Tag Archives: 氧化鎵

氧化鎵產(chǎn)業(yè)“漸入佳境”！
作者 |發(fā)布日期 2023 年 07 月 31 日 17:15 | 分類 碳化硅SiC
三菱電機(jī)公司今天宣布，它已入股Novel Crystal Technology, Inc.——一家開發(fā)和銷售氧化鎵晶圓的日本公司，氧化鎵晶圓是一個(gè)很有前途的候選者。三菱電機(jī)打算加快開發(fā)優(yōu)質(zhì)節(jié)能功率半導(dǎo)體，以支持全球脫碳。 Novel Crystal Technology 目前是世...  [詳內(nèi)文]

氧化鎵商業(yè)化，邁出重要一步
作者 |發(fā)布日期 2023 年 04 月 17 日 17:40 | 分類 氮化鎵GaN
日本新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機(jī)構(gòu)（NEDO）4月6日宣布，作為NEDO推動的“戰(zhàn)略節(jié)能技術(shù)創(chuàng)新計(jì)劃”的一部分，Novel Crystal Technology正在致力于β-Ga2O3肖特基勢壘二極管的商業(yè)化開發(fā)。宣布已成功確認(rèn)氧化鎵 (β-Ga2O3) 肖特基勢壘二極管 (SBD)...  [詳內(nèi)文]

金額近億元，第四代半導(dǎo)體公司進(jìn)化半導(dǎo)體完成A輪融資
作者 |發(fā)布日期 2023 年 04 月 14 日 16:51 | 分類 產(chǎn)業(yè)
4月14日，進(jìn)化半導(dǎo)體官方正式宣布完成近億元人民幣融資，資金將主要用于持續(xù)研發(fā)投入和團(tuán)隊(duì)擴(kuò)充。 本輪融資由中合汽車基金和同創(chuàng)偉業(yè)領(lǐng)投，國發(fā)創(chuàng)投、深圳高新投、浙商創(chuàng)投、泰融資本等知名投資機(jī)構(gòu)跟投，老股東祥峰投資繼續(xù)加注。 據(jù)悉，進(jìn)化半導(dǎo)體成立于2021年5月，公司專注于以創(chuàng)新技術(shù)制...  [詳內(nèi)文]

專注于第四代半導(dǎo)體，鎵仁半導(dǎo)體完成天使輪融資
作者 |發(fā)布日期 2023 年 04 月 04 日 15:05 | 分類 產(chǎn)業(yè)
根據(jù)藍(lán)馳創(chuàng)投官方消息，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱：鎵仁半導(dǎo)體）近日正式完成數(shù)千萬天使輪融資。該輪融資由藍(lán)馳創(chuàng)投領(lǐng)投，禹泉資本跟投；融資將用于強(qiáng)化團(tuán)隊(duì)、加速氧化鎵襯底材料新方法及中試線研發(fā)。 據(jù)悉，氧化鎵是一種無機(jī)化合物。作為第四代半導(dǎo)體的代表，氧化鎵被視為“替代碳化硅和氮化...  [詳內(nèi)文]

中國第一，韓媒發(fā)布氧化鎵有效專利持有量排名
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 27 日 17:18 | 分類 氮化鎵GaN
據(jù)韓媒報(bào)道，日前，韓國舉辦了“氧化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)路線圖研討會”，會上公布了氧化鎵專利申請情況。 根據(jù)AnA Patent對韓國、中國、美國、歐洲、日本等6個(gè)主要PCT國家/地區(qū)所持有的氧化鎵功率半導(dǎo)體元件有效專利分析，截至2021年9月共有1011件專利，其中中國擁有328件，...  [詳內(nèi)文]

西安郵電大學(xué)成功在8吋硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 10 日 17:14 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，西安郵電大學(xué)由電子工程學(xué)院管理的新型半導(dǎo)體器件與材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室陳海峰教授團(tuán)隊(duì)成功在8吋硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片，這一成果標(biāo)志著我校在超寬禁帶半導(dǎo)體研究上取得重要進(jìn)展。 圖片來源：西郵新聞網(wǎng) 據(jù)陳海峰教授介紹，氧化鎵是一種超寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的耐高壓與日盲...  [詳內(nèi)文]

國內(nèi)第一，這顆6英寸氧化鎵單晶擊碎“卡脖子”
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 01 日 8:57 | 分類 氮化鎵GaN
昨（27）日，中國電子科技集團(tuán)有限公司（中國電科）宣布，近日，中國電科46所成功制備出我國首顆6英寸氧化鎵單晶，達(dá)到國際最高水平。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 01、中國電科46所成功制備6英寸氧化鎵單晶 氧化鎵，是繼Si、SiC及GaN后的第四代寬禁帶半導(dǎo)體材料，以β-Ga2O...  [詳內(nèi)文]

中國科大研制出氧化鎵垂直槽柵場效應(yīng)晶體管
作者 |發(fā)布日期 2023 年 02 月 27 日 17:13 | 分類 氮化鎵GaN
近日，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院龍世兵教授課題組聯(lián)合中科院蘇州納米所加工平臺在氧化鎵功率電子器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展，分別采用氧氣氛圍退火和N離子注入技術(shù)，首次研制出了氧化鎵垂直槽柵場效應(yīng)晶體管。 相關(guān)研究成果分別以“Enhancement-modeβ-Ga2O3U-shaped g...  [詳內(nèi)文]