source:東北大學(xué)
據(jù)悉,與碳化硅和氮化鎵相比,β-氧化鎵具有更寬的帶隙和更低的能量損耗,因此有望成為下一代功率半導(dǎo)體材料。此外,與硅一樣,β-氧化鎵也可以從原材料熔體中熔融生長(zhǎng),因此可一次生產(chǎn)出大量高質(zhì)量單晶,理論上可以低成本、低缺陷地生產(chǎn)單晶襯底。
然而,在傳統(tǒng)的晶體生長(zhǎng)方法中,盛放高熔點(diǎn)氧化物熔液的坩堝使用了貴金屬銥,并且需要定期進(jìn)行重鑄。因此,銥相關(guān)的成本占了包括半導(dǎo)體前段工藝中的一部分薄膜制造成本的60%以上,這使得降低β-氧化鎵器件制造成本變得困難。目前,β-氧化鎵襯底比碳化硅更貴。而FOX正是為了應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)而成立的。
FOX采用OCCC(冷容器氧化物晶體生長(zhǎng))方法,無(wú)需使用貴金屬坩堝,即可生產(chǎn)出β-氧化鎵塊狀單晶,其低缺陷程度可與硅媲美。
據(jù)介紹,F(xiàn)OX初期階段將集中于使用OCCC法開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體級(jí)大尺寸化技術(shù),加速技術(shù)開(kāi)發(fā),力爭(zhēng)在2028年內(nèi)確立6英寸晶圓的量產(chǎn)技術(shù)。此后,F(xiàn)OX將進(jìn)一步擴(kuò)建量產(chǎn)工廠,推進(jìn)6英寸晶圓的驗(yàn)證。
目前,除日本企業(yè)外,國(guó)內(nèi)相關(guān)企業(yè)也在積極布局氧化鎵產(chǎn)業(yè),并取得了一定進(jìn)展。
其中,鎵仁半導(dǎo)體于今年7月成功制備出3英寸晶圓級(jí)(010)氧化鎵單晶襯底。
隨后在9月12日,據(jù)富加鎵業(yè)官微消息,其6英寸氧化鎵單晶及外延片生長(zhǎng)線于9月10日在杭州富陽(yáng)開(kāi)工建設(shè)。
同在9月,據(jù)“龍巖發(fā)布”官微消息,晶旭半導(dǎo)體二期——基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產(chǎn)項(xiàng)目于2023年12月開(kāi)工建設(shè)。目前,項(xiàng)目主體已經(jīng)全部封頂,預(yù)計(jì)年底之前具備設(shè)備模擬的條件。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)
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]]>source:鎵仁半導(dǎo)體
據(jù)介紹,鎵仁半導(dǎo)體此次推出的氧化鎵專用晶體生長(zhǎng)設(shè)備滿足氧化鎵生長(zhǎng)所需的高溫和高氧環(huán)境。設(shè)備采用非銥(Ir)坩堝材料,可在空氣氣氛下工作。研發(fā)團(tuán)隊(duì)自主設(shè)計(jì)了獨(dú)特的復(fù)合測(cè)溫技術(shù)和控溫算法,確保晶體生長(zhǎng)過(guò)程的穩(wěn)定性、均勻性和一致性。
該設(shè)備實(shí)現(xiàn)了全自動(dòng)化晶體生長(zhǎng)流程,減少了人工干預(yù),顯著提高了生產(chǎn)效率和晶體質(zhì)量。通過(guò)該設(shè)備制備的氧化鎵晶體為柱狀外形,通過(guò)工藝控制可獲得多種不同晶面的大尺寸單晶,且支持向更大尺寸單晶的升級(jí),以適應(yīng)不斷發(fā)展的外延技術(shù)和器件需求。
除了在設(shè)備領(lǐng)域有動(dòng)作,鎵仁半導(dǎo)體今年在融資、合作以及氧化鎵技術(shù)方面也有相關(guān)進(jìn)展。
今年4月,鎵仁半導(dǎo)體推出了新產(chǎn)品2英寸晶圓級(jí)(010)氧化鎵半絕緣單晶襯底,并實(shí)現(xiàn)了2英寸(010)氧化鎵單晶襯底的自主量產(chǎn),打破了國(guó)際壟斷。
6月底,鎵仁半導(dǎo)體與蘇州邁姆思半導(dǎo)體科技有限公司簽訂合作協(xié)議,雙方將協(xié)作實(shí)現(xiàn)碳化硅和氧化鎵的鍵合,用碳化硅出色的散熱性能來(lái)彌補(bǔ)氧化鎵散熱性能的不足,同時(shí)通過(guò)氧化鎵和硅的鍵合,大幅度降低成本,推動(dòng)氧化鎵作為功率器件的量產(chǎn)化。
7月,鎵仁半導(dǎo)體成功制備出了3英寸晶圓級(jí)(010)氧化鎵單晶襯底。
8月,鎵仁半導(dǎo)體完成了Pre-A輪融資并與杭州銀行戰(zhàn)略合作協(xié)議的簽訂。
9月上旬,鎵仁半導(dǎo)體宣布公司在氧化鎵襯底加工技術(shù)上取得突破性進(jìn)展,成功研制超薄6英寸襯底,襯底厚度小于200微米。(集邦化合物半導(dǎo)體整理)
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]]>圖片來(lái)源:拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)
該項(xiàng)目總投資16.8億元,建設(shè)136畝工業(yè)廠區(qū),據(jù)稱將建成全球首條超寬禁帶半導(dǎo)體高頻濾波芯片生產(chǎn)線,建成后將填補(bǔ)國(guó)內(nèi)在氧化鎵壓電薄膜新材料領(lǐng)域的空白。
公開(kāi)資料顯示,晶旭半導(dǎo)體是一家擁有5G通信中高頻體聲波濾波芯片(BAW)全鏈條核心技術(shù)、以IDM模式運(yùn)行的廠商。其核心技術(shù)是基于單晶氧化鎵為壓電材料的體聲波濾波器芯片,擁有獨(dú)立自主知識(shí)產(chǎn)權(quán),已取得多項(xiàng)技術(shù)創(chuàng)新。
據(jù)悉,晶旭半導(dǎo)體致力于打造寬禁帶和超寬禁帶化合物半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈,主要產(chǎn)品為氧化鎵基射頻濾波器芯片或器件等,廣泛用于5G通訊、智能物聯(lián)等應(yīng)用領(lǐng)域。
今年2月2日,晶旭半導(dǎo)體與深圳市睿悅投資控股集團(tuán)有限公司(以下簡(jiǎn)稱:睿悅投資)舉行了戰(zhàn)略投資簽署儀式。
本次睿悅投資作為晶旭半導(dǎo)體的獨(dú)家戰(zhàn)略投資人,對(duì)晶旭半導(dǎo)體戰(zhàn)略投資億元人民幣,助力晶旭半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)75萬(wàn)片氧化鎵外延片、12億顆濾波器芯片項(xiàng)目落成達(dá)產(chǎn)。
近期,氧化鎵材料熱度持續(xù)上漲,在技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)能建設(shè)等方面不時(shí)傳出新進(jìn)展。
研發(fā)方面,7月15日,據(jù)鎵仁半導(dǎo)體官微消息,鎵仁半導(dǎo)體于今年7月成功制備出3英寸晶圓級(jí)(010)氧化鎵單晶襯底,據(jù)稱為目前國(guó)際上已報(bào)道的最大尺寸。
產(chǎn)能方面,9月12日,據(jù)杭州富加鎵業(yè)科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱:富加鎵業(yè))官微消息,富加鎵業(yè)6英寸氧化鎵單晶及外延片生長(zhǎng)線于9月10日在杭州富陽(yáng)開(kāi)工建設(shè)。據(jù)稱,富加鎵業(yè)是國(guó)內(nèi)目前唯一一家同時(shí)具備6英寸單晶生長(zhǎng)及外延的公司,開(kāi)工建設(shè)的6英寸氧化鎵單晶及外延片生長(zhǎng)線也是國(guó)內(nèi)第一條6英寸氧化鎵單晶及外延片生長(zhǎng)線。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac)
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]]>鴻海入局氧化鎵
近期媒體報(bào)道,鴻海研究院半導(dǎo)體所與陽(yáng)明交大電子所合作,雙方研究團(tuán)隊(duì)在第四代半導(dǎo)體的關(guān)鍵技術(shù)上取得重大突破,提高了氧化鎵在高壓、高溫應(yīng)用領(lǐng)域的高壓耐受性能。
本次研究利用磷離子布植和快速熱退火技術(shù)實(shí)現(xiàn)了第四代半導(dǎo)體P型氧化鎵的制造,并在其上重新生長(zhǎng)N型和 N+型Ga2O3,形成了PN Ga2O3 二極體,結(jié)果展示出優(yōu)異的電性表現(xiàn),這一突破性技術(shù)除了能大幅提升元件的穩(wěn)定性和可靠性,并顯著降低電阻。
論文詳細(xì)闡述了這種新型Ga2O3 PN二極體的制作過(guò)程和性能特征。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,該元件具有4.2 V的開(kāi)啟電壓和900 V的擊穿電壓,展現(xiàn)出元件優(yōu)異的高壓耐受性能。
資料顯示,氧化鎵作為第四代半導(dǎo)體材料代表,具備禁帶寬度大、臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、導(dǎo)通特性好(幾乎是碳化硅的10倍)、材料生長(zhǎng)成本低等優(yōu)勢(shì),這些特性使得氧化鎵特別適用于電動(dòng)汽車、電網(wǎng)系統(tǒng)、航空航天等高功率應(yīng)用場(chǎng)景。
鴻海認(rèn)為,氧化鎵將有望成為具有競(jìng)爭(zhēng)力的電力電子元件,能直接與碳化硅競(jìng)爭(zhēng)。展望未來(lái),鴻海研究院表示,隨著氧化鎵技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展,可以期待其在更多高壓、高溫和高頻領(lǐng)域中有更廣泛應(yīng)用。
氧化鎵技術(shù)不斷突破
資料顯示,當(dāng)前日本、美國(guó)與中國(guó)對(duì)氧化鎵領(lǐng)域的研究較為積極。
日本相關(guān)廠商已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了4英寸與6英寸氧化鎵的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展,2023年底,日本NCT(novel crystal technology)公司宣布全球首次采用垂直布里奇曼(VB)法成功制備出6英寸β型氧化鎵單晶。
美國(guó)Kyma科技公司在氧化鎵基片、外延晶片和器件的生產(chǎn)上具有優(yōu)勢(shì),并且與美國(guó)國(guó)防部達(dá)成緊密的合作關(guān)系。
我國(guó)同樣也在加速布局氧化鎵,并取得了一系列重要研究成果。
去年2月,中國(guó)電科46所成功制備出6英寸氧化鎵單晶,技術(shù)達(dá)到了國(guó)際一線水平。
去年10月,北京鎵和半導(dǎo)體有限公司實(shí)現(xiàn)了4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破,推出多規(guī)格氧化鎵單晶襯底并首發(fā)4英寸(100)面單晶襯底參數(shù)。
今年3月,鎵仁半導(dǎo)體聯(lián)合浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院、硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,采用自主開(kāi)創(chuàng)的鑄造法于今年2月成功制備了高質(zhì)量6英寸非故意摻雜及導(dǎo)電型氧化鎵(β-Ga2O3)單晶,并加工獲得了6英寸氧化鎵襯底片。同年7月,鎵仁半導(dǎo)體制備出了3英寸晶圓級(jí)(010)氧化鎵單晶襯底。
今年4月,媒體報(bào)道廈門(mén)大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院楊偉鋒教授團(tuán)隊(duì)在第四代半導(dǎo)體氧化鎵(β-Ga2O3)外延生長(zhǎng)技術(shù)和日盲光電探測(cè)器制備方面取得重要進(jìn)展。
在β-Ga2O3薄膜生長(zhǎng)方面,研究團(tuán)隊(duì)利用分子束外延技術(shù)(MBE)實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量、低缺陷密度的外延薄膜生長(zhǎng),并通過(guò)改變反應(yīng)物前驅(qū)體和精密控制生長(zhǎng)參數(shù),成功實(shí)現(xiàn)了β-Ga2O3外延薄膜的均勻生長(zhǎng)和優(yōu)良的晶體質(zhì)量,有力地推動(dòng)了β-Ga2O3薄膜的高質(zhì)量異質(zhì)外延的發(fā)展。同時(shí),研究團(tuán)隊(duì)還通過(guò)對(duì)MBE外延生長(zhǎng)過(guò)程中的β-Ga2O3薄膜生長(zhǎng)機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)探究,揭示了其成核、生長(zhǎng)的差異性,并建立了相對(duì)應(yīng)的外延生長(zhǎng)機(jī)理模型圖。據(jù)悉,β-Ga2O3材料因其本征日盲光吸收(254 nm),簡(jiǎn)單二元組成,帶隙可調(diào),制備工藝簡(jiǎn)單等優(yōu)勢(shì)在日盲光電探測(cè)器領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注。
另外,該研究團(tuán)隊(duì)在MBE異質(zhì)外延β-Ga2O3生長(zhǎng)機(jī)制的基礎(chǔ)上,結(jié)合半導(dǎo)體光電響應(yīng)原理,探究了異質(zhì)外延β-Ga2O3薄膜日盲光電探測(cè)器的性能指標(biāo)。研究團(tuán)隊(duì)利用臭氧作為前驅(qū)體所制備的金屬-半導(dǎo)體-金屬結(jié)構(gòu)日盲光電探測(cè)器表現(xiàn)出7.5 pA的暗電流、1.31×107的光暗電流比、1.31×1015 Jones的比檢測(cè)率和 53 A/W的光響應(yīng)度,表現(xiàn)出相當(dāng)優(yōu)異的對(duì)日盲紫外光的探測(cè)性能。
來(lái)源:全球半導(dǎo)體觀察
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]]>source:鎵仁半導(dǎo)體
鎵仁半導(dǎo)體表示,本輪融資資金的注入,不僅是對(duì)公司技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)前景的高度認(rèn)可,更為公司的未來(lái)發(fā)展提供了堅(jiān)實(shí)的資金保障。
同時(shí),隨著與杭州銀行戰(zhàn)略合作協(xié)議的簽訂,公司將進(jìn)一步深化與金融機(jī)構(gòu)的合作,共同探索科技與金融深度融合的新模式、新路徑,為公司的持續(xù)快速發(fā)展注入新的活力。
據(jù)悉,鎵仁半導(dǎo)體成立于2022年9月,是一家專注于氧化鎵等超寬禁帶半導(dǎo)體單晶襯底及外延材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)。鎵仁半導(dǎo)體開(kāi)創(chuàng)了非導(dǎo)模法氧化鎵單晶生長(zhǎng)新技術(shù),突破了國(guó)際市場(chǎng)對(duì)氧化鎵材料的壟斷,可提供具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的氧化鎵單晶襯底材料。
技術(shù)進(jìn)展方面,此前,鎵仁半導(dǎo)體聯(lián)合浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院、硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,采用楊德仁院士團(tuán)隊(duì)自主開(kāi)創(chuàng)的鑄造法成功制備了高質(zhì)量6英寸非故意摻雜及導(dǎo)電型氧化鎵(β-Ga2O3)單晶襯底。
2024年4月,鎵仁半導(dǎo)體推出了新產(chǎn)品2英寸晶圓級(jí)(010)氧化鎵半絕緣單晶襯底,并實(shí)現(xiàn)了2英寸(010)氧化鎵單晶襯底的自主量產(chǎn),打破了國(guó)際壟斷。
2024年7月,鎵仁半導(dǎo)體成功制備出了3英寸晶圓級(jí)(010)氧化鎵單晶襯底。(來(lái)源:鎵仁半導(dǎo)體、集邦化合物半導(dǎo)體)
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]]>目前,中國(guó)、日本、韓國(guó)等國(guó)的研究機(jī)構(gòu)和團(tuán)隊(duì)在氧化鎵材料的技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化方面都取得了一定的進(jìn)展。其中,廈門(mén)大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)在氧化鎵外延生長(zhǎng)技術(shù)和日盲光電探測(cè)器制備方面取得了重要進(jìn)展,利用分子束外延技術(shù)(MBE)實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量、低缺陷密度的外延薄膜生長(zhǎng),推動(dòng)了氧化鎵薄膜高質(zhì)量異質(zhì)外延的發(fā)展;中國(guó)電科46所通過(guò)改進(jìn)熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)和晶體生長(zhǎng)工藝,成功制備出國(guó)內(nèi)首片高質(zhì)量氧化鎵單晶。
韓國(guó)方面,7月22日,韓國(guó)化合物半導(dǎo)體公司Siegtronics宣布,其已開(kāi)發(fā)出可應(yīng)用于高速開(kāi)關(guān)的氧化鎵肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)。Siegtronics表示,其通過(guò)“開(kāi)發(fā)具有低缺陷特性的高級(jí)氧化鎵外延材料和擊穿電壓為1kV或更高的功率器件技術(shù)”項(xiàng)目,成功研制出了韓國(guó)首個(gè)1200V級(jí)氧化鎵SBD。
日本方面,近日,由日本東北大學(xué)孵化的創(chuàng)業(yè)公司C&A的社長(zhǎng)鐮田圭和東北大學(xué)材料研究所吉川彰教授領(lǐng)導(dǎo)的團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出了不使用貴金屬坩堝的新型晶體生長(zhǎng)方法——冷坩堝氧化物晶體生長(zhǎng)法(Oxide Crystal growth from Cold Crucible method,OCCC),成功地培育出了最大直徑約5cm的氧化鎵晶體。
source:scientific reports
該項(xiàng)目的研究人員表示,傳統(tǒng)的晶體生長(zhǎng)方法使用貴金屬銥作為盛放坩堝,長(zhǎng)晶成本高且制造過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生氧缺陷。而在此次開(kāi)發(fā)中,團(tuán)隊(duì)以skull melting method為基礎(chǔ),通過(guò)開(kāi)發(fā)C&A公司的獨(dú)創(chuàng)設(shè)備,成功地在不使用貴金屬坩堝的情況下生產(chǎn)出了高質(zhì)量的氧化鎵晶體。并且由于這種方法不涉及銥的氧化,因此在生長(zhǎng)過(guò)程中對(duì)氣體沒(méi)有限制,熔體可以在生長(zhǎng)氣氛中保持任意氧濃度,這有望顯著控制生長(zhǎng)過(guò)程中晶體的氧缺陷。
氧化鎵晶體因其優(yōu)異的電學(xué)和光學(xué)特性,在電力電子器件、高功率激光器和紫外探測(cè)器等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。隨著各國(guó)在氧化鎵領(lǐng)域持續(xù)取得新進(jìn)展,氧化鎵材料有望加速實(shí)現(xiàn)商業(yè)應(yīng)用。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)
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]]>source:Siegtronics
據(jù)悉,氧化鎵是一種寬帶隙(WBG)材料,與碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)相比,具有更寬帶隙和更高的臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)。它克服了現(xiàn)有產(chǎn)品的缺點(diǎn)——低擊穿電壓(VB)和高漏電流(IL),實(shí)現(xiàn)了差異化的高壓、大電流、耐高溫、高效率應(yīng)用,在電動(dòng)汽車的電源轉(zhuǎn)換器、電驅(qū)和逆變器等領(lǐng)域應(yīng)用備受關(guān)注。
氧化鎵普遍被業(yè)界認(rèn)為是“第四代半導(dǎo)體”材料,目前以美國(guó)、中國(guó)、日本為代表的相關(guān)企業(yè)和機(jī)構(gòu)正對(duì)其開(kāi)展研發(fā)工作。
但與其他寬帶隙材料相比,相關(guān)研發(fā)(R&D)程度較低,尚未達(dá)到全面商業(yè)化階段。因此,全球許多半導(dǎo)體相關(guān)機(jī)構(gòu)和公司都在努力搶占氧化鎵市場(chǎng)。
Siegtronics表示,公司通過(guò)“開(kāi)發(fā)具有低缺陷特性的高級(jí)氧化鎵外延材料和擊穿電壓為1kV或更高的功率器件技術(shù)”項(xiàng)目,成功研制出了韓國(guó)首個(gè)1200V級(jí)氧化鎵SBD。
需要注意的是,氧化鎵通過(guò)最大限度地降低半導(dǎo)體器件的漏電流和導(dǎo)通電阻,不僅有望應(yīng)用于普通家電和IT設(shè)備的逆變器和轉(zhuǎn)換器,還有望應(yīng)用于電動(dòng)汽車充電模塊、國(guó)防、航空航天領(lǐng)域,為實(shí)現(xiàn)器件功耗的小型化、微型化和輕量化做出貢獻(xiàn)。(集邦化合物半導(dǎo)體Rick編譯)
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]]>source:鎵仁半導(dǎo)體
據(jù)鎵仁半導(dǎo)體介紹,在氧化鎵單晶襯底常見(jiàn)的主流晶面中,(010)襯底在物理特性和外延方面具有出色的表現(xiàn)。首先,(010)襯底熱導(dǎo)率最高,有利于提升功率器件性能;第二,(010)襯底具有較快的外延生長(zhǎng)速率;第三,基于(010)襯底制備的器件具有更優(yōu)異的性能。
資料顯示,鎵仁半導(dǎo)體成立于2022年9月,是一家專注于氧化鎵等超寬禁帶半導(dǎo)體單晶襯底及外延材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的廠商。鎵仁半導(dǎo)體開(kāi)創(chuàng)了非導(dǎo)模法氧化鎵單晶生長(zhǎng)新技術(shù),突破了國(guó)際市場(chǎng)對(duì)氧化鎵材料的壟斷,可提供具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的氧化鎵單晶襯底材料。
技術(shù)進(jìn)展方面,此前,鎵仁半導(dǎo)體聯(lián)合浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院、硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,采用楊德仁院士團(tuán)隊(duì)自主開(kāi)創(chuàng)的鑄造法成功制備了高質(zhì)量6英寸非故意摻雜及導(dǎo)電型氧化鎵(β-Ga2O3)單晶襯底。
2024年4月,鎵仁半導(dǎo)體推出了新產(chǎn)品2英寸晶圓級(jí)(010)氧化鎵半絕緣單晶襯底,并實(shí)現(xiàn)了2英寸(010)氧化鎵單晶襯底的自主量產(chǎn),打破了國(guó)際壟斷。
融資方面,今年4月,鎵仁半導(dǎo)體宣布完成數(shù)千萬(wàn)元天使輪融資,本輪融資由藍(lán)馳創(chuàng)投領(lǐng)投,禹泉資本、毅嶺資本跟投,融資資金將用于強(qiáng)化團(tuán)隊(duì)、加速氧化鎵襯底材料新方法及中試線研發(fā)。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)
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據(jù)悉,邁姆思將與鎵仁半導(dǎo)體協(xié)作實(shí)現(xiàn)SiC和氧化鎵的鍵合,用SiC出色的散熱性能來(lái)彌補(bǔ)氧化鎵散熱性能的不足,同時(shí)通過(guò)氧化鎵和硅的鍵合,大幅度降低成本,推動(dòng)氧化鎵作為功率器件的量產(chǎn)化。
據(jù)了解,本次合作是將第三代半導(dǎo)體材料與第四代半導(dǎo)體材料進(jìn)行融合研發(fā)的戰(zhàn)略合作。
官網(wǎng)資料顯示,鎵仁半導(dǎo)體成立于2022年9月,是一家專注于超寬禁帶半導(dǎo)體材料氧化鎵研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的廠商。
技術(shù)研發(fā)方面,鎵仁半導(dǎo)體開(kāi)創(chuàng)了氧化鎵單晶生長(zhǎng)新技術(shù),擁有國(guó)際、國(guó)內(nèi)發(fā)明專利十余項(xiàng),突破了美國(guó)、德國(guó)、日本等西方國(guó)家在氧化鎵襯底材料上的壟斷和封鎖。
產(chǎn)品方面,鎵仁半導(dǎo)體產(chǎn)品包括不同尺寸、晶向和電阻率的氧化鎵拋光片,可定制的氧化鎵籽晶等,主要應(yīng)用于面向國(guó)家電網(wǎng)、新能源汽車、軌道交通、5G通信等領(lǐng)域的電力電子器件。目前,鎵仁半導(dǎo)體已掌握從設(shè)備開(kāi)發(fā)、熱場(chǎng)設(shè)計(jì)、晶體生長(zhǎng)、晶體加工等全鏈條的核心技術(shù),可提供完全具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的氧化鎵襯底。
今年4月9日,鎵仁半導(dǎo)體宣布正式推出2英寸晶圓級(jí)(010)氧化鎵單晶襯底。鎵仁半導(dǎo)體指出,在氧化鎵單晶襯底常見(jiàn)的主流晶面中,(010)襯底在物理特性和外延方面具有出色的表現(xiàn):(010)襯底熱導(dǎo)率較高,有利于提升功率器件性能;(010)襯底還具有較快的外延生長(zhǎng)速率。
邁姆思則于2022年在蘇州工業(yè)園區(qū)建立公司總部作為生產(chǎn)中心,用于大規(guī)模量產(chǎn)SOI晶圓和開(kāi)發(fā)新的晶圓材料。邁姆思在國(guó)外已經(jīng)研究開(kāi)發(fā)SOI晶圓材料超過(guò)15年,并在技術(shù)上取得了實(shí)質(zhì)性進(jìn)展,填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)在SOI加工領(lǐng)域高級(jí)工藝技術(shù)的空白。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)
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銘鎵半導(dǎo)體董事長(zhǎng)陳政委表示,半絕緣型(010)鐵摻襯底和該襯底加導(dǎo)電型薄膜外延,目前國(guó)際可做到25毫米×25毫米尺寸,而銘鎵半導(dǎo)體可以做到40毫米×25毫米尺寸,可穩(wěn)定生產(chǎn)多爐且累計(jì)一定庫(kù)存。導(dǎo)電型(001)錫摻襯底和該襯底加導(dǎo)電型薄膜外延,目前國(guó)際上可達(dá)到4英寸,銘鎵半導(dǎo)體已實(shí)現(xiàn)大尺寸襯底工藝突破,并將逐步穩(wěn)定工藝供貨。
據(jù)官網(wǎng)介紹,銘鎵半導(dǎo)體致力于研發(fā)和生產(chǎn)新型半導(dǎo)體人工晶體材料,包括第四代半導(dǎo)體材料氧化鎵、高頻磷化銦晶體和大尺寸摻雜光學(xué)晶體。(來(lái)源:全球半導(dǎo)體觀察整理 )
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