source：山西轉(zhuǎn)型綜改示范區(qū)

據(jù)山西華芯半導(dǎo)體晶體材料產(chǎn)業(yè)基地負(fù)責(zé)人介紹，一期項(xiàng)目已于2022年建成投產(chǎn)，二期項(xiàng)目主要用于多種化合物半導(dǎo)體材料的研發(fā)、生產(chǎn)及加工，將布局大尺寸藍(lán)寶石生長(zhǎng)加工項(xiàng)目、軍工大尺寸透明裝甲單晶生產(chǎn)研發(fā)項(xiàng)目、第三四代化合物半導(dǎo)體晶體研發(fā)、生長(zhǎng)及晶體加工項(xiàng)目。項(xiàng)目全部達(dá)產(chǎn)后，可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)720萬片半導(dǎo)體晶片襯底，實(shí)現(xiàn)中高端化合物半導(dǎo)體材料覆蓋。

據(jù)悉，藍(lán)寶石晶體是現(xiàn)代工業(yè)重要的基礎(chǔ)材料，其主要產(chǎn)品為半導(dǎo)體晶圓襯底，應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)長(zhǎng)ED顯示芯片，尤其是Mini LED、Micro LED等高端顯示類產(chǎn)品，也廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電子和高端光電窗口。

據(jù)了解，2023年初該項(xiàng)目一期首顆大公斤級(jí)藍(lán)寶石晶體成功取晶。大公斤級(jí)藍(lán)寶石晶體一個(gè)生長(zhǎng)周期一般是11天至13天，生長(zhǎng)的過程是把氧化鋁原料放到單晶爐內(nèi)，升溫至2100℃，晶體在晶種上慢慢生長(zhǎng)，生長(zhǎng)到規(guī)定的公斤數(shù)。目前該項(xiàng)目藍(lán)寶石晶體已經(jīng)成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

作為該項(xiàng)目投資方，山西華芯晶圖科技有限公司成立于2021年7月，注冊(cè)資本8000萬人民幣，經(jīng)營范圍含光電子器件制造、光電子器件銷售、電子元器件零售、電子元器件批發(fā)。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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source：長(zhǎng)光華芯

長(zhǎng)光華芯指出，本次項(xiàng)目封頂標(biāo)志著長(zhǎng)光華芯在多種化合物半導(dǎo)體光電芯片、器件等方面的產(chǎn)能、研發(fā)水平、橫向擴(kuò)展和縱向延伸能力都將邁上新臺(tái)階。

橫向覆蓋從可見光、近紅外、中波、長(zhǎng)波多波段激光芯片和硅光集成芯片，縱向延伸從激光顯示、工業(yè)激光、光通訊、激光傳感到生命科學(xué)與健康等主流應(yīng)用和未來產(chǎn)業(yè)。

集邦化合物半導(dǎo)體了解到，長(zhǎng)光華芯先進(jìn)化合物半導(dǎo)體光電子平臺(tái)項(xiàng)目位于蘇州科技城普陀山路北側(cè)、漓江路東側(cè)地塊，項(xiàng)目總占地面積約31畝，含生產(chǎn)中心、研發(fā)中心、動(dòng)力站及配套設(shè)施，旨在建設(shè)國內(nèi)一流的半導(dǎo)體激光芯片研發(fā)及生產(chǎn)平臺(tái)。

作為省重點(diǎn)項(xiàng)目，該項(xiàng)目將打造先進(jìn)化合物半導(dǎo)體光電子研發(fā)生產(chǎn)平臺(tái)，進(jìn)行氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等激光器和探測(cè)器用2-3英寸芯片產(chǎn)線建設(shè)及器件封裝等。項(xiàng)目于2023年12月開工，預(yù)計(jì)2025年建成并全面投產(chǎn)。

項(xiàng)目建成后，將具備年產(chǎn)1億顆芯片、500萬器件的能力，在目前國際領(lǐng)先的6英寸化合物生產(chǎn)線基礎(chǔ)上，推動(dòng)研發(fā)硬件條件以及研發(fā)生產(chǎn)水平全面達(dá)到國際頂尖，具備多領(lǐng)域的國產(chǎn)器件與模塊進(jìn)口替代能力，全力構(gòu)建上下游創(chuàng)新協(xié)同、供應(yīng)鏈互通的新一代中國激光國產(chǎn)化產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈，推動(dòng)蘇州高新區(qū)光子產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。

據(jù)公開資料顯示，長(zhǎng)光華芯成立于2012年，聚焦半導(dǎo)體激光器行業(yè)，專注于半導(dǎo)體激光芯片、器件、模塊及激光器等。公司于2022年4月1日登陸科創(chuàng)板，成為A股第一家半導(dǎo)體激光芯片上市公司。其股東陣容豪華，包括華為哈勃、國投創(chuàng)投（上海）、華工科技、華泰證券、匯鴻集團(tuán)等。

今年4月，長(zhǎng)光華芯車載激光雷達(dá)芯片產(chǎn)品順利通過車規(guī)級(jí)AEC-Q102認(rèn)證，加上去年12月份通過的IATF16949質(zhì)量體系認(rèn)證，長(zhǎng)光華芯已拿到進(jìn)入汽車電子行業(yè)的兩張通行證。7月，長(zhǎng)光華芯攜手鎵銳芯光，共同進(jìn)軍可見光領(lǐng)域，填補(bǔ)國內(nèi)在氮化鎵藍(lán)綠光激光器領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)化的空白。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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資料顯示，芯動(dòng)半導(dǎo)體無錫“第三代半導(dǎo)體模組封測(cè)項(xiàng)目”制造基地，總投資 8 億元，建筑面積約 30000㎡，規(guī)劃車規(guī)級(jí)模組年產(chǎn)能 120 萬套。項(xiàng)目于2023年2月開工，2024年2月完工。

據(jù)悉，2022年10月，長(zhǎng)城汽車公告稱，公司擬使用自有資金與魏建軍、穩(wěn)晟科技共同出資設(shè)立芯動(dòng)半導(dǎo)體，注冊(cè)資本5000萬元，其中公司認(rèn)繳出資額1000萬元，占比20%；穩(wěn)晟科技認(rèn)繳出資3500萬元，占比70%。

圖片來源：芯動(dòng)半導(dǎo)體

集邦化合物半導(dǎo)體了解到，魏建軍是長(zhǎng)城汽車公司的董事長(zhǎng)、實(shí)控人，也是穩(wěn)晟科技的直接控制人。也就是說，芯動(dòng)半導(dǎo)體是長(zhǎng)城汽車進(jìn)入功率半導(dǎo)體賽道的重要一環(huán)，承載著長(zhǎng)城汽車自主造芯的遠(yuǎn)大目標(biāo)。

除了建設(shè)第三代半導(dǎo)體功率模塊封測(cè)項(xiàng)目外，芯動(dòng)半導(dǎo)體還與業(yè)內(nèi)碳化硅大廠開展了相關(guān)業(yè)務(wù)合作。

2023年12月1日，芯動(dòng)半導(dǎo)體與博世汽車電子在上海簽署碳化硅長(zhǎng)期訂單合作協(xié)議。

2024年，3月8日，芯動(dòng)半導(dǎo)體與意法半導(dǎo)體在深圳簽署碳化硅戰(zhàn)略合作協(xié)議。

芯動(dòng)半導(dǎo)體與博世汽車電子、意法半導(dǎo)體就SiC產(chǎn)品達(dá)成戰(zhàn)略合作，有助于穩(wěn)定長(zhǎng)城汽車SiC功率模塊供應(yīng)鏈，也反映了功率模組公司和OEM提前鎖定上游SiC芯片資源的產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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據(jù)介紹，半導(dǎo)體激光雷達(dá)及傳感器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目位于天衢新區(qū)崇德八大道以東、尚德五路以南，總建筑面積約25萬平方米，主要建設(shè)產(chǎn)線10條，用于開展砷化鎵（GaAs）襯底外延生產(chǎn)、器件模組制造和封裝測(cè)試。

項(xiàng)目建成后,預(yù)計(jì)年產(chǎn)激光雷達(dá)約100萬臺(tái)、傳感器件約4.5億個(gè)、發(fā)射器件0.5億個(gè)、接收器件0.5億個(gè)、模組約215萬套。

source：山東高速德建集團(tuán)

“我們可生產(chǎn)激光雷達(dá)、慣導(dǎo)、射頻傳感器、激光發(fā)射及接收器件、3D模組等10余種產(chǎn)品，全面建成達(dá)產(chǎn)后，年銷售收入60億元，年稅收不低于2億～3億元?！表?xiàng)目負(fù)責(zé)人金維召說。

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體了解到，該項(xiàng)目投資方為廣東先導(dǎo)稀材股份有限公司——先導(dǎo)科技集團(tuán)子公司。
除了山東德州項(xiàng)目，先導(dǎo)科技集團(tuán)在武漢投建的化合物半導(dǎo)體相關(guān)項(xiàng)目也有新進(jìn)展。

2024年3月，先導(dǎo)科技集團(tuán)擬投資120億元，在武漢東湖綜保區(qū)建設(shè)高端化合物半導(dǎo)體材料及芯片產(chǎn)業(yè)化基地項(xiàng)目，以填補(bǔ)光谷光通信及激光產(chǎn)業(yè)所需半導(dǎo)體襯底、外延材料的空白。

據(jù)湖北日?qǐng)?bào)近日?qǐng)?bào)道，該項(xiàng)目已于7月底實(shí)質(zhì)開工。

source：湖北日?qǐng)?bào)

“項(xiàng)目共有19棟建筑，較早前規(guī)劃，預(yù)計(jì)明年年前就可提前封頂?！毕葘?dǎo)芯光電子科技（武漢）有限公司負(fù)責(zé)人熊威說，當(dāng)前國產(chǎn)光通信、射頻芯片正處上升期，“光谷項(xiàng)目的早日投產(chǎn)，將幫助企業(yè)搶到市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)身位，進(jìn)而帶動(dòng)周邊產(chǎn)業(yè)鏈共享發(fā)展先機(jī)。”（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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source：光電子先導(dǎo)院

官網(wǎng)資料顯示，光電子先導(dǎo)院成立于2015年10月，面向光子產(chǎn)業(yè)，專注于化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域。目前，光電子先導(dǎo)院已經(jīng)建成了光子芯片公共服務(wù)平臺(tái)和先進(jìn)光子器件工程創(chuàng)新平臺(tái)，擁有化合物芯片關(guān)鍵設(shè)備100余臺(tái)（套），擁有百級(jí)到十萬級(jí)潔凈廠房8000㎡，具備砷化鎵（GaAs）等化合物半導(dǎo)體材料的光刻、刻蝕、薄膜制備等關(guān)鍵工藝能力，是集研發(fā)、中試、檢測(cè)等全流程技術(shù)服務(wù)于一體的光電子芯片共性技術(shù)平臺(tái)。

其中，光電子先導(dǎo)院打造的先進(jìn)光子器件工程創(chuàng)新平臺(tái)于2023年3月正式啟用，專注于提供砷化鎵基化合物光電芯片中試代工服務(wù)。截至2024年6月末，該平臺(tái)已與30余家光電芯片企業(yè)達(dá)成意向服務(wù)協(xié)議，其中已與近20家簽署中試代工合同，合計(jì)提供超百次服務(wù)。

據(jù)悉，光電子先導(dǎo)院于2024年對(duì)先進(jìn)光子器件工程創(chuàng)新平臺(tái)進(jìn)行全面升級(jí)。一方面，計(jì)劃投資2.2億元，新增高可靠車規(guī)級(jí)激光器芯片工藝設(shè)備，開發(fā)面向車載激光雷達(dá)領(lǐng)域的激光器芯片工藝技術(shù)，進(jìn)一步增強(qiáng)化合物光電芯片研發(fā)、中試代工能力；另一方面，計(jì)劃投資7.5億元，補(bǔ)充硅光工藝設(shè)備，開發(fā)130nm硅光工藝技術(shù)。

值得一提的是，光電子先導(dǎo)院在今年7月初與國家開發(fā)銀行陜西省分行簽訂總額為5億元的28年超長(zhǎng)期貸款協(xié)議，共同加速“先進(jìn)光子器件工程創(chuàng)新平臺(tái)”升級(jí)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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萬業(yè)企業(yè)與國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心達(dá)成戰(zhàn)略合作

8月19日，據(jù)上海萬業(yè)企業(yè)股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱：萬業(yè)企業(yè)）官微消息，萬業(yè)企業(yè)8月16日與國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）在蘇州納米城舉辦的國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）2024年發(fā)展戰(zhàn)略研討會(huì)現(xiàn)場(chǎng)舉行了《協(xié)同創(chuàng)新發(fā)展全面戰(zhàn)略合作協(xié)議》簽署儀式。

source：萬業(yè)企業(yè)

根據(jù)協(xié)議，雙方將瞄準(zhǔn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)應(yīng)用需求，圍繞先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備和工藝關(guān)鍵技術(shù)，共同培育和承擔(dān)各類重大項(xiàng)目。

具體來看，此次攜手合作，雙方將共建國家第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心先進(jìn)化合物半導(dǎo)體器件制造中心與第三代半導(dǎo)體工藝技術(shù)開發(fā)平臺(tái)，圍繞先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備和工藝關(guān)鍵技術(shù)，設(shè)置研發(fā)課題，聯(lián)合攻堅(jiān)關(guān)鍵工藝節(jié)點(diǎn)核心工藝技術(shù)問題，合力開展關(guān)鍵工藝技術(shù)開發(fā)，推動(dòng)第三代半導(dǎo)體芯片制程量產(chǎn)關(guān)鍵設(shè)備國產(chǎn)化、標(biāo)準(zhǔn)化，實(shí)現(xiàn)技術(shù)自主可控。

資料顯示，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）由江蘇第三代半導(dǎo)體研究院有限公司作為主體承建單位，聚焦第三代半導(dǎo)體在新型顯示、5G通信、電力電子、環(huán)境與健康等領(lǐng)域的應(yīng)用，開展第三代半導(dǎo)體高質(zhì)量材料制備技術(shù)、器件外延技術(shù)、芯片工藝技術(shù)、應(yīng)用模塊設(shè)計(jì)與集成技術(shù)、相關(guān)裝備技術(shù)等關(guān)鍵共性技術(shù)研發(fā)和成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化，建立覆蓋第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈條、全體系的創(chuàng)新平臺(tái)。

萬業(yè)企業(yè)成立于1991年10月，是一家半導(dǎo)體設(shè)備材料廠商。近年來，萬業(yè)企業(yè)陸續(xù)收購凱世通、Compart Systems，成立嘉芯半導(dǎo)體，持續(xù)加大集成電路在公司整體業(yè)務(wù)中的比重。目前，萬業(yè)企業(yè)已形成多個(gè)半導(dǎo)體前道核心設(shè)備產(chǎn)品線，業(yè)務(wù)覆蓋集成電路離子注入機(jī)、刻蝕、薄膜沉積、快速熱處理等多類主制程設(shè)備以及尾氣處理等支撐制程設(shè)備。

作為萬業(yè)企業(yè)控股子公司，凱世通專注于為下游晶圓廠提供覆蓋邏輯、存儲(chǔ)、功率、CIS四大應(yīng)用領(lǐng)域的設(shè)備。其自主研發(fā)生產(chǎn)的低能大束流離子注入機(jī)和超低溫離子注入機(jī)，已經(jīng)率先通過了國內(nèi)多家重點(diǎn)12英寸晶圓廠的驗(yàn)證驗(yàn)收，并實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。

凱世通自去年開始研發(fā)投入多款面向細(xì)分領(lǐng)域的離子注入機(jī)，包括SOI氫離子注入機(jī)、6/8英寸碳化硅高溫離子注入機(jī)、中束流離子注入機(jī)、超高能離子注入機(jī)等特色工藝設(shè)備。

武高新-常大化合物半導(dǎo)體創(chuàng)新聯(lián)合體揭牌

8月15日，據(jù)“武進(jìn)國家高新區(qū)”官微消息，武進(jìn)國家高新區(qū)-常州大學(xué)化合物半導(dǎo)體創(chuàng)新聯(lián)合體正式簽約揭牌。

source：武進(jìn)國家高新區(qū)

該聯(lián)合體建設(shè)單位主要有常州大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、武進(jìn)區(qū)人民政府、武進(jìn)國家高新區(qū)管委會(huì)以及縱慧芯光、承芯半導(dǎo)體等化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)。聯(lián)合體一期建設(shè)投入經(jīng)費(fèi)1000萬元，建設(shè)期兩年，擬設(shè)立科研創(chuàng)新計(jì)劃項(xiàng)目不低于40項(xiàng)。

據(jù)悉，武進(jìn)國家高新區(qū)聚焦化合物半導(dǎo)體，以化合物半導(dǎo)體制造、特色集成電路設(shè)計(jì)、半導(dǎo)體核心材料與設(shè)備為產(chǎn)業(yè)發(fā)展重點(diǎn)方向，目前累計(jì)引進(jìn)落戶了縱慧芯光、承芯半導(dǎo)體、快克芯、臻晶半導(dǎo)體、圣創(chuàng)半導(dǎo)體、毫厘智能等60多個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈項(xiàng)目。

其中，縱慧芯光成立于2015年，是國內(nèi)較早從事VCSEL激光芯片3D感知應(yīng)用研發(fā)的企業(yè)，自有外延產(chǎn)線和封測(cè)產(chǎn)線，提供VCSEL激光芯片及模組和外延片的研發(fā)制造與服務(wù)，核心產(chǎn)品為3D感知應(yīng)用的VCSEL芯片、激光雷達(dá)（LiDAR）高功率VCSEL芯片解決方案。項(xiàng)目進(jìn)展方面，縱慧芯光建設(shè)有國內(nèi)第一條6英寸GaAs外延片生產(chǎn)線。

臻晶半導(dǎo)體是一家專業(yè)從事第三代半導(dǎo)體碳化硅的液相法晶體生長(zhǎng)及襯底制備研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的廠商。其基于液相法單晶爐制備技術(shù)、多元活性助溶技術(shù)生產(chǎn)出了低成本6英寸碳化硅晶體。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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中微公司臨港產(chǎn)業(yè)化基地正式啟用

8月2日，據(jù)中微公司官微消息，中微公司宣布其臨港產(chǎn)業(yè)化基地正式啟用。據(jù)悉，中微公司臨港產(chǎn)業(yè)化基地占地約157畝、總建筑面積約18萬平方米，配備實(shí)驗(yàn)室、潔凈室、生產(chǎn)車間及智能化立體倉庫等設(shè)施，可實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)全程數(shù)字化、智能化管理。

source：中微公司

項(xiàng)目進(jìn)展方面，2023年7月，14萬平方米的中微公司南昌生產(chǎn)研發(fā)基地落成并投入使用；目前，位于滴水湖畔的中微臨港總部暨研發(fā)大樓也正在建設(shè)中，建成后占地面積約10萬平方米。未來，中微公司的生產(chǎn)和研發(fā)基地總面積將達(dá)到約45萬平方米。

業(yè)務(wù)進(jìn)展方面，中微公司在刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、MOCVD設(shè)備等領(lǐng)域均取得了突破。在刻蝕設(shè)備領(lǐng)域，憑借刻蝕設(shè)備雙臺(tái)機(jī)技術(shù)，中微公司率先提出“皮米級(jí)”加工精度概念，其刻蝕精度已經(jīng)達(dá)到100“皮米”以下水平，相當(dāng)于頭發(fā)絲350萬分之一的精準(zhǔn)度，能夠滿足90%以上的刻蝕應(yīng)用需求。

半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域，中微公司推出了Preforma Uniflex? CW、Preforma Uniflex? HW、Preforma Uniflex? AW等多款新產(chǎn)品。此外，其新開發(fā)的硅和鍺硅外延EPI設(shè)備、晶圓邊緣Bevel刻蝕設(shè)備等多款新產(chǎn)品，也會(huì)在近期投入市場(chǎng)驗(yàn)證。

在MOCVD設(shè)備領(lǐng)域，中微公司自推出第一代MOCVD設(shè)備PRISMO A7?以來，不斷豐富產(chǎn)品線且快速升級(jí)迭代，目前在Mini LED等氮化鎵基設(shè)備領(lǐng)域，中微公司的市場(chǎng)占有率穩(wěn)居前列，并持續(xù)開發(fā)用于氮化鎵、碳化硅等功率器件及Micro-LED器件制造的MOCVD設(shè)備。

總投資33.87億元，格創(chuàng)·華芯半導(dǎo)體園區(qū)落成

8月4日，據(jù)“珠海高新區(qū)”官微消息，格創(chuàng)·華芯半導(dǎo)體園區(qū)落成暨設(shè)備進(jìn)機(jī)儀式于8月3日舉行。

source：珠海高新區(qū)

據(jù)了解，格創(chuàng)·華芯半導(dǎo)體園區(qū)總投資33.87億元。此次實(shí)現(xiàn)設(shè)備進(jìn)機(jī)的格創(chuàng)·華芯砷化鎵晶圓生產(chǎn)基地主體工程項(xiàng)目——華芯微電子首條6英寸砷化鎵晶圓生產(chǎn)線，主要生產(chǎn)化合物半導(dǎo)體微波集成電路（MMIC）及VCSEL芯片，建成后將成為廣東省內(nèi)首家砷化鎵代工廠，預(yù)計(jì)今年11月竣工驗(yàn)收并工藝通線、2025年上半年實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。該項(xiàng)目于2023年7月正式開工，僅用時(shí)184天便實(shí)現(xiàn)項(xiàng)目主體封頂。

資料顯示，華芯微電子是華芯（珠海）半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱珠海華芯）全資子公司，后者是一家半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)品與服務(wù)供應(yīng)商。珠海華芯擁有外延金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積（MOCVD）設(shè)備、芯片工藝設(shè)備和封裝設(shè)備等，主要從事尖端化合物半導(dǎo)體光電子芯片及其應(yīng)用產(chǎn)品的研究、開發(fā)與生產(chǎn)，主要產(chǎn)品為高亮度LED、藍(lán)綠光半導(dǎo)體激光管、垂直腔面發(fā)射（VCSEL）光子芯片、DFB光子芯片、EML光子芯片以及高亮度半導(dǎo)體激光芯片等。

艾銳光電化合物半導(dǎo)體平臺(tái)項(xiàng)目二期主體廠房封頂

8月1日，據(jù)“日照開發(fā)區(qū)發(fā)布”官微消息，艾銳光電化合物半導(dǎo)體平臺(tái)項(xiàng)目2#廠房主體結(jié)構(gòu)7月31日順利封頂。據(jù)介紹，主體封頂后，該項(xiàng)目擬計(jì)劃于近幾個(gè)月將后期的填充墻砌筑，內(nèi)外墻裝飾抹灰，樓、地面及門窗安裝和保溫涂料工程全部完成。

source：日照開發(fā)區(qū)發(fā)布

據(jù)悉，該項(xiàng)目總投資約2.6億元。一期投資1.4億元，建設(shè)MOCVD（金屬有機(jī)氣相外延）、MBE（分子束外延）生產(chǎn)線，主要生產(chǎn)2英寸和3英寸磷化銦外延片，預(yù)計(jì)年產(chǎn)量約5000片；二期投資1.2億元，以一期項(xiàng)目磷化銦外延片為原料，新上芯片處理設(shè)備，進(jìn)行激光器封裝及光模塊產(chǎn)品的生產(chǎn)，形成300萬TO-CAN光器件、100萬光模塊的年產(chǎn)能。

據(jù)介紹，艾銳光電還計(jì)劃新上測(cè)試臺(tái)，ATE功能測(cè)試系統(tǒng)近20套，形成6條組裝生產(chǎn)線，達(dá)到年組裝36萬個(gè)光模塊的產(chǎn)能。

作為一家光組件及芯片研發(fā)商，艾銳光電集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體，為用戶提供光通信及傳感用激光芯片、光器件、組件及光模塊，以及光組件、模塊產(chǎn)品的設(shè)計(jì)方案和技術(shù)服務(wù)。艾銳光電以基于啁啾控制的高速DML激光器技術(shù)為切入點(diǎn)，研發(fā)10G DML激光器、25G DFB/FP等產(chǎn)品，面向10G-PON、NGPON2、5G無線前傳、及100G數(shù)據(jù)中心等市場(chǎng)。（來源：LEDinside）

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source：先導(dǎo)科技集團(tuán)

據(jù)介紹，海飛通400G QSFP112 SR4光模塊應(yīng)用場(chǎng)景兼容性強(qiáng)。該光模塊的外形尺寸與100G QSFP28、200G QSFP56光模塊標(biāo)準(zhǔn)尺寸保持一致。在模塊散熱及功耗上，選用了DSP、DCDC電源芯片、Driver、TIA等高效率、低功耗的核心元器件，溫度保持在0-70℃內(nèi)，模塊功耗低于8W，兼顧了小尺寸與低功耗。此外，模塊的消光比、TDECQ、靈敏度、BER等關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)，可滿足SR4標(biāo)準(zhǔn)。經(jīng)實(shí)測(cè)，OM4光纖傳輸距離超過150m（標(biāo)準(zhǔn)100m），性能追平頭部光模塊企業(yè)同類產(chǎn)品。

同時(shí)，海飛通400G QSFP112 SR4光模塊光電性能俱佳。軟件基于CMIS 5.2設(shè)計(jì)，已通過軟件壓力測(cè)試。在實(shí)際使用中，交換機(jī)的穩(wěn)定性、光纖工藝的一致性、周邊環(huán)境中的溫度、電磁輻射等因素都有可能會(huì)導(dǎo)致傳輸數(shù)據(jù)的信號(hào)頻率發(fā)生一定范圍的偏移。為模擬惡劣的應(yīng)用環(huán)境，海飛通光模塊按照測(cè)試儀表可設(shè)定的最大范圍500ppm、步進(jìn)100ppm（標(biāo)準(zhǔn)100ppm、步進(jìn)10ppm）進(jìn)行頻偏測(cè)試，結(jié)果顯示，超過3000 cycle掛機(jī)無丟包。

官網(wǎng)資料顯示，海飛通成立于2019年，一期凈化車間面積近1500平米，是一家自主研發(fā)、生產(chǎn)和銷售TO-CAN、OSA器件及激光傳感探測(cè)器的廠商。目前，海飛通的產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于光纖通信、光纖傳感、激光雷達(dá)、微波光學(xué)等領(lǐng)域。

先導(dǎo)科技集團(tuán)于1995年開始涉足稀散金屬行業(yè)，作為材料科學(xué)探索與實(shí)踐領(lǐng)域中的先行者，先導(dǎo)科技集團(tuán)持續(xù)聚焦稀散金屬及其高端材料、器件、模組、系統(tǒng)的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和回收服務(wù)。其子公司先導(dǎo)稀材是世界半導(dǎo)體市場(chǎng)中的主要供應(yīng)商之一，其生產(chǎn)的襯底晶片、金屬有機(jī)源、特種氣體及最終的外延產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于射頻器件和光電器件市場(chǎng)。（來源：先導(dǎo)科技集團(tuán)，集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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source：中建八局

項(xiàng)目位于上海臨港新片區(qū)總建筑面積約5.8萬平方米，總投資11.6億元，由生產(chǎn)廠房及其配套設(shè)施等6個(gè)單體構(gòu)成，著力打造國內(nèi)領(lǐng)先、國際一流的紅外探測(cè)器研發(fā)與生產(chǎn)基地。項(xiàng)目主要提供從銻化物晶片到探測(cè)器成像組件的全套解決方案，建成后將形成年產(chǎn)1萬套焦平面探測(cè)器的能力，達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年銷售收入10億元。

據(jù)悉，該項(xiàng)目隸屬于中航凱邁（上海）紅外科技有限公司（下文簡(jiǎn)稱中航紅外）。公司是中國空空導(dǎo)彈研究院控股子公司，主要從事軍民兩用紅外探測(cè)器及紅外光學(xué)研發(fā)生產(chǎn)，年產(chǎn)值近10億元。公司建有紅外探測(cè)器技術(shù)航空科技重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、河南省探測(cè)器工程技術(shù)研究中心等。

2021年9月8日，臨港新片區(qū)管委會(huì)與中航紅外簽訂投資協(xié)議，共同推動(dòng)中航紅外新一代化合物半導(dǎo)體研制基地項(xiàng)目落地臨港。

2022年7月19日，中航紅外成功摘得自貿(mào)區(qū)臨港新片區(qū)重裝備產(chǎn)業(yè)區(qū)J09-01B地塊33436.6平方米工業(yè)用地，并與上海市規(guī)劃和國土資源管理局簽訂土地出讓合同，標(biāo)志著新一代化合物半導(dǎo)體研制基地項(xiàng)目落戶上海臨港。

2023年12月24日，新一代化合物半導(dǎo)體研制基地項(xiàng)目全面封頂，標(biāo)志著項(xiàng)目高效、安全地完成了主體結(jié)構(gòu)建設(shè)任務(wù)。

如今，隨著該項(xiàng)目迎來竣工并通過驗(yàn)收，后續(xù)將助力我國提升紅外探測(cè)器自主創(chuàng)新能力。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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漢磊深耕化合物半導(dǎo)體中的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）長(zhǎng)達(dá)10年以上，也是中國臺(tái)灣少數(shù)半導(dǎo)體業(yè)擁有SiC、GaN技術(shù)的廠商，但旗下的晶圓廠都屬6英寸廠，隨著國際大廠與國內(nèi)同業(yè)逐漸建立化合物半導(dǎo)體8英寸生產(chǎn)線，漢磊也開始展開進(jìn)軍8英寸廠的準(zhǔn)備。

source：漢磊

漢磊董事長(zhǎng)徐建華于上周股東會(huì)后受訪指出，目前漢磊正積極進(jìn)行8寸廠的準(zhǔn)備，包括技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)，但就生產(chǎn)而言，自己蓋晶圓廠的成本太高，將找已有8英寸廠的企業(yè)策略合作，才具最佳經(jīng)濟(jì)效益。

就合作時(shí)間考量，徐建華表示，因目前8寸襯底價(jià)格超過6英寸三倍，他估計(jì)大約還要等一年到一年半的時(shí)間，等襯底降到合理價(jià)格，將是發(fā)展8英寸的最好時(shí)機(jī)點(diǎn)。他并說，可能今年就可敲定合作對(duì)象，目前不方便透露。

半導(dǎo)體業(yè)界透露，力積電在化合物半導(dǎo)體欠缺技術(shù)，尤其是門檻較高的SiC，8英寸廠產(chǎn)能利用率也不高，漢磊將與力積電合作，擬采技術(shù)作價(jià)方式，雙方資源互補(bǔ)，以達(dá)經(jīng)濟(jì)效益，目前洽談合作中。
隨著產(chǎn)業(yè)往高頻的5G通訊、高電壓的電動(dòng)車發(fā)展，未來AI更是看好，擁有高頻、高電壓的GaN、SiC的化合物半導(dǎo)體前景看好，徐建華尤其看好SiC，包括電動(dòng)車、能源與AI，都會(huì)驅(qū)動(dòng)SiC的應(yīng)用與需求大幅提升。

不過，化合物半導(dǎo)體以國際大廠包括Wolfspeed、英飛凌（Infineon）、安森美（ON Semi）等歐美日廠商為主，近幾年中國大陸積極投入資源，砸重金搶占市場(chǎng)，企圖彎道超車，產(chǎn)能大幅開出、殺價(jià)競(jìng)爭(zhēng)，傳出SiC報(bào)價(jià)比漢磊少一半以上，漢磊與力積電未來在8吋廠攜手合作，也很難與中國大陸競(jìng)爭(zhēng)。（來源：自由時(shí)報(bào)）

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