近日，蘇州中科重儀半導(dǎo)體材料有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)中科重儀）自主研發(fā)的應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的大尺寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延片生產(chǎn)線正式建成并投入使用。 據(jù)介紹，目前GaN材料外延生長(zhǎng)的主流方法是金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法（MOCVD），由于針對(duì)功率型大尺寸GaN-on-Si材料...  [詳內(nèi)文]