source：正定發(fā)布

據(jù)介紹，晶馳機電半導(dǎo)體材料裝備研發(fā)生產(chǎn)項目總投資2億元，占地約50.26畝，總建筑面積約20000平方米，項目分兩期建設(shè)，一期建設(shè)計劃時間為2025年—2026年。項目以金剛石設(shè)備與碳化硅外延設(shè)備為產(chǎn)品核心，專注于第三代和第四代半導(dǎo)體材料裝備的研發(fā)、生產(chǎn)。

該項目于今年7月落地河北正定縣，目前已經(jīng)完成了廠房的基本改造，展廳的搭建、辦公室的搭建以及凈化生產(chǎn)車間的搭建。項目負責人表示，下一步將加快項目建設(shè)進度，爭取在十月下旬正式投產(chǎn)。

資料顯示，晶馳機電成立于2021年7月，其總部與研發(fā)中心位于杭州市浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心，致力于碳化硅、金剛石、氮化鋁、氧化鎵等第三、四代半導(dǎo)體材料裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和應(yīng)用推廣。

目前公司產(chǎn)品包括6英寸、8英寸水平進氣和6英寸及8英寸兼容型垂直進氣碳化硅外延設(shè)備（LPCVD 法），金剛石生長設(shè)備（MPCVD 法），金剛石外延設(shè)備、氮化鋁長晶設(shè)備，碳化硅源粉合成爐，氧化鎵單晶生長爐（導(dǎo)模法、CZ法），各種晶體和晶片熱處理爐。

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體此前報道，晶馳機電還在本月完成了數(shù)千萬首輪融資，該筆資金由河北正茂產(chǎn)業(yè)投資有限公司（正定縣政府產(chǎn)業(yè)投資基金）領(lǐng)投。

晶馳機電表示，該筆融資的完成將有助于推動其在第三代、第四代半導(dǎo)體材料裝備的研發(fā)和市場推廣，提升其在國內(nèi)第三代、第四代半導(dǎo)體裝備行業(yè)競爭力，加速推動半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化進程。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

碳化硅設(shè)備廠晶馳機電完成數(shù)千萬首輪融資

10月7日，據(jù)杭州晶馳機電科技有限公司（以下簡稱：晶馳機電）官微披露，晶馳機電近日完成數(shù)千萬首輪融資，由河北正茂產(chǎn)業(yè)投資有限公司（正定縣政府產(chǎn)業(yè)投資基金）領(lǐng)投。

晶馳機電表示，本次融資將有助于推動其在第三代、第四代半導(dǎo)體材料裝備的研發(fā)和市場推廣，提升其在國內(nèi)第三代、第四代半導(dǎo)體裝備行業(yè)競爭力，加速推動半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化進程。

官微資料顯示，晶馳機電成立于2021年7月，其總部與研發(fā)中心位于杭州市浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心，專注于碳化硅、金剛石、氮化鋁等第三、四代半導(dǎo)體材料裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和應(yīng)用推廣。

目前，晶馳機電主要產(chǎn)品有六英寸和八英寸碳化硅外延設(shè)備（LPCVD法）、金剛石單晶生長及外延設(shè)備（MPCVD法）、氮化鋁晶體生長設(shè)備（PVT法）、碳化硅粉料合成設(shè)備、碳化硅晶錠及晶片退火設(shè)備和碳化硅晶片氧化設(shè)備。其在第三代、第四代半導(dǎo)體材料裝備方面產(chǎn)品線豐富，具備提供整套材料制造解決方案的能力。

晶馳機電已分別與浙江大學(xué)、杭州電子科技大學(xué)共建聯(lián)合實驗室，擁有一支由中國科學(xué)院院士及多名教授專家領(lǐng)銜的技術(shù)研發(fā)團隊，擁有15項已授權(quán)及在申請專利，預(yù)計每年新增10余項技術(shù)專利。

產(chǎn)線建設(shè)方面，晶馳機電在今年7月11日與河北正定縣舉行半導(dǎo)體材料裝備研發(fā)生產(chǎn)項目簽約儀式。簽約儀式上，正定縣人民政府、正定國控集團分別與晶馳機電簽署招商入駐協(xié)議和投資合作協(xié)議。

市場拓展方面，晶馳機電在5月末中標了清華柔性電子技術(shù)研究院單晶MPCVD設(shè)備采購項目。

碳化硅材料廠云嶺半導(dǎo)體完成天使輪融資

企查查資料顯示，9月26日，無錫云嶺半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱：云嶺半導(dǎo)體）完成天使輪融資，投資方為無錫創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)天使投資引導(dǎo)基金（有限合伙）。

公開資料顯示，云嶺半導(dǎo)體成立于2023年5月，是一家主要做碳化硅晶圓片原材料的公司，經(jīng)營范圍含新材料技術(shù)研發(fā)、電子元器件零售、電子專用設(shè)備制造、電子專用設(shè)備銷售、半導(dǎo)體器件專用設(shè)備制造等。

據(jù)悉，今年2月，云嶺半導(dǎo)體拿到了無錫的環(huán)評審批文件，將在無錫投資2億元，建設(shè)擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的碳化硅晶圓片用CMP研磨液為α態(tài)納米氧化鋁顆粒的生產(chǎn)線。

該項目是云嶺半導(dǎo)體的二廠，其一廠可生產(chǎn)研磨液600噸，碳化硅襯底材料6000片，填補了國內(nèi)第三代半導(dǎo)體精密加工所需材料以及CMP拋光液的空白。

氮化鎵芯片廠氮矽科技獲得千萬級戰(zhàn)略投資

近日，氮矽科技完成千萬級人民幣戰(zhàn)略融資，本次投資方為諾輝投資和上海矽米企業(yè)管理合伙企業(yè)（有限合伙），融資資金將主要用于產(chǎn)品研發(fā)以及產(chǎn)品銷售等方面。

自2019年4月成立以來，氮矽科技專注于氮化鎵產(chǎn)品的研發(fā)與銷售，致力于推動氮化鎵技術(shù)在多個關(guān)鍵領(lǐng)域的創(chuàng)新與應(yīng)用。

近年來，隨著全球?qū)Ω咝?、?jié)能、環(huán)保技術(shù)的需求日益增長，氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，以其超低導(dǎo)通電阻、超高頻、無反向?qū)〒p耗等優(yōu)異性能，在快充、5G基站電源、數(shù)據(jù)中心、新能源汽車、光伏儲能等多個領(lǐng)域展現(xiàn)出較大的應(yīng)用潛力。

氮矽科技先后推出了“E-mode GaN HEMT、GaN Driver、GaN PIIP?（Power Integrated in Package）和PWM GaN”四大產(chǎn)品線，產(chǎn)品覆蓋多種封裝形式，電壓范圍涵蓋40V-650V，能夠滿足不同領(lǐng)域客戶的多樣化需求。

目前，氮矽科技致力于研發(fā)分離式氮化鎵柵極驅(qū)動芯片及增強型氮化鎵晶體管，其驅(qū)動及晶體管產(chǎn)品已完成流片、封裝及應(yīng)用搭建，正在進行客戶導(dǎo)入。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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