文章分類: 功率

戰(zhàn)略新變革:三菱電機(jī)為功率半導(dǎo)體按下“加速鍵”

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 01 日 18:13 |
| 分類: 功率
2023年8月29日,PCIM Asia 上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會在上海新國際博覽中心隆重揭幕,展會持續(xù)時間為3天。作為亞洲領(lǐng)先的電力電子展會,展會聚集了一眾業(yè)界翹楚,探索行業(yè)最新趨勢和創(chuàng)新發(fā)展之路。 作為本屆展會的贊助商,三菱電機(jī)半導(dǎo)體攜變頻家電用智能功率模塊SL...  [詳內(nèi)文]

總投資8億、年產(chǎn)能120萬套!這個第三代半導(dǎo)體項目獲新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 08 月 31 日 17:30 | | 分類: 功率
近日,位于無錫錫山經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)的芯動第三代半導(dǎo)體模組封測項目傳來新進(jìn)展。 錫山經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)消息顯示,芯動第三代半導(dǎo)體模組封測項目主體封頂,計劃10月土建竣工,12月底投產(chǎn)。 據(jù)悉,芯動第三代半導(dǎo)體模組封測項目總投資8億元,用地27畝,建筑面積3.1萬平方米,建設(shè)年產(chǎn)120萬塊...  [詳內(nèi)文]

全球新增一條12英寸產(chǎn)線,專注功率器件

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 08 月 30 日 18:39 |
| 分類: 功率
8月29日,三菱電機(jī)宣布,已在功率器件工廠福山工廠完成了該公司第一條300毫米(12英寸)晶圓生產(chǎn)線的安裝,該工廠負(fù)責(zé)功率半導(dǎo)體的晶圓工藝。 該生產(chǎn)線的安裝目標(biāo)是到2025財年將公司硅功率半導(dǎo)體晶圓工藝的產(chǎn)能較2020財年翻一番。計劃于2024年開始量產(chǎn),目前已確認(rèn)使用同一生產(chǎn)線...  [詳內(nèi)文]

蔚來增持晶湛半導(dǎo)體

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 08 月 30 日 18:37 |
| 分類: 功率
近日,蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司發(fā)生工商變更,新增合肥建晶股權(quán)投資合伙企業(yè)(有限合伙)、蔚來資本旗下合肥蔚來產(chǎn)業(yè)發(fā)展股權(quán)投資合伙企業(yè)(有限合伙)等為股東,同時公司注冊資本由約7459萬人民幣增至約7691萬人民幣。 晶湛半導(dǎo)體是一家提供GaN外延解決方案的專業(yè)外延代工商。在電力電子方...  [詳內(nèi)文]

超200億元!這個第三代半導(dǎo)體功率器件項目落地武漢

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 08 月 28 日 17:35 | | 分類: 功率
8月25日,武漢東湖高新區(qū)管委會與長飛先進(jìn)半導(dǎo)體簽署了第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地項目合作協(xié)議。 長飛先進(jìn)第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地項目總投資預(yù)計超過200億元,其中項目一期總投資約100億元,可年產(chǎn)36萬片SiC MOSFET晶圓,包括外延、器件設(shè)計、晶圓制造、封裝等...  [詳內(nèi)文]

?突破!這個第三代半導(dǎo)體設(shè)備成功研制并發(fā)貨

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 08 月 24 日 17:35 |
| 分類: 功率
據(jù)捷佳偉創(chuàng)消息,近日,公司自主研制的碳化硅高溫?zé)崽幚砉に囋O(shè)備成功下線,試運(yùn)行期間各項技術(shù)指標(biāo)均滿足客戶需求,通過預(yù)驗收后順利發(fā)往國內(nèi)半導(dǎo)體IDM某頭部企業(yè)。 據(jù)悉,該設(shè)備主要用于制造碳化硅功率器件,能有效降低碳化硅晶體中的微觀應(yīng)力、消除組織缺陷和降低界面態(tài)密度、提高載流子遷移率以...  [詳內(nèi)文]

34億!這個6英寸砷化鎵項目開工

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 08 月 22 日 17:35 |
| 分類: 功率
8月17日,珠海高新區(qū)2023年第三季度重點(diǎn)項目集中開工活動在高新區(qū)北沙三生產(chǎn)業(yè)園舉行。會上,珠海高新區(qū)25個重點(diǎn)項目集中開工建設(shè),總投資451.6億元,其中包括由格力集團(tuán)投資打造的華芯(珠海)半導(dǎo)體砷化鎵總部研產(chǎn)基地。 圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫 格力集團(tuán)消息顯示,今年3月,格...  [詳內(nèi)文]

士蘭微:年底SiC芯片產(chǎn)能將翻倍

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 08 月 21 日 16:59 |
| 分類: 功率
近日士蘭微發(fā)布2023半年度業(yè)績報告。2023年上半年,公司營業(yè)總收入為44.76億元,較2022年同期增長6.95%,公司利潤總額為-6,066萬元,比2022年同期減少108.83%。 其中,上半年集成電路的營業(yè)收入為15.76億元,較上年同期增長16.49%,收入增加的主要...  [詳內(nèi)文]

SiC領(lǐng)域再增一上市公司!首日大漲117%

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 08 月 18 日 17:28 |
| 分類: 功率
今(18)日,蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡稱“鍇威特”)成功登陸上交所科創(chuàng)板,發(fā)行價格為40.83元/股,截至成文,股價為88.94元/股,總市值達(dá)65.53億元。 同花順 根據(jù)招股說明書,鍇威特本次擬登陸上交所科創(chuàng)板,擬公開發(fā)行股票數(shù)量不超過1,842.1053萬股...  [詳內(nèi)文]

突破!4英寸鑄造法氧化鎵單晶研制獲得成功

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 08 月 18 日 17:27 |
| 分類: 功率
近日,杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司聯(lián)合浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心(簡稱科創(chuàng)中心)先進(jìn)半導(dǎo)體研究院、硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國重點(diǎn)實驗室使用鑄造法成功制備了高質(zhì)量4英寸氧化鎵單晶,并完成了4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破。 鑄造法是科創(chuàng)中心首席科學(xué)家楊德仁院士團(tuán)隊自主研發(fā)的、適用于氧化鎵單晶生長的...  [詳內(nèi)文]