同日，格恩半導體在六安曙光鉑尊酒店舉辦氮化鎵激光芯片產(chǎn)品發(fā)布會。

會上，格恩半導體共發(fā)布了十多款氮化鎵激光芯片產(chǎn)品，其中包括藍光、綠光及紫光等系列產(chǎn)品，據(jù)稱，這些產(chǎn)品關(guān)鍵性能指標已達到國外同類產(chǎn)品的先進水平。

據(jù)介紹，氮化鎵半導體激光器具有體積小、壽命長、效率高等優(yōu)點，波長范圍覆蓋可見光和紫外波段，應(yīng)用場景包括激光顯示、工業(yè)加工、激光照明、激光通訊、激光醫(yī)療等眾多領(lǐng)域，近年來總體市場需求呈現(xiàn)較高的復合增長趨勢，由于氮化鎵激光技術(shù)壁壘較高，長期被國外少數(shù)企業(yè)壟斷，我國企業(yè)需求全部依賴進口。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

近年來，格恩半導體集中優(yōu)勢資源力量，憑借在化合物半導體、尤其是氮化鎵材料領(lǐng)域豐富的研發(fā)和生產(chǎn)經(jīng)驗，攻克了一系列技術(shù)難點，成為國內(nèi)首家可以規(guī)模量產(chǎn)氮化鎵激光芯片的企業(yè)。

目前，格恩半導體已具備覆蓋氮化鎵激光器結(jié)構(gòu)設(shè)計、外延生長、芯片制造、封裝測試全系列工程技術(shù)能力及量產(chǎn)制造能力，擁有國際領(lǐng)先的半導體研發(fā)與量產(chǎn)設(shè)備500余臺，以及行業(yè)先進的產(chǎn)品研發(fā)平臺和自動化生產(chǎn)線。

本次發(fā)布會的舉辦，意味著我國在氮化鎵激光芯片領(lǐng)域已真正實現(xiàn)突破，打破了被國外企業(yè)長期壟斷的局面，填補了國內(nèi)氮化鎵激光芯片產(chǎn)業(yè)化空白，緩解了該類芯片的進口“卡脖子”問題，在我國半導體激光器的發(fā)展史上具有里程碑的意義。（文：：格恩半導體、化合物半導體市場整理）

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資料顯示，格恩半導體成立于2021年，主營高端化合物半導體外延材料、芯片及器件的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，具備大功率半導體激光器、紫外LED、高功率LED批量生產(chǎn)能力，多款產(chǎn)品實現(xiàn)國產(chǎn)化替代。

目前，格恩半導體是國內(nèi)唯一兼具技術(shù)和量產(chǎn)能力的廠商，擁有國內(nèi)領(lǐng)先的藍綠光半導體激光器及高功率LED生產(chǎn)線，也是全球少數(shù)在該領(lǐng)域擁有外延生長、芯片研制以及器件封裝產(chǎn)能的企業(yè)。

圖片來源：格恩半導體

憑借在化合物半導體，尤其是GaN材料領(lǐng)域多年的研發(fā)和生產(chǎn)經(jīng)驗，格恩半導體團隊攻克了一系列技術(shù)難點，包括設(shè)計非對稱壘結(jié)構(gòu)，通過參數(shù)控制、機臺預處理、特殊摻雜改善銦析出、控制缺陷密度、芯片倒裝結(jié)構(gòu)設(shè)計、改善腔面制作技術(shù)、芯片級共晶焊接等，實現(xiàn)了藍綠光激光芯片的量產(chǎn)。

今年6月，安徽格恩半導體項目一期在安徽省六安市金安區(qū)點火投產(chǎn)。該項目總投資20億元，于去年10月15日開工建設(shè)，預計年銷售收入可達7億多元，年利潤約2億多元，年納稅額約1億元。（來源：國投創(chuàng)合、LEDinside整理）

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