐng)導(dǎo)該產(chǎn)業(yè)的技術(shù)革新。

車(chē)艙智能推手：前進(jìn)車(chē)用面板新紀(jì)元

隨著全球車(chē)市的逐步回溫，以及車(chē)廠對(duì)車(chē)內(nèi)顯示功能的越發(fā)重視，車(chē)用面板需求在這幾年將呈現(xiàn)逐年攀升的趨勢(shì)。除了量的增加外，對(duì)車(chē)用面板的規(guī)格升級(jí)要求也越來(lái)越多，因此可以觀察到在尺寸持續(xù)放大之外，對(duì)于亮度，分辨率，對(duì)比度等規(guī)格的提升也越來(lái)越明顯。此外，車(chē)用顯示面板逐漸從a-Si LCD朝LTPS LCD發(fā)展，AMOLED面板搶進(jìn)車(chē)用市場(chǎng)的態(tài)度也越來(lái)越積極，MiniLED BLU搭配LCD也開(kāi)始切入車(chē)用市場(chǎng)，預(yù)期將與AMOLED面板正面競(jìng)爭(zhēng)車(chē)廠未來(lái)幾年的新案。也由于車(chē)用面板尺寸持續(xù)放大，驅(qū)動(dòng)IC與觸控IC架構(gòu)朝向TDDI發(fā)展配合In-Cell的趨勢(shì)已確認(rèn)，也將是所有驅(qū)動(dòng)IC廠商接下來(lái)的兵家必爭(zhēng)之地。

全球車(chē)用LED市場(chǎng)趨勢(shì)：照明與Micro/Mini LED新型顯示應(yīng)用

全球經(jīng)濟(jì)疲弱，車(chē)廠透過(guò)降價(jià)刺激買(mǎi)氣，也讓整體車(chē)市進(jìn)入價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)循環(huán)，也導(dǎo)致車(chē)用LED價(jià)格明顯下跌。自適應(yīng)性頭燈（ADB Headlight）、MiniLED尾燈、貫穿式尾燈、標(biāo)識(shí)燈、氛圍燈等先進(jìn)技術(shù)仍有望推升2023年車(chē)用LED市場(chǎng)規(guī)模。隨著高動(dòng)態(tài)對(duì)比、區(qū)域調(diào)光、廣色域、曲面設(shè)計(jì)等趨勢(shì)，MiniLED / HDR車(chē)用顯示推廣車(chē)廠包含通用汽車(chē)、福特、BMW、蔚來(lái)、榮威、理想等。Micro LED車(chē)用透明顯示屏做為對(duì)外廣告、對(duì)內(nèi)信息顯示，應(yīng)用于未來(lái)智能汽車(chē)，預(yù)期將于2026-2027年將導(dǎo)入車(chē)用市場(chǎng)。

串聯(lián)環(huán)境、車(chē)、人的關(guān)鍵：車(chē)聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展解析

隨著3GPP在Release 17中對(duì)網(wǎng)絡(luò)覆蓋性、移動(dòng)性與可靠性深化5G技術(shù)，加上全球5G基站快速擴(kuò)展下，帶動(dòng)車(chē)聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，透過(guò)5G網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行車(chē)輛間聯(lián)網(wǎng)、路側(cè)設(shè)備和行人與車(chē)輛聯(lián)網(wǎng)等。預(yù)計(jì)在2028年達(dá)到90%車(chē)聯(lián)網(wǎng)覆蓋，主要由進(jìn)階聯(lián)網(wǎng)技術(shù)與資安解決方案驅(qū)動(dòng)車(chē)聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)；加上芯片大廠高通近期收購(gòu)Autotalks后成為車(chē)聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者，預(yù)計(jì)推出多樣化車(chē)聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品。（文：集邦咨詢(xún)）

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根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)研究，從產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)來(lái)看，中國(guó)的SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)值以功率元件業(yè)（包含F(xiàn)abless、IDM以及Foundry）占比最高，達(dá)42.4%，接續(xù)為襯底片制造業(yè)及外延片制造業(yè)。

對(duì)于SiC襯底及外延材料環(huán)節(jié)，中國(guó)廠商已逐漸贏得海外領(lǐng)先業(yè)者的認(rèn)可，并在供應(yīng)鏈中享有可觀的份額，尤其體現(xiàn)在外延片環(huán)節(jié)。須留意的是，在SiC晶體厚度與一致性指標(biāo)上，本土廠商仍需付出諸多努力，以期實(shí)現(xiàn)在汽車(chē)電驅(qū)系統(tǒng)等更多高端場(chǎng)景中的應(yīng)用。當(dāng)前中國(guó)正在展開(kāi)大規(guī)模的SiC材料擴(kuò)產(chǎn)行動(dòng)，TrendForce集邦咨詢(xún)預(yù)估2023年中國(guó)N-Type SiC襯底產(chǎn)能（折合6英寸）可達(dá)1020Kpcs，其中以天科合達(dá)份額續(xù)居首位。

隨著新能源汽車(chē)、光伏、儲(chǔ)能、充電樁等下游市場(chǎng)的快速爆發(fā)，中國(guó)的SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)模正在迅速擴(kuò)大。據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)統(tǒng)計(jì)，按2022年應(yīng)用結(jié)構(gòu)來(lái)看，光伏儲(chǔ)能為中國(guó)SiC市場(chǎng)最大應(yīng)用場(chǎng)景，占比約38.9%，接續(xù)為汽車(chē)、工業(yè)以及充電樁等。當(dāng)然，汽車(chē)市場(chǎng)作為未來(lái)發(fā)展主軸，即將超越光伏儲(chǔ)能應(yīng)用，其份額至2026年有望攀升至60.1%。

在此情況下，中國(guó)已有約70家廠商切入SiC功率元件業(yè)務(wù)，整體市場(chǎng)進(jìn)入高度競(jìng)爭(zhēng)階段。尤其針對(duì)低階二極管，不少?gòu)S商深感無(wú)力而陸續(xù)退出，進(jìn)一步聚焦凸顯核心競(jìng)爭(zhēng)力的MOSFET業(yè)務(wù)。

再觀察SiC晶圓產(chǎn)線情況，據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)不完全統(tǒng)計(jì)，截至3Q23，中國(guó)已有約24家廠商涉足SiC晶圓制造。其中IDM廠商15家，7家實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)；Foundry廠商9家，5家實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。以各家晶圓產(chǎn)能來(lái)看，三安光電與積塔半導(dǎo)體分別位居IDM與Foundry廠商首位。

整體來(lái)看，盡管中國(guó)SiC晶圓廠產(chǎn)能擴(kuò)張的步伐仍在繼續(xù)，但有效的MOSFET產(chǎn)能并不理想。TrendForce集邦咨詢(xún)統(tǒng)計(jì)2022年由中國(guó)廠商釋放的SiC MOSFET晶圓產(chǎn)能尚不足全球10%，不過(guò)這一情況預(yù)計(jì)自4Q23開(kāi)始會(huì)有所好轉(zhuǎn)。

以下為T(mén)rendForce集邦咨詢(xún)《2023 SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析報(bào)告-Part2》報(bào)告目錄：

其中與化合物半導(dǎo)體相關(guān)的內(nèi)容為下面這一項(xiàng)：

1、材料與元件技術(shù)并進(jìn)，氧化鎵商業(yè)化腳步漸近

隨著高壓、高溫、高頻等應(yīng)用場(chǎng)景的增加，氧化鎵（Ga?O?）作為一種超寬禁帶半導(dǎo)體材料，已經(jīng)被認(rèn)為是下一代功率半導(dǎo)體元件的有力競(jìng)爭(zhēng)者，特別是在電動(dòng)汽車(chē)、電網(wǎng)系統(tǒng)、航空航天等領(lǐng)域。
相較于氣相生長(zhǎng)的碳化硅與氮化鎵，氧化鎵單晶的制備可透過(guò)類(lèi)似于硅單晶的熔融生長(zhǎng)法來(lái)完成，因此擁有較大的降本潛力。

目前產(chǎn)業(yè)界已實(shí)現(xiàn)4英寸氧化鎵單晶的量產(chǎn)，并有望在未來(lái)幾年擴(kuò)大至6英寸。
與此同時(shí)，基于氧化鎵材料的肖特基二極管與晶體管在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、制程等方面近年來(lái)亦取得了突破性的進(jìn)展，首批肖特基二極管產(chǎn)品預(yù)計(jì)將于2024年投放市場(chǎng)，有望成為首個(gè)規(guī)模商用的氧化鎵功率元件。

即使氧化鎵仍存在導(dǎo)熱性差與P型摻雜的缺失等棘手挑戰(zhàn)，但相信隨著功率半導(dǎo)體巨頭的跟進(jìn)，以及關(guān)鍵應(yīng)用的牽引，其商業(yè)化指日可待。

以下是更多2024年科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展重點(diǎn)趨勢(shì)：

2、CSP加大AI投資，推升2024年AI服務(wù)器出貨成長(zhǎng)逾38%
伴隨ChatBOT、生成式AI等在各應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)力，CSP業(yè)者如Microsoft、Google、AWS等加大AI投資力道，推升AI服務(wù)器（AI Server）需求上揚(yáng)，TrendForce估算，2023年AI服務(wù)器（包含搭載GPU、FPGA、ASIC等）出貨量逾120萬(wàn)臺(tái)，年增將達(dá)37.7%，占整體服務(wù)器出貨量達(dá)9%，2024年將再成長(zhǎng)逾38%，AI服務(wù)器占比將逾12%。

除了NVIDIA與AMD的GPU解決方案外，大型CSP業(yè)者擴(kuò)大自研ASIC芯片將成趨勢(shì)，Google自2023年下半加速自研TPU導(dǎo)入AI服務(wù)器，年成長(zhǎng)將逾7成，2024年AWS亦將擴(kuò)大采用自研ASIC，出貨量有望翻倍成長(zhǎng)，其他如Microsoft、Meta等亦規(guī)劃擴(kuò)展自研ASIC計(jì)劃，GPU部分成長(zhǎng)潛力也因此受到侵蝕。
整體而言，2023~2024年主由CSP等業(yè)者積極投資帶動(dòng)AI服務(wù)器需求成長(zhǎng)，2024年后將延伸至更多應(yīng)用領(lǐng)域業(yè)者投入專(zhuān)業(yè)AI模型及軟件服務(wù)開(kāi)發(fā)，帶動(dòng)搭載中低階GPU（如L40S等系列）等邊緣AI Server成長(zhǎng)，預(yù)期2023~2026年邊緣AI服務(wù)器出貨平均年成長(zhǎng)率將逾兩成。

3、HBM3e將推升全年HBM營(yíng)收年增達(dá)172%
隨著AI服務(wù)器（AI Server）建置熱潮，帶動(dòng)了AI加速芯片需求，其中高頻寬存儲(chǔ)器（HBM）為加速芯片上的關(guān)鍵性DRAM產(chǎn)品。以規(guī)格而言，除了現(xiàn)有的市場(chǎng)主流HBM2e外，今年HBM3的需求比重亦隨著NVIDIA H100/H800以及AMD MI300系列的量產(chǎn)而提升。

展望2024年，三大存儲(chǔ)器廠商將進(jìn)一步推出新一代高頻寬存儲(chǔ)器HBM3e，一舉將速度提升至8Gbps，提供2024~2025年新款A(yù)I加速芯片更高的性能表現(xiàn)。AI加速芯片市場(chǎng)除了Server GPU龍頭廠商N(yùn)VIDIA、AMD外，CSP業(yè)者也加速開(kāi)發(fā)自研AI芯片的腳步，產(chǎn)品共通點(diǎn)皆為搭載HBM。伴隨訓(xùn)練模型與應(yīng)用的復(fù)雜性增加，預(yù)期將帶動(dòng)HBM需求大幅成長(zhǎng)。HBM相比其他DRAM產(chǎn)品的平均單位售價(jià)高出數(shù)倍，預(yù)期2024年將對(duì)存儲(chǔ)器原廠的營(yíng)收有明顯助力，預(yù)估2024年HBM營(yíng)收年增長(zhǎng)率將達(dá)172%。

4、AI芯片幕后推手，2024年先進(jìn)封裝需求增，3D IC技術(shù)萌芽

半導(dǎo)體前段制程微縮逼近物理極限，先進(jìn)制程領(lǐng)導(dǎo)廠商臺(tái)積電（TSMC）、三星（Samsung）及英特爾（Intel）除了尋求晶體管架構(gòu)的轉(zhuǎn)變，封裝技術(shù)的演進(jìn)也已成為提升芯片效能、節(jié)省硬件使用空間、降低功耗及延遲的必要發(fā)展。TSMC及Samsung更先后在日本建立3D IC研發(fā)中心，凸顯封裝在半導(dǎo)體技術(shù)演進(jìn)的重要性。

近年來(lái)，隨著Chatbot興起所帶動(dòng)AI應(yīng)用蓬勃發(fā)展，協(xié)助整合運(yùn)算芯片及存儲(chǔ)器，以提供AI強(qiáng)大算力的2.5D封裝技術(shù)需求也隨之大增。2.5D封裝主要透過(guò)前段制程提供硅中介層（Silicon Interposer），將數(shù)個(gè)不同功能及制程的芯片以并排的方式整合，再與PCB基板結(jié)合完成封裝。事實(shí)上，包含TSMC的CoWoS、Intel的EMIB、Samsung的I-Cube等2.5D封裝皆已發(fā)展數(shù)年，技術(shù)發(fā)展已趨于成熟并廣泛應(yīng)用于高效能芯片。

2024年各廠將致力提高2.5D封裝產(chǎn)能以滿(mǎn)足日漸升溫的AI等高算力需求，同時(shí)，3D封裝技術(shù)的發(fā)展也已萌芽。TSMC所提出的SoIC、Samsung的X-cube及Intel的FOVEROS皆已陸續(xù)發(fā)表，與2.5D封裝主要的差異在于，3D封裝去除了硅中介層，將不同功能的芯片以TSV(硅穿孔)的方式直接連接，降低封裝高度、縮短芯片之間的傳輸路徑、提高芯片運(yùn)算速度。

除此之外，不同功能及制程的芯片如何有效整合以達(dá)到包含AI、自駕車(chē)等高算力、低延遲、低功耗需求，除了封裝技術(shù)的突破，芯片之間連接的方式、甚至用于連接的材料，都將是科技發(fā)展的關(guān)注重點(diǎn)。

5、2024年全球非地面網(wǎng)絡(luò)啟動(dòng)小規(guī)模商用測(cè)試，加速非地面網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用普及

由于全球衛(wèi)星營(yíng)運(yùn)商Starlink與Oneweb衛(wèi)星布署數(shù)量穩(wěn)定增加，加上3GPP Release17與Release 18提供5G新空中界面（New Radio）在非地面網(wǎng)絡(luò)發(fā)展方向，讓衛(wèi)星營(yíng)運(yùn)商、芯片大廠、電信營(yíng)運(yùn)商與手機(jī)制造商共同合作完成初步非地面網(wǎng)絡(luò)（NTN）場(chǎng)景驗(yàn)證?，F(xiàn)階段非地面網(wǎng)絡(luò)主要聚焦在移動(dòng)衛(wèi)星通訊應(yīng)用領(lǐng)域，由用戶(hù)終端設(shè)備（UE）與衛(wèi)星間，在特定場(chǎng)景下進(jìn)行雙向數(shù)據(jù)傳輸測(cè)試。

展望2024年，芯片大廠加速推出衛(wèi)星通訊芯片趨勢(shì)下，帶動(dòng)手機(jī)大廠以系統(tǒng)單晶片（SoC）模式將衛(wèi)星通訊功能整合至高端手機(jī)內(nèi)，在部分用戶(hù)對(duì)高端手機(jī)有穩(wěn)定需求下，讓非地面網(wǎng)絡(luò)朝向小規(guī)模商用測(cè)試發(fā)展，成為2024年加速非地面網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用普及驅(qū)動(dòng)因素。從移動(dòng)衛(wèi)星通訊長(zhǎng)期發(fā)展趨勢(shì)來(lái)看，衛(wèi)星間雷射光鏈（Inter Satellite Link，ISL）通訊技術(shù)能在低軌衛(wèi)星間傳輸數(shù)據(jù)資料，并同時(shí)傳送至大規(guī)?？鐓^(qū)域用戶(hù)終端設(shè)備，實(shí)現(xiàn)6G低延遲的全域通訊覆蓋愿景。

6、2024年6G通訊規(guī)劃啟動(dòng)，衛(wèi)星通訊扮演關(guān)鍵角色

6G標(biāo)準(zhǔn)化規(guī)劃于2024~2025年啟動(dòng)，首個(gè)標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)將于2027~2028年推出，針對(duì)6G關(guān)鍵技術(shù)突破，除納入超寬帶（Ｕl(shuí)tra-Ｗideband）接收器（Receiver）和發(fā)射器（transmitter）技術(shù)外，地面和非地面網(wǎng)絡(luò)整合、人工智能與及機(jī)器學(xué)習(xí)將引入更多創(chuàng)新。

6G將增加新技術(shù)應(yīng)用，包括使用可重構(gòu)智能表面技術(shù)（RIS）、太赫茲頻段、光無(wú)線通訊（Optical Wireless Communication，OWC）、非地面網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)高空通訊應(yīng)用（NTN），以及沉浸式延展實(shí)境(XR)等更細(xì)致的感官體驗(yàn)，透過(guò)創(chuàng)新提供殺手級(jí)應(yīng)用，如全像投影（Holographic）和觸覺(jué)通訊（Tactile Communications）、數(shù)字孿生等。隨著6G技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)逐次敲定，低軌衛(wèi)星將陸續(xù)支援6G通訊，預(yù)期全球低軌衛(wèi)星部署活動(dòng)會(huì)在6G商用前后達(dá)到高峰，估計(jì)應(yīng)用于6G通訊、環(huán)境感測(cè)的無(wú)人機(jī)需求將在6G時(shí)代顯著提高。

7、更多新創(chuàng)業(yè)者陸續(xù)加入，2024年Micro LED技術(shù)成本有望獲優(yōu)化

2023年是Micro LED做為顯示技術(shù)邁入量產(chǎn)的關(guān)鍵年，而解決成本居高不下的問(wèn)題將是接下來(lái)的首要之務(wù)。在芯片部分，微型化工程啟動(dòng)，做為大型顯示器當(dāng)前主流的34x58um將開(kāi)始被20×40μm 、甚至是更小的16×27μm取代。預(yù)期僅透過(guò)芯片微縮的執(zhí)行，未來(lái)四年期間Micro LED芯片所能達(dá)成的成本降幅，每年至少在20~25%。

轉(zhuǎn)移是Micro LED制程中的核心，Stamp制程穩(wěn)定，雷射則是速度（Unit per Hour，UPH）取勝。然而在邁入量產(chǎn)的當(dāng)下，業(yè)界著眼于在效率與良率上取得更好的平衡點(diǎn)，以Stamp轉(zhuǎn)移搭配雷射鍵合的混合轉(zhuǎn)移模式，其冷加工概念能有效解決Stamp在熱壓合上所面臨的壓力與溫度問(wèn)題，也成為備受關(guān)注的生產(chǎn)模式。

AR透明顯鏡的微投影顯示市場(chǎng)是Micro LED極具潛力的應(yīng)用市場(chǎng)，因?yàn)闃O高的PPI（Pixel per Inch）要求，尺寸必須控制在5μm甚至更小的水平，伴隨而來(lái)的芯片外部量子效率（EQE）低落問(wèn)題也更為棘手。采用紅、藍(lán)、綠三色LED的方案雖然單純，但紅光效率低落的問(wèn)題難以克服。以藍(lán)光LED搭配量子點(diǎn)材料進(jìn)行色轉(zhuǎn)換雖然有效回避了上述挑戰(zhàn)，但衍生而來(lái)的則有額外制程與材料壽命問(wèn)題。

新創(chuàng)企業(yè)跳脫傳統(tǒng)的切入方式，包含InGan基底的紅光LED、RGB LED垂直堆棧等方案也同樣引人注目。即使當(dāng)前還難以判斷哪個(gè)技術(shù)路線將成為主流，但百家爭(zhēng)鳴的局面有利于催生最佳解決方案。零組件的改善、制程最佳化匹配、豐富的解決方案，在量產(chǎn)與應(yīng)用多元化的吸引下，2024年將有更多廠商投入該領(lǐng)域的發(fā)展，在健全供應(yīng)鏈的同時(shí)，也進(jìn)一步優(yōu)化Micro LED的成本架構(gòu)。

8、AR/VR在不同的微型顯示技術(shù)發(fā)展與競(jìng)爭(zhēng)將更為激烈

在AR/VR等頭戴裝置需求的帶動(dòng)下，具備超高PPI近眼顯示器需求提升，Micro OLED顯示器正是其中代表技術(shù)之一。

雖然目前正式使用Micro OLED顯示器的AR/VR裝置并不多，但隨著關(guān)鍵品牌客戶(hù)的采用，Micro OLED顯示器將有機(jī)會(huì)逐步擴(kuò)大規(guī)模。未來(lái)針對(duì)個(gè)人化的顯示器將持續(xù)發(fā)展，微縮化的趨勢(shì)正在成形，這必須仰賴(lài)半導(dǎo)體制程與顯示技術(shù)的整合，同時(shí)，不同的微型顯示技術(shù)如Micro LED也正在持續(xù)發(fā)展中。目前Micro OLED顯示器將是集半導(dǎo)體制程與AMOLED蒸鍍制程工藝之大成，對(duì)Micro OLED面板廠商而言，能否取得穩(wěn)定的晶圓代工資源做搭配將是一大關(guān)鍵。

新進(jìn)廠商與既有廠商在產(chǎn)業(yè)資源的重新盤(pán)整已是現(xiàn)在進(jìn)行式，同時(shí)，搭配的OLED技術(shù)也有望從現(xiàn)行的白光OLED技術(shù)，逐漸朝RGB OLED技術(shù)發(fā)展。不過(guò)Micro OLED顯示器仍有其瓶頸，如亮度及發(fā)光效率上的限制，未來(lái)能否在頭戴裝置上取得主流地位，仍需觀察各個(gè)微型顯示技術(shù)的發(fā)展進(jìn)程。

9、AR/VR在不同的微型顯示技術(shù)發(fā)展與競(jìng)爭(zhēng)將更為激烈

目前全球動(dòng)力電池產(chǎn)業(yè)正在進(jìn)入TWh智造時(shí)代，行業(yè)對(duì)高安全與高能量密度電池的需求更加突出，而目前主流的動(dòng)力電池技術(shù)路線都已接近能量密度的天花板，現(xiàn)有材料體系對(duì)電池能量密度與安全性等方面的提升已不足以滿(mǎn)足市場(chǎng)需求。

隨著各大車(chē)廠與電池廠商加速在下一代電池技術(shù)的投資與研發(fā)，相關(guān)技術(shù)將迎來(lái)新突破，其中兼顧更高能量密度和安全性的固態(tài)電池技術(shù)成為各大企業(yè)研發(fā)的重點(diǎn)，并在產(chǎn)業(yè)化方面進(jìn)行了更深入的探索和實(shí)踐，包括凝聚態(tài)電池等半固態(tài)電池技術(shù)，其開(kāi)發(fā)和商業(yè)化應(yīng)用或?qū)⒃?024年加快動(dòng)力電池產(chǎn)業(yè)進(jìn)入新一輪技術(shù)迭代，并對(duì)下一個(gè)十年動(dòng)力電池產(chǎn)業(yè)新格局產(chǎn)生重要影響。

鋰離子電池在電動(dòng)車(chē)領(lǐng)域的地位明確，但在車(chē)輛類(lèi)型眾多且用途情境相異下，不同電池技術(shù)仍因特殊優(yōu)勢(shì)而存在。

鈉離子電池因鈉元素儲(chǔ)量大且分布均勻使其具有低成本優(yōu)勢(shì)，但因能量密度也低，故適合打造對(duì)續(xù)航力較不敏感的低價(jià)電動(dòng)車(chē)，目前中國(guó)電池廠正致力于將其產(chǎn)業(yè)化。

氫燃料電池則主打零排放、長(zhǎng)續(xù)航、加氫速度快和支援冷啟動(dòng)，重型商用車(chē)是重點(diǎn)采用的類(lèi)別，但氫燃料電池尚有能源轉(zhuǎn)換效率低、制氫及儲(chǔ)運(yùn)成本高、制氫材料來(lái)源具爭(zhēng)議等問(wèn)題，加上產(chǎn)業(yè)成熟度不足下，目前市場(chǎng)上的乘用和商用車(chē)款仍少，需長(zhǎng)續(xù)航的重型卡車(chē)大規(guī)模商用時(shí)間預(yù)計(jì)落于2025年后。

10、提高能源轉(zhuǎn)換效率、續(xù)航力、充電效率將是2024年純電動(dòng)車(chē)的三大核心議題

從能源轉(zhuǎn)換效率來(lái)看，具備低損耗優(yōu)勢(shì)的SiC芯片是提高BEV能源轉(zhuǎn)換效率的關(guān)鍵零件，2024年SiC 8吋晶圓產(chǎn)能將逐漸釋放，但良率仍待加強(qiáng)且多數(shù)產(chǎn)能已被下游廠商鎖定，芯片成本降幅有限，而芯片端在縮小尺寸的目標(biāo)推動(dòng)下，將進(jìn)一步提高「溝槽型芯片技術(shù)」的研發(fā)投入程度。

續(xù)航力方面，NCM（三元鋰電池）及LFP（磷酸鐵鋰電池）仍為車(chē)廠首選，優(yōu)化電池包結(jié)構(gòu)、調(diào)整材料配比以提高能量密度、增加續(xù)航力為主要目標(biāo); 而具備高能量密度的固態(tài)電池將先以半固態(tài)電池在2023年下半年開(kāi)始少量裝車(chē)，2024年是觀察半固態(tài)電池商業(yè)化的關(guān)鍵時(shí)間點(diǎn)。

充電效率方面，為縮短充電時(shí)間，800V平臺(tái)的車(chē)型將明顯增加，其可支援360 kW以上的高功率快充，高功率快充站的建設(shè)熱潮也隨之而起。此外，無(wú)線充電進(jìn)展加快，美國(guó)提出電動(dòng)車(chē)無(wú)線充電補(bǔ)助法案，密西根州將開(kāi)放總長(zhǎng)1.6公里的無(wú)線充電公路，充電方式朝向多元發(fā)展，可望降低車(chē)主的里程焦慮。

蓬勃發(fā)展的AI則協(xié)助電動(dòng)車(chē)朝向高度自動(dòng)駕駛邁進(jìn)，在自動(dòng)駕駛系統(tǒng)開(kāi)發(fā)上，可靠度是判斷是否進(jìn)入市場(chǎng)化的關(guān)鍵，AI將扮演提高效率的角色，包括協(xié)助巨量圖像的分類(lèi)與標(biāo)記工作、搭建仿真模擬場(chǎng)景。

隨著其他車(chē)廠在智能駕駛領(lǐng)域的急起直追，Tesla Dojo超級(jí)計(jì)算機(jī)宣布進(jìn)入量產(chǎn)，并計(jì)劃在2024年投入10億美元以Dojo進(jìn)行神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)訓(xùn)練，領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)者提出更先進(jìn)的自駕系統(tǒng)、制定可負(fù)擔(dān)的售價(jià)將是Tesla在智能駕駛領(lǐng)域站穩(wěn)地位的利器。

11、全球綠化力道加大，AI模擬將成推動(dòng)再生能源與脫碳制造關(guān)鍵

國(guó)際能源署（IEA）指出，2024年全球再生能源發(fā)電量有望達(dá)4,500GW，近乎等同化石燃料，主要是政策推廣力道強(qiáng)化、化石燃料價(jià)格上漲、戰(zhàn)爭(zhēng)造成能源危機(jī)等。再生能源能發(fā)電若要穩(wěn)定，電網(wǎng)、儲(chǔ)能、管理等周邊系統(tǒng)勢(shì)必須以AI加速智能化并提升緩沖空間與精確度。以智能電網(wǎng)為例，監(jiān)督式學(xué)習(xí)（Supervised Learning）優(yōu)化電力輸入輸出、非監(jiān)督式學(xué)習(xí)（Unsupervised Learning）改善數(shù)據(jù)擷取質(zhì)量，以及負(fù)載預(yù)測(cè)（Load Forecasting）、穩(wěn)定性評(píng)估等強(qiáng)化整體效益，皆是2024年能源綠化技術(shù)發(fā)展關(guān)鍵。

此外，2024年智能制造與能源管理面向?qū)⒕劢跪?qū)動(dòng)系統(tǒng)能耗優(yōu)化、全數(shù)據(jù)串連生態(tài)圈、以及可視化能源流動(dòng)消費(fèi)，藉由動(dòng)態(tài)數(shù)字孿生（Dynamic Digital Twin）的虛實(shí)整合，將數(shù)據(jù)從碳流轉(zhuǎn)為綠流，再化為金流。

此外，生成式AI、3D打印等技術(shù)能加速制造設(shè)計(jì)、生產(chǎn)建模等環(huán)節(jié)，減少資源浪費(fèi)，后勢(shì)頗具潛力。綜觀各領(lǐng)域的綠化訴求，組織首先須了解的是自家排碳量與碳足跡，因此碳盤(pán)查工具成云端大廠重點(diǎn)產(chǎn)品，并將持續(xù)以AI與機(jī)器學(xué)習(xí)，以?xún)?yōu)化碳排放量。

12、折疊手機(jī)的引領(lǐng)創(chuàng)新，新技術(shù)材料的商業(yè)化將推動(dòng)OLED產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步拓展從小到大各式應(yīng)用

在OLED折疊手機(jī)不斷創(chuàng)新，成功制造市場(chǎng)話(huà)題后，新上市的折疊手機(jī)無(wú)不針對(duì)消費(fèi)者的期望進(jìn)行更大幅度的改善，例如更換輕量化復(fù)合材料在門(mén)板及屏幕支撐板，一體成形的水滴型鉸鏈結(jié)構(gòu)有效的減少零部件數(shù)量，甚至利用機(jī)殼蓋板取代鉸鏈龍骨，步步逼近直板機(jī)的厚度與重量。當(dāng)折疊手機(jī)滲透率逐漸提升，除了不斷的技術(shù)推演，還需要有效的降低成本，在未來(lái)市場(chǎng)普及的同時(shí)還能確保利潤(rùn)。

隨著OLED在手機(jī)市場(chǎng)的滲透逐漸擴(kuò)大，IT將是下一個(gè)OLED關(guān)鍵發(fā)展的戰(zhàn)場(chǎng)。為了進(jìn)一步拓展對(duì)現(xiàn)有IT市場(chǎng)的滲透，除了三星已宣布啟動(dòng)G8.7新廠的投資計(jì)劃外，京東方規(guī)劃中的B16、JDI在新技術(shù)eLEAP上的持續(xù)發(fā)展、維信諾朝OLED相關(guān)技術(shù)與市場(chǎng)的積極搶進(jìn)，讓面板廠在高世代的布局不僅僅是因應(yīng)蘋(píng)果在中尺寸應(yīng)用的需求，也為OLED面板在拓展其他應(yīng)用市場(chǎng)開(kāi)啟新的契機(jī)。預(yù)期2025年后新技術(shù)的開(kāi)發(fā)與導(dǎo)入將打破FMM及蒸鍍機(jī)臺(tái)的尺寸限制，加上高壽命材料的商用化，高世代產(chǎn)線順利進(jìn)入量產(chǎn)，均有助于提升未來(lái)OLED在各應(yīng)用的市場(chǎng)滲透率。（文：集邦咨詢(xún)）

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旺季備貨動(dòng)能弱，AI支撐IC設(shè)計(jì)營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)

從各家營(yíng)收表現(xiàn)來(lái)看，NVIDIA受惠于全球CSP（云端服務(wù)供應(yīng)商）、互聯(lián)網(wǎng)公司與企業(yè)生成式AI、大型語(yǔ)言模型導(dǎo)入應(yīng)用需求，其數(shù)據(jù)中心營(yíng)收季增高達(dá)105%，包含Hopper與Ampere架構(gòu)HGX system、高效運(yùn)算交換器InfiniBand等出貨遽增。此外，游戲及專(zhuān)業(yè)可視化兩項(xiàng)業(yè)務(wù)營(yíng)收亦在新品驅(qū)動(dòng)下持續(xù)成長(zhǎng)，第二季整體營(yíng)收達(dá)113.3億美元，環(huán)比增長(zhǎng)68.3%。整體營(yíng)收超越Qualcomm及Broadcom（博通）登上全球IC設(shè)計(jì)公司龍頭。

Qualcomm第二季由于Android陣營(yíng)智能手機(jī)需求不振，以及Apple modem已提前拉貨，傳統(tǒng)季節(jié)性動(dòng)能趨緩，第二季整體營(yíng)收環(huán)比減少9.7%，約71.7億美元。Broadcom雖受惠于生成式AI催化的高端交換器、路由器銷(xiāo)售，網(wǎng)通業(yè)務(wù)環(huán)比增長(zhǎng)約9%，然而與服務(wù)器存儲(chǔ)、寬帶與無(wú)線業(yè)務(wù)營(yíng)收下滑相抵之后，第二季整體營(yíng)收大致與前季持平，約69億美元。

AMD（超威）由于第二季游戲GPU銷(xiāo)售與嵌入式業(yè)務(wù)下滑，整體第二季營(yíng)收大致與前季持平，約53.6億美元。MediaTek（聯(lián)發(fā)科）經(jīng)歷幾季庫(kù)存修正后，部分零部件如TV SoC、WiFi等庫(kù)存水位逐漸轉(zhuǎn)為健康，加上電視急單出現(xiàn)，手機(jī)、智慧終端平臺(tái)與電源管理IC等平臺(tái)相關(guān)出貨與庫(kù)存回補(bǔ)亦陸續(xù)啟動(dòng)，帶動(dòng)第二季營(yíng)收成長(zhǎng)至32億美元。

Marvell（美滿(mǎn)電子），盡管數(shù)據(jù)中心受惠AI應(yīng)用部署加速，帶來(lái)新訂單，但受到企業(yè)On Premise Server（地端服務(wù)器/企業(yè)私有云）下跌相互抵消。同時(shí)，受部分客戶(hù)仍處庫(kù)存修正期，及終端需求仍疲弱等沖擊，導(dǎo)致第二季數(shù)據(jù)中心、電信基礎(chǔ)建設(shè)、與企業(yè)網(wǎng)通等主流領(lǐng)域營(yíng)收均下滑，影響第二季營(yíng)收環(huán)比減少1.4%，約13.3億美元。

IC設(shè)計(jì)公司Novatek（聯(lián)詠）主要受惠客戶(hù)回補(bǔ)TV相關(guān)庫(kù)存與新品量產(chǎn)出貨（如OLED DDI）；Realtek（瑞昱）則受惠供應(yīng)鏈回補(bǔ)PC/NB相關(guān)IC庫(kù)存，分別環(huán)比增長(zhǎng)24.7%與32.6%。然而，由于整體終端銷(xiāo)售并無(wú)全面回暖跡象，庫(kù)存回補(bǔ)支撐動(dòng)能不足，下半年成長(zhǎng)動(dòng)能將因此受壓抑。

第九名與第十名則分別為Will Semiconductor（韋爾半導(dǎo)體）與美系電源管理IC廠MPS，前者第二季營(yíng)收5.3億元、環(huán)比衰退約1.9%；后者第二季營(yíng)收4.4億美元、環(huán)比減少約2.2%。

展望第三季，雖各家公司庫(kù)存水位皆較上半年有明顯改善，但基于多數(shù)終端需求表現(xiàn)疲弱，對(duì)于下半年展望趨于保守。值得注意的是，全球CSP、互聯(lián)網(wǎng)公司及私人企業(yè)生成式AI、大型語(yǔ)言模型部署風(fēng)潮涌現(xiàn)，預(yù)期下半年AI對(duì)相關(guān)供應(yīng)鏈營(yíng)運(yùn)的助益會(huì)更明顯，且該類(lèi)產(chǎn)品平均銷(xiāo)售單價(jià)較消費(fèi)型產(chǎn)品更高。

因此，TrendForce集邦咨詢(xún)預(yù)期，第三季全球前十大IC設(shè)計(jì)營(yíng)收將持續(xù)有雙位數(shù)的季成長(zhǎng)幅度，且產(chǎn)值有望創(chuàng)新高。

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