據(jù)公告披露，該項(xiàng)目建設(shè)周期預(yù)計(jì)為4 年（最終以實(shí)際開展情況為準(zhǔn)）。該項(xiàng)目擬在沈陽(yáng)市渾南區(qū)購(gòu)置土地建設(shè)新的產(chǎn)業(yè)化基地，包括生產(chǎn)潔凈間、立體庫(kù)房、測(cè)試實(shí)驗(yàn)室等。該產(chǎn)業(yè)化基地建成后，將進(jìn)一步提高公司的產(chǎn)能，以支撐公司 PECVD、SACVD、HDPCVD 等高端半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)品未來的產(chǎn)業(yè)化需求，從而推動(dòng)公司業(yè)務(wù)規(guī)模的持續(xù)增長(zhǎng)，提升公司整體競(jìng)爭(zhēng)力和盈利能力。

拓荊科技表示，此次建設(shè)新項(xiàng)目，出于兩點(diǎn)考慮：

一是符合國(guó)家發(fā)展戰(zhàn)略，鞏固公司行業(yè)地位。

二是有利于公司把握市場(chǎng)需求，抓住市場(chǎng)機(jī)遇。

該項(xiàng)目計(jì)劃總投資金額約為人民幣110,000.00 萬元（最終項(xiàng)目投資總額以實(shí)際投入為準(zhǔn)），其中以變更用途的募集資金投入人民幣 25,000.00 萬元，其余項(xiàng)目資金人民幣 85,000.00 萬元由拓荊科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“公司”）及公司全資子公司拓荊創(chuàng)益（沈陽(yáng)）半導(dǎo)體設(shè)備有限公司（以下簡(jiǎn)稱“拓荊創(chuàng)益”）自籌。

關(guān)于變更用途的募集資金，公司擬調(diào)減首發(fā)募投項(xiàng)目“先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備的技術(shù)研發(fā)與改進(jìn)項(xiàng)目”募集資金承諾投資總額人民幣20,000.00萬元，同時(shí)調(diào)減超募資金投資項(xiàng)目“半導(dǎo)體先進(jìn)工藝裝備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”的募集資金承諾投資總額人民幣5,000.00萬元，合計(jì)人民幣25,000.00萬元用于投入本項(xiàng)目。
在此次變更后，公司首次公開發(fā)行募集資金的募投項(xiàng)目情況如下：

據(jù)悉，拓荊科技作為國(guó)內(nèi)薄膜沉積行業(yè)領(lǐng)軍者，其產(chǎn)品線包括離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）設(shè)備、原子層沉積（ALD）設(shè)備和次常壓化學(xué)氣相沉積（SACVD）設(shè)備三大系列。產(chǎn)品已廣泛用于中芯國(guó)際、華虹集團(tuán)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、廈門聯(lián)芯、燕東微電子等國(guó)內(nèi)主流晶圓廠產(chǎn)線。

值得一提的是，拓荊科技近日公布了其2023年度業(yè)績(jī)快報(bào)。報(bào)告顯示，2023年度公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入270,497.40萬元，同比增長(zhǎng)58.60%；歸屬于母公司所有者的凈利潤(rùn) 66,465.69萬元，與上年同期（調(diào)整后）相比增長(zhǎng)80.38%；歸屬于母公司所有者的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤(rùn)31,330.27萬元，與上年同期（調(diào)整后）相比增長(zhǎng)75.96%。

提前布局高端半導(dǎo)體設(shè)備，符合國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)，幫助企業(yè)在高端半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)占據(jù)一定先機(jī)的同時(shí)，或在一定程度上助力國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)走向高端化。

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

天眼查資料顯示，中科共芯于2023年12月12日成立，注冊(cè)資本1.8億元，是一家以從事計(jì)算機(jī)、通信和其他電子設(shè)備制造業(yè)為主的企業(yè)，經(jīng)營(yíng)范圍包括：半導(dǎo)體分立器件制造、銷售；電子元器件制造、批發(fā)、零售；電力電子元器件制造、銷售等。

股權(quán)結(jié)構(gòu)顯示，拓荊科技、中科飛測(cè)全資子公司、微導(dǎo)納米均持股27.7624%，盛美上海持股比例為16.6574%，中科共芯的執(zhí)行事務(wù)合伙人為廣州中科齊芯半導(dǎo)體科技有限責(zé)任公司，持股0.0555%。

其中，拓荊科技成立于2010年4月，主要從事半導(dǎo)體專用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售與技術(shù)服務(wù)，公司主要產(chǎn)品包括等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）設(shè)備、原子層沉積（ALD）設(shè)備和次常壓化學(xué)氣相沉積（SACVD）設(shè)備三個(gè)產(chǎn)品系列，已廣泛應(yīng)用于集成電路晶圓制造領(lǐng)域。

中科飛測(cè)作為國(guó)內(nèi)高端半導(dǎo)體檢測(cè)和量測(cè)設(shè)備龍頭，自2014年成立以來一直專注于半導(dǎo)體檢測(cè)和量測(cè)設(shè)備領(lǐng)域，目前已成功推出了無圖形晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備、圖形晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備、三維形貌量測(cè)設(shè)備、薄膜膜厚量測(cè)設(shè)備等產(chǎn)品，可被廣泛應(yīng)用于28nm及以上制程集成電路制造和先進(jìn)封裝環(huán)節(jié)。

盛美上海先后開發(fā)了前道半導(dǎo)體工藝設(shè)備，包括清洗設(shè)備、半導(dǎo)體電鍍?cè)O(shè)備、立式爐管系列設(shè)備、涂膠顯影Track設(shè)備、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD設(shè)備、無應(yīng)力拋光設(shè)備；后道先進(jìn)封裝工藝設(shè)備以及硅材料襯底制造工藝設(shè)備等。

2023年3月，盛美上海首次獲得碳化硅（SiC）襯底清洗設(shè)備訂單，國(guó)內(nèi)SiC襯底制造龍頭廠商由此成為盛美上海的客戶。

微導(dǎo)納米成立于2015年12月，是一家面向全球的半導(dǎo)體、泛半導(dǎo)體高端微納裝備制造商，主要產(chǎn)品為應(yīng)用于光伏電池、硅基微顯示、邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片、化合物半導(dǎo)體和3D封裝等半導(dǎo)體及泛半導(dǎo)體的專用設(shè)備和成套技術(shù)。

2023年11月，微導(dǎo)納米在參加投資機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示，第三代半導(dǎo)體是公司半導(dǎo)體領(lǐng)域內(nèi)的主要布局方向之一，公司相關(guān)產(chǎn)品已取得了多家知名客戶的訂單，可應(yīng)用于第三代化合物半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域，市場(chǎng)前景廣闊。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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近期接受調(diào)研表示，公司幾大產(chǎn)品線都取得了不同程度的進(jìn)展。其中ALD設(shè)備系列產(chǎn)品（包括PE-ALD設(shè)備和Thermal-ALD設(shè)備，PE-ALD設(shè)備）已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，可以沉積SiO2、SiN等介質(zhì)薄膜材料，Thermal-ALD設(shè)備已出貨至不同客戶端進(jìn)行驗(yàn)證，可以沉積Al2O3等金屬化合物薄膜；SACVD和HDPCVD設(shè)備均已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。

在混合鍵合設(shè)備的進(jìn)展方面，拓荊科技表示，晶圓對(duì)晶圓鍵合產(chǎn)品（Dione 300）已通過客戶驗(yàn)收，并獲得了重復(fù)訂單，芯片對(duì)晶圓鍵合表面預(yù)處理產(chǎn)品（Pollux）已出貨至客戶端驗(yàn)證。鍵合設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模目前很難量化，潛在市場(chǎng)需求和未來增長(zhǎng)空間較大。

從今年上半年的業(yè)績(jī)來看，拓荊科技上半年的營(yíng)收為10.04億，同比增長(zhǎng)91.83%，凈利潤(rùn)為1.25億，同比增長(zhǎng)15.22%。拓荊科技表示，公司對(duì)下半年還是保持樂觀態(tài)度，目前工廠基本上已經(jīng)是滿負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn)，且在手的訂單飽滿，具體簽訂單情況要視客戶需求而定。

source:拓荊科技

在產(chǎn)能方面，拓荊科技位于沈陽(yáng)的總部年產(chǎn)能約300-350臺(tái)套，上海臨港一期研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)廠房改造已經(jīng)完成并投入使用，開始開展研發(fā)和生產(chǎn)相關(guān)工作，上海臨港二期研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化基地正在建設(shè)中，待建成投入使用后，公司每年的總產(chǎn)能約增加一倍。

（文：集邦化合物半導(dǎo)體Jump整理）

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