在化合物半導(dǎo)體部分，因減碳趨勢(shì)，以及化合物半導(dǎo)體使用效率提升以及成本下降，未來(lái)需求會(huì)逐步上升，應(yīng)用市場(chǎng)包括在電動(dòng)車(chē)、AI、資料中心、機(jī)器人等，估化合物半導(dǎo)體的營(yíng)收會(huì)逐步成長(zhǎng)。

資料顯示，嘉晶電子位于中國(guó)臺(tái)灣，公司專(zhuān)注于Si/SiC/GaN外延材料的研究、開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)制造及銷(xiāo)售。

圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

嘉晶電子上半年在化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)中，碳化硅年成長(zhǎng)59%，主因6英寸產(chǎn)能開(kāi)出，營(yíng)運(yùn)往上上升，但第二季碳化硅有較大下滑，主要受?chē)?guó)內(nèi)大陸內(nèi)卷價(jià)格沖擊太大；氮化鎵上半年年成長(zhǎng)38%，主要因AI伺服器的推動(dòng)。

因應(yīng)國(guó)內(nèi)大陸碳化硅內(nèi)卷價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)，嘉晶電子表示，公司積極驗(yàn)證mos等級(jí)的外延片，預(yù)估第四季驗(yàn)證后碳化硅將會(huì)恢復(fù)成長(zhǎng)，且8英寸碳化硅產(chǎn)品設(shè)備已進(jìn)駐，第三季調(diào)整制程后，第四季將送驗(yàn)證。

另外，8英寸氮化鎵持續(xù)進(jìn)行研發(fā)以及客戶產(chǎn)品驗(yàn)證，目前正小量試產(chǎn)。（來(lái)源：Money DJ）

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在SiC外延產(chǎn)品部分，客戶對(duì)6吋產(chǎn)品需求強(qiáng)，隨著下半年產(chǎn)能逐步開(kāi)出，嘉晶電子預(yù)估SiC外延將隨之成長(zhǎng)。

按照嘉晶電子規(guī)劃，SiC外延除了今年產(chǎn)能提升外，明年產(chǎn)能會(huì)持續(xù)擴(kuò)充?？偟膩?lái)說(shuō)，整體SiC需求相對(duì)強(qiáng)勁，在減碳、電車(chē)、數(shù)據(jù)中心的帶動(dòng)下，化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)未來(lái)成長(zhǎng)可期。

嘉晶電子是一家中國(guó)臺(tái)灣企業(yè)，主要從事半導(dǎo)體材料的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售。公司主要產(chǎn)品涵蓋Si、SiC、GaN外延等方面。

SiC方面，公司目前擁有4吋和6吋N-type 600V~1200V SiC外延。GaN方面，其擁有6吋和8吋規(guī)格的 N-type 100V~600V GaN-on-Si外延。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢新推出的《2023中國(guó)SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析報(bào)告》顯示，從產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)來(lái)看，中國(guó)的SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)值以功率元件業(yè)（包含F(xiàn)abless、IDM以及Foundry）占比最高，達(dá)42.4%，接續(xù)為襯底片制造業(yè)及外延片制造業(yè)。

TrendForce集邦咨詢預(yù)估2023年中國(guó)N-Type SiC襯底產(chǎn)能（折合6英寸）可達(dá)1020Kpcs。

（文：化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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