集邦化合物半導(dǎo)體走訪發(fā)現(xiàn)，首屆SEMiBAY灣芯展匯集了天科合達(dá)、天岳先進(jìn)、南砂晶圓、天域半導(dǎo)體、瀚天天成等國(guó)內(nèi)碳化硅材料（襯底/外延）領(lǐng)域頭部廠商，方正微電子、華潤(rùn)微電子、至信微電子等碳化硅器件環(huán)節(jié)知名廠商，以及晶盛機(jī)電、納設(shè)智能、優(yōu)睿譜、北方華創(chuàng)、中微公司、卓興半導(dǎo)體、快克芯裝備等碳化硅設(shè)備細(xì)分賽道重量級(jí)玩家。

上述各大廠商分別展示了在第三代半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵材料、器件、設(shè)備等各個(gè)細(xì)分領(lǐng)域的最新技術(shù)與產(chǎn)品，將共同推動(dòng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展。在展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，集邦化合物半導(dǎo)體收集到20多家三代半廠商展品信息，匯總?cè)缦拢?/p>

材料領(lǐng)域，天科合達(dá)、天岳先進(jìn)、南砂晶圓、天域半導(dǎo)體、瀚天天成、中環(huán)領(lǐng)先、江豐電子等廠商重點(diǎn)展示了6/8英寸碳化硅襯底及外延片，先導(dǎo)集團(tuán)還展示了砷化鎵、磷化銦襯底及外延片。

天科合達(dá)

首屆SEMiBAY灣芯展，天科合達(dá)展示了碳化硅晶錠、6/8英寸碳化硅襯底、6/8英寸碳化硅外延片等系列產(chǎn)品，顯示其正在全面布局碳化硅襯底及外延領(lǐng)域。

目前，天科合達(dá)8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底已實(shí)現(xiàn)批量供應(yīng)，擁有零微管密度控制技術(shù)、低位錯(cuò)密度控制技術(shù)、低層錯(cuò)密度控制技術(shù)、電阻率均勻性控制技術(shù)、低應(yīng)力及面型控制技術(shù)等多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)勢(shì)。其碳化硅外延片BPD轉(zhuǎn)化效率＞99%，表面缺陷＜0.2個(gè)/cm2。

天岳先進(jìn)

本屆SEMiBAY灣芯展，天岳先進(jìn)帶來(lái)了6英寸熱沉碳化硅襯底、6英寸P型碳化硅襯底、6英寸碳化硅基異質(zhì)符合襯底、6/8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底、6/8英寸高純半絕緣碳化硅襯底等各類產(chǎn)品。

其中，天岳先進(jìn)6/8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底片已大規(guī)模應(yīng)用于新能源汽車主驅(qū)逆變器和車載充電系統(tǒng)，并得到充分驗(yàn)證，能夠滿足車規(guī)級(jí)功率器件性能需求。天岳先進(jìn)已實(shí)現(xiàn)了近“零TSD”和低BPD密度的8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶襯底制備，有效提升晶圓制備利用率，產(chǎn)品滿足芯片最高安全需求，保證了下游晶圓制備產(chǎn)能、良率和穩(wěn)定性。

南砂晶圓

本屆SEMiBAY灣芯展，南砂晶圓展示了6/8英寸導(dǎo)電型碳化硅晶錠和6/8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底片。

今年6月22日，南砂晶圓8英寸碳化硅北方基地項(xiàng)目宣布正式投產(chǎn)。當(dāng)天，南砂晶圓董事長(zhǎng)王垚浩在受訪時(shí)表示，碳化硅進(jìn)入8英寸時(shí)代比預(yù)想的要早、要快。今后三年，南砂晶圓投資擴(kuò)產(chǎn)的重中之重將放在濟(jì)南北方基地項(xiàng)目上，大幅提升8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能。

中環(huán)領(lǐng)先

作為光伏頭部廠商之一，中環(huán)領(lǐng)先在本屆SEMiBAY灣芯展上展示了6/8英寸碳化硅外延片、6/8英寸氮化鎵外延片。

近年來(lái)，通威集團(tuán)、合盛硅業(yè)、弘元綠能、高測(cè)股份、捷佳偉創(chuàng)、連城數(shù)控、邁為股份、奧特維等主流光伏廠商均積極拓展碳化硅相關(guān)業(yè)務(wù)。

天域半導(dǎo)體

本屆SEMiBAY灣芯展，天域半導(dǎo)體重點(diǎn)展示了6/8英寸碳化硅外延片。

天域于2021年開(kāi)始了8英寸碳化硅外延的技術(shù)儲(chǔ)備，并于2023年7月啟動(dòng)8英寸碳化硅外延產(chǎn)品小批量送樣。其超過(guò)千片的量產(chǎn)數(shù)據(jù)表明，8英碳化硅外延產(chǎn)品與6英寸碳化硅外延產(chǎn)品水平相當(dāng)。

瀚天天成

本屆SEMiBAY灣芯展，瀚天天成展示了8英寸碳化硅外延片。作為大中華區(qū)首家發(fā)布并量產(chǎn)8英寸碳化硅外延的廠商，瀚天天成實(shí)現(xiàn)了超過(guò)12個(gè)月連續(xù)穩(wěn)定批量交付。

瀚天天成擁有片間濃、厚度高一致性控制技術(shù)、片內(nèi)厚度高精準(zhǔn)控制技術(shù)（所有點(diǎn)容差）、片內(nèi)濃度高精準(zhǔn)控制技術(shù)(所有點(diǎn)容差)、高BPD轉(zhuǎn)化率外延生長(zhǎng)技術(shù)、大管芯高良率外延生長(zhǎng)技術(shù)等技術(shù)優(yōu)勢(shì)。

江豐電子

本屆SEMiBAY灣芯展，江豐電子展示了6/8英寸碳化硅外延片。

目前，江豐電子正在通過(guò)其控股子公司晶豐芯馳全面布局碳化硅外延領(lǐng)域，碳化硅外延片產(chǎn)品已經(jīng)得到多家客戶認(rèn)可。

先導(dǎo)集團(tuán)

本屆SEMiBAY灣芯展，先導(dǎo)集團(tuán)展示了4/6英寸砷化鎵襯底、6英寸砷化鎵外延片、2/4英寸磷化銦襯底、4英寸磷化銦外延片等產(chǎn)品。

目前，先導(dǎo)集團(tuán)可提供使用VGF技術(shù)生長(zhǎng)的2-6英寸的砷化鎵襯底，包括半絕緣砷化鎵襯底(無(wú)摻雜)和半導(dǎo)體砷化鎵襯底(摻Si或摻Zn)，以及用于VCSEL和RF應(yīng)用的低位錯(cuò)砷化鎵襯底。亦可根據(jù)客戶需求，定制非標(biāo)厚度和晶向的砷化鎵襯底。同時(shí)，先導(dǎo)集團(tuán)可提供使用2-4英寸的磷化銦襯底，包括半絕緣磷化銦襯底（摻Fe）和半導(dǎo)體磷化銦襯底（摻Si或摻Zn），以及用于特定用途的低位錯(cuò)磷化銦襯底。亦可根據(jù)客戶需求，定制非標(biāo)厚度和晶向的磷化銦襯底。

器件領(lǐng)域，方正微電子、華潤(rùn)微電子、至信微電子、基本半導(dǎo)體等廠商重點(diǎn)展示了車用碳化硅MOSFET和模塊，顯示了碳化硅加速“上車”趨勢(shì)。

方正微電子

本屆SEMiBAY灣芯展，方正微電子展示了碳化硅MOSFET、碳化硅車規(guī)模組以及氮化鎵HEMT等豐富多樣的產(chǎn)品。

在SEMiBAY灣芯展開(kāi)幕式上，方正微電子發(fā)布了車規(guī)/工規(guī)碳化硅MOSFET 1200V全系產(chǎn)品，覆蓋了新能源汽車應(yīng)用的全場(chǎng)景。其中，1200V 16m/18m/20mΩ應(yīng)用于主驅(qū)逆變控制器，1200V 35m/60m/85mΩ應(yīng)用于OBC，1200V 60m/85mΩ應(yīng)用于DC/DC，1200V 60m/85mΩ應(yīng)用于空調(diào)壓縮機(jī)，1200V 16m/20m/35m/60mΩ應(yīng)用于充電樁等場(chǎng)景。目前，方正微電子車規(guī)1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)規(guī)模應(yīng)用，特別是已在新能源汽車主驅(qū)控制器上規(guī)模上車。

華潤(rùn)微電子

本屆SEMiBAY灣芯展，華潤(rùn)微電子展示了碳化硅MOSFET模塊產(chǎn)品，可廣泛應(yīng)用于電動(dòng)壓縮機(jī)、三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)器、電機(jī)和牽引驅(qū)動(dòng)器、車載OBC等場(chǎng)景。

在氮化鎵領(lǐng)域，2024年上半年，華潤(rùn)微完成8英寸中壓（100-200V）增強(qiáng)型P-GaN工藝平臺(tái)建設(shè)，并完成首顆150V/36A增強(qiáng)型器件樣品的制備。同時(shí)，華潤(rùn)微采用新型的GaN控制及驅(qū)動(dòng)技術(shù)，開(kāi)發(fā)原邊、副邊控制芯片，及GaN驅(qū)動(dòng)芯片，推出基于GaN的高效能快充系統(tǒng)方案，最大輸出功率可達(dá)65W。

至信微電子

本屆SEMiBAY灣芯展，至信微電子展示了650V/900V/1200V/1700V等不同電壓等級(jí)的碳化硅MOSFET以及模塊產(chǎn)品。

至信微電子碳化硅MOSFET取得了AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證，并通過(guò)了HV-H3TRB測(cè)試。其中，1200V碳化硅MOSFET技術(shù)平臺(tái)取得了AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證，通過(guò)了960V HV-H3TRB測(cè)試，1200V、750V系列MOSFET已通過(guò)HTRB(175°C/100%BV)1000小時(shí)、HVH3TRB（高壓）1000小時(shí)等多項(xiàng)可靠性考核。

基本半導(dǎo)體

本屆SEMiBAY灣芯展，基本半導(dǎo)體重點(diǎn)展示了碳化硅SBD、MOSFET晶圓以及各類工業(yè)級(jí)/汽車級(jí)碳化硅MOSFET模塊產(chǎn)品，其中，汽車級(jí)碳化硅模塊可廣泛應(yīng)用于新能源乘用車、商用車等的電氣驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、燃料電池能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等場(chǎng)景，工業(yè)級(jí)碳化硅模塊可應(yīng)用于不間斷電源UPS、高端工業(yè)電焊機(jī)等場(chǎng)景。

今年9月26日，廣汽埃安旗下埃安AION RT開(kāi)啟全球預(yù)售，搭載了基本半導(dǎo)體750V全碳化硅功率模塊。

設(shè)備領(lǐng)域，晶盛機(jī)電、納設(shè)智能、優(yōu)睿譜、北方華創(chuàng)、中微公司、卓興半導(dǎo)體、快克芯裝備、芯三代、思銳智能等廠商帶來(lái)了碳化硅產(chǎn)線各個(gè)環(huán)節(jié)所需的相關(guān)設(shè)備，各有千秋。

晶盛機(jī)電

本屆SEMiBAY灣芯展，晶盛機(jī)電展示了8英寸碳化硅晶錠和8英寸碳化硅晶圓產(chǎn)品。

作為一家半導(dǎo)體設(shè)備廠商，晶盛機(jī)電在碳化硅領(lǐng)域開(kāi)發(fā)了6-8英寸碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備、切片設(shè)備、減薄設(shè)備、拋光設(shè)備、外延設(shè)備等，實(shí)現(xiàn)了碳化硅外延設(shè)備的國(guó)產(chǎn)替代，并創(chuàng)新性推出雙片式碳化硅外延設(shè)備，大幅提升外延產(chǎn)能。

納設(shè)智能

本屆SEMiBAY灣芯展，納設(shè)智能展示了6英寸碳化硅外延設(shè)備以及單、雙腔8英寸碳化硅外延設(shè)備。

其中，納設(shè)智能6英寸碳化硅外延設(shè)備在2023年已批量出貨給多家外延客戶，也獲得了批量驗(yàn)收。在此基礎(chǔ)上，納設(shè)智能研發(fā)并交付了8英寸碳化硅外延設(shè)備，其具備獨(dú)特的反應(yīng)腔室設(shè)計(jì)、可獨(dú)立控制的多區(qū)進(jìn)氣方式等特點(diǎn)，能提高外延片的均勻性，降低外延缺陷及生產(chǎn)中的耗材成本。目前，該設(shè)備已銷售給多個(gè)客戶。

優(yōu)睿譜

本屆SEMiBAY灣芯展，優(yōu)睿譜展示了6/8寸碳化硅襯底位錯(cuò)、微管檢測(cè)設(shè)備SICD200，6/8寸碳化硅襯底邊緣、宏觀缺陷檢測(cè)設(shè)備SICE200，6/8寸硅/碳化硅晶圓襯底及同質(zhì)外延片電阻率（載流子濃度）測(cè)量設(shè)備SICV200，6/8寸硅/碳化硅晶圓元素濃度與外延膜厚量測(cè)設(shè)備Eos200/Eos200+等產(chǎn)品。

優(yōu)睿譜半導(dǎo)體于2023年推出了SICD200和SICV200。其中，SID200可實(shí)現(xiàn)碳化硅位錯(cuò)檢測(cè)的整片晶圓全檢測(cè)，并已獲境外顧客訂；SICV200可用于硅片電阻率、碳化硅或其它半導(dǎo)體材料摻雜濃度的測(cè)量，已得到多家客戶的訂單。今年6月，優(yōu)睿譜再交付客戶一款晶圓邊緣檢測(cè)設(shè)備SICE200。

北方華創(chuàng)

本屆SEMiBAY灣芯展，北方華創(chuàng)展示了8英寸立式爐、立式/臥式管舟清洗設(shè)備、擴(kuò)散/氧化系統(tǒng)等碳化硅相關(guān)設(shè)備。

北方華創(chuàng)專注于半導(dǎo)體基礎(chǔ)產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術(shù)服務(wù)，在半導(dǎo)體裝備業(yè)務(wù)板塊，北方華創(chuàng)的主要產(chǎn)品包括刻蝕、薄膜沉積、爐管、清洗、晶體生長(zhǎng)等核心工藝裝備，廣泛應(yīng)用于功率半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體、襯底材料等制造領(lǐng)域。

中微公司

本屆SEMiBAY灣芯展，中微公司展示了一款氮化鎵功率器件量產(chǎn)MOCVD設(shè)備PRISMO PD5。

中微公司主要擁有五類設(shè)備產(chǎn)品，分別是CCP電容性刻蝕機(jī)、ICP電感性刻蝕機(jī)、深硅刻蝕機(jī)、MOCVD、薄膜沉積設(shè)備、VOC設(shè)備。中微公司于2022年推出了PRISMO PD5，已交付至國(guó)內(nèi)外客戶，并取得了重復(fù)訂單，而碳化硅功率器件外延生產(chǎn)設(shè)備正在開(kāi)發(fā)中。

卓興半導(dǎo)體

本屆SEMiBAY灣芯展，卓興半導(dǎo)體展示了多款半導(dǎo)體相關(guān)設(shè)備，其中包括高精度多功能貼片機(jī)、半導(dǎo)體銀膠粘片機(jī)等適用于碳化硅領(lǐng)域的設(shè)備。

其中，AS8123半導(dǎo)體銀膠粘片機(jī)支持2-12英寸晶圓，支持多種來(lái)料，可選配不同工藝，無(wú)往復(fù)時(shí)間，效率提升60%；AS8136高精度多功能貼片機(jī)也支持2-12英寸晶圓，能夠同時(shí)支持4張2英寸晶圓。

快克芯裝備

本屆SEMiBAY灣芯展，快克芯裝備展示了碳化硅熱貼固晶機(jī)、微納金屬銀燒結(jié)等多種碳化硅相關(guān)設(shè)備。

其中，銀燒結(jié)具有優(yōu)異的導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性高粘接強(qiáng)度和高穩(wěn)定性等特點(diǎn),其燒結(jié)體適合長(zhǎng)期高溫服役,銀燒結(jié)是碳化硅等高功率器件/模塊的核心封裝工藝。快克芯裝備自主研發(fā)的微納金屬銀燒結(jié)設(shè)備可滿足芯片燒結(jié)、Clip燒結(jié)以及模塊系統(tǒng)燒結(jié)等工藝需求。

思銳智能

本屆SEMiBAY灣芯展，思銳智能展示了碳化硅離子注入機(jī)SRII-4.5M/200，采用先進(jìn)的Al離子源技術(shù)，Al+注入流量分別可達(dá)1mA/7mA。

思銳智能產(chǎn)品有原子層沉積鍍膜（ALD）設(shè)備、薄膜電發(fā)光顯示器（LDI）設(shè)備以及離子注入（IMP）設(shè)備三大產(chǎn)品系列。氮化鎵領(lǐng)域涉及到非常多ALD相關(guān)的應(yīng)用，而思銳智能的Transform系列量產(chǎn)型ALD沉積鍍膜設(shè)備能夠有效增強(qiáng)氮化鎵器件的性能，該系列設(shè)備于2023年7月獲得了英諾賽科的訂單。

芯三代

本屆SEMiBAY灣芯展，芯三代展示了采用其自研碳化硅外延設(shè)備制造的碳化硅外延片。

芯三代致力于研發(fā)生產(chǎn)半導(dǎo)體相關(guān)專業(yè)設(shè)備，目前聚焦于SiC-CVD裝備。芯三代將工藝和設(shè)備緊密結(jié)合研發(fā)的SiC-CVD設(shè)備通過(guò)溫場(chǎng)控制、流場(chǎng)控制等方面的設(shè)計(jì)，在高產(chǎn)能、6/8英寸兼容、CoO成本、長(zhǎng)時(shí)間多爐數(shù)連續(xù)自動(dòng)生長(zhǎng)控制、低缺陷率、維護(hù)便利性和可靠性等方面都具有優(yōu)勢(shì)。

小結(jié)

本屆SEMiBAY灣芯展，三代半相關(guān)廠商重點(diǎn)展示了碳化硅材料、器件以及設(shè)備相關(guān)產(chǎn)品，彰顯了碳化硅產(chǎn)業(yè)的火熱發(fā)展。

在碳化硅材料端，各大廠商正在加速8英寸轉(zhuǎn)型，8英寸襯底與外延將在未來(lái)2-3年逐步起量；在器件端，相關(guān)企業(yè)重點(diǎn)搶攻車用市場(chǎng)，以順應(yīng)新能源汽車大爆發(fā)帶來(lái)的產(chǎn)品需求，光伏、工業(yè)等場(chǎng)景也已成為熱門應(yīng)用方向；設(shè)備端，國(guó)內(nèi)廠商多點(diǎn)開(kāi)花，尋求國(guó)產(chǎn)替代機(jī)會(huì)。

隨著碳化硅價(jià)格持續(xù)下跌，向各應(yīng)用領(lǐng)域的滲透加速，同時(shí)廠商之間的競(jìng)爭(zhēng)將更加激烈。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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天岳先進(jìn)介紹，公司董事長(zhǎng)宗艷民先生率團(tuán)于2024年8月30日訪問(wèn)了海信集團(tuán)，公司家電集團(tuán)研發(fā)技術(shù)負(fù)責(zé)人與海信空調(diào)事業(yè)部負(fù)責(zé)人等就SiC（碳化硅）半導(dǎo)體材料和器件的技術(shù)進(jìn)展方向，以及SiC功率器件在白色家電上的應(yīng)用展開(kāi)了廣泛深度的交流。

來(lái)源：天岳先進(jìn)

近幾年來(lái)，在全球推行節(jié)能減碳的趨勢(shì)下，各國(guó)相繼頒布更高的能效規(guī)范，各行各業(yè)在發(fā)展過(guò)程中對(duì)提高能效的重視程度不斷提升。

以家電領(lǐng)域的空調(diào)為例，家用空調(diào)新能效標(biāo)準(zhǔn)在2020年實(shí)施，因此提高產(chǎn)品能效成為空調(diào)產(chǎn)品升級(jí)的重要方向，而SiC器件因其耐高溫、耐高壓、高功率、高頻率等優(yōu)異的性能和突出的“節(jié)能”效果受到空調(diào)等白色家電領(lǐng)域的廣泛關(guān)注，已成為白色家電領(lǐng)域技術(shù)創(chuàng)新重點(diǎn)方向之一，應(yīng)用包括電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源轉(zhuǎn)換、逆變器等多種場(chǎng)景。

具體來(lái)看，SiC可通過(guò)提高效率，減少空調(diào)散熱器的尺寸和熱管理成本；同時(shí)，通過(guò)更高的開(kāi)關(guān)頻率，降低磁性元件的成本和尺寸，實(shí)現(xiàn)更高的功率密度；此外，SiC低電磁干擾的特性可減少電磁干擾濾波器和相關(guān)研發(fā)的成本。結(jié)合這些優(yōu)勢(shì)，SiC可幫助客戶提升系統(tǒng)性能、降低系統(tǒng)成本。

英飛凌、Wolfspeed、三菱電機(jī)、羅姆等SiC產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)廠商一直以來(lái)也在積極開(kāi)拓白色家電市場(chǎng)。其中，Wolfspeed在2022年便公開(kāi)介紹過(guò)其在空調(diào)等家電市場(chǎng)的布局和進(jìn)展。據(jù)當(dāng)時(shí)介紹，其SiC二極管已用于家用和商用空調(diào)行業(yè)，系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)相比于傳統(tǒng)的快恢復(fù)二極管更高。在空調(diào)壓縮機(jī)的驅(qū)動(dòng)上，當(dāng)時(shí)也已有客戶在使用Wolfspeed的SiC MOSFET替代原有的IGBT方案，以實(shí)現(xiàn)更高的效率和功率密度。

三菱電機(jī)也在其空調(diào)產(chǎn)品中引入了基于SiC的功率半導(dǎo)體模塊，用在空調(diào)的逆變器中，大幅提高了系統(tǒng)的能效，同時(shí)減小了功率模塊的體積和重量。

除了空調(diào)之外，SiC在其他家電產(chǎn)品中的應(yīng)用前景也備受看好。比如，Wolfspeed同步拓展了SiC在電視機(jī)等更多白色家電產(chǎn)品中的應(yīng)用場(chǎng)景，此前已經(jīng)與重點(diǎn)客戶合作應(yīng)用SiC MOSFET和SiC二極管。

盡管目前SiC在家電領(lǐng)域也仍然未到大規(guī)模應(yīng)用的階段，但其技術(shù)成熟度以及成本效益已經(jīng)有了較大的提升，接下來(lái)有望進(jìn)一步打開(kāi)空調(diào)、電視機(jī)、微波爐等更多家電產(chǎn)品的市場(chǎng)。

就天岳先進(jìn)與海信的合作來(lái)看，天岳先進(jìn)目前已是SiC技術(shù)推廣、產(chǎn)品應(yīng)用及產(chǎn)能擴(kuò)充等各方面的主要力量之一，而海信旗下有海信（Hisense）、東芝電視（Toshiba TV）、容聲（Ronshen）、gorenje、ASKO等多個(gè)品牌，家電產(chǎn)品系列多元化，加上其在產(chǎn)業(yè)發(fā)展上，正在向產(chǎn)業(yè)高端和高端產(chǎn)業(yè)上推進(jìn)，具備充分的條件導(dǎo)入SiC技術(shù)。未來(lái)，雙方的合作有望助力SiC加速滲透白色家電市場(chǎng)。（集邦化合物半導(dǎo)體Jenny整理）

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天岳先進(jìn)上半年扭虧為盈

天岳先進(jìn)2024年半年度報(bào)告數(shù)據(jù)顯示，2024年上半年，天岳先進(jìn)實(shí)現(xiàn)營(yíng)收9.12億元，同比增長(zhǎng)108.27%；歸母凈利潤(rùn)1.02億元，同比扭虧為盈。

產(chǎn)品方面，目前，天岳先進(jìn)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)8英寸導(dǎo)電型襯底、6英寸導(dǎo)電型襯底、6英寸半絕緣型襯底、4英寸半絕緣襯底等產(chǎn)品的批量供應(yīng)，主要客戶包括國(guó)內(nèi)外電力電子器件、5G通信、汽車電子等領(lǐng)域知名客戶。

產(chǎn)能布局方面，天岳先進(jìn)目前已形成山東濟(jì)南、濟(jì)寧碳化硅半導(dǎo)體材料生產(chǎn)基地。上海臨港智慧工廠已于2023年5月實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品交付，是其導(dǎo)電型碳化硅襯底主要生產(chǎn)基地。

技術(shù)研發(fā)方面，天岳先進(jìn)設(shè)有碳化硅半導(dǎo)體材料研發(fā)技術(shù)國(guó)家地方聯(lián)合工程研究中心、國(guó)家級(jí)博士后科研工作站、山東省碳化硅材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室等國(guó)家和省級(jí)研發(fā)平臺(tái)，承擔(dān)了一系列國(guó)家和省部級(jí)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。其子公司上海天岳與長(zhǎng)三角國(guó)家技術(shù)創(chuàng)新中心、上海長(zhǎng)三角技術(shù)創(chuàng)新研究院共建了“長(zhǎng)三角國(guó)家技術(shù)創(chuàng)新中心-天岳半導(dǎo)體聯(lián)合創(chuàng)新中心”，共同推動(dòng)碳化硅半導(dǎo)體領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)。

關(guān)于業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)原因，天岳先進(jìn)表示，報(bào)告期內(nèi)，得益于碳化硅半導(dǎo)體材料在新能源汽車及風(fēng)光儲(chǔ)等應(yīng)用領(lǐng)域的持續(xù)滲透，下游應(yīng)用市場(chǎng)持續(xù)擴(kuò)大，終端對(duì)高品質(zhì)、車規(guī)級(jí)產(chǎn)品的需求旺盛。其導(dǎo)電型產(chǎn)品產(chǎn)能產(chǎn)量持續(xù)提升，產(chǎn)品交付能力持續(xù)增加，隨著新建產(chǎn)能的利用率提升，產(chǎn)能規(guī)模的擴(kuò)大，盈利能力提高。

納芯微上半年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收8.49億元，同比增長(zhǎng)17.30%

納芯微2024年半年度報(bào)告數(shù)據(jù)顯示，2024年上半年，納芯微實(shí)現(xiàn)營(yíng)收8.49億元，同比增長(zhǎng)17.30%；歸母凈利潤(rùn)-2.65億元，歸母扣非凈利潤(rùn)-2.86億元。

關(guān)于營(yíng)收增長(zhǎng)原因，納芯微表示，隨著下游汽車電子領(lǐng)域需求穩(wěn)健增長(zhǎng)，其汽車電子領(lǐng)域相關(guān)產(chǎn)品持續(xù)放量，以及消費(fèi)電子領(lǐng)域景氣度的持續(xù)改善，其實(shí)現(xiàn)營(yíng)收同比增長(zhǎng)。

關(guān)于凈利潤(rùn)下滑，納芯微表示，受整體宏觀經(jīng)濟(jì)以及市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇的影響，其產(chǎn)品售價(jià)承壓，毛利率較上年同期有所下降；同時(shí)，其在市場(chǎng)開(kāi)拓、供應(yīng)鏈體系建設(shè)、產(chǎn)品質(zhì)量管理、人才建設(shè)等多方面資源投入的積累，使得公司銷售費(fèi)用、管理費(fèi)用同比上升。

納芯微是一家高性能高可靠性模擬及混合信號(hào)芯片公司，產(chǎn)品涵蓋傳感器、信號(hào)鏈和電源管理三大領(lǐng)域，被廣泛應(yīng)用于汽車、泛能源及消費(fèi)電子場(chǎng)景，其中泛能源領(lǐng)域主要是指圍繞能源系統(tǒng)的工業(yè)類應(yīng)用，從發(fā)電端、到輸電、到配電、再到用電端的各個(gè)領(lǐng)域，包括光伏儲(chǔ)能、模塊電源、工控、電力電子等。

納芯微以信號(hào)鏈技術(shù)為基礎(chǔ)，在模擬及混合信號(hào)領(lǐng)域開(kāi)展了自主研發(fā)工作，并在傳感器、信號(hào)鏈、電源與驅(qū)動(dòng)、化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域形成了多項(xiàng)核心技術(shù)，上述核心技術(shù)均已應(yīng)用于其主要產(chǎn)品。

在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，納芯微的碳化硅二極管基于混合式PIN-肖特基二極管技術(shù)，推出了1200V系列產(chǎn)品，可實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通電壓<1.4V,極低的反向漏電流uA級(jí)，額定電流10倍以上的抗浪涌電流能力；碳化硅MOSFET器件基于平面柵工藝，推出新一代自對(duì)準(zhǔn)高電流密度產(chǎn)品，可實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的比導(dǎo)通電阻參數(shù)<4mohm2，損耗更低，同時(shí)兼容15V/18V驅(qū)動(dòng)電壓。該技術(shù)常用于光伏、儲(chǔ)能、充電樁、電動(dòng)汽車充電機(jī)、主驅(qū)動(dòng)等電力電子場(chǎng)景，用以降低系統(tǒng)損耗、成本及體積等參數(shù)。

揚(yáng)杰科技上半年碳化硅等產(chǎn)品訂單和出貨量同比增長(zhǎng)

揚(yáng)杰科技2024年半年度報(bào)告數(shù)顯示，2024年上半年，揚(yáng)杰科技實(shí)現(xiàn)營(yíng)收28.65億元，同比增長(zhǎng)9.16%；歸母凈利潤(rùn)4.25億元，同比增長(zhǎng)3.43%；歸母扣非凈利潤(rùn)4.22億元，同比增長(zhǎng)3.04%。

揚(yáng)杰科技致力于功率半導(dǎo)體硅片、芯片及器件設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試等中高端領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)發(fā)展，其主營(yíng)產(chǎn)品主要分為三大板塊，具體包括材料板塊（單晶硅棒、硅片、外延片）、晶圓板塊（5英寸、6英寸、8英寸等各類電力電子器件芯片）及封裝器件板塊（MOSFET、IGBT、SiC系列產(chǎn)品、整流器件、保護(hù)器件、小信號(hào)及其他產(chǎn)品系列等），產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車電子、清潔能源、5G通訊、安防、工業(yè)、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域。

報(bào)告期內(nèi)，揚(yáng)杰科技不斷加大Mosfet、IGBT、SiC等產(chǎn)品在工業(yè)、光伏儲(chǔ)能、新能源汽車、人工智能等市場(chǎng)的推廣力度，整體訂單和出貨量較去年同期提升。

上半年，揚(yáng)杰科技針對(duì)新能源汽車控制器應(yīng)用，重點(diǎn)解決了低電感封裝、多芯片均流、銅線互連、銀燒結(jié)等關(guān)鍵技術(shù)，研制了750V/820A IGBT模塊、1200V/2mΩ三相橋SiC模塊。

宏微科技上半年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收6.37億元，首款1200V碳化硅MOSFET芯片研制成功

宏微科技2024年半年度報(bào)告數(shù)據(jù)顯示，2024年上半年，宏微科技實(shí)現(xiàn)營(yíng)收6.37億元，同比下滑16.72%；歸母凈利潤(rùn)0.03億元，同比下滑95.98%。

宏微科技從事IGBT、FRD為主的功率半導(dǎo)體芯片、單管和模塊的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，并為客戶提供功率半導(dǎo)體器件的解決方案。

報(bào)告期內(nèi)，宏微科技產(chǎn)品已涵蓋IGBT、FRD、MOSFET芯片及單管產(chǎn)品300余種，IGBT、FRD、MOSFET、整流二極管及晶閘管等灌封和塑封模塊產(chǎn)品600余種，應(yīng)用于工業(yè)控制（變頻器、伺服電機(jī)、UPS及各種開(kāi)關(guān)電源等），新能源發(fā)電（光伏逆變器、風(fēng)能變流器和電能質(zhì)量管理）、新能源汽車（電控系統(tǒng)、充電樁和OBC、DC電源）等領(lǐng)域。

在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，宏微科技布局了SiC芯片和封裝業(yè)務(wù)，相關(guān)的SiC模塊已批量應(yīng)用于新能源等行業(yè)。

業(yè)務(wù)進(jìn)展方面，宏微科技首款1200V SiC MOSFET芯片已研制成功，自主研發(fā)的SiC SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）芯片已經(jīng)通過(guò)可靠性驗(yàn)證，并已通過(guò)終端客戶驗(yàn)證；其新能源汽車碳化硅模塊1款產(chǎn)品在整機(jī)客戶端認(rèn)證中，1款產(chǎn)品工藝調(diào)試中；不間斷電源（UPS）系統(tǒng)定制的三電平SiC混合模塊已經(jīng)完成開(kāi)發(fā)，已經(jīng)開(kāi)始批量供貨；SiC混合封裝光伏用模塊已突破100萬(wàn)只。

中微公司上半年?duì)I收增長(zhǎng)36.46%，碳化硅功率器件外延生產(chǎn)設(shè)備開(kāi)展驗(yàn)證測(cè)試

中微公司2024年半年度報(bào)告數(shù)據(jù)顯示，2024年上半年，中微公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收34.48億元，同比增長(zhǎng)36.46%；歸母凈利潤(rùn)5.17億元，同比下滑48.48%；歸母扣非凈利潤(rùn)4.83億元，同比下滑6.88%。

中微公司主要從事半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，通過(guò)向下游集成電路、LED外延片、先進(jìn)封裝、MEMS等半導(dǎo)體產(chǎn)品的制造公司銷售等離子體刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備和MOCVD設(shè)備、提供配件及服務(wù)實(shí)現(xiàn)收入和利潤(rùn)。

報(bào)告顯示，中微公司本期刻蝕設(shè)備收入為26.98億元，較上年同期增長(zhǎng)約56.68%，刻蝕設(shè)備占營(yíng)業(yè)收入的比重由上年同期的68.16%提升至本期的78.26%。其另一重要產(chǎn)品MOCVD設(shè)備本期收入1.52億元，較上年同期減少約49.04%。

上半年，中微公司積極布局用于碳化硅和氮化鎵基功率器件應(yīng)用的市場(chǎng)，并在Micro-LED和其他顯示領(lǐng)域的專用MOCVD設(shè)備開(kāi)發(fā)上取得良好進(jìn)展，已付運(yùn)和將付運(yùn)幾種MOCVD新產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng)。此外，本期其新產(chǎn)品LPCVD設(shè)備實(shí)現(xiàn)首臺(tái)銷售，收入0.28億元。

目前，中微公司用于碳化硅功率器件外延生產(chǎn)的設(shè)備正在開(kāi)發(fā)中，已付運(yùn)樣機(jī)至國(guó)內(nèi)領(lǐng)先客戶開(kāi)展驗(yàn)證測(cè)試；下一代用于氮化鎵功率器件制造的MOCVD設(shè)備也正在按計(jì)劃開(kāi)發(fā)中。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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此前在7月14日晚間，天岳先進(jìn)發(fā)布了2024年半年度業(yè)績(jī)預(yù)告。天岳先進(jìn)預(yù)計(jì)2024年上半年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收8.8億元-9.8億元，歸母凈利潤(rùn)1億-1.1億元。由此可見(jiàn)，天岳先進(jìn)上半年?duì)I收和凈利潤(rùn)符合預(yù)期。

從更長(zhǎng)的時(shí)間軸來(lái)看，天岳先進(jìn)在2022年和2023年都沒(méi)能實(shí)現(xiàn)盈利，而在2024年上半年已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了半年度盈利，2024年下半年，疊加碳化硅襯底市場(chǎng)需求增長(zhǎng)、天岳先進(jìn)產(chǎn)能逐步釋放、客戶訂單持續(xù)履約等方面的利好因素，天岳先進(jìn)在下半年有望持續(xù)盈利，進(jìn)而帶動(dòng)2024年全年扭虧為盈。

碳化硅加速滲透，天岳先進(jìn)進(jìn)入收獲期

目前，終端應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Ω咂焚|(zhì)碳化硅產(chǎn)品的需求旺盛，尤其是新能源汽車產(chǎn)業(yè)，碳化硅正在快速滲透，從近期密集發(fā)布的搭載碳化硅電驅(qū)、電控等產(chǎn)品的各種新車型可窺見(jiàn)一斑。

從今年4月發(fā)布的奇瑞汽車星途品牌全新純電SUV星紀(jì)元STERRA ES，到7月發(fā)布的第二代AION V埃安霸王龍，再到8月發(fā)布的鴻蒙智行首款豪華旗艦轎車享界S9、2025款海豹、2025款極氪007等車型，以及8月底將開(kāi)啟預(yù)售的嵐圖汽車旗下嵐圖知音SUV，都搭載了碳化硅電驅(qū)或電控產(chǎn)品，碳化硅加速“上車”趨勢(shì)已十分明朗。

早期，受制于成本等原因，碳化硅產(chǎn)品基本用于新能源汽車中高端車型，近年來(lái)，隨著碳化硅產(chǎn)品成本下探，碳化硅呈現(xiàn)向中低端車型滲透之勢(shì)，而中低端車型更大的市場(chǎng)和銷量帶給包括襯底企業(yè)在內(nèi)的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈上下游廠商更多機(jī)會(huì)，實(shí)現(xiàn)業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)。

在市場(chǎng)需求驅(qū)動(dòng)下，碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈掀起了一股投資擴(kuò)產(chǎn)熱潮，其中，碳化硅襯底頭部廠商天科合達(dá)近日再次出手，計(jì)劃擴(kuò)充年產(chǎn)約37.1萬(wàn)片導(dǎo)電型碳化硅襯底的產(chǎn)能，其中包括6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底23.6萬(wàn)片、8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底13.5萬(wàn)片。

天岳先進(jìn)近幾年也在持續(xù)加碼碳化硅襯底產(chǎn)能，其上海臨港智慧工廠已于2023年5月實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品交付，是天岳先進(jìn)導(dǎo)電型碳化硅襯底主要生產(chǎn)基地。2024年上半年，天岳先進(jìn)上海臨港工廠產(chǎn)能持續(xù)釋放，其導(dǎo)電型碳化硅襯底產(chǎn)品產(chǎn)能產(chǎn)量持續(xù)提升，產(chǎn)品交付能力不斷增加。

基于碳化硅襯底產(chǎn)能，天岳先進(jìn)在2022年7月與某客戶簽訂了一份13.93億元的框架協(xié)議，合同期為2023年至2025年；2023年8月，天岳先進(jìn)又宣布與某客戶簽訂了一份框架采購(gòu)協(xié)議，時(shí)間跨度為2024年至2026年，金額為8.05億元。兩筆訂單合計(jì)金額近22億元，將在2023年至2026年期間，對(duì)天岳先進(jìn)業(yè)績(jī)產(chǎn)生促進(jìn)作用，成為推動(dòng)其實(shí)現(xiàn)扭虧為盈的動(dòng)力之一。

價(jià)格承壓，碳化硅襯底廠商“掙錢難”

碳化硅襯底廠商業(yè)績(jī)不盡人意，與產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況密切相關(guān)。當(dāng)前，碳化硅襯底價(jià)格下降趨勢(shì)已日漸明朗，這與近年來(lái)碳化硅襯底“瘋狂”擴(kuò)產(chǎn)有直接關(guān)系，2024年，全球6英寸碳化硅襯底產(chǎn)能開(kāi)始集中釋放。

在碳化硅襯底價(jià)格承壓的情況下，尋求降本增效成為各大廠商必由之路，而轉(zhuǎn)型8英寸能在一定程度上降低成本，成為各大襯底廠商關(guān)注的重點(diǎn)。

目前，Wolfspeed、天科合達(dá)、天岳先進(jìn)、三安光電等國(guó)內(nèi)外襯底大廠都在積極布局8英寸，隨著各個(gè)廠商8英寸項(xiàng)目陸續(xù)建成達(dá)產(chǎn)，8英寸碳化硅襯底的競(jìng)爭(zhēng)也會(huì)加劇，相關(guān)廠商業(yè)績(jī)的未來(lái)走勢(shì)如何，我們拭目以待。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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source：天岳先進(jìn)

碳化硅襯底毛利提升，天岳先進(jìn)劍指扭虧為盈

根據(jù)此前發(fā)布的財(cái)報(bào)，天岳先進(jìn)在2023年下半年也曾實(shí)現(xiàn)半年度扭虧為盈，但未能帶動(dòng)2023年全年凈利潤(rùn)轉(zhuǎn)正，而在2024年上半年再度實(shí)現(xiàn)半年度扭虧為盈，或有望助力天岳先進(jìn)在2024年實(shí)現(xiàn)全年扭虧為盈，具體從天岳先進(jìn)近幾年的財(cái)報(bào)中可以窺見(jiàn)端倪。

近年來(lái)，天岳先進(jìn)業(yè)績(jī)表現(xiàn)可謂一波三折。2018-2020年間，其營(yíng)收逐步增加、虧損逐步增大，2021年天岳先進(jìn)實(shí)現(xiàn)盈利，2022-2023年其再度處于虧損狀態(tài)，但虧損幅度有所收窄。

天岳先進(jìn)2023年財(cái)報(bào)顯示，歸母凈利潤(rùn)為-0.46億元，虧損同比大幅收窄，已接近實(shí)現(xiàn)盈利。同時(shí)，天岳先進(jìn)2023年各季度襯底產(chǎn)品毛利率持續(xù)提升，碳化硅半導(dǎo)體材料全年綜合毛利率為17.53%，較2022年增加18.24個(gè)百分點(diǎn)。按照天岳先進(jìn)的業(yè)績(jī)走勢(shì)，2024年有望成為天岳先進(jìn)再度實(shí)現(xiàn)盈利并維持盈利狀態(tài)的關(guān)鍵年。

從整個(gè)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)看，襯底廠商似乎普遍“掙錢難”，強(qiáng)如全球碳化硅襯底龍頭廠商Wolfspeed，其近年來(lái)的業(yè)績(jī)情況亦不盡人意。從2019至2023五個(gè)財(cái)年的營(yíng)收和持續(xù)經(jīng)營(yíng)凈虧損（GAAP）數(shù)據(jù)來(lái)看，Wolfspeed營(yíng)收保持逐年增長(zhǎng)，利潤(rùn)方面，雖然2022和2023財(cái)年虧損程度相比2021財(cái)年有所下降，但仍沒(méi)有達(dá)到Wolfspeed的預(yù)期。

在此背景下，天岳先進(jìn)能夠不斷收窄虧損，并朝著實(shí)現(xiàn)全年盈利邁進(jìn)，與其近年來(lái)的一系列調(diào)整和拓展密切相關(guān)。

緊跟產(chǎn)業(yè)潮流，天岳先進(jìn)調(diào)整導(dǎo)電型碳化硅襯底產(chǎn)能

關(guān)于2024年上半年實(shí)現(xiàn)扭虧為盈的原因，天岳先進(jìn)表示，一是碳化硅材料在新能源汽車、光儲(chǔ)充等應(yīng)用領(lǐng)域的持續(xù)滲透，下游應(yīng)用市場(chǎng)持續(xù)擴(kuò)大，終端對(duì)高品質(zhì)、車規(guī)級(jí)產(chǎn)品的需求旺盛；二是其加強(qiáng)了與國(guó)內(nèi)外一線大廠的合作，業(yè)務(wù)穩(wěn)健發(fā)展，且隨著上海臨港工廠產(chǎn)能釋放，其導(dǎo)電型產(chǎn)品產(chǎn)能產(chǎn)量持續(xù)提升，產(chǎn)品交付能力持續(xù)增加。

不難看出，天岳先進(jìn)業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)的促進(jìn)因素主要包括兩個(gè)方面；一方面是市場(chǎng)需求增長(zhǎng)，企業(yè)因此受益；另外一個(gè)方面是產(chǎn)品類型調(diào)整及產(chǎn)能提升，支撐其持續(xù)擴(kuò)大合作。

市場(chǎng)方面，近年來(lái)，在新能源汽車、光儲(chǔ)充等應(yīng)用領(lǐng)域需求增長(zhǎng)帶動(dòng)下，碳化硅產(chǎn)業(yè)規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng)。據(jù)TrendForce集邦咨詢《2024全球SiC Power Device市場(chǎng)分析報(bào)告》，2023年全球碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模約30.4億美元，至2028年有望上升至91.7億美元，CAGR達(dá)25%。

尤其是在碳化硅加速“上車”大趨勢(shì)下，天岳先進(jìn)抓住機(jī)會(huì)，與下游電力電子領(lǐng)域的國(guó)內(nèi)外知名企業(yè)開(kāi)展了廣泛合作，其中包括英飛凌、博世等。

與此同時(shí)，天岳先進(jìn)不斷調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，向生產(chǎn)契合市場(chǎng)和用戶需求的產(chǎn)品方向轉(zhuǎn)型升級(jí)。前幾年，天岳先進(jìn)的產(chǎn)能結(jié)構(gòu)中，以半絕緣型碳化硅襯底為主，但在終端應(yīng)用方面，半絕緣型襯底市場(chǎng)近年來(lái)持續(xù)低迷，反而是面向新能源汽車等市場(chǎng)的導(dǎo)電型襯底產(chǎn)品需求快速增長(zhǎng)。對(duì)此，天岳先進(jìn)順勢(shì)進(jìn)行了產(chǎn)能調(diào)整。

在天岳先進(jìn)兩大生產(chǎn)基地當(dāng)中，濟(jì)南工廠經(jīng)過(guò)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)調(diào)整后，其導(dǎo)電型產(chǎn)品的產(chǎn)量在2022年末已超過(guò)半絕緣型產(chǎn)品；上海臨港工廠則all in導(dǎo)電型碳化硅襯底產(chǎn)品，且年產(chǎn)能由最初規(guī)劃的30萬(wàn)片擴(kuò)大到了96萬(wàn)片。

在產(chǎn)品調(diào)整基礎(chǔ)上，天岳先進(jìn)持續(xù)拓展合作。2022年7月，天岳先進(jìn)宣布與某客戶簽訂了一份13.93億元的框架協(xié)議，合同期為2023年至2025年，銷售的產(chǎn)品為6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底產(chǎn)品；2023年8月，天岳先進(jìn)又宣布與某客戶簽訂了一份框架采購(gòu)協(xié)議，約定2024年至2026年向合同對(duì)方銷售碳化硅產(chǎn)品，預(yù)計(jì)含稅銷售三年合計(jì)金額為8.05億元。

小結(jié)

整體來(lái)看，碳化硅市場(chǎng)需求增長(zhǎng)以及天岳先進(jìn)積極調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu)等共同推動(dòng)其最終邁向業(yè)績(jī)扭虧為盈的門檻。

目前，碳化硅襯底賽道競(jìng)爭(zhēng)日趨激烈，價(jià)格戰(zhàn)趨勢(shì)已開(kāi)始顯現(xiàn)，實(shí)現(xiàn)盈利后，天岳先進(jìn)能夠更好地應(yīng)對(duì)嚴(yán)峻的市場(chǎng)形勢(shì)。未來(lái)，不僅僅是襯底環(huán)節(jié)，碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈上下游的競(jìng)爭(zhēng)都會(huì)日益加劇，如何更好的實(shí)現(xiàn)盈利，實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展，是各大廠商都需要思考的問(wèn)題。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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source：天岳先進(jìn)

定增預(yù)案顯示，本次項(xiàng)目主要研發(fā)方向包括SiC生長(zhǎng)熱場(chǎng)仿真、SiC單晶應(yīng)力控制、SiC單晶微缺陷控制、導(dǎo)電型SiC電阻率控制等。

公告顯示，天岳先進(jìn)本次募資的3億元主要投向建筑工程及安裝工程費(fèi)用及設(shè)備購(gòu)置費(fèi)。項(xiàng)目建設(shè)周期為24個(gè)月，包括廠房?jī)艋g裝修改造、設(shè)備采購(gòu)安裝、新技術(shù)和工藝試驗(yàn)等三個(gè)階段。

據(jù)悉，由6英寸向8英寸升級(jí)，是SiC襯底重要的降本路徑之一。天岳先進(jìn)表示，根據(jù)測(cè)算，單片8英寸SiC襯底的芯片產(chǎn)出量大約是6英寸的2倍，4英寸的4倍，并可部分使用硅基功率芯片產(chǎn)線裝備，可大幅降低成本、提高效率。以32mm2面積的裸片（芯片）為例，8英寸SiC襯底上的裸片數(shù)量相比6英寸增加近90%，同時(shí)邊緣裸片數(shù)量占比從14%降低至7%，8英寸襯底利用率相比6英寸提升了7%。

近年來(lái)，天岳先進(jìn)持續(xù)發(fā)力8英寸SiC襯底。2022年，天岳先進(jìn)通過(guò)自主擴(kuò)徑實(shí)現(xiàn)了高品質(zhì)8英寸SiC襯底的制備。隨著國(guó)際市場(chǎng)對(duì)8英寸SiC襯底需求持續(xù)增加，其在2023年已經(jīng)實(shí)現(xiàn)8英寸SiC襯底的批量銷售。

與此同時(shí)，天岳先進(jìn)不斷進(jìn)行8英寸產(chǎn)品的技術(shù)創(chuàng)新，推進(jìn)包括導(dǎo)電型SiC用粉料高效合成、高質(zhì)量導(dǎo)電型SiC晶體生長(zhǎng)、高效SiC拋光、8英寸寬禁帶SiC半導(dǎo)體單晶生長(zhǎng)及襯底加工關(guān)鍵技術(shù)等研發(fā)項(xiàng)目。天岳先進(jìn)目前以PVT法大規(guī)模批量化制備8英寸襯底，是國(guó)際上較少掌握了液相法制備技術(shù)的企業(yè)之一。

項(xiàng)目方面，據(jù)上海臨港管委會(huì)官網(wǎng)信息顯示，天岳先進(jìn)的“碳化硅半導(dǎo)體材料二期（一階段）項(xiàng)目”的環(huán)評(píng)信息已于近日公示。

項(xiàng)目概況顯示，天岳先進(jìn)通過(guò)利用現(xiàn)有廠區(qū)預(yù)留區(qū)域增加生產(chǎn)設(shè)備開(kāi)展8英寸SiC晶片生產(chǎn)線建設(shè)，配套新增公輔設(shè)施和環(huán)保設(shè)施。為滿足產(chǎn)品質(zhì)量需求，將對(duì)現(xiàn)有已批項(xiàng)目部分工藝、設(shè)備進(jìn)行改造。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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據(jù)外媒消息，意法半導(dǎo)體（ST）近日表示，將從明年第三季度開(kāi)始將其碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝從6英寸升級(jí)為8英寸。

中國(guó)某頭部大廠生產(chǎn)負(fù)責(zé)人在近日接受全球半導(dǎo)體觀察時(shí)表示，預(yù)計(jì)從2026年至2027年開(kāi)始，現(xiàn)在的6英寸碳化硅產(chǎn)品都將都將被8英寸產(chǎn)品替代。在本輪碳化硅6英寸轉(zhuǎn)換至8英寸市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中，中國(guó)廠商的追趕速度不可忽視，目前包括天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、天域半導(dǎo)體等廠商已在國(guó)際市場(chǎng)占有一席之地。未來(lái)在8英寸市場(chǎng)，中國(guó)廠商將會(huì)迎來(lái)更多的產(chǎn)能釋放，推升碳化硅降本提質(zhì)，加速入市。

1、碳化硅產(chǎn)業(yè)最新動(dòng)態(tài)

SiCrystal GmbH新廠奠基，產(chǎn)能擴(kuò)大約三倍

7月5日，日本羅姆集團(tuán)旗下子公司SiCrystal為新廠房舉行了奠基儀式，以擴(kuò)大 SiC 襯底的生產(chǎn)面積。

圖片來(lái)源：SiCrystal官網(wǎng)截圖

SiCrystal GmbH 將在紐倫堡東北部現(xiàn)有工廠正對(duì)面創(chuàng)建新的額外生產(chǎn)空間。新建筑將提供額外的 6,000 平方米生產(chǎn)空間，并將配備最先進(jìn)的技術(shù)，以進(jìn)一步優(yōu)化碳化硅晶圓的生產(chǎn)。與現(xiàn)有工廠的緊密距離將確保生產(chǎn)流程的緊密集成。包括現(xiàn)有建筑在內(nèi)的 SiCrystal 的總生產(chǎn)能力將在 2027 年比 2024 年高出約三倍。據(jù)悉，該建設(shè)工程預(yù)計(jì)于2026年初完工。并將為該地區(qū)創(chuàng)造新的就業(yè)機(jī)會(huì)。

天岳先進(jìn)加快擴(kuò)建8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能

近日，上海臨港管委會(huì)網(wǎng)站近日發(fā)布了上海天岳“碳化硅半導(dǎo)體材料二期（一階段）項(xiàng)目”的環(huán)評(píng)公示信息，公示信息顯示，上海天岳利用“現(xiàn)有廠區(qū)內(nèi)增加生產(chǎn)設(shè)備開(kāi)展8英寸碳化硅晶片生產(chǎn)線建設(shè)，并對(duì)現(xiàn)有6英寸碳化硅晶片部分工藝進(jìn)行改造”。

公開(kāi)資料顯示，上海天岳為天岳先進(jìn)全資子公司，上海天岳公示環(huán)評(píng)表明該公司的上海臨港工廠二期8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能建設(shè)已經(jīng)進(jìn)入實(shí)質(zhì)性階段。據(jù)悉，天岳先進(jìn)臨港工廠已經(jīng)達(dá)到年產(chǎn)30萬(wàn)片襯底產(chǎn)能規(guī)劃目標(biāo)。臨港工廠的8英寸碳化硅總體產(chǎn)能規(guī)劃約60萬(wàn)片，公司將分階段實(shí)施。

根據(jù)天岳先進(jìn)披露，公司公司在臨港工廠建設(shè)上進(jìn)行了超前布局，以適應(yīng)產(chǎn)能的持續(xù)提升。隨著30萬(wàn)片襯底產(chǎn)量的提前達(dá)產(chǎn)，公司在8英寸碳化硅產(chǎn)能建設(shè)上也可能超預(yù)期實(shí)現(xiàn)。

此外，眾多大廠都在通過(guò)提升產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性、加強(qiáng)上車驗(yàn)證、加強(qiáng)國(guó)際合作等提高市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，企業(yè)技術(shù)則是最強(qiáng)的護(hù)城河。近期，天域半導(dǎo)體和芯聚能紛紛發(fā)布了最新的技術(shù)專利。

天域半導(dǎo)體“碳化硅外延片的生長(zhǎng)工藝”專利公布

天眼查顯示，廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司“碳化硅外延片的生長(zhǎng)工藝”專利公布，申請(qǐng)公布日為2024年6月28日，申請(qǐng)公布號(hào)為CN118256991A。據(jù)悉，該發(fā)明提供了一種碳化硅外延片的生長(zhǎng)工藝。

此碳化硅外延片的生長(zhǎng)工藝包括依次的如下步驟：（I）將碳化硅襯底進(jìn)行前處理；（II）采用分子束外延設(shè)備于所述碳化硅襯底上形成第一碳化硅緩沖層；（III）置于化學(xué)氣相沉積設(shè)備的外延爐中，先于1000～1400℃下進(jìn)行熱處理，再升高溫度進(jìn)行氣相沉積以于所述第一碳化硅緩沖層上形成第二碳化硅緩沖層；（IV）于所述第二碳化硅緩沖層上外延生長(zhǎng)出預(yù)定厚度的外延層。本發(fā)明的碳化硅外延片的生長(zhǎng)工藝可消除反應(yīng)產(chǎn)物污染，在襯底與外延層間做好貫穿晶體缺陷的轉(zhuǎn)化，可完美的隔離外延缺陷。

芯聚能“碳化硅MOSFET器件及其制備方法”專利公布

天眼查顯示，廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司則公布了“碳化硅MOSFET器件及其制備方法”專利，申請(qǐng)公布日為2024年6月28日，申請(qǐng)公布號(hào)為CN118263326A。

該申請(qǐng)涉及一種碳化硅MOSFET器件及其制備方法，碳化硅MOSFET器件包括襯底、第一摻雜區(qū)、柵極溝槽、控制柵結(jié)構(gòu)和分裂柵結(jié)構(gòu)，第一摻雜區(qū)設(shè)置于襯底內(nèi)；柵極溝槽設(shè)置于第一摻雜區(qū)內(nèi)，且從襯底的正面開(kāi)口并沿襯底的厚度方向延伸，柵極溝槽包括第一子溝槽和第二子溝槽，第二子溝槽位于第一子溝槽背離襯底的正面的一側(cè)；控制柵結(jié)構(gòu)設(shè)置于第一子溝槽內(nèi)，控制柵結(jié)構(gòu)包括控制柵導(dǎo)電層和控制柵介質(zhì)層，控制柵介質(zhì)層位于控制柵導(dǎo)電層與第一子溝槽的槽壁之間；分裂柵結(jié)構(gòu)設(shè)置于第二子溝槽內(nèi)，分裂柵結(jié)構(gòu)包括分裂柵導(dǎo)電層和分裂柵介質(zhì)層，分裂柵介質(zhì)層包覆分裂柵導(dǎo)電層；控制柵介質(zhì)層的介電常數(shù)和分裂柵介質(zhì)層的介電常數(shù)不同。

2、碳化硅轉(zhuǎn)向8英寸，勢(shì)不可擋

根據(jù)中國(guó)SiC襯底制造商天科合達(dá)TankeBlue測(cè)算，從4英寸升級(jí)到6英寸預(yù)計(jì)單片成本可降低50%；從6英寸到8英寸，成本預(yù)計(jì)還能再降低35%。同時(shí)，8英寸基板可以生產(chǎn)更多芯片，從而減少邊緣浪費(fèi)。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，8英寸基板的利用率更高，這也是各大廠商積極研發(fā)的主要原因。目前，6英寸SiC基板仍占主導(dǎo)地位，但8英寸基板已開(kāi)始滲透市場(chǎng)。

從國(guó)際廠商情況看，Wolfspeed是行業(yè)內(nèi)最早量產(chǎn)8英寸SiC襯底的廠商。2015年，Wolfspeed向業(yè)界首次展示了8英寸SiC襯底樣品。經(jīng)過(guò)近8年的技術(shù)研發(fā)突破，2023年7月，Wolfspeed宣布其8英寸晶圓廠已開(kāi)始向中國(guó)客戶出貨SiC MOSFET，表明其8英寸SiC襯底已批量出貨。除了已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的Wolfspeed外，還有英飛凌、博世、onsemi、意法半導(dǎo)體、ROHM等多家SiC襯底、外延廠商密集集中在今年或未來(lái)1-2年內(nèi)實(shí)現(xiàn)8英寸產(chǎn)品的量產(chǎn)。

而從中國(guó)情況看，目前已有10多家企業(yè)8英寸SiC襯底進(jìn)入樣品和小規(guī)模生產(chǎn)階段。其中包括Semisic Crystal Co（山西爍科晶體）、JSJ（晶盛機(jī)電）、SICC Co（山東天岳先進(jìn)科技）、Summit Crystal Semiconductor Co（廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)）、Synlight Semiconductor Co（河北同光）、TanKeBlue Semiconductor Co（北京天科合達(dá)半導(dǎo)體）、Harbin KY Semiconductor（哈爾濱科友半導(dǎo)體）、IV Semitec（杭州干晶半導(dǎo)體）、Sanan Semiconductor（三安半導(dǎo)體）、Hypersics（江蘇超芯星半導(dǎo)體）等公司。除了上述公司外，目前研究8英寸基板的中國(guó)廠商還有很多，例如東尼電子、和盛硅業(yè)、天成半導(dǎo)體等。目前，中國(guó)基板制造商與國(guó)際巨頭的差距已明顯縮小。

TrendForce集邦咨詢認(rèn)為，整體而言，SiC正處于一個(gè)快速成長(zhǎng)和高度競(jìng)爭(zhēng)的市場(chǎng)，規(guī)模經(jīng)濟(jì)比任何其他因素更為重要。領(lǐng)先的IDM廠商紛紛一改過(guò)去保守、沉穩(wěn)的戰(zhàn)略姿態(tài)，轉(zhuǎn)而積極投資SiC擴(kuò)張計(jì)劃，期望建立領(lǐng)導(dǎo)地位。截至目前，全球已有超過(guò)10家廠商正在投資建設(shè)8英寸SiC晶圓廠?？梢灶A(yù)見(jiàn)，未來(lái)隨著市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大，SiC領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)也將更為激烈。

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體統(tǒng)計(jì)，2023年大約有12個(gè)與8英寸晶圓相關(guān)的擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目，其中8個(gè)項(xiàng)目由Wolfspeed、Onsemi、意法半導(dǎo)體、英飛凌、羅姆等全球廠商主導(dǎo)。其中，意法半導(dǎo)體與三安光電在中國(guó)成立的8英寸SiC合資工廠有望最快在今年年底通線，屆時(shí)ST可結(jié)合位于當(dāng)?shù)氐暮蠖畏鉁y(cè)產(chǎn)線以及三安光電提供的配套襯底材料工廠，達(dá)到垂直整合效益。另外3個(gè)項(xiàng)目由泰科天潤(rùn)、芯聯(lián)集成、杰平方等中國(guó)廠商主導(dǎo)。今年上半年，安森美onsemi、ST意法半導(dǎo)體、Infineon英飛凌、日本羅姆等又新增了多個(gè)碳化硅項(xiàng)目投資擴(kuò)產(chǎn)，進(jìn)一步加劇了市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。

在這場(chǎng)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中，中國(guó)廠商在襯底領(lǐng)域與國(guó)際大廠的差距已顯著縮小，英飛凌與天岳先進(jìn)、天科合達(dá)等中國(guó)廠商達(dá)成長(zhǎng)期合作，也說(shuō)明了中國(guó)襯底產(chǎn)品的質(zhì)量受到認(rèn)可。展望未來(lái)，預(yù)計(jì)各廠商的共同努力將推動(dòng)8英寸基板技術(shù)的發(fā)展。

目前，6英寸、8英寸碳化硅襯底產(chǎn)品正在加速入市，從價(jià)價(jià)格變化來(lái)看，據(jù)TrendForce集邦咨詢分析師表示：特別是在這幾年間，隨著中國(guó)廠商進(jìn)入到整個(gè)碳化硅市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)之中，更是加速了整個(gè)碳化硅市場(chǎng)襯底價(jià)格的下降幅度。目前從整個(gè)碳化硅襯底價(jià)格的變化幅度看，6英寸導(dǎo)電型的碳化硅襯底價(jià)格，大概是從三四年前的1000美金下滑到了當(dāng)前的500美金左右。

碳化硅市場(chǎng)應(yīng)用目前還主要由新能源汽車主導(dǎo)拉動(dòng)。TrendForce集邦咨詢分析師表示：目前碳化硅功率元件主要應(yīng)用在汽車領(lǐng)域，主要應(yīng)用在汽車的主逆變器，以及像OBC、DC，或是車外的充電樁這些領(lǐng)域。值得注意的是，在一些非汽車的市場(chǎng)，其實(shí)碳化硅的市場(chǎng)也非常值得關(guān)注，如工業(yè)領(lǐng)域的光伏、儲(chǔ)能。另外，還有像目前AI浪潮推動(dòng)的服務(wù)器領(lǐng)域，其實(shí)隨著芯片的功耗不斷的增加，也是推動(dòng)了整個(gè)服務(wù)器功率密度的提高，那這其實(shí)也對(duì)碳化硅提出了非常的需求。（來(lái)源：全球半導(dǎo)體觀察）

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今年以來(lái)，國(guó)產(chǎn)SiC技術(shù)和產(chǎn)品在國(guó)際市場(chǎng)上似乎越來(lái)越受歡迎，可從簽單動(dòng)作窺見(jiàn)一斑。3月，科友半導(dǎo)體與歐洲一家國(guó)際知名企業(yè)簽訂長(zhǎng)單，簽約額超過(guò)2億元人民幣；4月，世紀(jì)金芯與日本某客戶簽訂SiC襯底訂單，按照協(xié)議約定，世紀(jì)金芯將于2024年、2025年、2026年連續(xù)三年向該客戶交付8英寸SiC襯底共13萬(wàn)片，訂單價(jià)值約2億美元（約14.5億元人民幣）。

以上簽單情況在一定程度上反映出，國(guó)內(nèi)SiC廠商得到了全球各地客戶的認(rèn)可，在技術(shù)水平、產(chǎn)能等方面擁有了能夠比肩國(guó)際SiC巨頭們的實(shí)力。

與此同時(shí)，國(guó)際SiC大廠也在積極尋求中國(guó)市場(chǎng)的合作與業(yè)務(wù)拓展機(jī)會(huì)。其中，意法半導(dǎo)體、安森美、英飛凌等SiC功率器件頭部廠商均在2024年與國(guó)內(nèi)企業(yè)達(dá)成新合作，在中國(guó)市場(chǎng)的業(yè)務(wù)布局進(jìn)一步深化。

從意法半導(dǎo)體、安森美、英飛凌等廠商的合作對(duì)象來(lái)看，以車企居多，背后的新能源汽車產(chǎn)業(yè)正是SiC廣泛應(yīng)用的大舞臺(tái)。在SiC加速“上車”趨勢(shì)下，擁有更多的車企合作伙伴，意味著有望創(chuàng)造更多的業(yè)績(jī)?cè)隽俊?/p>

從國(guó)內(nèi)外廠商近期的簽單合作情況來(lái)看，國(guó)內(nèi)SiC廠商出海、國(guó)際巨頭全面加碼中國(guó)業(yè)務(wù)的“雙向奔赴”態(tài)勢(shì)已基本形成，背后的推動(dòng)因素值得細(xì)細(xì)品味。

國(guó)內(nèi)SiC廠商加速出海

從國(guó)內(nèi)廠商在國(guó)際市場(chǎng)的業(yè)務(wù)拓展情況來(lái)看，SiC產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)均有企業(yè)已成功實(shí)現(xiàn)海外客戶“0”突破，而天岳先進(jìn)、天科合達(dá)等頭部SiC玩家是其中的代表性企業(yè)。

襯底環(huán)節(jié)，天科合達(dá)、天岳先進(jìn)都與英飛凌簽署了SiC襯底長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議，兩家廠商的供應(yīng)量都將占到英飛凌長(zhǎng)期需求量的兩位數(shù)份額。目前，天科合達(dá)、天岳先進(jìn)已與眾多國(guó)內(nèi)外知名客戶開(kāi)展戰(zhàn)略合作，包括英飛凌、安森美、博世等國(guó)際SiC功率器件大廠?；谏鲜龊献?，天科合達(dá)、天岳先進(jìn)不斷深化國(guó)際業(yè)務(wù)布局。

外延環(huán)節(jié)，中電化合物已與韓國(guó)Power Master公司簽署了長(zhǎng)期供應(yīng)SiC材料的協(xié)議，包括8英寸，由此，中電化合物SiC產(chǎn)品成功打入韓國(guó)市場(chǎng)。除中電化合物外，瀚天天成、天域半導(dǎo)體SiC外延片出海也已取得積極進(jìn)展，其中，瀚天天成服務(wù)的客戶包括了未具體披露的多家國(guó)際先進(jìn)功率器件廠商。

器件環(huán)節(jié)，韓國(guó)SK Signet采用了派恩杰1200V 40mΩ SiC MOSFET器件，愛(ài)仕特1200V MED系列SiC功率模塊已交付于海外客戶使用，致瞻科技更是通過(guò)與韓國(guó)INTECH FA合作，將SiC功率模塊等產(chǎn)品推向韓國(guó)、日本、東南亞、以及北美市場(chǎng)，由此可見(jiàn)，部分國(guó)內(nèi)SiC器件廠商已從國(guó)際大廠的“競(jìng)技場(chǎng)”中成功突圍，占據(jù)了一席之地。

設(shè)備方面，優(yōu)晶科技最新出口至某國(guó)際知名客戶的大尺寸電阻法SiC長(zhǎng)晶設(shè)備已順利通過(guò)驗(yàn)收，這意味著優(yōu)晶科技國(guó)際業(yè)務(wù)取得重大突破，有利于其進(jìn)一步拓展國(guó)際市場(chǎng)應(yīng)用需求。

對(duì)于已經(jīng)成功實(shí)現(xiàn)出海的眾多SiC廠商而言，或多或少都有自己的“拿手好戲”，其中之一便是性價(jià)比。

據(jù)英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部（IPC）總裁Peter Wawer博士此前透露，來(lái)自中國(guó)的天岳先進(jìn)、天科合達(dá)等新興襯底廠商，提出的報(bào)價(jià)比某市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)提供的參考價(jià)低很多。但低價(jià)并不意味著低質(zhì)，從英飛凌的初步測(cè)試結(jié)果來(lái)看，新興供應(yīng)商的襯底性能和缺陷率與Wolfspeed、Coherent和Resonac等主流供應(yīng)商相比并沒(méi)有顯著的差異，良率也在可接受范圍。

由此在一定程度上可以看出，部分國(guó)內(nèi)襯底廠商質(zhì)優(yōu)價(jià)廉，具有一定的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。當(dāng)然，能夠贏得國(guó)際客戶青睞，產(chǎn)能支撐不可或缺。

其中，天岳先進(jìn)上海臨港新工廠已于2023年5月開(kāi)始交付6英寸導(dǎo)電型SiC襯底，目前產(chǎn)能和產(chǎn)量均在持續(xù)爬坡中。在此基礎(chǔ)上，天岳先進(jìn)在2023年下半年已決定將6英寸SiC襯底的生產(chǎn)規(guī)模擴(kuò)大至96萬(wàn)片/年。頭部廠商的擴(kuò)產(chǎn)規(guī)模之巨大，業(yè)內(nèi)有目共睹，這不僅有助于滿足國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求，也為未來(lái)持續(xù)穩(wěn)定供貨海外客戶打下了基礎(chǔ)。

作為器件廠商，派恩杰在與SK Signet的合作中，供貨占比達(dá)60%，且是唯一一家國(guó)產(chǎn)廠商，彰顯了客戶對(duì)于派恩杰產(chǎn)品的認(rèn)可。而在設(shè)備廠商優(yōu)晶科技的SiC長(zhǎng)晶設(shè)備驗(yàn)收過(guò)程中，客戶對(duì)優(yōu)晶科技的產(chǎn)品和服務(wù)給予了較高評(píng)價(jià)，同樣是對(duì)優(yōu)晶科技專業(yè)性和實(shí)力的認(rèn)可。

整體來(lái)看，在技術(shù)進(jìn)步、產(chǎn)能提升以及性價(jià)比優(yōu)勢(shì)等眾多利好因素推動(dòng)下，國(guó)內(nèi)SiC廠商正在加速布局海外業(yè)務(wù)，進(jìn)而刺激更多國(guó)內(nèi)廠商加入出海大軍。

國(guó)際SiC巨頭掘金中國(guó)市場(chǎng)

在國(guó)內(nèi)SiC廠商加速出海的同時(shí)，國(guó)際巨頭們也在積極加碼中國(guó)業(yè)務(wù)。事實(shí)上，得益于在技術(shù)研發(fā)方面的先發(fā)優(yōu)勢(shì)，部分國(guó)際大廠很早就進(jìn)入了中國(guó)市場(chǎng)，為國(guó)內(nèi)客戶供貨。例如，英飛凌很早就開(kāi)始研究SiC功率器件，在2001年就以SiC SBD的形式推出了第一款商業(yè)化元件。

而在2023年以來(lái)，部分國(guó)際廠商在中國(guó)市場(chǎng)動(dòng)作頻頻，似乎掀起了一股深耕中國(guó)市場(chǎng)的風(fēng)潮。其中，意法半導(dǎo)體先后與三安光電、理想汽車、致瞻科技等廠商達(dá)成新的合作，合作對(duì)象遍及SiC產(chǎn)業(yè)鏈上下游。

與本土廠商三安光電合作建設(shè)8英寸SiC器件合資制造工廠，有利于縮短供應(yīng)鏈路，將幫助意法半導(dǎo)體以較高效的方式滿足中國(guó)客戶不斷增長(zhǎng)的功率器件需求，同時(shí)，通過(guò)與國(guó)內(nèi)頭部玩家三安光電合作，雙方在技術(shù)迭代升級(jí)方面也能夠形成協(xié)同效應(yīng)。

與理想汽車合作，意法半導(dǎo)體看中的是理想汽車新能源車型銷量持續(xù)增長(zhǎng)背后的SiC器件需求。盡管理想汽車為了實(shí)現(xiàn)高壓電驅(qū)動(dòng)技術(shù)的自主可控，也在積極布局SiC功率器件領(lǐng)域，但短期內(nèi)，與意法半導(dǎo)體合作以獲得SiC MOSFET成熟產(chǎn)品，也有其必要性。

在意法半導(dǎo)體SiC MOSFET支持下，理想汽車進(jìn)軍高壓純電動(dòng)車市場(chǎng)的戰(zhàn)略部署將更加容易實(shí)現(xiàn)，而與頭部車企之一的理想汽車合作，意法半導(dǎo)體SiC產(chǎn)品也將隨理想汽車銷量的增長(zhǎng)不斷強(qiáng)化品牌影響力，進(jìn)而創(chuàng)造更多與潛在車企合作的機(jī)會(huì)。

此外，意法半導(dǎo)體新的合作對(duì)象也包括致瞻科技，后者是一家零部件供應(yīng)商，已在新能源汽車400V、800V和1000V平臺(tái)上量產(chǎn)了基于SiC的空調(diào)壓縮機(jī)控制器。基于此次合作，意法半導(dǎo)體在推動(dòng)電動(dòng)壓縮機(jī)系統(tǒng)小型化的同時(shí)將進(jìn)一步降低成本，進(jìn)而對(duì)車載空調(diào)壓縮機(jī)控制器細(xì)分領(lǐng)域加大滲透。

與意法半導(dǎo)體在中國(guó)市場(chǎng)的合作情況類似，英飛凌、安森美、博世等廠商新合作對(duì)象也涵蓋SiC廠商、車企以及零部件供應(yīng)商等各類企業(yè)，而加速國(guó)際巨頭與國(guó)內(nèi)企業(yè)達(dá)成合作的原因是多方面的，其中之一便是國(guó)內(nèi)新能源汽車產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展創(chuàng)造的機(jī)遇。

目前，SiC器件似乎已逐漸成為新能源旗艦車型標(biāo)配，從近期各大車企發(fā)布的新車型來(lái)看，SiC幾乎都是賣點(diǎn)之一，這表明新能源汽車品牌及用戶群體對(duì)于SiC上車的認(rèn)可度正在持續(xù)提升，同時(shí)新車型也是國(guó)際廠商SiC技術(shù)和產(chǎn)品的用武之地。

在SiC器件國(guó)產(chǎn)替代短期內(nèi)難以大規(guī)模實(shí)現(xiàn)的情況下，國(guó)際巨頭仍然有很多機(jī)會(huì)進(jìn)一步開(kāi)拓國(guó)內(nèi)新能源汽車市場(chǎng)。

其二，近年來(lái)，國(guó)內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)較快，部分企業(yè)在技術(shù)水平方面已然達(dá)到世界先進(jìn)水平，這些重要的技術(shù)突破，也會(huì)讓國(guó)際巨頭們感受到壓力，于是，與國(guó)內(nèi)相關(guān)廠商合作，共同探討先進(jìn)技術(shù)和產(chǎn)品研發(fā)，就成為國(guó)際大廠較明智的選擇，通過(guò)技術(shù)合作更好地拓展市場(chǎng)，也是國(guó)際玩家加碼中國(guó)業(yè)務(wù)的一條快車道。

國(guó)際巨頭們目前在技術(shù)研發(fā)方面確實(shí)比大部分國(guó)內(nèi)廠商要領(lǐng)先，但不代表能夠一直保持優(yōu)勢(shì)，而對(duì)中國(guó)市場(chǎng)的持續(xù)滲透，有助于相關(guān)廠商更好地感知國(guó)內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)相關(guān)進(jìn)展，進(jìn)而做出積極應(yīng)對(duì)，不至于措手不及。

總結(jié)

各行各業(yè)的全球化發(fā)展已是大趨勢(shì)，SiC產(chǎn)業(yè)也不例外。對(duì)于眾多國(guó)際巨頭而言，其業(yè)務(wù)布局早已遍及全球，其中就包括中國(guó)業(yè)務(wù)，而通過(guò)加速拓展中國(guó)這個(gè)目前最大的SiC應(yīng)用市場(chǎng)，相關(guān)國(guó)際廠商的全球化布局將會(huì)更加穩(wěn)健。

對(duì)于國(guó)內(nèi)SiC廠商而言，國(guó)內(nèi)業(yè)務(wù)發(fā)展到一定階段，出海尋求更廣闊的增長(zhǎng)空間順理成章，尤其是在技術(shù)、產(chǎn)能等方面擁有一定的實(shí)力后，拓展海外市場(chǎng)也更加從容。

無(wú)論國(guó)際還是國(guó)內(nèi)廠商，通過(guò)“雙向奔赴”，都會(huì)讓競(jìng)爭(zhēng)更加激烈，進(jìn)而加速行業(yè)整合，而頭部廠商有望通過(guò)收并購(gòu)，憑借規(guī)模效應(yīng)強(qiáng)化競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，推動(dòng)SiC產(chǎn)業(yè)在競(jìng)爭(zhēng)中良性發(fā)展。同時(shí)，存量市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇促使相關(guān)廠商在全球范圍內(nèi)尋找更多新興市場(chǎng)拓展業(yè)務(wù)，以獲得業(yè)績(jī)?cè)隽?，反過(guò)來(lái)又進(jìn)一步加深了SiC產(chǎn)業(yè)的全球化布局，形成良性循環(huán)。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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近日，天岳先進(jìn)上?；仨?xiàng)目披露了最新進(jìn)展，再次成為焦點(diǎn)。2024年5月，天岳先進(jìn)位于上海臨港重裝備產(chǎn)業(yè)區(qū)的生產(chǎn)基地第一個(gè)項(xiàng)目完成驗(yàn)收，意味著該生產(chǎn)基地由此進(jìn)入新的發(fā)展階段。

圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

天岳先進(jìn)“瘋狂”擴(kuò)產(chǎn)

據(jù)悉，天岳先進(jìn)上?；仨?xiàng)目最初于2021年第二季度備案和申報(bào)，規(guī)劃投資25億元，項(xiàng)目全部達(dá)產(chǎn)后，SiC襯底的產(chǎn)能約為30萬(wàn)片/年。從投資規(guī)模和產(chǎn)能規(guī)劃來(lái)看，上?；仨?xiàng)目有望讓天岳先進(jìn)的市場(chǎng)地位再進(jìn)一步。

近年來(lái)，隨著全球尤其是國(guó)內(nèi)市場(chǎng)掀起一股SiC投資擴(kuò)產(chǎn)熱潮，天岳先進(jìn)也有意順勢(shì)而為，加入擴(kuò)產(chǎn)大軍。在2021年的規(guī)劃基礎(chǔ)上，天岳先進(jìn)定下了更加宏大的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，調(diào)整后，6英寸SiC襯底的生產(chǎn)規(guī)模將擴(kuò)大至每年96萬(wàn)片。

基于宏偉的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，天岳先進(jìn)持續(xù)拓展市場(chǎng)，獲得了更多供貨機(jī)會(huì)。其中，天岳先進(jìn)在2023年5月與英飛凌簽訂合作協(xié)議，其將為英飛凌供應(yīng)用于制造SiC功率器件的6英寸SiC襯底，該協(xié)議的供應(yīng)量預(yù)計(jì)將占到英飛凌長(zhǎng)期需求量的兩位數(shù)份額。2024年2月，天岳先進(jìn)在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示，其與英飛凌合作情況良好、交付進(jìn)展順利。這些進(jìn)展，與天岳先進(jìn)上?；氐漠a(chǎn)能提升密切相關(guān)。

2023年8月，天岳先進(jìn)又宣布與某客戶簽訂了一份框架采購(gòu)協(xié)議，約定2024年至2026年其向合同對(duì)方銷售SiC產(chǎn)品，預(yù)計(jì)三年合計(jì)銷售金額（含稅）為8.05億元。上?；?cái)?shù)十萬(wàn)片SiC襯底產(chǎn)能能夠保障天岳先進(jìn)向客戶持續(xù)穩(wěn)定供貨。

上?；爻蔀樵鲩L(zhǎng)引擎

上海基地的投產(chǎn)以及達(dá)成，對(duì)于天岳先進(jìn)行業(yè)影響力以及客戶服務(wù)能力的提升是巨大的，尤其是在SiC產(chǎn)業(yè)逐步走向價(jià)格戰(zhàn)的趨勢(shì)下，天岳先進(jìn)這個(gè)重要生產(chǎn)基地的價(jià)值將進(jìn)一步釋放。

目前，SiC襯底價(jià)格呈現(xiàn)下降趨勢(shì)已成為行業(yè)熱點(diǎn)話題。環(huán)球晶圓董事長(zhǎng)徐秀蘭近期公開(kāi)表示，全球6英寸SiC襯底的產(chǎn)能釋放，再加上電動(dòng)汽車的需求暫緩，2024年SiC襯底價(jià)格有下滑的壓力。

天岳先進(jìn)也已經(jīng)觀察到這個(gè)趨勢(shì)，其在2024年5月9日發(fā)布的投資者關(guān)系記錄表中指出了SiC襯底價(jià)格下降的兩大內(nèi)部原因：技術(shù)的提升和規(guī)?；?yīng)推動(dòng)了襯底成本的下降。

為應(yīng)對(duì)價(jià)格戰(zhàn)，企業(yè)拓展更多業(yè)務(wù)是必須的，產(chǎn)能建設(shè)也要跟上擴(kuò)大供貨的步伐。對(duì)于很多中小SiC襯底廠商而言，由于難以有充足資金投入擴(kuò)產(chǎn)，無(wú)法填補(bǔ)產(chǎn)能需求缺口，只能被動(dòng)接受價(jià)格戰(zhàn)的不利局面。而對(duì)于天岳先進(jìn)等頭部廠商，則更能夠從容應(yīng)對(duì)。

從天岳先進(jìn)近兩年的產(chǎn)能、營(yíng)收等方面情況來(lái)看，2022年，天岳先進(jìn)實(shí)現(xiàn)營(yíng)收3.26億元，產(chǎn)量為82萬(wàn)片，而到了2023年，這兩個(gè)數(shù)據(jù)分別為10.85億元和174萬(wàn)片。這兩個(gè)數(shù)據(jù)，在一定程度上顯示了產(chǎn)能增長(zhǎng)對(duì)于天岳先進(jìn)營(yíng)收的促進(jìn)作用。

從2022年到2023年，天岳先進(jìn)每片平均銷售價(jià)格（ASP）分別為5110元和4978元，處于下降態(tài)勢(shì)，但得益于上?；卦诋a(chǎn)能和供貨方面的拉動(dòng)作用，天岳先進(jìn)在營(yíng)收方面實(shí)現(xiàn)了同比大幅增長(zhǎng)，其上?；氐闹匾匚坏玫搅送癸@，并有望進(jìn)一步助推天岳先進(jìn)持續(xù)獲得業(yè)績(jī)?cè)隽俊?/p>

小結(jié)

天岳先進(jìn)上?；仨?xiàng)目在2023年5月就已開(kāi)啟了產(chǎn)品交付，正處于產(chǎn)量的持續(xù)爬坡階段，隨著本次完成驗(yàn)收，有望加速完成第一階段年產(chǎn)30萬(wàn)片導(dǎo)電型襯底的達(dá)產(chǎn)目標(biāo)。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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天岳先進(jìn)Q1營(yíng)收4.26億，同比增長(zhǎng)120.66%

4月28日晚間，天岳先進(jìn)發(fā)布2024年第一季度報(bào)告。報(bào)告期內(nèi)，天岳先進(jìn)實(shí)現(xiàn)營(yíng)收4.26億元，同比增長(zhǎng)120.66%；歸母凈利潤(rùn)0.46億元，歸母扣非凈利潤(rùn)0.44億元。

今年2月25日，天岳先進(jìn)發(fā)布2023年度業(yè)績(jī)快報(bào)，其在2023年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收12.51億元，同比增長(zhǎng)199.90%。在2023年度業(yè)績(jī)快報(bào)中，天岳先進(jìn)表示，2023年?duì)I收同比增長(zhǎng)199.90%，主要是SiC半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大，其導(dǎo)電型產(chǎn)品產(chǎn)能產(chǎn)量的持續(xù)提升，導(dǎo)電型產(chǎn)品營(yíng)收大幅增長(zhǎng)所致。

據(jù)悉，2023年5月，天岳先進(jìn)與英飛凌簽訂合作協(xié)議。天岳先進(jìn)將為英飛凌供應(yīng)用于制造SiC半導(dǎo)體的6英寸SiC襯底和晶棒，第一階段將側(cè)重于6英寸SiC材料，但天岳先進(jìn)也將助力英飛凌向8英寸SiC晶圓過(guò)渡。據(jù)悉，該協(xié)議的供應(yīng)量預(yù)計(jì)將占到英飛凌長(zhǎng)期需求量的兩位數(shù)份額。2024年2月，天岳先進(jìn)在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示，公司與英飛凌合作情況良好、交付進(jìn)展順利。

2023年8月，天岳先進(jìn)又宣布與某客戶簽訂了一份框架采購(gòu)協(xié)議，約定2024年至2026年公司向合同對(duì)方銷售SiC產(chǎn)品，預(yù)計(jì)三年合計(jì)銷售金額（含稅）為8.05億元。

東尼電子Q1營(yíng)收4.09億元，凈利同比增長(zhǎng)132.45%

4月26日晚間，東尼電子發(fā)布2024年第一季度報(bào)告。報(bào)告期內(nèi)，東尼電子實(shí)現(xiàn)營(yíng)收4.09億元，同比增長(zhǎng)22.27%；歸母凈利潤(rùn)0.13億元，同比增長(zhǎng)132.45%；歸母扣非凈利潤(rùn)-0.26億元。

2024年1月5日，東尼電子子公司湖州東尼半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱東尼半導(dǎo)體）與下游客戶T簽訂《采購(gòu)合同之補(bǔ)充協(xié)議》，對(duì)后續(xù)6英寸SiC襯底的交付及2023年交付計(jì)劃未能完成的責(zé)任作了重新約定。

東尼半導(dǎo)體后續(xù)6英寸SiC襯底的供應(yīng)價(jià)格及其他要求將按照原《采購(gòu)合同》及雙方另行簽訂的采購(gòu)訂單為準(zhǔn)；東尼半導(dǎo)體按照約定完成1335片8英寸SiC襯底的免費(fèi)供應(yīng)后，下游客戶T將不再依據(jù)原《采購(gòu)合同》約定主張東尼半導(dǎo)體2023年度供貨事宜所涉違約責(zé)任。

揚(yáng)杰科技Q1營(yíng)收13.28億，同比微增

4月28日晚間，揚(yáng)杰科技發(fā)布2024年第一季度報(bào)告。報(bào)告期內(nèi)，揚(yáng)杰科技實(shí)現(xiàn)營(yíng)收13.28億元，同比增長(zhǎng)1.34%；歸母凈利潤(rùn)1.81億元，同比下滑0.74%；歸母扣非凈利潤(rùn)1.88億元，同比增長(zhǎng)4.22%。

今年2月，在江蘇省揚(yáng)州市邗江區(qū)維揚(yáng)經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)先進(jìn)制造業(yè)項(xiàng)目新春集中簽約儀式上，揚(yáng)杰科技新能源車用IGBT、SiC模塊封裝項(xiàng)目完成簽約。該項(xiàng)目總投資5億元，主要從事車規(guī)級(jí)IGBT模塊、SiC MOSFET模塊的研發(fā)制造。

作為國(guó)內(nèi)少數(shù)集半導(dǎo)體分立器件芯片設(shè)計(jì)制造、器件封裝測(cè)試、終端銷售與服務(wù)等產(chǎn)業(yè)鏈垂直一體化（IDM）的廠商，揚(yáng)杰科技近年來(lái)持續(xù)深耕功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，推動(dòng)公司總營(yíng)收從2014年的5.3億元增長(zhǎng)到2023年的54.1億元，凈利潤(rùn)從1億元增長(zhǎng)到9.24億元。

盛美上海Q1營(yíng)收9.21億，同比增長(zhǎng)49.63%

4月26日晚間，盛美上海發(fā)布2024年第一季度報(bào)告。報(bào)告期內(nèi)，盛美上海實(shí)現(xiàn)營(yíng)收9.21億元，同比增長(zhǎng)49.63%；歸母凈利潤(rùn)0.80億元，同比下滑38.76%；歸母扣非凈利潤(rùn)0.84億元，同比下滑22.36%。

作為一家半導(dǎo)體設(shè)備廠商，盛美上海先后開(kāi)發(fā)了前道半導(dǎo)體工藝設(shè)備，包括清洗設(shè)備、半導(dǎo)體電鍍?cè)O(shè)備、立式爐管系列設(shè)備、涂膠顯影Track設(shè)備、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD設(shè)備、無(wú)應(yīng)力拋光設(shè)備；后道先進(jìn)封裝工藝設(shè)備以及硅材料襯底制造工藝設(shè)備等。

2023年3月，盛美上海宣布首次獲得Ultra C SiC襯底清洗設(shè)備的采購(gòu)訂單，該訂單來(lái)自國(guó)內(nèi)SiC襯底制造龍頭廠商。據(jù)悉，該設(shè)備可配置盛美上海自主研發(fā)的空間交變相位移（SAPS）清洗技術(shù)，在不損傷器件的前提下實(shí)現(xiàn)更全面的清洗。

燕東微Q1營(yíng)收3.09億，凈利潤(rùn)0.24億

4月26日晚間，燕東微發(fā)布2024年第一季度報(bào)告。報(bào)告期內(nèi)，燕東微實(shí)現(xiàn)營(yíng)收3.09億元，同比下滑39.87%；歸母凈利潤(rùn)0.24億元，同比下滑72.87%；歸母扣非凈利潤(rùn)0.005億元，同比下滑99.29%。

燕東微是一家集芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造和封裝測(cè)試于一體的企業(yè)。目前，燕東微擁有一條8英寸晶圓生產(chǎn)線、一條6英寸晶圓生產(chǎn)線、一條6英寸SiC晶圓生產(chǎn)線和一條12英寸晶圓生產(chǎn)線。

2023年，燕東微1200V SiC MOS器件產(chǎn)品已產(chǎn)出合格樣品，各項(xiàng)參數(shù)合格，已提交客戶驗(yàn)證。截至2023年年底，燕東微6英寸SiC生產(chǎn)線已具備量產(chǎn)條件的平臺(tái)包括1200V SiC SBD、1200V SiC MOS工藝平臺(tái)，產(chǎn)能為2000片/月。

金博股份Q1營(yíng)收2.02億，同比減少33.09%

4月28日晚間，金博股份發(fā)布2024年第一季度報(bào)告。報(bào)告期內(nèi)，金博股份實(shí)現(xiàn)營(yíng)收2.02億元，同比下滑33.09%；歸母凈利潤(rùn)-0.55億元，歸母扣非凈利潤(rùn)-0.64億元。

與此同時(shí)，金博股份還發(fā)布2023年年度報(bào)告。2023年，金博股份實(shí)現(xiàn)營(yíng)收10.72億元，同比下滑26.11%；歸母凈利潤(rùn)2.02億元，同比下滑63.27%；歸母扣非凈利潤(rùn)-0.12億元。

金博股份主要從事先進(jìn)碳基復(fù)合材料及產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，服務(wù)于光伏、半導(dǎo)體、交通、 氫能、鋰電等產(chǎn)業(yè)，致力于為客戶提供先進(jìn)碳基復(fù)合材料產(chǎn)品和全套解決方案。

在半導(dǎo)體用碳基材料領(lǐng)域，金博研究院持續(xù)開(kāi)展技術(shù)攻關(guān)與產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，完成了超高純高性能軟氈保溫材料的研發(fā)，并順利推進(jìn)產(chǎn)業(yè)化建設(shè)，已實(shí)現(xiàn)批量供應(yīng)；目前，金博研究院已完成超高純碳/碳熱場(chǎng)、超高純軟氈、硬氈等系列產(chǎn)品的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，可廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體晶體生長(zhǎng)高溫?zé)釄?chǎng)領(lǐng)域，相關(guān)產(chǎn)品已在多家SiC襯底制造廠商進(jìn)行驗(yàn)證并應(yīng)用。

卓勝微Q1營(yíng)收11.90億，凈利同比增長(zhǎng)69.83%

4月28日晚間，卓勝微發(fā)布2024年第一季度報(bào)告。報(bào)告期內(nèi)，卓勝微實(shí)現(xiàn)營(yíng)收11.90億元，同比增長(zhǎng)67.16%；歸母凈利潤(rùn)1.98億元，同比增長(zhǎng)69.83%；歸母扣非凈利潤(rùn)1.94億元，同比增長(zhǎng)64.82%。

2024年一季度，卓勝微12英寸IPD平臺(tái)已正式轉(zhuǎn)入量產(chǎn)階段。集成自產(chǎn)IPD濾波器的L-PAMiF、LFEM等相關(guān)模組產(chǎn)品，已在多家客戶端完成驗(yàn)證并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)出貨。

與此同時(shí)，集成公司自產(chǎn)MAX-SAW的L-PAMiD（主集收發(fā)模組，集成射頻低噪聲放大器、射頻功率放大器、射頻開(kāi)關(guān)、雙工器/四工器等器件的射頻前端模組）產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)從“0”到“1”的突破，已處于工程樣品階段。

與此同時(shí)，卓勝微還發(fā)布2023年年度報(bào)告。2023年，卓勝微實(shí)現(xiàn)營(yíng)收43.78億元，同比增長(zhǎng)19.05%；歸母凈利潤(rùn)11.22億元，同比增長(zhǎng)4.95%；歸母扣非凈利潤(rùn)10.95億元，同比增長(zhǎng)2.78%。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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