source：合盛硅業(yè)

據(jù)悉，該項目位于上海市嘉定區(qū)南翔鎮(zhèn)永樂片區(qū)，總建筑面積4萬多平方米。項目于2023年3月破土動工，目前項目主體已全部完成封頂作業(yè)，正在進行內(nèi)部地坪澆筑作業(yè)，整體工程計劃于2024年年底竣工。

合盛硅業(yè)介紹到，上海研發(fā)制造中心將依托公司自有技術，著力研發(fā)第三代半導體碳化硅長晶技術和硅基新材料高端產(chǎn)品。項目建成后，將落地形成大尺寸碳化硅長晶爐、特種混煉膠、5G用灌封膠、導熱膠、發(fā)泡硅橡膠等一系列產(chǎn)品，并通過研發(fā)、組裝、制造等方式實現(xiàn)成果轉化。

集邦化合物半導體了解到，合盛硅業(yè)作為硅基新材料的龍頭企業(yè)，近年來在碳化硅領域也開展一系列動作。

合盛硅業(yè)從2019年開始開展碳化硅研發(fā)，建成了高純料合成實驗室、長晶實驗室、襯底加工實驗室、外延實驗室等，配備了從粉料合成到外延整線的生產(chǎn)設備和各類環(huán)節(jié)檢測儀器等。

目前，合盛硅業(yè)的6英寸碳化硅襯底、外延片已批量向客戶供貨，客戶遍及國內(nèi)、東亞、歐美等區(qū)域。今年5月，公司在召開業(yè)績說明會表示，其8英寸碳化硅襯底產(chǎn)品已出樣，正在推進8英寸襯底的量產(chǎn)。

7月，合盛硅業(yè)在內(nèi)蒙古年產(chǎn)800噸碳化硅顆粒項目點火成功，該項目由建設期的“工地”實現(xiàn)了向“工廠”的里程碑式轉變。該項目是合盛硅業(yè)布局呼和浩特“源網(wǎng)荷儲一體化”項目之一，也是合盛硅業(yè)在內(nèi)蒙古投資建設的首個產(chǎn)業(yè)類項目。

合盛硅業(yè)表示，隨著新能源汽車、快充樁、5G通信等應用領域的迅猛發(fā)展，第三代半導體碳化硅材料的需求將持續(xù)井噴。后續(xù)，合盛硅業(yè)將憑借技術創(chuàng)新研發(fā)實力，布局浙江、內(nèi)蒙古、上海等基地協(xié)同發(fā)展。(集邦化合物半導體Morty整理)

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

source：合盛硅業(yè)

合盛硅業(yè)與桑達股份簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議

8月26日，據(jù)合盛硅業(yè)官微消息，合盛硅業(yè)與深圳市桑達實業(yè)股份有限公司近日在北京正式簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，后者是中國電子旗下的首家信創(chuàng)企業(yè)，為黨政及關鍵行業(yè)客戶提供數(shù)字化服務。

根據(jù)協(xié)議，雙方將持續(xù)深入開展新型數(shù)字化、探索碳資產(chǎn)合作、聯(lián)合推動行業(yè)數(shù)字轉型等，特別是加快推動化合物半導體領域的合作，不斷提升科技創(chuàng)新水平。

目前，合盛硅業(yè)在新疆、浙江、四川、云南、黑龍江等地設有數(shù)字化智造基地，在上海和海南擁有高新技術研發(fā)中心，旗下主要涵蓋能源、工業(yè)硅、有機硅、碳素、新材料、碳化硅、光伏全產(chǎn)業(yè)鏈、儲能等多元業(yè)務，相關產(chǎn)品廣泛用于航天軍工、電子通訊、醫(yī)療健康、汽車制造等各個領域。

在碳化硅領域，合盛硅業(yè)從2019年開始開展相關研發(fā)，建成了高純料合成實驗室、長晶實驗室、襯底加工實驗室、外延實驗室等，配備了從粉料合成到外延整線的生產(chǎn)設備和各個環(huán)節(jié)檢測儀器等。

今年以來，合盛硅業(yè)持續(xù)推進碳化硅相關業(yè)務。5月14日，合盛硅業(yè)在業(yè)績說明會上披露，其8英寸碳化硅襯底研發(fā)進展順利，并實現(xiàn)了樣品的產(chǎn)出，正在推進8英寸襯底的量產(chǎn)。具體來看，合盛硅業(yè)計劃今年二季度末實現(xiàn)8英寸襯底片量產(chǎn)。

隨后在7月15日，合盛硅業(yè)旗下內(nèi)蒙古賽盛新材料有限公司年產(chǎn)800噸碳化硅顆粒項目點火成功。該項目是合盛硅業(yè)布局呼和浩特“源網(wǎng)荷儲一體化”項目之一，也是合盛硅業(yè)在內(nèi)蒙古投資建設的首個產(chǎn)業(yè)類項目。

合作方面，8月21日，合盛硅業(yè)還與華能新能源股份有限公司以及華能投資管理有限公司正式簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議，三方將在新能源領域開展合作。

能華半導體與南京大學創(chuàng)新中心簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議

8月24日，據(jù)能華半導體官微消息，能華半導體與南京大學固態(tài)照明與節(jié)能電子學協(xié)同創(chuàng)新中心近日在江蘇無錫共同簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議。

據(jù)介紹，此次合作，雙方將通過共同開展科技創(chuàng)新項目，加速科技成果的轉化應用，提升創(chuàng)新能力，并助力能華半導體拓展業(yè)務范圍。此外，雙方還將通過聯(lián)合舉辦論壇，研討會等活動以提高行業(yè)外對氮化鎵材料和應用優(yōu)勢的了解，促進行業(yè)內(nèi)的交流，同時讓行業(yè)各方更深入地了解能華半導體的技術和產(chǎn)品。另外，雙方將通過及時的信息共享機制更快了解市場的需求，為客戶提供更加有針對性的產(chǎn)品。

能華半導體于2010年成立，專注于氮化鎵領域，是少數(shù)同時掌握增強型GaN技術、耗盡型GaN技術以及耗盡型GaN直驅方案的半導體公司。

能華半導體采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，致力于硅基GaN（GaN-on-Si）、藍寶石基GaN（GaN-on-Sapphire）、碳化硅基GaN（GaN-on-SiC）晶圓與器件的研發(fā)、設計、制造與銷售。其6英寸/8英寸GaN晶圓和功率器件涵蓋650V-1200V，產(chǎn)能為6000片/月。

目前，能華半導體已實現(xiàn)了GaN器件全功率范圍的量產(chǎn)，主要應用市場包括消費電子、電動工具、數(shù)據(jù)中心、照明電源、便攜儲能、微型逆變器、電動汽車、智能電網(wǎng)等領域。

合作方面，能華半導體在今年4月還與芯賽威簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議。據(jù)介紹，能華半導體與芯賽威的合作主要以電源驅動芯片和氮化鎵器件技術為基礎，為客戶提供更加小型化、高功率密度、高性價比的新一代電源管理方案。（集邦化合物半導體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

作為一家工業(yè)硅及有機硅等硅基新材料產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)及銷售企業(yè)，合盛硅業(yè)表示，公司從2019年開始開展碳化硅研發(fā)，建成了高純料合成實驗室、長晶實驗室、襯底加工實驗室、外延實驗室等，配備了從粉料合成到外延整線的生產(chǎn)設備和各類環(huán)節(jié)檢測儀器等。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

目前，合盛硅業(yè)的6英寸碳化硅襯底、外延片已批量向客戶供貨，客戶遍及國內(nèi)、東亞、歐美等區(qū)域。

在8英寸碳化硅襯底方面，合盛硅業(yè)在今年5月召開業(yè)績說明會表示，其8英寸碳化硅襯底產(chǎn)品已出樣，正在推進8英寸襯底的量產(chǎn)。

隨著年產(chǎn)800噸碳化硅顆粒項目點火成功，合盛硅業(yè)碳化硅業(yè)務規(guī)模有望實現(xiàn)進一步增長。（文：集邦化合物半導體Morty整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

5月14日，合盛硅業(yè)在業(yè)績說明會上披露，其8英寸SiC襯底研發(fā)進展順利，并實現(xiàn)了樣品的產(chǎn)出，正在推進8英寸襯底的量產(chǎn)。具體來看，合盛硅業(yè)計劃今年二季度末實現(xiàn)8英寸襯底片量產(chǎn)。屆時，合盛硅業(yè)將成為SiC產(chǎn)業(yè)又一個實現(xiàn)8英寸襯底量產(chǎn)的玩家。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

合盛硅業(yè)SiC業(yè)務提速

作為一家工業(yè)硅及有機硅等硅基新材料產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)及銷售企業(yè)，合盛硅業(yè)已發(fā)展成為國內(nèi)硅基新材料行業(yè)中業(yè)務鏈較完整、生產(chǎn)規(guī)模較大的企業(yè)之一，為其切入SiC賽道進行了一定的技術儲備。

在此基礎上，合盛硅業(yè)SiC業(yè)務近年來持續(xù)加速拓展。投融資方面，2022年，合盛硅業(yè)全資子公司合盛新材擬進行增資，本次增資總投資金額為2億元，增資資金在確保滿足子公司正常運作所需資金需求的同時，也在一定程度上加快合盛硅業(yè)SiC業(yè)務發(fā)展、擴大業(yè)務規(guī)模。

技術研發(fā)方面，合盛硅業(yè)目前已完整掌握了SiC材料的原料合成、晶體生長、襯底加工以及晶片外延等全產(chǎn)業(yè)鏈核心工藝技術，突破了關鍵材料（多孔石墨、涂層材料）和裝備的技術壁壘，據(jù)稱，其SiC產(chǎn)品良率處于國內(nèi)先進水平，在關鍵技術指標方面已追趕上國際龍頭企業(yè)水平。

市場拓展方面，合盛硅業(yè)6英寸襯底和外延片已得到國內(nèi)多家下游器件客戶的驗證，并順利開發(fā)了日韓、歐美客戶，觸角從國內(nèi)向全球延伸。

隨著合盛硅業(yè)8英寸襯底量產(chǎn)，通過降本增效提升競爭力，以及在技術水平方面比肩國內(nèi)外主流廠商，其SiC業(yè)務規(guī)模有望實現(xiàn)進一步增長。

全面進擊8英寸SiC

目前，8英寸加速替代6英寸，成為SiC行業(yè)主流產(chǎn)品的趨勢已漸趨明朗，各大廠商積極布局，從襯底、外延、設備等環(huán)節(jié)，以及產(chǎn)線、供貨等方面全面掀起8英寸熱潮，以期搶占先機。

襯底方面，青禾晶元在4月宣布，通過技術創(chuàng)新，在SiC鍵合襯底的研發(fā)上取得突破，在國內(nèi)率先成功制備了8英寸SiC鍵合襯底。據(jù)稱，先進SiC鍵合襯底技術可以將高、低質(zhì)量SiC襯底進行鍵合集成，有效利用低質(zhì)量長晶襯底，與長晶技術一同推進SiC材料成本的降低。青禾晶元本次突破8英寸SiC鍵合襯底制備，有望加速8英寸SiC襯底量產(chǎn)進程。

外延方面，百識電子近期宣布正式具備國產(chǎn)8英寸SiC外延片量產(chǎn)能力。至此，國內(nèi)8英寸SiC外延賽道又多了一個新玩家。目前一般外延技術只能控制表面尺寸較大的致命缺陷，密度大約1/cm2，表面微坑洞數(shù)量高達每片5,000顆以上。而百識電子獨有的外延技術可將表面缺陷數(shù)量控制在密度小于0.4/cm2，表面微坑洞每片小于1,000個。

設備方面，連科半導體近日發(fā)布新一代8英寸SiC長晶爐，正式實現(xiàn)了大尺寸SiC襯底設備的全面供應。該設備具有結構設計緊湊、長晶工藝靈活、節(jié)約環(huán)保的特點。

產(chǎn)線建設方面，世紀金芯8英寸SiC加工線近期正式貫通并進入小批量生產(chǎn)階段，在8英寸SiC襯底量產(chǎn)方向更進一步，這對于緩解國內(nèi)大直徑導電型SiC單晶襯底供應緊缺局面有積極意義。

簽單方面，一家國內(nèi)廠商近日與日本某客戶簽訂SiC襯底訂單。按照協(xié)議約定，該廠商將于2024年、2025年、2026年連續(xù)三年向該客戶交付8英寸SiC襯底共13萬片，訂單價值約2億美元（約14.45億人民幣）。這項合作引發(fā)了廣泛關注，有望刺激更多廠商謀求8英寸供貨。

上述各大廠商相關動態(tài)，彰顯了8英寸SiC賽道正在蓬勃發(fā)展，未來將有更多技術研發(fā)進展、擴產(chǎn)項目建設、簽約合作事項誕生。

小結

目前，合盛硅業(yè)客戶遍及國內(nèi)、東亞、歐美等區(qū)域，隨著8英寸襯底正式量產(chǎn)，其合作伙伴數(shù)量有望進一步增長，進而不斷深化全球業(yè)務布局。
同時，隨著合盛硅業(yè)8英寸量產(chǎn)，有望在一定程度上增強國內(nèi)襯底廠商的整體實力，國產(chǎn)替代將更有底氣。（文：集邦化合物半導體Zac）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。