圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

東部高科某高層表示，這項投資將利用Sangwoo園區(qū)的一個閑置廠房，建立半導(dǎo)體生產(chǎn)基礎(chǔ)，該公司預(yù)計到2027年10月末將投入總計2500億韓元（約13億人民幣）、到2030年投入1.7萬億韓元（約89億人民幣）。

目前，東部高科已進(jìn)入建立8英寸試點工藝的最后階段。據(jù)悉，潔凈室的擴(kuò)建工作將從下個月（11月）開始進(jìn)行廠房設(shè)計，并計劃在明年年末完成內(nèi)部施工和各項設(shè)備安裝。計劃從2026年開始，東部高科將投入生產(chǎn)設(shè)備，建立正式的量產(chǎn)體系。

產(chǎn)能方面，項目投產(chǎn)后，東部高科8英寸碳化硅晶圓產(chǎn)能將達(dá)3.5萬片/月，這將使其月生產(chǎn)能力從目前的15.4萬張?zhí)岣?3%，達(dá)到19萬片。

公開資料顯示，東部高科是一家專門從事晶圓代工的公司，主要業(yè)務(wù)包括半導(dǎo)體芯片的設(shè)計與制造，是韓國第二大芯片代工廠商。

近年來，東部高科加大了在碳化硅和氮化鎵半導(dǎo)體領(lǐng)域的布局力度，以支持未來的業(yè)務(wù)增長。

在碳化硅方面，擁有8英寸晶圓廠的東部高科正計劃進(jìn)軍8英寸碳化硅市場，作為政府政策舉措的一部分，東部高科正在與釜山科技園合作開發(fā)碳化硅。

氮化鎵方面，2023年底，有業(yè)內(nèi)人士透露，東部高科聘請了安森美前技術(shù)開發(fā)高級總監(jiān)Ali Salih，并讓他負(fù)責(zé)氮化鎵工藝開發(fā)，以加快氮化鎵業(yè)務(wù)的技術(shù)開發(fā)和商業(yè)化。

在氮化鎵半導(dǎo)體制造方面，東部高科正在與無晶圓廠公司A-PRO Semicon合作，以優(yōu)化代工工藝。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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業(yè)內(nèi)人士透露，東部高科聘請了安森美半導(dǎo)體前技術(shù)開發(fā)高級總監(jiān)Ali Salih，并讓他負(fù)責(zé)氮化鎵（GaN）工藝開發(fā)。

Salih是一位功率半導(dǎo)體工藝開發(fā)人員，擁有約20年的行業(yè)經(jīng)驗，曾在電氣與電子工程師學(xué)會 (IEEE) 上發(fā)表過有關(guān)功率半導(dǎo)體的重要論文。東部高科聘請Salih是為了加快GaN業(yè)務(wù)的技術(shù)開發(fā)和商業(yè)化。

這項任命旨在加強(qiáng)第三代功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的技術(shù)開發(fā)和商業(yè)化。功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)目前占東部高科半導(dǎo)體制造（代工）業(yè)務(wù)的很大一部分，該業(yè)務(wù)正在從硅（Si）擴(kuò)展到GaN和碳化硅（SiC）材料，為此聘請該位具有相關(guān)技術(shù)開發(fā)經(jīng)驗的外部專家。

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據(jù)悉，東部高科正努力確保第三代功率半導(dǎo)體的制作工藝達(dá)到可以建設(shè)生產(chǎn)線的水平。目前，公司正在考慮訂購GaN和SiC生產(chǎn)設(shè)備，為新建一條產(chǎn)線做準(zhǔn)備。

東部高科計劃分別從Aprosemicon和SK Siltron的美國子公司SK Siltron CSS 采購GaN和SiC晶圓。根據(jù)市場需求，公司將確定初步生產(chǎn)規(guī)模，并于明年開始建設(shè)生產(chǎn)線。與SiC相比，GaN功率半導(dǎo)體的技術(shù)難度相對較低，預(yù)計將首先投入生產(chǎn)。

近來，東部高科有關(guān)加大SiC和GaN研發(fā)生產(chǎn)的消息不斷，從宣布進(jìn)軍該領(lǐng)域，購置核心設(shè)備到引入相關(guān)人才，可以看到其進(jìn)軍第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的決心。

韓企之中想要在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域大展拳腳的并不只有東部高科。三星此前也通過購置SiC/GaN設(shè)備和聘請擁有豐富經(jīng)驗的外部專家，來加速推進(jìn)其第三代半導(dǎo)體代工業(yè)務(wù)。

韓國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在世界范圍來說都可以算得上高水準(zhǔn)，但在以SiC為代表的第三代功率半導(dǎo)體市場中卻并沒有出現(xiàn)國際龍頭。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，2022年SiC功率半導(dǎo)體主要廠商的市場份額占比TOP5分別是意法半導(dǎo)體（36.5%）、英飛凌（17.9%）、Wolfspeed（16.3%）、安森美（11.6%）、羅姆（8.1%），剩余廠商僅占9.6%。

在此背景下，近年來，韓國政府高度重視第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，制定了一系列政策和計劃來推動產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新。例如，韓國政府計劃在未來幾年內(nèi)向半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投入數(shù)十億美元，以支持研發(fā)和擴(kuò)大產(chǎn)能。

現(xiàn)今，有不少韓企已經(jīng)意識到第三代半導(dǎo)體的巨大市場，開始有意加強(qiáng)SiC/GaN產(chǎn)業(yè)的建設(shè)和升級。韓國的主要半導(dǎo)體企業(yè)，如三星和LX Semicon，都在積極投資第三代半導(dǎo)體技術(shù)。這些公司不僅在研發(fā)方面投入巨資，還在全球范圍內(nèi)尋求合作和收購，以加速技術(shù)進(jìn)步和市場拓展。

此外，韓國本土還有現(xiàn)代、起亞、通用等國際知名車企，隨著世界汽車向電車發(fā)展，以SiC為代表的車載第三代功率半導(dǎo)體擁有廣闊的發(fā)揮空間。

除了東部高科和三星，還有一些與第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相關(guān)的韓企在國際上擁有一定知名度：生產(chǎn)襯底的SK Siltron、Scenic；制造SiC長晶設(shè)備的STI和生產(chǎn)功率器件的TRinno Technology、Yes Power Technics（現(xiàn)已更名為“SK Powertech”）。

韓國企業(yè)近來在SiC/GaN功率半導(dǎo)體領(lǐng)域持續(xù)加碼，想要在第三代半導(dǎo)體市場分得一杯羹，但這些企業(yè)能否在強(qiáng)者眾多的國際市場上擁有一席之地，還需要時間來驗證。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Rick）

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資料顯示，超高壓功率半導(dǎo)體可廣泛應(yīng)用于家電、汽車、通信和工業(yè)等領(lǐng)域。相關(guān)人士表示，東部高科將以其具有競爭力的功率半導(dǎo)體技術(shù)為基礎(chǔ)，向高附加值、高增長的超高壓功率半導(dǎo)體方向發(fā)展，增強(qiáng)整體競爭力。

通過觀察東部高科近兩年在功率半導(dǎo)體方面的動作不難發(fā)現(xiàn)，東部高科進(jìn)軍超高壓功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)已是水到渠成。

2021年11月底，據(jù)韓媒報道，東部高科將在2022年第一季度開發(fā)基于第三代半導(dǎo)體材料的功率半導(dǎo)體，這是其首次進(jìn)軍功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。報道稱，東部高科彼時正在開發(fā)基于碳化硅（SiC）的6-8英寸功率半導(dǎo)體，目標(biāo)是2022年第一季度推出。

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隨后在2022年6月，東部高科再次引發(fā)外界關(guān)注。多家韓媒指出，東部高科將挑戰(zhàn)8英寸SiC晶圓代工事業(yè)。韓媒消息顯示，東部高科將在位于忠清北道Eumseong-gun，Gamgok-myeon的8英寸半導(dǎo)體工廠建造第三代功率半導(dǎo)體生產(chǎn)線，目標(biāo)是在2025年內(nèi)生產(chǎn)和供應(yīng)首批1200伏SiC MOSFET。

整個2022年，東部高科計劃投入更多資金，進(jìn)行8英寸晶圓設(shè)備的替換升級，目標(biāo)是將8英寸產(chǎn)能由每月13.8萬片提高到每月15萬片。

時間進(jìn)入2023年，東部高科持續(xù)投入，不僅宣布正在加大力度研發(fā)SiC功率半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品，還為此引進(jìn)了生產(chǎn)所需的核心設(shè)備。

由此可見，東部高科正聚焦功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，并且在源源不斷的輸血和打磨之下，已在行業(yè)內(nèi)站穩(wěn)腳跟，產(chǎn)能可觀，為進(jìn)軍超高壓功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)打下了良好基礎(chǔ)。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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據(jù)了解，東部高科專業(yè)從事8英寸晶圓代工，于2021年底宣布將在2022年一季度開發(fā)基于下一代半導(dǎo)體材料的功率半導(dǎo)體，同步發(fā)展SiC和GaN技術(shù)。

在GaN領(lǐng)域，東部高科在2022年初公布了在硅晶圓上生長8英寸GaN半導(dǎo)體元件的計劃。據(jù)其介紹，采用硅基GaN技術(shù)可提升半導(dǎo)體制造的競爭力，從而簡化晶圓工藝，提高晶圓代工廠的盈利能力。為此，東部高科積極推進(jìn)這個計劃，并于2022年9月與韓國半導(dǎo)體公司A-pro Semicon達(dá)成合作，雙方正在協(xié)同開發(fā)8英寸GaN功率半導(dǎo)體技術(shù)。

在SiC領(lǐng)域，東部高科主要專注于開發(fā)6-8英寸SiC功率半導(dǎo)體，正在積極建設(shè)相關(guān)產(chǎn)線，并已參與韓國國家政策項目，與釜山技術(shù)園合作開發(fā)SiC。針對汽車應(yīng)用市場，盡管目前6英寸晶圓是主流，但東部高科的目標(biāo)主要還是在于8英寸晶圓。

據(jù)悉，由于市場復(fù)蘇緩慢，東部高科的8英寸晶圓廠運營預(yù)計將受到影響，而轉(zhuǎn)向12英寸晶圓廠運營的問題仍然存在。在此背景下，東部高科未來的發(fā)展將集中在GaN和SiC等下一代功率半導(dǎo)體上。

不難發(fā)現(xiàn)，韓國另一大晶圓代工廠三星今年也持續(xù)加大了對第三代半導(dǎo)體市場的布局，可以看到，第三代半導(dǎo)體這一賽道有利于韓國廠商拓寬利潤增長點，在韓國政府對第三代半導(dǎo)體的大力支持和推動下，包括三星、東部高科在內(nèi)的韓國廠商有望加速取得技術(shù)突破和拓展業(yè)務(wù)，進(jìn)一步縮短與歐美廠商之間的差距。（化合物半導(dǎo)體市場Jenny整理）

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