據(jù)報(bào)道，位于福建省廈門市海滄區(qū)的士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目近日進(jìn)入土方工程收尾階段，一期項(xiàng)目預(yù)計(jì)將于2025年三季度末初步通線，四季度試生產(chǎn)。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

據(jù)悉，士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目總投資120億元，分兩期建設(shè)，其中，一期項(xiàng)目總投資70億元，達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)42萬片8英寸碳化硅功率器件芯片。兩期全部建成投產(chǎn)后，將形成年產(chǎn)72萬片8英寸碳化硅功率器件芯片的生產(chǎn)能力。

從該項(xiàng)目推進(jìn)情況來看，作為該項(xiàng)目實(shí)施主體士蘭集宏的母公司，士蘭微與廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司、廈門新翼科技實(shí)業(yè)有限公司于2024年5月21日簽署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目之投資合作協(xié)議》。隨后在6月18日，士蘭微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目在廈門市海滄區(qū)正式開工。

近期，除士蘭微8英寸碳化硅項(xiàng)目外，國(guó)內(nèi)外廠商還有多個(gè)8英寸碳化硅項(xiàng)目披露了最新進(jìn)展。

其中，北京市生態(tài)環(huán)境局于8月13日公示了天科合達(dá)第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)二期項(xiàng)目（以下簡(jiǎn)稱：二期項(xiàng)目）環(huán)評(píng)審批。二期項(xiàng)目用于擴(kuò)大天科合達(dá)碳化硅晶體與晶片產(chǎn)能，投產(chǎn)后將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)約37.1萬片導(dǎo)電型碳化硅襯底，其中8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底13.5萬片。

8月底，重慶三安8英寸碳化硅襯底廠點(diǎn)亮通線。該項(xiàng)目投資額為70億元，規(guī)劃年產(chǎn)8英寸碳化硅襯底48萬片。

9月27日，住友金屬及其全資子公司Sicoxs Coparation宣布，將在Sicoxs的Ohkuchi工廠建設(shè)一條新的8英寸SiCkrest大規(guī)模生產(chǎn)線，SiCkrest為直接鍵合的碳化硅襯底。

10月13日，據(jù)韓媒報(bào)道，韓國(guó)東部高科（DB HiTek）于11日宣布，其將在忠清北道Eumseong的Sangwoo園區(qū)內(nèi)投資擴(kuò)建半導(dǎo)體潔凈室，計(jì)劃先行建設(shè)8英寸碳化硅產(chǎn)線。

10月16日，在首屆SEMiBAY灣芯展開幕式上，方正微電子發(fā)布了車規(guī)/工規(guī)碳化硅MOSFET 1200V全系產(chǎn)品，還表示其8英寸碳化硅產(chǎn)線將于2024年年底通線。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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根據(jù)公告，士蘭微與廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司（以下簡(jiǎn)稱：廈門半導(dǎo)體）、廈門新翼科技實(shí)業(yè)有限公司（以下簡(jiǎn)稱：新翼科技）于2024年5月21日簽署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目之投資合作協(xié)議》（以下簡(jiǎn)稱：《投資合作協(xié)議》）。

根據(jù)《投資合作協(xié)議》，士蘭微與廈門半導(dǎo)體分別向本次8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目的實(shí)施主體廈門士蘭集宏半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱：士蘭集宏）認(rèn)繳注冊(cè)資本10.6億元和10億元。截至目前，士蘭集宏的注冊(cè)資本為20.60億元。

2024年9月24日，士蘭微與廈門半導(dǎo)體、新翼科技、廈門新翼微成投資合伙企業(yè)（有限合伙）（以下簡(jiǎn)稱：新翼微成）、廈門產(chǎn)投新翼科技投資合伙企業(yè)（有限合伙）（以下簡(jiǎn)稱：產(chǎn)投新翼）共同簽署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目之投資合作補(bǔ)充協(xié)議》（以下簡(jiǎn)稱：《投資合作補(bǔ)充協(xié)議》）。

根據(jù)《投資合作補(bǔ)充協(xié)議》，項(xiàng)目公司士蘭集宏的原投資主體新翼科技變更為新翼微成和產(chǎn)投新翼。新翼科技將其在《投資合作協(xié)議》項(xiàng)下的權(quán)利義務(wù)，按新翼微成和產(chǎn)投新翼在《投資合作補(bǔ)充協(xié)議》項(xiàng)下的相對(duì)出資比例概括轉(zhuǎn)讓給新翼微成和產(chǎn)投新翼。其中，新翼微成繼受新翼科技對(duì)項(xiàng)目公司增資入股11億元的義務(wù)，產(chǎn)投新翼繼受新翼科技對(duì)項(xiàng)目公司增資入股10.5億元的義務(wù)。

公告顯示，士蘭微及協(xié)議各方在按照《投資合作協(xié)議》及《投資合作補(bǔ)充協(xié)議》完成認(rèn)繳后，士蘭集宏的注冊(cè)資本將增加至42.10億元，士蘭微對(duì)士蘭集宏的持股比例將由目前的51.46%降低至25.1781%，將不再將其納入合并報(bào)表范圍。

據(jù)悉，士蘭微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目計(jì)劃分兩期建設(shè)，一期投資規(guī)模約70億元，二期投資規(guī)模約50億元，兩期建設(shè)完成后，將形成8英寸碳化硅功率器件芯片年產(chǎn)72萬片的產(chǎn)能。

今年6月18日，士蘭微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目在廈門市海滄區(qū)正式開工。

士蘭微表示，如本次投資事項(xiàng)順利實(shí)施，將為士蘭集宏“8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目”的建設(shè)和運(yùn)營(yíng)提供資金保障，為其SiC功率器件在8英寸生產(chǎn)線上的產(chǎn)業(yè)化提供產(chǎn)能保障，將進(jìn)一步完善其在車規(guī)級(jí)高端功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局，增強(qiáng)核心競(jìng)爭(zhēng)力，推動(dòng)其主營(yíng)業(yè)務(wù)持續(xù)成長(zhǎng)。（來源：士蘭微公告，集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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根據(jù)公告，士蘭集科本次擬新增注冊(cè)資本148155.0072萬元。士蘭微擬與廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司（以下簡(jiǎn)稱：廈門半導(dǎo)體）以貨幣方式共同出資16億元認(rèn)繳士蘭集科本次新增的全部注冊(cè)資本。

其中，士蘭微出資8億元，認(rèn)繳士蘭集科注冊(cè)資本74077.5036萬元；廈門半導(dǎo)體同樣出資8億元，認(rèn)繳士蘭集科注冊(cè)資本74077.5036萬元。本次增資完成后，士蘭集科的注冊(cè)資本將由382795.3681萬元變更為530950.3753萬元。

天眼查資料顯示，士蘭集科成立于2018年2月，是一家電子設(shè)備供應(yīng)商，主要研發(fā)、生產(chǎn)和銷售芯片晶圓、MEMS、功率器件以及集成電路等產(chǎn)品，致力于為行業(yè)用戶提供相關(guān)的電子產(chǎn)品及服務(wù)。

股東信息顯示，目前，士蘭集科由廈門半導(dǎo)體、士蘭微、國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司共同持股，持股比例分別為66.626%、18.719%、14.655%。

根據(jù)士蘭微2024年半年度報(bào)告，2024年上半年，士蘭集科總計(jì)產(chǎn)出12英寸芯片22.46萬片，同比減少約5%，實(shí)現(xiàn)營(yíng)收11.21億元，同比增加約6%。近期隨著IGBT芯片產(chǎn)能的進(jìn)一步釋放，士蘭集科產(chǎn)能利用率已處于較高水平。

士蘭微表示，如本次增資事項(xiàng)順利實(shí)施，將進(jìn)一步增加士蘭集科的資本充足率，為士蘭集科12英寸集成電路芯片生產(chǎn)線的建設(shè)和運(yùn)營(yíng)提供資金保障；有利于進(jìn)一步提升士蘭集科的生產(chǎn)能力，為士蘭微提供產(chǎn)能保障。

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體了解，今年以來，除士蘭微外，還有另外兩家化合物半導(dǎo)體廠商披露了增資相關(guān)動(dòng)態(tài)，分別是中車時(shí)代半導(dǎo)體和長(zhǎng)光華芯。

4月26日，中車時(shí)代半導(dǎo)體增資引入戰(zhàn)略投資者簽約儀式在株洲舉行。根據(jù)中車時(shí)代半導(dǎo)體母公司時(shí)代電氣在今年3月底發(fā)布的公告，中車時(shí)代半導(dǎo)體本次增資擴(kuò)股擬引入株洲市國(guó)創(chuàng)田芯創(chuàng)業(yè)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）等26名戰(zhàn)略投資者及員工持股平臺(tái)株洲芯發(fā)展零號(hào)企業(yè)管理合伙企業(yè)（有限合伙），增資金額為人民幣43.278億元。本次增資完成后，時(shí)代電氣持有中車時(shí)代半導(dǎo)體的股權(quán)比例從96.1680%變更為77.7771%，仍為中車時(shí)代半導(dǎo)體的控股股東。

隨后在7月12日晚間，長(zhǎng)光華芯發(fā)布公告宣布子公司擬增資惟清半導(dǎo)體，后者股東之一為碳化硅功率器件廠商清純半導(dǎo)體。具體來看，長(zhǎng)光華芯全資子公司蘇州長(zhǎng)光華芯半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院有限公司（以下簡(jiǎn)稱：研究院）擬出資1億元認(rèn)購(gòu)關(guān)聯(lián)方惟清半導(dǎo)體新增注冊(cè)資本1333.33萬元。本次增資前，研究院持有惟清半導(dǎo)體29%的股權(quán)，增資完成后，研究院將持有惟清半導(dǎo)體31.61%的股權(quán)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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士蘭微上半年虧損收窄，IGBT和碳化硅營(yíng)收增長(zhǎng)

8月19日晚間，士蘭微公布了2024年半年度報(bào)告。2024年上半年，士蘭微實(shí)現(xiàn)營(yíng)收52.74億元，同比增長(zhǎng)17.83%，虧損同比收窄。

士蘭微報(bào)告期內(nèi)凈利潤(rùn)出現(xiàn)虧損，主要原因有兩方面：一是公司持有的其他非流動(dòng)金融資產(chǎn)中，昱能科技和安路科技的股票價(jià)格下跌，導(dǎo)致公允價(jià)值變動(dòng)產(chǎn)生稅后凈損失達(dá)1.62億元；二是子公司士蘭明鎵的6英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線仍處于產(chǎn)能爬坡期，產(chǎn)量較低，同時(shí)資產(chǎn)折舊等固定成本較高，進(jìn)一步加劇了虧損。

盡管歸母凈利潤(rùn)仍處于虧損，但士蘭微總體營(yíng)收同比增長(zhǎng)約18%。這一增長(zhǎng)得益于公司持續(xù)加大模擬電路、IGBT器件、IPM智能功率模塊、PIM功率模塊、碳化硅功率模塊、超結(jié)MOSFET器件、MCU電路、化合物芯片和器件等產(chǎn)品在大型白電、通訊、工業(yè)、新能源、汽車等高門檻市場(chǎng)的推廣力度。

碳化硅業(yè)務(wù)方面，2024年上半年，士蘭微IGBT和碳化硅（模塊、器件）的營(yíng)業(yè)收入已達(dá)到7.83億元，較去年同期增長(zhǎng)30%以上。

產(chǎn)能方面，2024年上半年，士蘭微加快推進(jìn)“士蘭明鎵SiC功率器件芯片生產(chǎn)線”項(xiàng)目的建設(shè)。截至目前士蘭明鎵已形成月產(chǎn)6000片6英寸碳化硅MOSFET芯片的生產(chǎn)能力，預(yù)計(jì)三季度末產(chǎn)能將達(dá)到9000片/月，預(yù)計(jì)2024年年底產(chǎn)能將達(dá)到12000片/月。

技術(shù)研發(fā)方面，上半年，基于士蘭微自主研發(fā)的Ⅱ代碳化硅MOSFET芯片生產(chǎn)的電動(dòng)汽車主電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊，已通過吉利、匯川等客戶驗(yàn)證，并開始實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)和交付。其已初步完成第Ⅲ代平面柵碳化硅MOSFET技術(shù)的開發(fā)，正在加快產(chǎn)能建設(shè)和升級(jí)，推動(dòng)第Ⅲ代平面柵碳化硅MOSFET芯片導(dǎo)入量產(chǎn)。

晶盛機(jī)電上半年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收101.47億元，推進(jìn)8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能爬坡

8月20日晚間，晶盛機(jī)電公布了2024年半年度報(bào)告。2024年上半年，晶盛機(jī)電實(shí)現(xiàn)營(yíng)收101.47億元，同比增長(zhǎng)20.71%；歸母凈利潤(rùn)20.96億元，同比減少4.97%。

晶盛機(jī)電業(yè)務(wù)涉及半導(dǎo)體、光伏設(shè)備領(lǐng)域以及半導(dǎo)體材料細(xì)分領(lǐng)域的藍(lán)寶石材料和碳化硅材料等。

半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)務(wù)方面，晶盛機(jī)電所生產(chǎn)的設(shè)備主要用于半導(dǎo)體晶體的生長(zhǎng)和加工，屬于硅片制造環(huán)節(jié)設(shè)備，同時(shí)在部分工藝環(huán)節(jié)布局至芯片制造和封裝制造端?；诋a(chǎn)業(yè)鏈延伸，晶盛機(jī)電在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域開發(fā)了8-12英寸常壓硅外延設(shè)備，以及6-8英寸碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備、切片設(shè)備、減薄設(shè)備、拋光設(shè)備、外延設(shè)備等，實(shí)現(xiàn)碳化硅外延設(shè)備的國(guó)產(chǎn)替代，并創(chuàng)新性推出雙片式碳化硅外延設(shè)備，大幅提升外延產(chǎn)能。

材料業(yè)務(wù)方面，晶盛機(jī)電在泛半導(dǎo)體領(lǐng)域積極布局新材料業(yè)務(wù)，逐步發(fā)展了高純石英坩堝、藍(lán)寶石材料、碳化硅材料、以及金剛線等具有廣闊應(yīng)用場(chǎng)景的材料業(yè)務(wù)。

報(bào)告期內(nèi)，受益于新能源車的持續(xù)發(fā)展，碳化硅材料需求快速增加，產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)能逐步向8英寸轉(zhuǎn)移。公司緊抓行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)，快速推進(jìn)8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能爬坡，同時(shí)積極拓展國(guó)內(nèi)外客戶，市場(chǎng)拓展成果顯著，產(chǎn)能和出貨量快速增加。

目前，晶盛機(jī)電掌握了6-8英寸碳化硅材料的生長(zhǎng)及加工技術(shù)，并正在建設(shè)實(shí)施年產(chǎn)25萬片6英寸及5萬片8英寸碳化硅襯底的產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，加速推進(jìn)大尺寸碳化硅襯底材料的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac、Mia整理）

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晶升股份預(yù)計(jì)上半年凈利潤(rùn)增長(zhǎng)118.72-141.92%

7月9日晚間，晶升股份發(fā)布2024年半年度業(yè)績(jī)預(yù)告稱，預(yù)計(jì)2024年上半年實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)3300-3650萬元，同比將增加1791.23-2141.23萬元，同比增加118.72%-141.92%；預(yù)計(jì)2024年上半年實(shí)現(xiàn)歸母扣非凈利潤(rùn)1610-1850萬元，同比將增加808.84-1048.84萬元，同比增加100.96%-130.92%。

公告顯示，2023年上半年，晶升股份實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)1508.77萬元，歸母扣非凈利潤(rùn)801.16萬元。

關(guān)于業(yè)績(jī)變動(dòng)原因，晶升股份表示，2024年上半年，其實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)、歸母扣非凈利潤(rùn)較上年同期有較大幅度增長(zhǎng)，主要原因系：公司主營(yíng)業(yè)務(wù)穩(wěn)健發(fā)展，客戶合作的深入與技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域的拓展為公司創(chuàng)造收入增長(zhǎng)；同時(shí)，公司不斷加強(qiáng)內(nèi)部經(jīng)營(yíng)管理，持續(xù)降本增效，綜合盈利能力得到提升。

目前，晶升股份8英寸SiC長(zhǎng)晶設(shè)備已實(shí)現(xiàn)批量出貨，其中包含PVT感應(yīng)加熱/電阻加熱單晶爐、TSSG單晶爐等類別產(chǎn)品，下游應(yīng)用完整覆蓋主流導(dǎo)電型/半絕緣型SiC晶體生長(zhǎng)及襯底制備。

得益于在晶體生長(zhǎng)設(shè)備領(lǐng)域形成豐富的產(chǎn)品序列，能夠滿足客戶差異化、定制化的晶體生長(zhǎng)制造工藝需求，晶升股份逐步發(fā)展成為國(guó)內(nèi)具有較強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力的半導(dǎo)體級(jí)晶體生長(zhǎng)設(shè)備供應(yīng)商，并在2023年陸續(xù)開拓了三安光電、東尼電子、比亞迪、合晶科技、上海新昇、金瑞泓、神工股份等客戶。

聞泰科技Q2半導(dǎo)體業(yè)務(wù)收入及綜合毛利率環(huán)比改善

7月9日晚間，聞泰科技發(fā)布2024年半年度業(yè)績(jī)預(yù)告稱，預(yù)計(jì)2024年上半年實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)1.3-1.95億元，同比將減少10.63-11.28億元，同比減少84%-90%。

關(guān)于業(yè)績(jī)變動(dòng)原因，聞泰科技表示，受行業(yè)周期性影響，2024年上半年半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的收入及綜合毛利率同比下降。從2024年第二季度來看，受部分市場(chǎng)需求回暖及公司降本增效等因素影響，半導(dǎo)體業(yè)務(wù)收入及綜合毛利率相較于2024年第一季度環(huán)比改善。

聞泰科技是集研發(fā)設(shè)計(jì)和生產(chǎn)制造于一體的半導(dǎo)體產(chǎn)品集成企業(yè)。其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)采用IDM模式，產(chǎn)品包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOS器件、GaN FET、SiC二極管與MOS、IGBT以及模擬IC和邏輯IC。

2023年，在三代半領(lǐng)域，聞泰科技實(shí)現(xiàn)了GaN產(chǎn)品D-M系列產(chǎn)品工業(yè)和消費(fèi)領(lǐng)域的銷售，同時(shí)E-M產(chǎn)品通過所有測(cè)試認(rèn)證，于2024年開始銷售；實(shí)現(xiàn)了SiC整流管的工業(yè)消費(fèi)級(jí)的量產(chǎn)和MOS的工業(yè)消費(fèi)級(jí)的測(cè)試驗(yàn)證，SiC?MOS產(chǎn)品線的建立，讓其進(jìn)入三代半1200V高壓市場(chǎng)，拓展新的增長(zhǎng)空間。

士蘭微上半年6英寸SiC功率器件芯片處于產(chǎn)能爬坡階段

7月10日晚間，士蘭微發(fā)布2024年半年度業(yè)績(jī)預(yù)告稱，預(yù)計(jì)2024年上半年實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)為-3000萬元到-2000萬元，同比將減少虧損1122萬元到2122萬元；預(yù)計(jì)2024年上半年實(shí)現(xiàn)歸母扣非凈利潤(rùn)為12189萬元到13189萬元，同比將減少3070萬元到4070萬元，同比減少19%到25%。

關(guān)于業(yè)績(jī)變動(dòng)原因，士蘭微表示，報(bào)告期內(nèi)，其子公司士蘭明鎵6英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線尚處于產(chǎn)能爬坡階段，SiC芯片產(chǎn)出相對(duì)較少，資產(chǎn)折舊等固定生產(chǎn)成本相對(duì)較高，導(dǎo)致其虧損較大。目前士蘭明鎵SiC芯片生產(chǎn)線已處于較快上量中，隨著產(chǎn)出持續(xù)增加，預(yù)計(jì)其下半年虧損將逐步減少。

同時(shí)，報(bào)告期內(nèi)，其持續(xù)加大對(duì)模擬電路、功率器件、功率模塊、MEMS傳感器、SiC MOSFET等新產(chǎn)品的研發(fā)投入，加快汽車級(jí)、工業(yè)級(jí)電路和器件芯片工藝平臺(tái)的建設(shè)進(jìn)度，加大汽車級(jí)功率模塊和新能源功率模塊的研發(fā)投入，公司研發(fā)費(fèi)用同比增加34%左右。

6月18日上午，士蘭微旗下士蘭集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線在廈門海滄區(qū)開工。該項(xiàng)目總投資120億元，分兩期建設(shè)，兩期建成后將形成8英寸SiC功率器件芯片年產(chǎn)72萬片的生產(chǎn)能力，將較好滿足國(guó)內(nèi)新能源汽車所需的SiC芯片需求，并有能力向光伏、儲(chǔ)能、充電樁等功率逆變產(chǎn)品提供高性能的SiC芯片。

東尼電子預(yù)計(jì)2024年上半年虧損同比收窄

7月9日晚間，東尼電子發(fā)布2024年半年度業(yè)績(jī)預(yù)告稱，預(yù)計(jì)2024年上半年實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)-6800萬元到-4800萬元，將出現(xiàn)虧損；預(yù)計(jì)2024年上半年實(shí)現(xiàn)歸母扣非凈利潤(rùn)-12600萬元到-10600萬元。

關(guān)于業(yè)績(jī)變動(dòng)原因，東尼電子表示，2024年上半年，其母公司經(jīng)營(yíng)情況良好，實(shí)現(xiàn)盈利，但控股子公司湖州東尼半導(dǎo)體科技有限公司預(yù)計(jì)將計(jì)提大額資產(chǎn)減值損失，研發(fā)費(fèi)用較大。故本報(bào)告期其歸母凈利潤(rùn)將出現(xiàn)虧損，但與上年同期相比虧損收窄。

今年上半年，東尼電子在SiC擴(kuò)產(chǎn)方面有新進(jìn)展。東尼電子2021年非公開發(fā)行募投項(xiàng)目“年產(chǎn)12萬片碳化硅半導(dǎo)體材料”已于2023年上半年實(shí)施完畢，其計(jì)劃在該募投項(xiàng)目基礎(chǔ)上進(jìn)一步擴(kuò)建。根據(jù)今年3月湖州市生態(tài)環(huán)境局公示的對(duì)東尼電子擴(kuò)建SiC項(xiàng)目的環(huán)評(píng)文件審批意見，東尼半導(dǎo)體計(jì)劃利用東尼五期廠區(qū)廠房，實(shí)施擴(kuò)建年產(chǎn)20萬片6英寸SiC襯底材料項(xiàng)目。

立昂微預(yù)計(jì)上半年?duì)I收同比增長(zhǎng)8.7%

7月9日晚間，立昂微發(fā)布2024年半年度業(yè)績(jī)預(yù)告稱，預(yù)計(jì)2024年上半年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收14.59億元左右，同比增長(zhǎng)8.7%左右；預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)為-7350萬元至-5950萬元，同比將減少23314.88萬元至24714.88萬元。

關(guān)于業(yè)績(jī)變動(dòng)原因，立昂微表示，報(bào)告期內(nèi)，其歸母凈利潤(rùn)下降的主要原因在于綜合毛利率大幅減少所致，綜合毛利率下降較多的主要原因：一是隨著2023年擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目陸續(xù)轉(zhuǎn)產(chǎn)，本報(bào)告期折舊成本同比增加12090萬元；二是為了拓展市場(chǎng)份額，硅片產(chǎn)品和功率芯片產(chǎn)品的銷售單價(jià)有所下降。另外，報(bào)告期內(nèi)公司持有的上市公司股票股價(jià)下跌產(chǎn)生公允價(jià)值變動(dòng)損失3804.71萬元（去年同期為公允價(jià)值變動(dòng)收益2420.43萬元）。

立昂微于2002年3月注冊(cè)成立，專注于集成電路用半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體功率芯片、集成電路芯片設(shè)計(jì)、開發(fā)、制造和銷售。目前，立昂微擁有杭州、寧波、衢州、嘉興、海寧五大經(jīng)營(yíng)基地，旗下?lián)碛泻贾萘簴|芯微電子有限公司、海寧立昂東芯微電子有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、金瑞泓科技（衢州）有限公司、金瑞泓微電子（衢州）有限公司、金瑞泓微電子（嘉興）有限公司、杭州立昂半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、衢州金瑞泓半導(dǎo)體科技有限公司八家子公司。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體了解，此次上海光伏展，三安半導(dǎo)體、士蘭微、鍇威特、基本半導(dǎo)體、杰平方、芯聯(lián)集成、瑞能半導(dǎo)體、飛锃半導(dǎo)體、阿基米德半導(dǎo)體、宏微科技、矽迪半導(dǎo)體、派恩杰、蘇州固锝等13家廠商帶來了豐富多樣的SiC功率器件產(chǎn)品，應(yīng)用范圍涵蓋新能源汽車、光儲(chǔ)充、工業(yè)控制等多個(gè)領(lǐng)域。

三安半導(dǎo)體

本次展會(huì)，三安半導(dǎo)體帶來了SiC晶錠、襯底、外延、芯片、器件等全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品。

展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，三安半導(dǎo)體重點(diǎn)展示了8英寸SiC晶圓，以及可應(yīng)用在光伏逆變器、儲(chǔ)能變流器、充電樁電源模塊等領(lǐng)域的650V-1700V SiC二極管和MOSFET，包含多種封裝類型及規(guī)格型號(hào)。

士蘭微

本次光伏展，士蘭微展示了應(yīng)用于光伏場(chǎng)景的SiC MOS、IGBT、DPMOS、SGT LVMOS等功率器件產(chǎn)品。

其中，士蘭微推出的1200V SiC芯片性能指標(biāo)已達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，并同時(shí)研發(fā)650V、1700V、2000V等電壓段高性能SiC MOSFET芯片，包含TO-247B-4L、TO-263-7L、TOLL、D4等多種封裝形式，適配光伏儲(chǔ)能逆變器應(yīng)用場(chǎng)景。

華潤(rùn)微

本次展會(huì)，華潤(rùn)微重點(diǎn)展示了SiC MOS模塊。

source：華潤(rùn)微

華潤(rùn)微展示的SiC MOS模塊可應(yīng)用于電動(dòng)汽車充電器、太陽能、高速轉(zhuǎn)換器、逆變器、電機(jī)和牽引驅(qū)動(dòng)器、智能電網(wǎng)、并網(wǎng)分布式發(fā)電、車載OBC、汽車主驅(qū)等領(lǐng)域，具有低Rdson、低Qg、超低損耗、高頻工作等特點(diǎn)。

鍇威特

本次展會(huì)，鍇威特帶來了超結(jié)MOSFET、中高壓平面MOSFET、650-1700V SiC MOSFET、600-1200V SiC SBD、智能功率IC等系列產(chǎn)品。

其中，鍇威特全新的第三代SiC SBD產(chǎn)品，結(jié)合先進(jìn)的薄片技術(shù)和抗浪涌技術(shù)，在顯著提升產(chǎn)品電流密度、降低正向?qū)▔航档耐瑫r(shí)，仍保持高的浪涌電流以及低的反向漏電。合理的可靠性設(shè)計(jì)及規(guī)范的產(chǎn)品管控，使產(chǎn)品能穩(wěn)定工作于多種嚴(yán)苛工況下，在650-1200V電壓等級(jí)滿足各種應(yīng)用需求。

同時(shí)，鍇威特量產(chǎn)的平面型SiC MOSFET，立足于6英寸SiC功率芯片工藝線，優(yōu)化元胞結(jié)構(gòu)和柵氧工藝，產(chǎn)品具有更高的阻斷電壓、更高的開關(guān)頻率和使用溫度，能夠減小系統(tǒng)電感、電容、變壓器等無源器件的尺寸，提高系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率。該系列產(chǎn)品支持15V-18V棚極驅(qū)動(dòng)電壓，最高結(jié)溫高達(dá)175℃。

基本半導(dǎo)體

此次展會(huì)，基本半導(dǎo)體攜2000V/1700V系列高壓SiC MOSFET、第三代SiC MOSFET、工業(yè)級(jí)SiC功率模塊Pcore 2 E1B、工業(yè)級(jí)SiC半橋頂部散熱MOSFET模塊等系列新品，以及旗下全系列SiC二極管、門極驅(qū)動(dòng)芯片、功率器件驅(qū)動(dòng)器等產(chǎn)品亮相。

其中，基本半導(dǎo)體展出的Pcore 2 E1B工業(yè)級(jí)SiC半橋MOSFET模塊，產(chǎn)品采用集成的NTC溫度傳感器、PressFit壓接技術(shù)以及高封裝可靠性的氮化硅AMB，在導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、抗誤導(dǎo)通、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色。

杰平方

本次展會(huì)，杰平方半導(dǎo)體帶來了第三代SiC MOSFET和SBD、工業(yè)級(jí)SiC功率模塊、1200V 8mΩ SiC晶圓等系列產(chǎn)品，展示了杰平方半導(dǎo)體在SiC領(lǐng)域的創(chuàng)新技術(shù)實(shí)力。

芯聯(lián)集成

本次展會(huì)，芯聯(lián)集成帶來了650V-2300V SiC MOSFET系列產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品具備低導(dǎo)通損耗，低開關(guān)損耗；高可靠性，通過車規(guī)級(jí)驗(yàn)證；參數(shù)一致性好，良率高等特點(diǎn)。在工業(yè)控制方面，可應(yīng)用于光伏、儲(chǔ)能、充電樁、輸配電等場(chǎng)景；在汽車電子方面，可應(yīng)用于OBC、DC-DC、逆變器等產(chǎn)品中。

瑞能半導(dǎo)體

本次展會(huì)，瑞能半導(dǎo)體展示了SiC二極管、SiC MOSFET、SiC功率模塊等系列產(chǎn)品。

飛锃半導(dǎo)體

此次展會(huì)，飛锃半導(dǎo)體帶來了一系列創(chuàng)新成果，涵蓋第三代1200V SiC MOSFET、750V SiC? MOSFET、1200V大電流SiC二極管、6英寸SiC MOSFET晶圓等產(chǎn)品，以及在光伏儲(chǔ)能、新能源汽車等領(lǐng)域的前沿應(yīng)用解決方案。

其中，飛锃半導(dǎo)體針對(duì)新能源汽車的創(chuàng)新應(yīng)用方案，利用車規(guī)級(jí)1200V與650V SiC MOSFET，為智能汽車打造安全、高效、智能的核心動(dòng)力系統(tǒng)。

宏微科技

本次展會(huì)，宏微科技展示了1200/20A SiC SBD系列產(chǎn)品。

宏微科技推出的風(fēng)光儲(chǔ)功率器件產(chǎn)品，具有高度的可靠性和優(yōu)異的性能，能夠滿足新能源行業(yè)對(duì)高效、安全、可靠的電力轉(zhuǎn)換和控制的需求。此外，宏微科技的風(fēng)光儲(chǔ)功率器件產(chǎn)品還具有廣泛的適用性，可廣泛應(yīng)用于太陽能光伏電站、風(fēng)力發(fā)電站、儲(chǔ)能系統(tǒng)等場(chǎng)景。

矽迪半導(dǎo)體

本次展會(huì)，矽迪半導(dǎo)體展示了高性能和差異化的SiC系統(tǒng)解決方案，包括30KW Buck-Boost全SiC解決方案、40KW xBooster IGBT并聯(lián)SIC MOSFET解決方案等，可應(yīng)用于光伏逆變器、儲(chǔ)能逆變器、工業(yè)電源等場(chǎng)景。

阿基米德半導(dǎo)體

本次展會(huì)，阿基米德半導(dǎo)體展示了SiC MOSFET/IGBT單管、半橋IGBT模塊、三電平IGBT模塊、SiC模塊等眾多產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于直流快充/超充、工業(yè)電源、感應(yīng)加熱、光伏逆變器、儲(chǔ)能PCS、新能源汽車等領(lǐng)域。

其中，對(duì)于215KW儲(chǔ)能，現(xiàn)有產(chǎn)品體積大、效率低，阿基米德推出的1200V 400A混合SiC單模塊解決方案，助力縮小產(chǎn)品體積，提升功率密度，同時(shí)集成SiC器件，大幅度降低了功率損耗，提升了充放電效率，模塊滿載效率高達(dá)99%。

派恩杰

本次展會(huì)，派恩杰半導(dǎo)體帶來了SiC功率器件、芯片設(shè)計(jì)路線以及1700V高壓器件應(yīng)用方案等系列產(chǎn)品，為工業(yè)應(yīng)用以及新能源車用方案等提供了一個(gè)新的方向。

其中，派恩杰半導(dǎo)體在650V、1200V、1700V三個(gè)電壓平臺(tái)已發(fā)布100余款不同型號(hào)的SiC二極管、SiC MOSFET、SiC功率模塊和GaN HEMT產(chǎn)品。派恩杰半導(dǎo)體的量產(chǎn)產(chǎn)品已在電動(dòng)汽車，IT設(shè)備電源、光伏逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)、工業(yè)應(yīng)用等領(lǐng)域廣泛使用，為Tier 1廠商持續(xù)穩(wěn)定供貨。

蘇州固锝

本次展會(huì)，蘇州固锝帶來了光伏旁路二極管在太陽能面板集線盒、以及功率二極管、MOS管、IGBT、SiC SBD等功率器件在光伏逆變器、輔助電源等新能源市場(chǎng)的應(yīng)用方案。

除上述SiC功率器件廠商外，連城數(shù)控、晶升股份、晶盛機(jī)電、宇晶股份、先導(dǎo)智能、微導(dǎo)納米、高測(cè)股份、弘元綠能、邁為股份等SiC設(shè)備相關(guān)廠商也在本次上海光伏展上精彩亮相，這些廠商將共同推動(dòng)SiC產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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source：士蘭微

該項(xiàng)目總投資120億元，分兩期建設(shè)，兩期建成后將形成8英寸SiC功率器件芯片年產(chǎn)72萬片的生產(chǎn)能力。這條生產(chǎn)線投產(chǎn)后將成為國(guó)內(nèi)第一條擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、產(chǎn)能規(guī)模最大的8英寸碳化硅功率器件芯片生產(chǎn)線。將較好滿足國(guó)內(nèi)新能源汽車所需的碳化硅芯片需求，并有能力向光伏、儲(chǔ)能、充電樁等功率逆變產(chǎn)品提供高性能的碳化硅芯片，同時(shí)促進(jìn)國(guó)內(nèi)8吋碳化硅襯底及相關(guān)工藝裝備的協(xié)同發(fā)展。

此次士蘭集宏8英寸制造生產(chǎn)項(xiàng)目是繼士蘭集科“12英寸特色工藝芯片生產(chǎn)線”和士蘭明鎵“先進(jìn)化合物半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線”兩個(gè)重要項(xiàng)目后，士蘭微電子落地廈門海滄的第三個(gè)重要項(xiàng)目。（來源：廈門廣電網(wǎng)）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

士蘭微8英寸SiC功率器件項(xiàng)目落地廈門

5月21日，士蘭微與廈門市人民政府、廈門市海滄區(qū)人民政府在廈門市簽署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》（以下簡(jiǎn)稱協(xié)議協(xié)議）。

根據(jù)協(xié)議，各方合作在廈門市海滄區(qū)投資建設(shè)一條以SiC MOSEFET為主要產(chǎn)品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線。該項(xiàng)目分兩期建設(shè)，項(xiàng)目一期投資規(guī)模約70億元，規(guī)劃產(chǎn)能3.5萬片/月，二期投資規(guī)模約50億元，規(guī)劃產(chǎn)能2.5萬片/月，兩期建設(shè)完成后，將形成8英寸SiC功率器件芯片年產(chǎn)72萬片的生產(chǎn)能力。

為主導(dǎo)項(xiàng)目實(shí)施，士蘭微已于2024年3月6日在廈門市海滄區(qū)先行設(shè)立了項(xiàng)目公司廈門士蘭集宏半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱士蘭集宏），士蘭集宏注冊(cè)資本為0.6億元，全部由士蘭微出資。

為推進(jìn)項(xiàng)目實(shí)施，士蘭微擬與廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司、廈門新翼科技實(shí)業(yè)有限公司共同向子公司士蘭集宏增資41.5億元并簽署《8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目之投資合作協(xié)議》。

士蘭集宏本次新增注冊(cè)資本41.5億元，由士蘭微與廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司、廈門新翼科技實(shí)業(yè)有限公司以貨幣方式共同認(rèn)繳，其中：士蘭微認(rèn)繳10億元，廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司認(rèn)繳10億元，廈門新翼科技實(shí)業(yè)有限公司認(rèn)繳21.50億元。本次增資完成后，士蘭集宏的注冊(cè)資本將由0.6億元增加至42.1億元。

士蘭微表示，如本次投資事項(xiàng)順利實(shí)施，將為士蘭集宏“8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目”的建設(shè)和運(yùn)營(yíng)提供資金保障，有利于加快實(shí)現(xiàn)士蘭微SiC功率器件的產(chǎn)業(yè)化，完善其在車規(guī)級(jí)高端功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局，增強(qiáng)核心競(jìng)爭(zhēng)力。

安建功率半導(dǎo)體模塊封裝項(xiàng)目簽約浙江海寧

5月20日，2024年二季度海寧經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)、海昌街道項(xiàng)目集中簽約儀式在浙江海寧(中國(guó))泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園服務(wù)中心舉行，寧波安建半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱安建半導(dǎo)體）功率半導(dǎo)體模塊封裝項(xiàng)目簽約落地海寧經(jīng)開區(qū)，總投資1億元。

作為一家功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品設(shè)計(jì)、研發(fā)及銷售公司，安建半導(dǎo)體現(xiàn)有低電壓的SGT MOSFET（分裂柵金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管）、高電壓的SJ MOSFET（超結(jié)金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管）、Field Stop Trench IGBT（絕緣柵雙極晶體管）三條成熟的產(chǎn)品線。其高電壓產(chǎn)品主要應(yīng)用于高鐵、電動(dòng)汽車、新能源、工業(yè)控制等領(lǐng)域；低電壓產(chǎn)品主要應(yīng)用于5G基站、電能轉(zhuǎn)換、綠色家電、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。

在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，安建半導(dǎo)體目前已推出具有完全自主產(chǎn)權(quán)的1200V 17mΩ SiC MOSFET，正在同步建設(shè)SiC模塊封裝產(chǎn)線和開發(fā)新一代GaN技術(shù)和產(chǎn)品。

在SiC業(yè)務(wù)方面，安建半導(dǎo)體在去年12月與積塔半導(dǎo)體就加速完成安建在積塔代工的平面型SiC MOSFET器件開發(fā)，并攜手邁進(jìn)新一代溝槽型SiC MOSFET器件開發(fā)達(dá)成合作。

智新半導(dǎo)體800V SiC模塊產(chǎn)線預(yù)計(jì)7月批量投產(chǎn)

5月20日，據(jù)湖北日?qǐng)?bào)消息，智新半導(dǎo)體第二條生產(chǎn)線兼容生產(chǎn)400V硅基IGBT模塊和800V SiC模塊，預(yù)計(jì)7月份批量投產(chǎn)，10月份大批量投用。

據(jù)悉，為加速車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊國(guó)產(chǎn)替代，東風(fēng)公司在2019年6月與中國(guó)中車成立智新半導(dǎo)體，開始自主研發(fā)生產(chǎn)車規(guī)級(jí)IGBT模塊。

2021年7月，智新半導(dǎo)體以先進(jìn)的第6代IGBT芯片技術(shù)為基礎(chǔ)的生產(chǎn)線啟動(dòng)量產(chǎn)，華中地區(qū)首批自主生產(chǎn)的車規(guī)級(jí)IGBT模塊產(chǎn)品正式下線。一期產(chǎn)能30萬只，主要生產(chǎn)400V硅基IGBT模塊。

而在今年4月，智新半導(dǎo)體第二條生產(chǎn)線啟用，規(guī)劃產(chǎn)能40萬只，兼容生產(chǎn)400V硅基IGBT模塊和800V SiC模塊，產(chǎn)線國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到70%。
智新半導(dǎo)體表示，其800V SiC模塊采用納米銀燒結(jié)工藝、銅鍵合技術(shù)，可將能量轉(zhuǎn)化效率提高3%，與同樣性能的國(guó)外產(chǎn)品相比，該模塊成本降低了30%。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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安世半導(dǎo)體2023年?duì)I收21.5億美元

4月6日，安世半導(dǎo)體（Nexperia）公布了2023年財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。2023年，Nexperia實(shí)現(xiàn)營(yíng)收21.5億美元，2022年同期為23.6億美元。盡管收入略有下降，市場(chǎng)需求疲軟，但2023年Nexperia傳統(tǒng)強(qiáng)勢(shì)的汽車業(yè)務(wù)收入大幅增長(zhǎng)。

Nexperia首席財(cái)務(wù)官Stefan Tilger表示，Nexperia在2023年進(jìn)行了非常多的投資，旨在升級(jí)和擴(kuò)充功率分立器件、模塊、模擬和功率IC方面的產(chǎn)品組合，這些投資占據(jù)公司收入的13%。展望2024年，盡管歐洲和北美的不確定性依然存在，但是亞洲需求水平的提高令他感到鼓舞。

據(jù)悉，2023年11月30日，Nexperia宣布推出其首款SiC MOSFET，并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200V分立器件，RDS（on）分別為40mΩ和80mΩ。

這兩款器件是Nexperia SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，可用性高，可滿足電動(dòng)汽車（EV）充電樁、不間斷電源（UPS）以及太陽能和儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）逆變器等汽車和工業(yè)應(yīng)用對(duì)高性能SiC MOSFET的需求。

納芯微2023年?duì)I收13.11億，SiC MOSFET已送樣

4月25日晚間，納芯微發(fā)布2023年年度報(bào)告。2023年，納芯微實(shí)現(xiàn)營(yíng)收13.11億元，同比下滑21.52%；歸母凈利潤(rùn)-3.05億元，歸母扣非凈利潤(rùn)-3.93億元。

2023年，納芯微圍繞新能源汽車、光儲(chǔ)、快充消費(fèi)等下游應(yīng)用，積極布局第三代功率半導(dǎo)體SiC MOSFET相關(guān)器件。報(bào)告期內(nèi)，納芯微推出了與GaN適配的驅(qū)動(dòng)芯片及power stage集成產(chǎn)品；1200V SiC二極管系列已全面量產(chǎn)；650V/1200V SiC MOSFET系列已全面送樣。納芯微SiC MOSFET產(chǎn)品將經(jīng)過全面的車規(guī)級(jí)驗(yàn)證，確保符合汽車級(jí)應(yīng)用的要求。

關(guān)于業(yè)績(jī)變動(dòng)原因，納芯微表示，受整體宏觀經(jīng)濟(jì)以及市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇的影響，其產(chǎn)品售價(jià)承壓，毛利率有所下降；2023年度，汽車電子領(lǐng)域整體需求穩(wěn)健增長(zhǎng)，消費(fèi)電子領(lǐng)域景氣度改善，但工業(yè)市場(chǎng)和光伏、儲(chǔ)能市場(chǎng)仍處于去庫(kù)存和逐步恢復(fù)階段；綜合影響下，納芯微銷售量同比上升但營(yíng)業(yè)收入同比下降。

同時(shí)，報(bào)告期內(nèi)納芯微持續(xù)保持高力度的研發(fā)投入，2023年度研發(fā)費(fèi)用為5.22億元，同比增長(zhǎng)29.17%；剔除股份支付費(fèi)用后的研發(fā)費(fèi)用為3.49億元，同比增長(zhǎng)46.50%。

近日，納芯微、士蘭微、賽微電子、捷捷微電、斯達(dá)半導(dǎo)體發(fā)布了2024年第一季度業(yè)績(jī)。其中，捷捷微電在2024年Q1實(shí)現(xiàn)營(yíng)收凈利雙雙增長(zhǎng)。

捷捷微電Q1營(yíng)收5.20億，凈利同比增長(zhǎng)189.51%

4月24日晚間，捷捷微電發(fā)布2024年第一季度報(bào)告。2024年Q1，捷捷微電實(shí)現(xiàn)營(yíng)收5.20億元，同比增長(zhǎng)28.80%；歸母凈利潤(rùn)0.92億元，同比增長(zhǎng)189.51%；歸母扣非凈利潤(rùn)0.50億元，同比增長(zhǎng)80.88%。

作為一家功率半導(dǎo)體芯片和器件的研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售廠商，捷捷微電主營(yíng)產(chǎn)品為各類電力電子器件和芯片，包括IGBT器件及組件、SiC器件等。

據(jù)悉，2023年初，捷捷微電功率半導(dǎo)體“車規(guī)級(jí)”封測(cè)產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目已開工，建設(shè)期在2年左右。該項(xiàng)目總投資為133395.95萬元，擬投入募集資金119500萬元，主要從事車規(guī)級(jí)大功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售，建設(shè)完成后可達(dá)年產(chǎn)1900kk車規(guī)級(jí)大功率器件DFN系列產(chǎn)品、120kk車規(guī)級(jí)大功率器件TOLL系列產(chǎn)品、90kk車規(guī)級(jí)大功率器件LFPACK系列產(chǎn)品以及60kkWCSP電源器件產(chǎn)品的生產(chǎn)能力。

賽微電子Q1營(yíng)收2.70億，同比增長(zhǎng)41.62%

4月25日晚間，賽微電子發(fā)布2024年第一季度報(bào)告。2024年Q1，賽微電子實(shí)現(xiàn)營(yíng)收2.70億元，同比增長(zhǎng)41.62%；歸母凈利潤(rùn)-0.12億元，歸母扣非凈利潤(rùn)-0.14億元。

賽微電子以半導(dǎo)體業(yè)務(wù)為核心，一方面重點(diǎn)發(fā)展MEMS工藝開發(fā)與晶圓制造業(yè)務(wù)，一方面積極布局GaN材料與器件業(yè)務(wù)。賽微電子目前的主要產(chǎn)品及業(yè)務(wù)包括MEMS芯片的工藝開發(fā)及晶圓制造、GaN外延材料生長(zhǎng)與器件設(shè)計(jì)，下游應(yīng)用領(lǐng)域包括通信、生物醫(yī)療、工業(yè)科學(xué)、消費(fèi)電子等。

2024年4月10日，賽微電子與北京市懷柔區(qū)簽署了《戰(zhàn)略合作協(xié)議》，擬在懷柔科學(xué)城產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化示范區(qū)建設(shè)高水平的6/8英寸MEMS圓中試生產(chǎn)線和研發(fā)平臺(tái)。

士蘭微Q1營(yíng)收24.65億，同比增長(zhǎng)19.30%

4月29日晚間，士蘭微發(fā)布2024年第一季度報(bào)告。2024年Q1，士蘭微實(shí)現(xiàn)營(yíng)收24.65億元，同比增長(zhǎng)19.30%；歸母凈利潤(rùn)-0.15億元；歸母扣非凈利潤(rùn)1.33億元，同比增長(zhǎng)17.27%。

關(guān)于業(yè)績(jī)變動(dòng)原因，士蘭微表示，其歸母凈利潤(rùn)出現(xiàn)虧損的主要原因是，報(bào)告期內(nèi)，其持有的其他非流動(dòng)金融資產(chǎn)中昱能科技、安路科技股票價(jià)格下跌，導(dǎo)致其公允價(jià)值變動(dòng)產(chǎn)生稅后凈收益-1.52億元。

同時(shí)，在IPM智能功率模塊、車規(guī)級(jí)PIM功率模塊、AC-DC電路、32位MCU電路、IGBT器件、SiC MOSFET器件、MEDPMOS器件、發(fā)光二極管器件等產(chǎn)品出貨量大幅增長(zhǎng)的帶動(dòng)下，其營(yíng)收繼續(xù)保持了較快的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。其產(chǎn)品綜合毛利率為22.10%，環(huán)比上升了3.18個(gè)百分點(diǎn)。

納芯微Q1營(yíng)收3.62億，同比下滑23.04%

4月25日晚間，納芯微發(fā)布2024年第一季度報(bào)告。2024年Q1，納芯微實(shí)現(xiàn)營(yíng)收3.62億元，同比下滑23.04%；歸母凈利潤(rùn)-1.50億元，歸母扣非凈利潤(rùn)-1.59億元。

關(guān)于業(yè)績(jī)變動(dòng)原因，納芯微表示，受整體宏觀經(jīng)濟(jì)以及市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇的影響，其產(chǎn)品售價(jià)承壓，毛利率有所下降；汽車電子領(lǐng)域整體需求穩(wěn)健增長(zhǎng)，消費(fèi)電子領(lǐng)域景氣度改善，但工業(yè)市場(chǎng)和光伏、儲(chǔ)能市場(chǎng)仍處于去庫(kù)存和逐步恢復(fù)階段；綜合影響下，其營(yíng)收同比下降。

同時(shí)，納芯微注重在行業(yè)下行周期的人才積累，在市場(chǎng)開拓、供應(yīng)鏈體系、質(zhì)量管理、人才建設(shè)等多方面持續(xù)的資源投入，使得銷售費(fèi)用、管理費(fèi)用同比上升。

4月17日，納芯微官微消息顯示，其推出首款1200V SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品，該產(chǎn)品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可提供車規(guī)與工規(guī)兩種等級(jí)。

據(jù)介紹，納芯微的SiC MOSFET具有RDSon溫度穩(wěn)定性、門極驅(qū)動(dòng)電壓覆蓋度更寬、具備高可靠性，適用于電動(dòng)汽車（EV）OBC/DC-DC、熱管理系統(tǒng)、光伏和儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）以及不間斷電源（UPS）等領(lǐng)域。

斯達(dá)半導(dǎo)體Q1營(yíng)收8.05億，同比微增

4月29日晚間，斯達(dá)半導(dǎo)體發(fā)布2024年第一季度報(bào)告。2024年Q1，斯達(dá)半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)營(yíng)收8.05億元，同比增長(zhǎng)3.17%；歸母凈利潤(rùn)1.63億元，同比下滑21.14%；歸母扣非凈利潤(rùn)1.62億元，同比下滑18.58%。

斯達(dá)半導(dǎo)體主營(yíng)業(yè)務(wù)是以IGBT和SiC為主的功率半導(dǎo)體芯片和模塊的設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)及銷售。斯達(dá)半導(dǎo)體長(zhǎng)期致力于IGBT、快恢復(fù)二極管、MOSFET等功率芯片的設(shè)計(jì)和工藝及IGBT、SiC?MOSFET等功率模塊的設(shè)計(jì)、制造和測(cè)試，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制和電源、光伏、新能源汽車、白色家電等領(lǐng)域。

SiC業(yè)務(wù)方面，2023年，斯達(dá)半導(dǎo)體應(yīng)用于新能源汽車主控制器的車規(guī)級(jí)SiC MOSFET模塊大批量裝車應(yīng)用，同時(shí)新增多個(gè)使用車規(guī)級(jí)SiC MOSFET模塊的800V系統(tǒng)主電機(jī)控制器項(xiàng)目定點(diǎn)，將推動(dòng)其2024-2030年主控制器用車規(guī)級(jí)SiC MOSFET模塊銷售增長(zhǎng)。2023年，斯達(dá)半導(dǎo)體自主的車規(guī)級(jí)SiC MOSFET芯片在公司多個(gè)車用功率模塊封裝平臺(tái)通過多家客戶整車驗(yàn)證并開始批量出貨。

此外，2023年，斯達(dá)半導(dǎo)體和深藍(lán)汽車合資成立重慶安達(dá)半導(dǎo)體有限公司，研發(fā)生產(chǎn)高性能、高可靠性的車規(guī)級(jí)IGBT模塊和車規(guī)級(jí)SiC MOSFET模塊，預(yù)計(jì)2024年完成廠房建設(shè)并開始生產(chǎn)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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士蘭微表示，2023年其歸母凈利潤(rùn)出現(xiàn)虧損的主要原因，系其持有的其他非流動(dòng)金融資產(chǎn)中昱能科技、安路科技股票價(jià)格下跌，導(dǎo)致其公允價(jià)值變動(dòng)產(chǎn)生稅后凈收益-45227萬元。

作為一家專業(yè)從事集成電路以及半導(dǎo)體微電子相關(guān)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與銷售的企業(yè)，士蘭微主要產(chǎn)品為集成電路以及相關(guān)的應(yīng)用系統(tǒng)和方案，主要集中在以下三個(gè)領(lǐng)域：以消費(fèi)類數(shù)字音視頻應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)槟繕?biāo)的集成電路產(chǎn)品，包括以光盤伺服為基礎(chǔ)的芯片和系統(tǒng)，量大面廣的消費(fèi)類集成電路產(chǎn)品，以及基于公司投資的集成電路芯片生產(chǎn)線的雙極、BiCMOS和BCD工藝為基礎(chǔ)的模擬、數(shù)字混合集成電路產(chǎn)品。

目前，士蘭微兩項(xiàng)新興業(yè)務(wù)半導(dǎo)體分立器件及高亮藍(lán)綠芯片呈快速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，半導(dǎo)體分立器件與LED芯片收入在公司收入結(jié)構(gòu)中所占比重也逐年上升。

集成電路業(yè)務(wù)營(yíng)收同比增長(zhǎng)14.88%

2023年，士蘭微集成電路業(yè)務(wù)營(yíng)收31.29億元，同比增長(zhǎng)14.88%，其集成電路營(yíng)收增加的主要原因是：IPM模塊、DC-DC電路、LED及低壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路、32位MCU電路、快充電路等產(chǎn)品的出貨量明顯加快。

其中，士蘭微2023年IPM模塊的營(yíng)收達(dá)到19.83億元人民幣，同比增長(zhǎng)37%。目前，其IPM模塊已廣泛應(yīng)用到下游家電、工業(yè)和汽車客戶的變頻產(chǎn)品上。2023年，國(guó)內(nèi)多家主流的白電整機(jī)廠商在變頻空調(diào)等白電整機(jī)上使用了超過1億顆士 蘭IPM模塊，較上年同期增加38%。預(yù)期今后士蘭微IPM模塊的營(yíng)收將會(huì)繼續(xù)快速成長(zhǎng)。

士蘭明鎵6英寸SiC MOS芯片月產(chǎn)能已達(dá)6000片

2023年，士蘭微分立器件產(chǎn)品營(yíng)收48.32億元，同比增長(zhǎng)8.18%。分立器件產(chǎn)品中，超結(jié)MOS、IGBT器件、IGBT大功率模塊（PIM）等產(chǎn)品的增長(zhǎng)較快，其超結(jié)MOS、IGBT、FRD、高性能低壓分離柵MOS、SiC MOS等分立器件的技術(shù)平臺(tái)研發(fā)持續(xù)獲得較快進(jìn)展，產(chǎn)品性能達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平。士蘭微分立器件和大功率模塊除了加快在大型白電、工業(yè)控制等市場(chǎng)拓展外，已開始加快進(jìn)入電動(dòng)汽車、新能源等市場(chǎng)，預(yù)期今后其分立器件產(chǎn)品營(yíng)收也將繼續(xù)快速成長(zhǎng)。

2023年，士蘭微加快推進(jìn)“士蘭明鎵SiC功率器件芯片生產(chǎn)線”項(xiàng)目的建設(shè)。截至目前，士蘭明鎵已形成月產(chǎn)6000片6英寸SiC MOS芯片的生產(chǎn)能力，預(yù)計(jì)2024年年底將形成月產(chǎn)12000片6英寸SiC MOS芯片的生產(chǎn)能力。

目前，公司已完成第Ⅲ代平面柵SiC MOS技術(shù)的開發(fā)，性能指標(biāo)達(dá)到業(yè)內(nèi)同類器件結(jié)構(gòu)的先進(jìn)水平?；诠咀灾餮邪l(fā)的Ⅱ代SiC MOS芯片生產(chǎn)的電動(dòng)汽車主電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊，已通過部分客戶測(cè)試，已在2024年一季度開始實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)和交付，預(yù)計(jì)全年應(yīng)用于汽車主驅(qū)的碳化硅PIM模塊的銷售額將達(dá)到10億元人民幣。2023年，士蘭微還推出了SiC和IGBT的混合并聯(lián)驅(qū)動(dòng)方案（包括隔離柵驅(qū)動(dòng)電路）。

兩大子公司擁有月產(chǎn)14-15萬片4英寸LED芯片產(chǎn)能

2023年，士蘭微發(fā)光二極管產(chǎn)品（包括士蘭明芯、士蘭明鎵的LED芯片和美卡樂光電的LED彩屏像素管）的營(yíng)收為7.42億元，同比增加1.28%。

士蘭微表示，2023年，受LED芯片市場(chǎng)價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)加劇的影響，其LED芯片價(jià)格較去年年末下降10%-15%，導(dǎo)致控股子公司士蘭明芯、士蘭明鎵出現(xiàn)較大的經(jīng)營(yíng)性虧損。對(duì)此，士蘭微在加快推出mini-顯示芯片新產(chǎn)品、穩(wěn)固彩屏芯片市場(chǎng)份額的同時(shí)，加快植物照明芯片、汽車照明芯片、高端光耦芯片、大功率照明芯片、安防補(bǔ)光照明芯片等新產(chǎn)品上量。二季度開始，士蘭微LED芯片生產(chǎn)線產(chǎn)能利用率持續(xù)提升、已接近滿產(chǎn)。2023年全年其LED芯片銷售額較去年同期有一定幅度的增長(zhǎng)。截至目前，士蘭明芯、士蘭明鎵合計(jì)擁有月產(chǎn)14-15萬片4英寸LED芯片的產(chǎn)能。

此外，2023年，受國(guó)內(nèi)外LED彩色顯示屏市場(chǎng)需求放緩的影響，士蘭微子公司美卡樂光電公司的營(yíng)收同比下降約20%。對(duì)此，美卡樂公司在進(jìn)一步提升產(chǎn)品質(zhì)量的同時(shí)，加強(qiáng)成本管控，保持了經(jīng)營(yíng)獲利能力。2024年，隨著國(guó)內(nèi)外LED彩色顯示屏市場(chǎng)需求進(jìn)一步回升，預(yù)計(jì)美卡樂公司營(yíng)收將會(huì)較快增長(zhǎng)，其盈利水平也將得以提升。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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