在當今快速發(fā)展的科技時代，半導(dǎo)體材料的創(chuàng)新和應(yīng)用正成為推動全球電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵力量。在第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，氮化鎵（GaN）因其卓越的電子特性和廣泛的應(yīng)用前景，正受到業(yè)界的關(guān)注。近期，山東省的濟南和臨沂兩地，在氮化鎵襯底方面取得了新進展。 濟南：新增一個氮化鎵項目 據(jù)濟南日報消...  [詳內(nèi)文]