Tag Archives: 新潔能

13.5億，新潔能總部基地及產(chǎn)業(yè)化項目即將竣工投產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 10 月 18 日 18:00 | 分類 企業(yè)
10月17日，據(jù)無錫市新吳區(qū)官網(wǎng)消息，位于無錫市高新區(qū)（新吳區(qū)）的新潔能總部基地及產(chǎn)業(yè)化項目即將竣工投產(chǎn)。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 據(jù)悉，新潔能總部基地及產(chǎn)業(yè)化項目總投資13.5億元，用地面積約3.17萬平方米，建筑面積約5.4-5.7萬平方米，該項目于2023年1月開工建設(shè)...  [詳內(nèi)文]

新潔能、盛美上海、均勝電子、Veeco公布最新業(yè)績
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 13 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)
近期，4家碳化硅相關(guān)廠商新潔能、盛美上海、均勝電子、Veeco公布了最新的業(yè)績報告，其中，新潔能、盛美上海、均勝電子均實現(xiàn)營收凈利雙增長。 新潔能上半年實現(xiàn)營收8.73億元，SiC MOSFET實現(xiàn)小規(guī)模銷售 8月12日晚間，新潔能公布了2024年半年度報告。報告顯示，2024年...  [詳內(nèi)文]

揚杰科技、新潔能取得SiC、GaN相關(guān)專利
作者 |發(fā)布日期 2024 年 05 月 13 日 18:00 | 分類 企業(yè)
近日，揚杰科技和新潔能2家第三代半導(dǎo)體相關(guān)廠商分別取得SiC、GaN相關(guān)專利。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 揚杰科技取得GaN MOSFET專利 天眼查資料顯示，5月10日，揚杰科技取得一項“一種氮化鎵MOSFET封裝應(yīng)力檢測結(jié)構(gòu)”專利，授權(quán)公告號CN110749389B，申請日...  [詳內(nèi)文]

新潔能成立新半導(dǎo)體公司
作者 |發(fā)布日期 2024 年 02 月 05 日 17:50 | 分類 企業(yè)
據(jù)企查查顯示，近日，無錫金蘭華清半導(dǎo)體合伙企業(yè)（有限合伙）成立，注冊資本為5000萬元，無錫新潔能股份有限公司（下文簡稱“新潔能”）為該公司執(zhí)行事務(wù)合伙人，持有該公司63.6%股份。 資料顯示，無錫金蘭華清半導(dǎo)體合伙企業(yè)（有限合伙）經(jīng)營范圍包括：半導(dǎo)體分立器件制造。 圖片來源：...  [詳內(nèi)文]

新潔能推出的SiC MOSFET產(chǎn)品通過驗證并可小規(guī)模量產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2023 年 09 月 15 日 17:45 | 分類 功率
近日，無錫新潔能股份有限公司（下文簡稱“新潔能”）在互動平臺表示目前已開發(fā)完成1200V 23mohm~62mohm SiC MOSFET系列產(chǎn)品，新開發(fā)650V SiC MOSFET工藝平臺，用于新能源汽車OBC、光伏儲能、工業(yè)及自動化等行業(yè)，相關(guān)產(chǎn)品已通過客戶驗證，并實現(xiàn)小規(guī)...  [詳內(nèi)文]