source：東北大學(xué)

據(jù)悉，與碳化硅和氮化鎵相比，β-氧化鎵具有更寬的帶隙和更低的能量損耗，因此有望成為下一代功率半導(dǎo)體材料。此外，與硅一樣，β-氧化鎵也可以從原材料熔體中熔融生長，因此可一次生產(chǎn)出大量高質(zhì)量單晶，理論上可以低成本、低缺陷地生產(chǎn)單晶襯底。

然而，在傳統(tǒng)的晶體生長方法中，盛放高熔點(diǎn)氧化物熔液的坩堝使用了貴金屬銥，并且需要定期進(jìn)行重鑄。因此，銥相關(guān)的成本占了包括半導(dǎo)體前段工藝中的一部分薄膜制造成本的60%以上，這使得降低β-氧化鎵器件制造成本變得困難。目前，β-氧化鎵襯底比碳化硅更貴。而FOX正是為了應(yīng)對這一挑戰(zhàn)而成立的。

FOX采用OCCC（冷容器氧化物晶體生長）方法，無需使用貴金屬坩堝，即可生產(chǎn)出β-氧化鎵塊狀單晶，其低缺陷程度可與硅媲美。

據(jù)介紹，F(xiàn)OX初期階段將集中于使用OCCC法開發(fā)半導(dǎo)體級大尺寸化技術(shù)，加速技術(shù)開發(fā)，力爭在2028年內(nèi)確立6英寸晶圓的量產(chǎn)技術(shù)。此后，F(xiàn)OX將進(jìn)一步擴(kuò)建量產(chǎn)工廠，推進(jìn)6英寸晶圓的驗(yàn)證。

目前，除日本企業(yè)外，國內(nèi)相關(guān)企業(yè)也在積極布局氧化鎵產(chǎn)業(yè)，并取得了一定進(jìn)展。

其中，鎵仁半導(dǎo)體于今年7月成功制備出3英寸晶圓級（010）氧化鎵單晶襯底。

隨后在9月12日，據(jù)富加鎵業(yè)官微消息，其6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線于9月10日在杭州富陽開工建設(shè)。

同在9月，據(jù)“龍巖發(fā)布”官微消息，晶旭半導(dǎo)體二期——基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產(chǎn)項(xiàng)目于2023年12月開工建設(shè)。目前，項(xiàng)目主體已經(jīng)全部封頂，預(yù)計(jì)年底之前具備設(shè)備模擬的條件。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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據(jù)報(bào)道，位于福建省廈門市海滄區(qū)的士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目近日進(jìn)入土方工程收尾階段，一期項(xiàng)目預(yù)計(jì)將于2025年三季度末初步通線，四季度試生產(chǎn)。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

據(jù)悉，士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目總投資120億元，分兩期建設(shè)，其中，一期項(xiàng)目總投資70億元，達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)42萬片8英寸碳化硅功率器件芯片。兩期全部建成投產(chǎn)后，將形成年產(chǎn)72萬片8英寸碳化硅功率器件芯片的生產(chǎn)能力。

從該項(xiàng)目推進(jìn)情況來看，作為該項(xiàng)目實(shí)施主體士蘭集宏的母公司，士蘭微與廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司、廈門新翼科技實(shí)業(yè)有限公司于2024年5月21日簽署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目之投資合作協(xié)議》。隨后在6月18日，士蘭微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目在廈門市海滄區(qū)正式開工。

近期，除士蘭微8英寸碳化硅項(xiàng)目外，國內(nèi)外廠商還有多個8英寸碳化硅項(xiàng)目披露了最新進(jìn)展。

其中，北京市生態(tài)環(huán)境局于8月13日公示了天科合達(dá)第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)二期項(xiàng)目（以下簡稱：二期項(xiàng)目）環(huán)評審批。二期項(xiàng)目用于擴(kuò)大天科合達(dá)碳化硅晶體與晶片產(chǎn)能，投產(chǎn)后將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)約37.1萬片導(dǎo)電型碳化硅襯底，其中8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底13.5萬片。

8月底，重慶三安8英寸碳化硅襯底廠點(diǎn)亮通線。該項(xiàng)目投資額為70億元，規(guī)劃年產(chǎn)8英寸碳化硅襯底48萬片。

9月27日，住友金屬及其全資子公司Sicoxs Coparation宣布，將在Sicoxs的Ohkuchi工廠建設(shè)一條新的8英寸SiCkrest大規(guī)模生產(chǎn)線，SiCkrest為直接鍵合的碳化硅襯底。

10月13日，據(jù)韓媒報(bào)道，韓國東部高科（DB HiTek）于11日宣布，其將在忠清北道Eumseong的Sangwoo園區(qū)內(nèi)投資擴(kuò)建半導(dǎo)體潔凈室，計(jì)劃先行建設(shè)8英寸碳化硅產(chǎn)線。

10月16日，在首屆SEMiBAY灣芯展開幕式上，方正微電子發(fā)布了車規(guī)/工規(guī)碳化硅MOSFET 1200V全系產(chǎn)品，還表示其8英寸碳化硅產(chǎn)線將于2024年年底通線。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

據(jù)悉，新潔能總部基地及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目總投資13.5億元，用地面積約3.17萬平方米，建筑面積約5.4-5.7萬平方米，該項(xiàng)目于2023年1月開工建設(shè)，預(yù)計(jì)2024年底竣工投用。

該項(xiàng)目建成投產(chǎn)后，預(yù)計(jì)年產(chǎn)碳化硅/氮化鎵功率器件2640萬只；年產(chǎn)14.52億只IC及智能功率模塊（IPM）等功率集成模塊；年產(chǎn)362.6萬只SiC/IGBT/MOSFET等功率集成模塊（含車規(guī)級）。預(yù)計(jì)達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值16.66億元。

官網(wǎng)資料顯示，新潔能成立于2013年1月，擁有新潔能香港、電基集成、金蘭功率半導(dǎo)體、國硅集成電路四家子公司以及深圳分公司、寧波分公司。新潔能專注于MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體芯片和功率器件的研發(fā)、設(shè)計(jì)及銷售，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)電子、新能源汽車及充電樁、智能裝備制造、軌道交通、光伏新能源、5G等領(lǐng)域。

產(chǎn)品方面，新潔能構(gòu)建了IGBT、屏蔽柵MOSFET（SGT MOSFET）、超結(jié)MOSFET（SJ MOSFET）、溝槽型MOSFET（Trench MOSFET）四大產(chǎn)品工藝平臺，并已陸續(xù)推出車規(guī)級功率器件、SiC MOSFET、GaN HEMT、功率模塊、柵極驅(qū)動IC、電源管理IC等產(chǎn)品，電壓覆蓋12V-1700V全系列。

目前，新潔能的SiC MOSFET部分產(chǎn)品已通過客戶驗(yàn)證并實(shí)現(xiàn)小規(guī)模銷售，GaN HEMT部分產(chǎn)品已開發(fā)完成并通過可靠性測試。

具體來看，新潔能已開發(fā)完成1200V 23mohm-75moh和750V 26mohm SiC MOSFET系列產(chǎn)品，新增產(chǎn)品6款，相關(guān)產(chǎn)品處于小規(guī)模銷售階段；650V/190mohm E-Mode GaN HEMT產(chǎn)品、650V 460mohm D-Mode GaN HEMT已開發(fā)完成，新增產(chǎn)品2款，100V/200V GaN產(chǎn)品正在開發(fā)中。

業(yè)績方面，2024年上半年，新潔能實(shí)現(xiàn)營收8.73億元，同比增長15.16%；歸母凈利潤2.18億元，同比增長47.45%；歸母扣非凈利潤2.14億元，同比增長55.21%。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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據(jù)悉，三方本次合作的核心內(nèi)容圍繞碳化硅襯底、碳化硅外延片及汽車空調(diào)關(guān)鍵零部件的生產(chǎn)展開，將共同打造高質(zhì)量的碳化硅產(chǎn)品生產(chǎn)線。

官網(wǎng)資料顯示，鉅芯半導(dǎo)體是一家專業(yè)從事半導(dǎo)體功率器件及芯片的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售的廠商。公司占地24975平方米，建設(shè)標(biāo)準(zhǔn)化廠房及辦公用房13000平方米，可年產(chǎn)半導(dǎo)體GPP芯片360萬片；高端的小型化、低功耗半導(dǎo)體功率器件3600KK。

據(jù)了解，今年以來，部分韓國半導(dǎo)體廠商正在持續(xù)發(fā)力碳化硅產(chǎn)業(yè)，并不斷取得新進(jìn)展。

據(jù)韓媒ETnews報(bào)道，今年3月26日，半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司Power Cube Semi宣布，已在韓國首次成功開發(fā)出2300V碳化硅MOSFET，并將于明年初量產(chǎn)。Power Cube Semi稱，2300V碳化硅MOSFET繼承了現(xiàn)有1700V碳化硅MOSFET的開發(fā)和量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。

隨后在6月5日，韓國貿(mào)易、工業(yè)和能源部宣布，韓國本土半導(dǎo)體制造商EYEQ Lab已開始在釜山功率半導(dǎo)體元件和材料特區(qū)內(nèi)建設(shè)韓國首座8英寸碳化硅功率半導(dǎo)體工廠，該項(xiàng)目已于當(dāng)日舉行了奠基儀式。

EYEQ Lab公司本次計(jì)劃投資1000億韓元（約5.2億人民幣）建設(shè)8英寸碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠，工廠規(guī)劃產(chǎn)能為14.4萬片/年，投產(chǎn)時間預(yù)計(jì)為2025年9月。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

其中，碳化硅功率器件加速“上車”趨勢已十分明朗，近年來，越來越多的新能源新車型導(dǎo)入了碳化硅技術(shù)，而在近期，星途品牌全新純電SUV星紀(jì)元STERRA ES、第二代AION V埃安霸王龍、鴻蒙智行首款豪華旗艦轎車享界S9、2025款海豹、2025款極氪007、嵐圖汽車旗下嵐圖知音SUV等搭載碳化硅的新車型密集發(fā)布，碳化硅和新能源汽車組“CP”已蔚然成風(fēng)。

與此同時，氮化鎵在車用場景的應(yīng)用探索持續(xù)取得新進(jìn)展。圍繞車載充電器、車載激光雷達(dá)等場景，英飛凌、EPC等廠商紛紛推出了相關(guān)產(chǎn)品，推動著氮化鎵車規(guī)級應(yīng)用熱度上漲。

碳化硅/氮化鎵功率器件龍頭角逐車用場景

當(dāng)前，業(yè)界普遍認(rèn)為碳化硅/氮化鎵功率器件在新能源汽車領(lǐng)域有較大的應(yīng)用潛力，因此各大頭部廠商正在積極布局車用場景。

意法半導(dǎo)體、英飛凌、安森美等國際半導(dǎo)體大廠在碳化硅功率器件領(lǐng)域深耕多年，在技術(shù)和市場方面占據(jù)了先發(fā)優(yōu)勢，有利于更好地拓展全球業(yè)務(wù)，其中就包括中國市場。

近年來，隨著國內(nèi)新能源汽車市場持續(xù)爆發(fā)式增長，車用碳化硅需求水漲船高，國際巨頭們紛紛加碼中國業(yè)務(wù)，而與車企合作是搶占市場份額最便捷的方式之一。僅2024年以來，圍繞車用碳化硅功率器件和模塊，國際廠商和本土汽車制造商達(dá)成了一系列新的合作，包括意法半導(dǎo)體與長城汽車達(dá)成碳化硅戰(zhàn)略合作、英飛凌與小米達(dá)成協(xié)議、安森美與理想汽車簽署長期合作協(xié)議等。

為降低供應(yīng)鏈成本，意法半導(dǎo)體還與國內(nèi)碳化硅頭部玩家三安合作，斥資數(shù)十億美元在國內(nèi)投建碳化硅器件合資工廠。意法半導(dǎo)體將碳化硅器件產(chǎn)能本地化，不僅有助于降低供貨成本，也有利于其通過產(chǎn)能保障進(jìn)一步開拓中國車用碳化硅業(yè)務(wù)。

降本增效有利于拓展市場，強(qiáng)化技術(shù)優(yōu)勢同樣有助于吸引客戶目光，進(jìn)而達(dá)成合作。例如：2024年上半年，英飛凌推出新一代碳化硅MOSFET溝槽柵技術(shù)，在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標(biāo)提高了20%，在一定程度上提升了整體能效。

目前，產(chǎn)能建設(shè)和技術(shù)迭代升級都是國際巨頭們關(guān)注的焦點(diǎn)，未來各大廠商有望在這兩個方向持續(xù)取得突破。

在國內(nèi)新能源汽車市場，國際碳化硅功率器件大廠正在加速導(dǎo)入相關(guān)產(chǎn)品，本土相關(guān)企業(yè)則奮起直追，想要分一杯羹。

在PCIM Asia 2024國際電力元件、可再生能源管理展覽會期間，集邦化合物半導(dǎo)體分別和英飛凌、安森美、EPC、賽米控丹佛斯、Soitec和斯達(dá)半導(dǎo)體進(jìn)行了交流，了解到6家國內(nèi)外功率器件知名廠商在碳化硅、氮化鎵車用場景的布局及進(jìn)展情況。

英飛凌

國際廠商方面，英飛凌目前致力于從性價比、可靠性、效率等三個方面全面提升碳化硅功率器件產(chǎn)品競爭力，疊加作為國際IDM大廠在技術(shù)、市場等方面的深厚積累，使其能夠更好地響應(yīng)包括車用在內(nèi)的功率器件各類市場需求。

在PCIM Asia 2024國際電力元件、可再生能源管理展覽會上，在電動交通出行展區(qū)，英飛凌首次向國內(nèi)市場展示了旗下汽車半導(dǎo)體領(lǐng)域的HybridPACK Drive G2 Fusion模塊和Chip Embedding功率器件，其中HybridPACK Drive G2 Fusion模塊融合了IGBT和碳化硅芯片，在有效減少碳化硅模塊成本的情況下同時顯著提升了模塊的應(yīng)用效率，而Chip Embedding則可以直接集成在PCB板中，做到極小的雜散和高集成度的融合。

針對汽車電控，英飛凌電控系統(tǒng)解決方案采用第二代HybridPACK Drive碳化硅功率模塊的電機(jī)控制器系統(tǒng)進(jìn)行演示，該系統(tǒng)集成了AURIX TC4系列產(chǎn)品、第二代1200V SiC HybridPACK Drive模塊、第三代EiceDRIVER驅(qū)動芯片1EDI30XX、無磁芯電流傳感器等。

針對OBC（車載充電器）/DC-DC應(yīng)用，英飛凌展示了其完整的頂部散熱方案：7.2kW磁集成Tiny Box頂部散熱解決方案，實(shí)現(xiàn)了高功率密度的電氣以及高集成結(jié)構(gòu)方案的有效融合。

安森美

安森美現(xiàn)場應(yīng)用工程師Sangjun Koo表示，安森美在碳化硅領(lǐng)域的布局具備兩大優(yōu)勢，其一是針對碳化硅功率器件的市場需求反應(yīng)速度快，能夠快速針對產(chǎn)品布局做出決策；其二是作為全球第二大碳化硅功率器件供應(yīng)商，具備規(guī)?；a(chǎn)能力，能夠保障供貨，基于這些優(yōu)勢，安森美能夠更好地滿足包括車用在內(nèi)的市場需求。目前，安森美還積極布局AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域，有望與車用業(yè)務(wù)協(xié)同發(fā)展。

為滿足800V架構(gòu)下的充電需求，高功率OBC逐漸走向市場。安森美的OBC方案采用碳化硅產(chǎn)品，在11kW時的峰值系統(tǒng)效率達(dá)到97%，功率密度高達(dá)2.2?kW/l。此外，這一設(shè)計(jì)還可減少使用無源器件，從而減少PCB面積，有助于實(shí)現(xiàn)汽車輕量化。

為應(yīng)對主驅(qū)逆變器高功率的需求，安森美推出了1200V碳化硅半橋功率模塊B2S，支持最高400kw的輸出功率。該模塊采用了轉(zhuǎn)模注塑封裝方式，同時芯片連接采用銀燒結(jié)工藝，實(shí)現(xiàn)了高可靠性和低熱阻。模塊雜散電感約4nH，內(nèi)部集成onsemi最新的M3碳化硅技術(shù)，確保模塊的高性能。

EPC

EPC公司可靠性副總裁張盛科表示，EPC的低壓GaN器件能夠覆蓋所有48V至12V服務(wù)器電源轉(zhuǎn)換器、激光雷達(dá)（LiDAR）以及與太空相關(guān)的應(yīng)用需求。他們還在探索人形機(jī)器人和太陽能場景。EPC的LiDAR GaN器件也適用于汽車應(yīng)用。

在PCIM Asia 2024國際電力元件、可再生能源管理展覽會上，EPC展示了一款人形機(jī)器人樣品。該機(jī)器人中的一些關(guān)節(jié)組件很可能采用GaN技術(shù)。此外，EPC還帶來了一輛無人駕駛電動小車，配備了采用EPC GaN功率器件的激光雷達(dá)組件。

賽米控丹佛斯

據(jù)賽米控丹佛斯大中華區(qū)方案和系統(tǒng)銷售總監(jiān)&大中華區(qū)技術(shù)總監(jiān)Norbert Pluschke介紹，賽米控丹佛斯作為碳化硅模塊封裝領(lǐng)先廠商之一，擁有兩種專為碳化硅優(yōu)化設(shè)計(jì)的封裝形式：一是全橋功率模塊eMPack?平臺，擁有極低的雜散電感（2.5nH），有助于實(shí)現(xiàn)碳化硅的高開關(guān)速度；二是為嚴(yán)苛的汽車牽引逆變器應(yīng)用而開發(fā)的直接冷卻注塑半橋模塊DCM平臺，這項(xiàng)技術(shù)也適用于未來氮化鎵領(lǐng)域。

在PCIM Asia 2024國際電力元件、可再生能源管理展覽會上，賽米控丹佛斯展示了在工業(yè)能源和汽車領(lǐng)域的解決方案，其中包括采用eMPack?和DCM碳化硅模塊的雪鐵龍、伊控動力等公司的新能源汽車電機(jī)控制器產(chǎn)品。

Soitec

Soitec公司業(yè)務(wù)發(fā)展經(jīng)理Gonzalo Picun表示，大尺寸碳化硅（SiC）襯底是當(dāng)前SiC行業(yè)的關(guān)鍵發(fā)展趨勢，能夠有效提升SiC功率器件的生產(chǎn)效率并降低成本。同時，新的材料技術(shù)也在涌現(xiàn)，例如我們SmartSiC襯底產(chǎn)品線中使用的多晶SiC（poly-SiC），它提高了單晶材料的利用效率，同時提升了器件的性能和可靠性。

此外，Soitec還發(fā)現(xiàn)多種創(chuàng)新的SiC生長方法正在開發(fā)中，如液相生長（Liquid Phase growth）和高溫化學(xué)氣相沉積（HT-CVD），這些方法有助于提升單晶SiC的質(zhì)量，從而應(yīng)用于SmartSiC襯底。在此背景下，Soitec正在積極開發(fā)高質(zhì)量的襯底技術(shù)，包括大尺寸襯底。

在產(chǎn)能方面，Soitec位于法國Bernin的新工廠于2023年10月完工，總投資額為3.8億歐元（約合30億元人民幣），占地2,500平方米。該工廠在全面投產(chǎn)后，每年可生產(chǎn)50萬片晶圓，其中80%為SmartSiC晶圓。

Soitec獨(dú)特的技術(shù)——Smart Cut，能夠?qū)⒁粚颖〉母哔|(zhì)量單晶SiC與多晶SiC襯底結(jié)合起來。由此生成的SmartSiC襯底最大限度地提高了SiC材料的利用率，并顯著提升了生產(chǎn)產(chǎn)量?？傮w而言，Soitec具備在新能源車輛（NEVs）SiC應(yīng)用中占據(jù)重要地位的實(shí)力。

斯達(dá)半導(dǎo)體

斯達(dá)半導(dǎo)體在車用領(lǐng)域進(jìn)展較快，據(jù)斯達(dá)半導(dǎo)體副總經(jīng)理湯藝博士介紹，2022年，斯達(dá)半導(dǎo)體成為國內(nèi)首家碳化硅模塊批量進(jìn)入車企（用于小鵬G9車型）的廠商；2023年，其自研碳化硅芯片向北汽等多家車企批量供貨；斯達(dá)半導(dǎo)體自建產(chǎn)線今年也已開始供貨，應(yīng)用范圍覆蓋主驅(qū)逆變器、電源及車載空調(diào)。

斯達(dá)半導(dǎo)體等國內(nèi)碳化硅器件廠商正在持續(xù)推進(jìn)碳化硅“上車”進(jìn)程，各大廠商大有與國際巨頭分庭抗禮之勢。

在碳化硅功率器件加速“上車”的同時，氮化鎵“上車”也已經(jīng)被各大頭部玩家提上日程。其中，意法半導(dǎo)體、英飛凌、安森美等雙管齊下，同時挖掘車用碳化硅和車用氮化鎵的機(jī)會。其中，意法半導(dǎo)體碳化硅產(chǎn)品已經(jīng)或即將導(dǎo)入理想汽車、長城汽車等新能源汽車頭部廠商旗下車型中，同時，其PowerGaN系列產(chǎn)品，在功率更高的應(yīng)用中，也適用于電動汽車及其充電設(shè)施。

EPC公司已經(jīng)開發(fā)了基于氮化鎵的飛行時間（ToF）/激光雷達(dá)參考設(shè)計(jì)，這些設(shè)計(jì)利用了氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FETs），在激光雷達(dá)電路中提供了快速切換速度、更小的占地面積、高效率和卓越可靠性等優(yōu)勢。目前，EPC公司的eGaN FET已經(jīng)在汽車應(yīng)用中積累了數(shù)十億小時的成功經(jīng)驗(yàn)，包括激光雷達(dá)及雷達(dá)系統(tǒng)。

氮化鎵的汽車應(yīng)用目前還處于早期階段，在車載激光雷達(dá)產(chǎn)品的應(yīng)用相對成熟，并正在往其他車用場景滲透。預(yù)計(jì)到2025年左右，氮化鎵會小批量地滲透到低功率的OBC和DC-DC中，再遠(yuǎn)到2030年，OEM或考慮將氮化鎵引入到主驅(qū)逆變器。

碳化硅/氮化鎵車用趨勢

在國內(nèi)外碳化硅、氮化鎵功率器件廠商的共同努力下，全球汽車產(chǎn)業(yè)尤其是新能源汽車領(lǐng)域正在發(fā)生革命性的轉(zhuǎn)變。

目前，新能源汽車領(lǐng)域正在經(jīng)歷由400V電壓系統(tǒng)向800V電壓系統(tǒng)的轉(zhuǎn)變，在各大廠商最新發(fā)布的新能源車型中，800V高壓碳化硅平臺幾乎成為標(biāo)配，這一轉(zhuǎn)變主要是為了提升電池充電速度、減少電池發(fā)熱、提高電機(jī)工作效率、提升車輛續(xù)航里程并降低制造成本。在這個過程中，碳化硅功率器件發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。

在車用領(lǐng)域，1200V甚至是1700V碳化硅功率器件正在成為主流，以便更好地匹配800V或更高電壓等級的車用平臺需求。

400V向800V的轉(zhuǎn)變過程，也是新能源汽車加速普及的過程，從近期主流新能源車企發(fā)布的數(shù)據(jù)情況來看，各大廠商在8月份普遍實(shí)現(xiàn)了銷量大幅增長，并有望延續(xù)增長態(tài)勢，碳化硅功率器件廠商也將持續(xù)受益。

同時，伴隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，對減少能量損耗和可靠性的要求越來越高，碳化硅模塊的集成化需求越來越多。

總結(jié)

近年來，隨著合成技術(shù)的進(jìn)步以及生產(chǎn)規(guī)模的擴(kuò)大，碳化硅襯底、外延成本呈下降趨勢，推動器件、模塊等相關(guān)產(chǎn)品價格持續(xù)下探，有利于其向各類應(yīng)用場景進(jìn)一步滲透，尤其是正在大批量導(dǎo)入的新能源汽車領(lǐng)域，規(guī)模效應(yīng)之下，價格降低更有助于車企加大碳化硅“上車”力度。

與此同時，碳化硅產(chǎn)業(yè)正在由6英寸向8英寸轉(zhuǎn)型。盡管目前主流產(chǎn)品仍然為6英寸，但8英寸在降本增效方面的效果是顯著的，已成為各大廠商爭相布局的重點(diǎn)方向。未來，隨著8英寸產(chǎn)能逐步釋放，也有望進(jìn)一步推動碳化硅在包括新能源汽車、光儲充等領(lǐng)域的普及應(yīng)用。

目前，碳化硅在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用大多數(shù)集中在中高端車型，隨著成本和價格的下降，其有望向新能源汽車中低端車型持續(xù)滲透，進(jìn)一步提升在新能源汽車領(lǐng)域的參與度。

此外，在產(chǎn)業(yè)整合趨勢下，越來越多的碳化硅功率器件廠商選擇與新能源車企合作開發(fā)車用碳化硅產(chǎn)品，以市場和用戶需求為導(dǎo)向，從產(chǎn)業(yè)鏈源頭入手，實(shí)現(xiàn)技術(shù)和產(chǎn)品研發(fā)定制化，縮短產(chǎn)品從研發(fā)、驗(yàn)證到批量應(yīng)用的流程，在實(shí)現(xiàn)降本增效的同時，更好地抓住市場機(jī)遇。

氮化鎵方面，在新能源汽車領(lǐng)域，氮化鎵器件目前主要占據(jù)400V以下應(yīng)用，但部分廠商正在推進(jìn)氮化鎵器件的高壓應(yīng)用研發(fā)，其中包括博世正在開發(fā)一種用于汽車的1200V氮化鎵技術(shù)。未來，氮化鎵功率器件將由低壓車載激光雷達(dá)應(yīng)用，逐步向需要更高電壓的主驅(qū)逆變器等應(yīng)用延伸。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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集邦化合物半導(dǎo)體走訪發(fā)現(xiàn)，首屆SEMiBAY灣芯展匯集了天科合達(dá)、天岳先進(jìn)、南砂晶圓、天域半導(dǎo)體、瀚天天成等國內(nèi)碳化硅材料（襯底/外延）領(lǐng)域頭部廠商，方正微電子、華潤微電子、至信微電子等碳化硅器件環(huán)節(jié)知名廠商，以及晶盛機(jī)電、納設(shè)智能、優(yōu)睿譜、北方華創(chuàng)、中微公司、卓興半導(dǎo)體、快克芯裝備等碳化硅設(shè)備細(xì)分賽道重量級玩家。

上述各大廠商分別展示了在第三代半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵材料、器件、設(shè)備等各個細(xì)分領(lǐng)域的最新技術(shù)與產(chǎn)品，將共同推動第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展。在展會現(xiàn)場，集邦化合物半導(dǎo)體收集到20多家三代半廠商展品信息，匯總?cè)缦拢?/p>

材料領(lǐng)域，天科合達(dá)、天岳先進(jìn)、南砂晶圓、天域半導(dǎo)體、瀚天天成、中環(huán)領(lǐng)先、江豐電子等廠商重點(diǎn)展示了6/8英寸碳化硅襯底及外延片，先導(dǎo)集團(tuán)還展示了砷化鎵、磷化銦襯底及外延片。

天科合達(dá)

首屆SEMiBAY灣芯展，天科合達(dá)展示了碳化硅晶錠、6/8英寸碳化硅襯底、6/8英寸碳化硅外延片等系列產(chǎn)品，顯示其正在全面布局碳化硅襯底及外延領(lǐng)域。

目前，天科合達(dá)8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底已實(shí)現(xiàn)批量供應(yīng)，擁有零微管密度控制技術(shù)、低位錯密度控制技術(shù)、低層錯密度控制技術(shù)、電阻率均勻性控制技術(shù)、低應(yīng)力及面型控制技術(shù)等多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)勢。其碳化硅外延片BPD轉(zhuǎn)化效率＞99%，表面缺陷＜0.2個/cm2。

天岳先進(jìn)

本屆SEMiBAY灣芯展，天岳先進(jìn)帶來了6英寸熱沉碳化硅襯底、6英寸P型碳化硅襯底、6英寸碳化硅基異質(zhì)符合襯底、6/8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底、6/8英寸高純半絕緣碳化硅襯底等各類產(chǎn)品。

其中，天岳先進(jìn)6/8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底片已大規(guī)模應(yīng)用于新能源汽車主驅(qū)逆變器和車載充電系統(tǒng)，并得到充分驗(yàn)證，能夠滿足車規(guī)級功率器件性能需求。天岳先進(jìn)已實(shí)現(xiàn)了近“零TSD”和低BPD密度的8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶襯底制備，有效提升晶圓制備利用率，產(chǎn)品滿足芯片最高安全需求，保證了下游晶圓制備產(chǎn)能、良率和穩(wěn)定性。

南砂晶圓

本屆SEMiBAY灣芯展，南砂晶圓展示了6/8英寸導(dǎo)電型碳化硅晶錠和6/8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底片。

今年6月22日，南砂晶圓8英寸碳化硅北方基地項(xiàng)目宣布正式投產(chǎn)。當(dāng)天，南砂晶圓董事長王垚浩在受訪時表示，碳化硅進(jìn)入8英寸時代比預(yù)想的要早、要快。今后三年，南砂晶圓投資擴(kuò)產(chǎn)的重中之重將放在濟(jì)南北方基地項(xiàng)目上，大幅提升8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能。

中環(huán)領(lǐng)先

作為光伏頭部廠商之一，中環(huán)領(lǐng)先在本屆SEMiBAY灣芯展上展示了6/8英寸碳化硅外延片、6/8英寸氮化鎵外延片。

近年來，通威集團(tuán)、合盛硅業(yè)、弘元綠能、高測股份、捷佳偉創(chuàng)、連城數(shù)控、邁為股份、奧特維等主流光伏廠商均積極拓展碳化硅相關(guān)業(yè)務(wù)。

天域半導(dǎo)體

本屆SEMiBAY灣芯展，天域半導(dǎo)體重點(diǎn)展示了6/8英寸碳化硅外延片。

天域于2021年開始了8英寸碳化硅外延的技術(shù)儲備，并于2023年7月啟動8英寸碳化硅外延產(chǎn)品小批量送樣。其超過千片的量產(chǎn)數(shù)據(jù)表明，8英碳化硅外延產(chǎn)品與6英寸碳化硅外延產(chǎn)品水平相當(dāng)。

瀚天天成

本屆SEMiBAY灣芯展，瀚天天成展示了8英寸碳化硅外延片。作為大中華區(qū)首家發(fā)布并量產(chǎn)8英寸碳化硅外延的廠商，瀚天天成實(shí)現(xiàn)了超過12個月連續(xù)穩(wěn)定批量交付。

瀚天天成擁有片間濃、厚度高一致性控制技術(shù)、片內(nèi)厚度高精準(zhǔn)控制技術(shù)（所有點(diǎn)容差）、片內(nèi)濃度高精準(zhǔn)控制技術(shù)(所有點(diǎn)容差)、高BPD轉(zhuǎn)化率外延生長技術(shù)、大管芯高良率外延生長技術(shù)等技術(shù)優(yōu)勢。

江豐電子

本屆SEMiBAY灣芯展，江豐電子展示了6/8英寸碳化硅外延片。

目前，江豐電子正在通過其控股子公司晶豐芯馳全面布局碳化硅外延領(lǐng)域，碳化硅外延片產(chǎn)品已經(jīng)得到多家客戶認(rèn)可。

先導(dǎo)集團(tuán)

本屆SEMiBAY灣芯展，先導(dǎo)集團(tuán)展示了4/6英寸砷化鎵襯底、6英寸砷化鎵外延片、2/4英寸磷化銦襯底、4英寸磷化銦外延片等產(chǎn)品。

目前，先導(dǎo)集團(tuán)可提供使用VGF技術(shù)生長的2-6英寸的砷化鎵襯底，包括半絕緣砷化鎵襯底(無摻雜)和半導(dǎo)體砷化鎵襯底(摻Si或摻Zn)，以及用于VCSEL和RF應(yīng)用的低位錯砷化鎵襯底。亦可根據(jù)客戶需求，定制非標(biāo)厚度和晶向的砷化鎵襯底。同時，先導(dǎo)集團(tuán)可提供使用2-4英寸的磷化銦襯底，包括半絕緣磷化銦襯底（摻Fe）和半導(dǎo)體磷化銦襯底（摻Si或摻Zn），以及用于特定用途的低位錯磷化銦襯底。亦可根據(jù)客戶需求，定制非標(biāo)厚度和晶向的磷化銦襯底。

器件領(lǐng)域，方正微電子、華潤微電子、至信微電子、基本半導(dǎo)體等廠商重點(diǎn)展示了車用碳化硅MOSFET和模塊，顯示了碳化硅加速“上車”趨勢。

方正微電子

本屆SEMiBAY灣芯展，方正微電子展示了碳化硅MOSFET、碳化硅車規(guī)模組以及氮化鎵HEMT等豐富多樣的產(chǎn)品。

在SEMiBAY灣芯展開幕式上，方正微電子發(fā)布了車規(guī)/工規(guī)碳化硅MOSFET 1200V全系產(chǎn)品，覆蓋了新能源汽車應(yīng)用的全場景。其中，1200V 16m/18m/20mΩ應(yīng)用于主驅(qū)逆變控制器，1200V 35m/60m/85mΩ應(yīng)用于OBC，1200V 60m/85mΩ應(yīng)用于DC/DC，1200V 60m/85mΩ應(yīng)用于空調(diào)壓縮機(jī)，1200V 16m/20m/35m/60mΩ應(yīng)用于充電樁等場景。目前，方正微電子車規(guī)1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)規(guī)模應(yīng)用，特別是已在新能源汽車主驅(qū)控制器上規(guī)模上車。

華潤微電子

本屆SEMiBAY灣芯展，華潤微電子展示了碳化硅MOSFET模塊產(chǎn)品，可廣泛應(yīng)用于電動壓縮機(jī)、三相電機(jī)驅(qū)動器、電動汽車驅(qū)動器、電機(jī)和牽引驅(qū)動器、車載OBC等場景。

在氮化鎵領(lǐng)域，2024年上半年，華潤微完成8英寸中壓（100-200V）增強(qiáng)型P-GaN工藝平臺建設(shè)，并完成首顆150V/36A增強(qiáng)型器件樣品的制備。同時，華潤微采用新型的GaN控制及驅(qū)動技術(shù)，開發(fā)原邊、副邊控制芯片，及GaN驅(qū)動芯片，推出基于GaN的高效能快充系統(tǒng)方案，最大輸出功率可達(dá)65W。

至信微電子

本屆SEMiBAY灣芯展，至信微電子展示了650V/900V/1200V/1700V等不同電壓等級的碳化硅MOSFET以及模塊產(chǎn)品。

至信微電子碳化硅MOSFET取得了AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證，并通過了HV-H3TRB測試。其中，1200V碳化硅MOSFET技術(shù)平臺取得了AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證，通過了960V HV-H3TRB測試，1200V、750V系列MOSFET已通過HTRB(175°C/100%BV)1000小時、HVH3TRB（高壓）1000小時等多項(xiàng)可靠性考核。

基本半導(dǎo)體

本屆SEMiBAY灣芯展，基本半導(dǎo)體重點(diǎn)展示了碳化硅SBD、MOSFET晶圓以及各類工業(yè)級/汽車級碳化硅MOSFET模塊產(chǎn)品，其中，汽車級碳化硅模塊可廣泛應(yīng)用于新能源乘用車、商用車等的電氣驅(qū)動系統(tǒng)、燃料電池能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等場景，工業(yè)級碳化硅模塊可應(yīng)用于不間斷電源UPS、高端工業(yè)電焊機(jī)等場景。

今年9月26日，廣汽埃安旗下埃安AION RT開啟全球預(yù)售，搭載了基本半導(dǎo)體750V全碳化硅功率模塊。

設(shè)備領(lǐng)域，晶盛機(jī)電、納設(shè)智能、優(yōu)睿譜、北方華創(chuàng)、中微公司、卓興半導(dǎo)體、快克芯裝備、芯三代、思銳智能等廠商帶來了碳化硅產(chǎn)線各個環(huán)節(jié)所需的相關(guān)設(shè)備，各有千秋。

晶盛機(jī)電

本屆SEMiBAY灣芯展，晶盛機(jī)電展示了8英寸碳化硅晶錠和8英寸碳化硅晶圓產(chǎn)品。

作為一家半導(dǎo)體設(shè)備廠商，晶盛機(jī)電在碳化硅領(lǐng)域開發(fā)了6-8英寸碳化硅長晶設(shè)備、切片設(shè)備、減薄設(shè)備、拋光設(shè)備、外延設(shè)備等，實(shí)現(xiàn)了碳化硅外延設(shè)備的國產(chǎn)替代，并創(chuàng)新性推出雙片式碳化硅外延設(shè)備，大幅提升外延產(chǎn)能。

納設(shè)智能

本屆SEMiBAY灣芯展，納設(shè)智能展示了6英寸碳化硅外延設(shè)備以及單、雙腔8英寸碳化硅外延設(shè)備。

其中，納設(shè)智能6英寸碳化硅外延設(shè)備在2023年已批量出貨給多家外延客戶，也獲得了批量驗(yàn)收。在此基礎(chǔ)上，納設(shè)智能研發(fā)并交付了8英寸碳化硅外延設(shè)備，其具備獨(dú)特的反應(yīng)腔室設(shè)計(jì)、可獨(dú)立控制的多區(qū)進(jìn)氣方式等特點(diǎn)，能提高外延片的均勻性，降低外延缺陷及生產(chǎn)中的耗材成本。目前，該設(shè)備已銷售給多個客戶。

優(yōu)睿譜

本屆SEMiBAY灣芯展，優(yōu)睿譜展示了6/8寸碳化硅襯底位錯、微管檢測設(shè)備SICD200，6/8寸碳化硅襯底邊緣、宏觀缺陷檢測設(shè)備SICE200，6/8寸硅/碳化硅晶圓襯底及同質(zhì)外延片電阻率（載流子濃度）測量設(shè)備SICV200，6/8寸硅/碳化硅晶圓元素濃度與外延膜厚量測設(shè)備Eos200/Eos200+等產(chǎn)品。

優(yōu)睿譜半導(dǎo)體于2023年推出了SICD200和SICV200。其中，SID200可實(shí)現(xiàn)碳化硅位錯檢測的整片晶圓全檢測，并已獲境外顧客訂；SICV200可用于硅片電阻率、碳化硅或其它半導(dǎo)體材料摻雜濃度的測量，已得到多家客戶的訂單。今年6月，優(yōu)睿譜再交付客戶一款晶圓邊緣檢測設(shè)備SICE200。

北方華創(chuàng)

本屆SEMiBAY灣芯展，北方華創(chuàng)展示了8英寸立式爐、立式/臥式管舟清洗設(shè)備、擴(kuò)散/氧化系統(tǒng)等碳化硅相關(guān)設(shè)備。

北方華創(chuàng)專注于半導(dǎo)體基礎(chǔ)產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術(shù)服務(wù)，在半導(dǎo)體裝備業(yè)務(wù)板塊，北方華創(chuàng)的主要產(chǎn)品包括刻蝕、薄膜沉積、爐管、清洗、晶體生長等核心工藝裝備，廣泛應(yīng)用于功率半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體、襯底材料等制造領(lǐng)域。

中微公司

本屆SEMiBAY灣芯展，中微公司展示了一款氮化鎵功率器件量產(chǎn)MOCVD設(shè)備PRISMO PD5。

中微公司主要擁有五類設(shè)備產(chǎn)品，分別是CCP電容性刻蝕機(jī)、ICP電感性刻蝕機(jī)、深硅刻蝕機(jī)、MOCVD、薄膜沉積設(shè)備、VOC設(shè)備。中微公司于2022年推出了PRISMO PD5，已交付至國內(nèi)外客戶，并取得了重復(fù)訂單，而碳化硅功率器件外延生產(chǎn)設(shè)備正在開發(fā)中。

卓興半導(dǎo)體

本屆SEMiBAY灣芯展，卓興半導(dǎo)體展示了多款半導(dǎo)體相關(guān)設(shè)備，其中包括高精度多功能貼片機(jī)、半導(dǎo)體銀膠粘片機(jī)等適用于碳化硅領(lǐng)域的設(shè)備。

其中，AS8123半導(dǎo)體銀膠粘片機(jī)支持2-12英寸晶圓，支持多種來料，可選配不同工藝，無往復(fù)時間，效率提升60%；AS8136高精度多功能貼片機(jī)也支持2-12英寸晶圓，能夠同時支持4張2英寸晶圓。

快克芯裝備

本屆SEMiBAY灣芯展，快克芯裝備展示了碳化硅熱貼固晶機(jī)、微納金屬銀燒結(jié)等多種碳化硅相關(guān)設(shè)備。

其中，銀燒結(jié)具有優(yōu)異的導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性高粘接強(qiáng)度和高穩(wěn)定性等特點(diǎn),其燒結(jié)體適合長期高溫服役,銀燒結(jié)是碳化硅等高功率器件/模塊的核心封裝工藝。快克芯裝備自主研發(fā)的微納金屬銀燒結(jié)設(shè)備可滿足芯片燒結(jié)、Clip燒結(jié)以及模塊系統(tǒng)燒結(jié)等工藝需求。

思銳智能

本屆SEMiBAY灣芯展，思銳智能展示了碳化硅離子注入機(jī)SRII-4.5M/200，采用先進(jìn)的Al離子源技術(shù)，Al+注入流量分別可達(dá)1mA/7mA。

思銳智能產(chǎn)品有原子層沉積鍍膜（ALD）設(shè)備、薄膜電發(fā)光顯示器（LDI）設(shè)備以及離子注入（IMP）設(shè)備三大產(chǎn)品系列。氮化鎵領(lǐng)域涉及到非常多ALD相關(guān)的應(yīng)用，而思銳智能的Transform系列量產(chǎn)型ALD沉積鍍膜設(shè)備能夠有效增強(qiáng)氮化鎵器件的性能，該系列設(shè)備于2023年7月獲得了英諾賽科的訂單。

芯三代

本屆SEMiBAY灣芯展，芯三代展示了采用其自研碳化硅外延設(shè)備制造的碳化硅外延片。

芯三代致力于研發(fā)生產(chǎn)半導(dǎo)體相關(guān)專業(yè)設(shè)備，目前聚焦于SiC-CVD裝備。芯三代將工藝和設(shè)備緊密結(jié)合研發(fā)的SiC-CVD設(shè)備通過溫場控制、流場控制等方面的設(shè)計(jì)，在高產(chǎn)能、6/8英寸兼容、CoO成本、長時間多爐數(shù)連續(xù)自動生長控制、低缺陷率、維護(hù)便利性和可靠性等方面都具有優(yōu)勢。

小結(jié)

本屆SEMiBAY灣芯展，三代半相關(guān)廠商重點(diǎn)展示了碳化硅材料、器件以及設(shè)備相關(guān)產(chǎn)品，彰顯了碳化硅產(chǎn)業(yè)的火熱發(fā)展。

在碳化硅材料端，各大廠商正在加速8英寸轉(zhuǎn)型，8英寸襯底與外延將在未來2-3年逐步起量；在器件端，相關(guān)企業(yè)重點(diǎn)搶攻車用市場，以順應(yīng)新能源汽車大爆發(fā)帶來的產(chǎn)品需求，光伏、工業(yè)等場景也已成為熱門應(yīng)用方向；設(shè)備端，國內(nèi)廠商多點(diǎn)開花，尋求國產(chǎn)替代機(jī)會。

隨著碳化硅價格持續(xù)下跌，向各應(yīng)用領(lǐng)域的滲透加速，同時廠商之間的競爭將更加激烈。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

東部高科某高層表示，這項(xiàng)投資將利用Sangwoo園區(qū)的一個閑置廠房，建立半導(dǎo)體生產(chǎn)基礎(chǔ)，該公司預(yù)計(jì)到2027年10月末將投入總計(jì)2500億韓元（約13億人民幣）、到2030年投入1.7萬億韓元（約89億人民幣）。

目前，東部高科已進(jìn)入建立8英寸試點(diǎn)工藝的最后階段。據(jù)悉，潔凈室的擴(kuò)建工作將從下個月（11月）開始進(jìn)行廠房設(shè)計(jì)，并計(jì)劃在明年年末完成內(nèi)部施工和各項(xiàng)設(shè)備安裝。計(jì)劃從2026年開始，東部高科將投入生產(chǎn)設(shè)備，建立正式的量產(chǎn)體系。

產(chǎn)能方面，項(xiàng)目投產(chǎn)后，東部高科8英寸碳化硅晶圓產(chǎn)能將達(dá)3.5萬片/月，這將使其月生產(chǎn)能力從目前的15.4萬張?zhí)岣?3%，達(dá)到19萬片。

公開資料顯示，東部高科是一家專門從事晶圓代工的公司，主要業(yè)務(wù)包括半導(dǎo)體芯片的設(shè)計(jì)與制造，是韓國第二大芯片代工廠商。

近年來，東部高科加大了在碳化硅和氮化鎵半導(dǎo)體領(lǐng)域的布局力度，以支持未來的業(yè)務(wù)增長。

在碳化硅方面，擁有8英寸晶圓廠的東部高科正計(jì)劃進(jìn)軍8英寸碳化硅市場，作為政府政策舉措的一部分，東部高科正在與釜山科技園合作開發(fā)碳化硅。

氮化鎵方面，2023年底，有業(yè)內(nèi)人士透露，東部高科聘請了安森美前技術(shù)開發(fā)高級總監(jiān)Ali Salih，并讓他負(fù)責(zé)氮化鎵工藝開發(fā)，以加快氮化鎵業(yè)務(wù)的技術(shù)開發(fā)和商業(yè)化。

在氮化鎵半導(dǎo)體制造方面，東部高科正在與無晶圓廠公司A-PRO Semicon合作，以優(yōu)化代工工藝。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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source：成都發(fā)布

據(jù)悉，該項(xiàng)目位于成都市高新區(qū)，總投資16.6億元，占地面積39畝，建筑面積6.5萬平米，于2023年10月開工建設(shè)，預(yù)計(jì)2025年5月前通過并聯(lián)并行竣工驗(yàn)收，2026年5月全面達(dá)產(chǎn)。

建成后，該項(xiàng)目包括企業(yè)全國總部、技術(shù)中心、制造中心、服務(wù)中心以及核心零部件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地，并將同步建設(shè)中科院半導(dǎo)體所成都半導(dǎo)體材料先進(jìn)激光加工技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室及培訓(xùn)基地、四川省全固態(tài)先進(jìn)激光工程技術(shù)研究中心等項(xiàng)目。

官網(wǎng)資料顯示，萊普科技成立于2003年，是國內(nèi)集半導(dǎo)體激光裝備研發(fā)、制造、銷售和服務(wù)為一體的廠商。公司總部位于成都市高新區(qū)，建有深圳分公司和江蘇子公司，同時在蘇州、深圳、武漢、北京、西安等地建有服務(wù)辦公室。

業(yè)務(wù)進(jìn)展方面，萊普科技在半導(dǎo)體晶圓制造、封裝測試、精密電子制造等領(lǐng)域推出了三十余種激光應(yīng)用專業(yè)設(shè)備，擁有五十多項(xiàng)自主知識產(chǎn)權(quán)。

在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，萊普科技的硅基IGBT激光退火設(shè)備及碳化硅歐姆接觸激光退火設(shè)備與進(jìn)口廠家同廠比對并勝出，銷售至株洲中車時代半導(dǎo)體、無錫華潤上華、上海積塔半導(dǎo)體等企業(yè)。

目前，萊普科技正在推進(jìn)A股IPO進(jìn)程。今年3月4日，萊普科技在四川證監(jiān)局辦理輔導(dǎo)備案登記，輔導(dǎo)券商為中信建投證券。萊普科技現(xiàn)已完成第二期輔導(dǎo)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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根據(jù)公告，芯聯(lián)集成預(yù)計(jì)2024年前三季度營收約為45.47億元，同比增加約7.16億元，同比增長約18.68%；預(yù)計(jì)2024年前三季度實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤約為-6.84億元，同比減虧約6.77億元，同比減虧約49.73%；預(yù)計(jì)2024年前三季度EBITDA（息稅折舊攤銷前利潤）約為16.60億元，同比增加約7.98億元，同比增長約92.67%。

關(guān)于業(yè)績變化的主要原因，芯聯(lián)集成表示，隨著新能源車及消費(fèi)市場的回暖，其產(chǎn)能利用率逐步提升。報(bào)告期內(nèi)，其碳化硅、12英寸硅基晶圓等新產(chǎn)品在頭部客戶快速導(dǎo)入和量產(chǎn)，以碳化硅MOSFET芯片及模組產(chǎn)線組成的第二增長曲線和以高壓、大功率BCD工藝為主的模擬IC方向的第三增長曲線快速增長，其營收快速上升，單季度同比、環(huán)比均呈現(xiàn)較高增長。

同時，2024年第三季度其毛利率已實(shí)現(xiàn)單季度轉(zhuǎn)正約為6%。報(bào)告期內(nèi)，其繼續(xù)增強(qiáng)精益生產(chǎn)管理能力、供應(yīng)鏈管理能力、成本控制能力等，大幅提升產(chǎn)品的市場競爭力。

在碳化硅業(yè)務(wù)方面，繼和蔚來汽車、理想汽車等公司簽訂長期戰(zhàn)略合作協(xié)議后，芯聯(lián)集成近日也獲得廣汽埃安旗下全系車型定點(diǎn)。根據(jù)協(xié)議，芯聯(lián)集成提供的高性能碳化硅MOSFET與硅基IGBT芯片和模塊未來幾年內(nèi)將被應(yīng)用于廣汽埃安的上百萬輛新能源汽車上。

此外，芯聯(lián)集成6英寸碳化硅的產(chǎn)線目前正在持續(xù)滿負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn)，8英寸碳化硅產(chǎn)線將在明年進(jìn)入量產(chǎn)階段。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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根據(jù)報(bào)道，博藍(lán)特半導(dǎo)體新投入運(yùn)行的車間自動化程度較高，產(chǎn)品通過循環(huán)多次檢測，能夠確保性能和良率。報(bào)道稱，博藍(lán)特半導(dǎo)體出廠的芯片性能、良率達(dá)到了國際先進(jìn)水平，國際主流碳化硅公司研發(fā)的產(chǎn)品均可以在該公司的平臺量產(chǎn)。

根據(jù)“金開發(fā)布”官微此前發(fā)布的消息，2019年12月2日，博藍(lán)特半導(dǎo)體與金華開發(fā)區(qū)簽署項(xiàng)目投資協(xié)議，博藍(lán)特半導(dǎo)體計(jì)劃投資10億元，在金華開發(fā)區(qū)建設(shè)年產(chǎn)15萬片第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底及年產(chǎn)200萬片用于Mini/Micro-LED顯示技術(shù)的大尺寸藍(lán)寶石襯底研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。

官網(wǎng)資料顯示，博藍(lán)特半導(dǎo)體旗下產(chǎn)品包括第三代半導(dǎo)體材料、MEMS智能傳感器芯片、光子芯片及器件、LED顯示等產(chǎn)品，可廣泛應(yīng)用于人工智能、汽車、新能源、光通訊、醫(yī)療、航空航天及物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。

隨著以碳化硅等為代表的第三代半導(dǎo)體材料的興起，博藍(lán)特半導(dǎo)體開始在碳化硅領(lǐng)域加大投資力度。

除本次已投產(chǎn)項(xiàng)目外，今年1月，博藍(lán)特半導(dǎo)體考察了位于江蘇省丹陽市延陵鎮(zhèn)鳳凰工業(yè)園區(qū)的2宗地塊。考察中，政企雙方就博藍(lán)特第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底項(xiàng)目落地延陵鎮(zhèn)進(jìn)行了洽談，博藍(lán)特計(jì)劃在延陵鎮(zhèn)投資10億元建設(shè)年產(chǎn)25萬片的6-8英寸碳化硅襯底項(xiàng)目，該項(xiàng)目建成后預(yù)計(jì)可實(shí)現(xiàn)年銷售收入15億元。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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