據(jù)了解，基本半導(dǎo)體從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，研發(fā)覆蓋碳化硅功率半導(dǎo)體的材料制備、芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測試、驅(qū)動應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)，核心產(chǎn)品包括碳化硅二極管和MOSFET芯片、汽車級碳化硅功率模塊、功率器件驅(qū)動芯片等，產(chǎn)品服務(wù)于全球電動汽車、光伏儲能、軌道交通、工業(yè)控制和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域客戶。

賀利氏電子是電子封裝材料應(yīng)用領(lǐng)域的材料及匹配材料解決方案專家，滿足市場對功率模塊高效率和可靠性的需求。

基本半導(dǎo)體表示，采用賀利氏電子材料的車規(guī)級碳化硅模塊產(chǎn)品已在幾個(gè)國內(nèi)主流車企批量應(yīng)用，出貨量進(jìn)入全球碳化硅模塊新能源車市場前列，基本半導(dǎo)體成為了國內(nèi)第一批量產(chǎn)上車的碳化硅行業(yè)頭部企業(yè)。

通過本次合作，基本半導(dǎo)體將與賀利氏共同應(yīng)對電動汽車、光伏儲能等市場日益增長的需求。（來源：基本半導(dǎo)體、集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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據(jù)介紹，該產(chǎn)品為業(yè)內(nèi)主流DCM封裝模塊，采用有壓型銀燒結(jié)工藝和高性能粗銅線鍵合技術(shù)，使用氮化硅AMB陶瓷基板，以及直接水冷的PinFin結(jié)構(gòu)。產(chǎn)品具有低動態(tài)損耗、低導(dǎo)通電阻、高阻斷電壓、高電流密度、高可靠性等特點(diǎn)，可支持連續(xù)運(yùn)行峰值結(jié)溫至175℃，以及具備650Arms以上連續(xù)峰值相電流輸出。

資料顯示，基本半導(dǎo)體從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，研發(fā)覆蓋碳化硅功率半導(dǎo)體的材料制備、芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測試、驅(qū)動應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)，核心產(chǎn)品包括碳化硅二極管和MOSFET芯片、汽車級碳化硅功率模塊、功率器件驅(qū)動芯片等。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

據(jù)悉，今年基本半導(dǎo)體還將推出更大導(dǎo)通電流、更低導(dǎo)通電阻以及更高耐壓的1200V/18mΩ和2000V/24mΩ碳化硅MOSFET芯片系列產(chǎn)品，并開發(fā)了2000V/40A碳化硅二極管芯片進(jìn)行配合使用。

碳化硅MOSFET作為一種新型功率器件，目前已經(jīng)應(yīng)用于新能源汽車、軌道交通、光伏發(fā)電及儲能、高壓電網(wǎng)等領(lǐng)域，相較于硅基功率器件，有很多優(yōu)勢。其中，碳化硅MOSFET在高溫下仍然可以正常工作，具有更高的熱穩(wěn)定性，可用于高溫、高壓環(huán)境；碳化硅MOSFET導(dǎo)通電阻比硅MOSFET低得多，可以實(shí)現(xiàn)更小的導(dǎo)通損耗；碳化硅MOSFET采用了更小尺寸的芯片，相同功率的器件尺寸更小、重量更輕，可以提高功率器件的集成度。

目前，碳化硅MOSFET在某些方面也存在不足之處。例如，碳化硅MOSFET制造需要采用較高難度的材料和工藝，制造成本較高；其可靠性有待提高，材料、制造工藝等還有一些待解決的問題，如材料的缺陷、器件的壽命等問題。

隨著技術(shù)和工藝不斷升級，成本等問題得到一定程度的解決后，碳化硅MOSFET將會得到更廣泛的推廣應(yīng)用，相關(guān)廠商也會有更多優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品問世。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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據(jù)介紹，基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET芯片系列新品基于6英寸晶圓平臺進(jìn)行開發(fā)，比上一代產(chǎn)品在品質(zhì)系數(shù)因子、開關(guān)損耗以及可靠性等方面表現(xiàn)更為出色。同時(shí)，產(chǎn)品的封裝更為豐富，以更好滿足客戶需求，可廣泛應(yīng)用于新能源汽車電機(jī)控制器、車載電源、光伏逆變器、光儲一體機(jī)、充電樁、UPS及PFC電源等領(lǐng)域。

今年基本半導(dǎo)體還將推出更大導(dǎo)通電流、更低導(dǎo)通電阻以及更高耐壓的1200V/18mΩ 和2000V/24mΩ碳化硅MOSFET芯片系列產(chǎn)品，并開發(fā)了2000V/40A碳化硅二極管芯片進(jìn)行配合使用。

基本半導(dǎo)體專為新能源汽車主驅(qū)逆變器應(yīng)用設(shè)計(jì)開發(fā)了高低壓系列汽車級碳化硅MOSFET功率模塊，并在此次發(fā)布會上整體亮相，包括PcoreTM6汽車級HPD模塊（6芯片并聯(lián)、8芯片并聯(lián)）、PcoreTM2汽車級DCM模塊、PcoreTM1汽車級TPAK模塊、PcellTM汽車級模塊等。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

該系列汽車級功率模塊采用先進(jìn)的有壓型銀燒結(jié)工藝、高性能銅線鍵合技術(shù)、銅排互連技術(shù)以及直接水冷的PinFin結(jié)構(gòu)，使得產(chǎn)品具有低動態(tài)損耗、低導(dǎo)通電阻、高阻斷電壓、高電流密度、高可靠性等特點(diǎn)。

為更好滿足工業(yè)客戶對于高功率密度的需求，基本半導(dǎo)體推出工業(yè)級全碳化硅MOSFET功率模塊PcoreTM2 E2B，該產(chǎn)品基于高性能6英寸晶圓平臺設(shè)計(jì)，在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、抗誤導(dǎo)通、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色。產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于大功率充電樁、燃料電池DCDC器、數(shù)據(jù)中心UPS、高頻DCDC變換器、高端電焊機(jī)、光伏逆變器等領(lǐng)域。

基本半導(dǎo)體針對多種應(yīng)用場景研發(fā)推出碳化硅及IGBT門極驅(qū)動芯片，可適應(yīng)不同的功率器件和終端應(yīng)用，新產(chǎn)品包括單、雙通道隔離驅(qū)動芯片和低邊驅(qū)動芯片，絕緣最大浪涌耐壓可達(dá)8000V，驅(qū)動峰值電流高達(dá)正負(fù)15A，可支持耐壓1700V以內(nèi)功率器件的門極驅(qū)動需求。產(chǎn)品可廣泛用于光伏儲能、新能源汽車、工業(yè)電源、商用空調(diào)等領(lǐng)域。

同時(shí)，基本半導(dǎo)體還推出6CP0215T12-B11、2CP0220T等系列即插即用碳化硅驅(qū)動器，以及2QP0535T、2QP/CP0225T等系列IGBT驅(qū)動器，產(chǎn)品集成軟關(guān)斷、隔離DC/DC電源、原副邊欠壓保護(hù)和VCE短路保護(hù)等功能，可適配功率器件最高電壓2300V，可廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏逆變器、風(fēng)電變流器、電機(jī)傳動、大功率開關(guān)電源等領(lǐng)域。

據(jù)TrendForce集邦咨詢新推出《2023中國SiC功率半導(dǎo)體市場分析報(bào)告》顯示，從產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)來看，中國的SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)值以功率元件業(yè)（包含F(xiàn)abless、IDM以及Foundry）占比最高，達(dá)42.4%。按2022年應(yīng)用結(jié)構(gòu)來看，光伏儲能為中國SiC市場最大應(yīng)用場景，占比約38.9%，接續(xù)為汽車、工業(yè)以及充電樁等。汽車市場作為未來發(fā)展主軸，即將超越光伏儲能應(yīng)用，其份額至2026年有望攀升至60.1%。

在此情況下，中國已有約70家廠商切入SiC功率元件業(yè)務(wù)，整體市場進(jìn)入高度競爭階段。

作為一家專業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的公司，為了搶占更多市場，基本半導(dǎo)體在SiC功率器件的開發(fā)以及生產(chǎn)方面下了大功夫。

基本半導(dǎo)體在去年9月完成C4輪融資之后，就往迭代SiC MOSFET產(chǎn)品和擴(kuò)大產(chǎn)能方向一路疾馳。
2022年12月，基本半導(dǎo)體無錫汽車級碳化硅功率模塊產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)全面量產(chǎn)，年產(chǎn)能達(dá)25萬只模塊，2025年將提升至150萬只。

今年4月，基本半導(dǎo)體坐落在深圳的車規(guī)級碳化硅芯片產(chǎn)線正式通線，該產(chǎn)線廠區(qū)具備年產(chǎn)1.8萬片6英寸碳化硅MOSFET晶圓的能力，二期計(jì)劃擴(kuò)產(chǎn)至7.2萬片。按照1片6英寸晶圓能夠滿足7輛新能源汽車的碳化硅功率芯片需求估算，產(chǎn)線每年可保障約50萬輛新能源汽車的需求。

基本半導(dǎo)體推出以上新品SiC MOSFET可以視為對逐漸白熱化的市場的亮劍，對進(jìn)一步推進(jìn)國內(nèi)生產(chǎn)高質(zhì)量SiC MOSFET起到了積極作用。（文：集邦化合物半導(dǎo)體）

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