source：東北大學(xué)

據(jù)悉，與碳化硅和氮化鎵相比，β-氧化鎵具有更寬的帶隙和更低的能量損耗，因此有望成為下一代功率半導(dǎo)體材料。此外，與硅一樣，β-氧化鎵也可以從原材料熔體中熔融生長(zhǎng)，因此可一次生產(chǎn)出大量高質(zhì)量單晶，理論上可以低成本、低缺陷地生產(chǎn)單晶襯底。

然而，在傳統(tǒng)的晶體生長(zhǎng)方法中，盛放高熔點(diǎn)氧化物熔液的坩堝使用了貴金屬銥，并且需要定期進(jìn)行重鑄。因此，銥相關(guān)的成本占了包括半導(dǎo)體前段工藝中的一部分薄膜制造成本的60%以上，這使得降低β-氧化鎵器件制造成本變得困難。目前，β-氧化鎵襯底比碳化硅更貴。而FOX正是為了應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)而成立的。

FOX采用OCCC（冷容器氧化物晶體生長(zhǎng)）方法，無需使用貴金屬坩堝，即可生產(chǎn)出β-氧化鎵塊狀單晶，其低缺陷程度可與硅媲美。

據(jù)介紹，F(xiàn)OX初期階段將集中于使用OCCC法開發(fā)半導(dǎo)體級(jí)大尺寸化技術(shù)，加速技術(shù)開發(fā)，力爭(zhēng)在2028年內(nèi)確立6英寸晶圓的量產(chǎn)技術(shù)。此后，F(xiàn)OX將進(jìn)一步擴(kuò)建量產(chǎn)工廠，推進(jìn)6英寸晶圓的驗(yàn)證。

目前，除日本企業(yè)外，國內(nèi)相關(guān)企業(yè)也在積極布局氧化鎵產(chǎn)業(yè)，并取得了一定進(jìn)展。

其中，鎵仁半導(dǎo)體于今年7月成功制備出3英寸晶圓級(jí)（010）氧化鎵單晶襯底。

隨后在9月12日，據(jù)富加鎵業(yè)官微消息，其6英寸氧化鎵單晶及外延片生長(zhǎng)線于9月10日在杭州富陽開工建設(shè)。

同在9月，據(jù)“龍巖發(fā)布”官微消息，晶旭半導(dǎo)體二期——基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產(chǎn)項(xiàng)目于2023年12月開工建設(shè)。目前，項(xiàng)目主體已經(jīng)全部封頂，預(yù)計(jì)年底之前具備設(shè)備模擬的條件。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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