濟(jì)南：新增一個(gè)氮化鎵項(xiàng)目

據(jù)濟(jì)南日?qǐng)?bào)消息，10月17日下午，在濟(jì)南市半導(dǎo)體、空天信息產(chǎn)業(yè)高價(jià)值技術(shù)成果本市轉(zhuǎn)化對(duì)接會(huì)上，山東晶鎵半導(dǎo)體有限公司（下文簡(jiǎn)稱“晶鎵半導(dǎo)體”）與濟(jì)南晶谷研究院簽約，入駐新一代半導(dǎo)體公共服務(wù)平臺(tái)項(xiàng)目。

source：濟(jì)南晶谷研究院

據(jù)悉，晶鎵半導(dǎo)體將依托山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、新一代半導(dǎo)體材料研究院研發(fā)的最新GaN單晶生長(zhǎng)與襯底加工技術(shù)成果，開展第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN)單晶襯底的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。

資料顯示，濟(jì)南晶谷研究院是濟(jì)南市政府聯(lián)合山東大學(xué)發(fā)起成立的新型研發(fā)機(jī)構(gòu)，旨在面向國(guó)家所需和產(chǎn)業(yè)前沿，集科研、教育、企事業(yè)等功能于一身。該機(jī)構(gòu)總投入10億元，于2023年7月正式揭牌。
據(jù)悉，濟(jì)南晶谷研究院成立以來，先后引進(jìn)2家產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)，分別為中晶芯源、晶啟光電，孵化2家小微企業(yè)，分別為山東晶鎵半導(dǎo)體和山東一芯智能科技，并成立研究院全資子公司濟(jì)南晶谷科技有限公司。

臨沂：加快氮化鎵新材料項(xiàng)目建設(shè)

據(jù)中交雄安建設(shè)有限公司官微披露，近日，山東臨沂市委書記任剛到高新廠房項(xiàng)目調(diào)研，視察了一個(gè)氮化鎵新材料項(xiàng)目。

資料顯示，該項(xiàng)目總投資5億，占地304畝，主要建設(shè)廠房（含超凈間）、行政中心、技術(shù)研發(fā)中心等，新上50條HVRE單晶生產(chǎn)線、晶片檢測(cè)線，10條晶片切割加工生產(chǎn)線，10條研磨、清洗封裝工藝設(shè)備生產(chǎn)線，10套外延片加工MOCVD設(shè)備生產(chǎn)線，10條圖形襯底制備生產(chǎn)線及配套設(shè)施。項(xiàng)目于今年6月開工，預(yù)計(jì)2025年12月完工。

項(xiàng)目建成后與北京化工大學(xué)博士團(tuán)隊(duì)合作，引進(jìn)具有獨(dú)立產(chǎn)權(quán)的生產(chǎn)技術(shù)和設(shè)備，生產(chǎn)的2英寸、4英寸氮化鎵單晶襯底，廣泛應(yīng)用于芯片制造、通訊基站、相控雷達(dá)等領(lǐng)域，建成后將實(shí)現(xiàn)全市第三代半導(dǎo)體材料的新突破。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

據(jù)報(bào)道，羅姆將在氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域加強(qiáng)和臺(tái)積電合作，擬通過水平分工、對(duì)抗海外競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。在近日舉行的“第85屆應(yīng)用物理學(xué)會(huì)秋季學(xué)術(shù)講座”上，羅姆宣布將全面委托臺(tái)積電代工生產(chǎn)。

報(bào)道指出，羅姆將全面委托臺(tái)積電代工生產(chǎn)有望運(yùn)用于廣泛用途的650V耐壓產(chǎn)品，通過活用外部資源，因應(yīng)急增的需求，擴(kuò)大事業(yè)規(guī)模。報(bào)道稱，羅姆此前應(yīng)該就已委托臺(tái)積電代工，只不過羅姆本身未曾對(duì)外公開過。

近期，羅姆頻頻通過合作強(qiáng)化第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)布局。

今年8月22日，據(jù)賽米控丹佛斯官微消息，賽米控丹佛斯和羅姆將強(qiáng)化合作伙伴關(guān)系，雙方將基于低功率芯片，擴(kuò)展低功率模塊產(chǎn)品。據(jù)悉，雙方的合作范圍涉及羅姆的第四代碳化硅MOSFET和RGA IGBT，二者都適用于賽米控丹佛斯的模塊。

隨后在9月27日，芯動(dòng)半導(dǎo)體宣布，正式與羅姆簽署以碳化硅為核心的車載功率模塊戰(zhàn)略合作伙伴協(xié)議。通過此次合作，芯動(dòng)半導(dǎo)體將致力于搭載羅姆碳化硅芯片的車載功率模塊的創(chuàng)新和性能提升，以延長(zhǎng)xEV的續(xù)航里程。未來，雙方將會(huì)進(jìn)一步加快以碳化硅為核心的創(chuàng)新型車載電源解決方案的開發(fā)速度。

而在9月30日，據(jù)電裝官網(wǎng)消息，電裝和羅姆宣布計(jì)劃建立專注于汽車應(yīng)用的半導(dǎo)體合作伙伴關(guān)系。電裝和羅姆一直在汽車應(yīng)用半導(dǎo)體的貿(mào)易和開發(fā)方面進(jìn)行合作。未來，兩家公司將考慮通過這種合作伙伴關(guān)系實(shí)現(xiàn)高度可靠產(chǎn)品的穩(wěn)定供應(yīng)，并采取各種措施開發(fā)高質(zhì)量、高效率的半導(dǎo)體。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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據(jù)介紹，該案投資金額達(dá)15億元新臺(tái)幣（折合人民幣約3.29億元），主要用來生產(chǎn)氮化鎵功率元件相關(guān)產(chǎn)品。

資料顯示冠亞為臺(tái)亞半導(dǎo)體子公司，專注于氮化鎵（GaN）功率技術(shù)。公司可提供的氮化鎵功率元件包含650V（GaN on Si）以下與1200V（GaN on Sapphire/SiC）以上規(guī)格，產(chǎn)品可應(yīng)用在快速充電器、電動(dòng)車、太陽能逆變器等新興應(yīng)用領(lǐng)域。

值得一提的是，未來冠亞或?qū)⒅匦姆旁?英寸氮化鎵業(yè)務(wù)的發(fā)展。

今年5月底，臺(tái)亞半導(dǎo)體舉行股東會(huì)，會(huì)議通過了將8英寸GaN（氮化鎵）事業(yè)群分割的計(jì)劃。

分割后，6英寸氮化鎵產(chǎn)線繼續(xù)保留在臺(tái)亞，產(chǎn)線同時(shí)生產(chǎn)感測(cè)組件，且生產(chǎn)6英寸氮化鎵是為子公司冠亞或其他廠商代工；8英寸氮化鎵事業(yè)群則在分割完成后由冠亞承接。

source：拍信網(wǎng)

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體此前報(bào)道，冠亞8英寸氮化鎵產(chǎn)線的第一批設(shè)備已經(jīng)全數(shù)到位，原計(jì)劃預(yù)定在第三季試產(chǎn)8英寸氮化鎵，若一切順利冠亞將在第四季前完成第一顆產(chǎn)品，第一條線月產(chǎn)能預(yù)估達(dá)2,000片。據(jù)了解，目前8英寸氮化鎵業(yè)務(wù)已接到客戶訂單。

本次投資案通過以后，冠亞將借助母公司臺(tái)亞半導(dǎo)體的外延技術(shù)和研發(fā)資源，進(jìn)一步整合上下游產(chǎn)業(yè)鏈，加強(qiáng)中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)在化合物半導(dǎo)體外延技術(shù)及相關(guān)高功率元件開發(fā)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，并推動(dòng)氮化鎵長(zhǎng)晶、晶圓切片及周邊材料供應(yīng)鏈的產(chǎn)業(yè)集群的完善。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

碳化硅設(shè)備廠晶馳機(jī)電完成數(shù)千萬首輪融資

10月7日，據(jù)杭州晶馳機(jī)電科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱：晶馳機(jī)電）官微披露，晶馳機(jī)電近日完成數(shù)千萬首輪融資，由河北正茂產(chǎn)業(yè)投資有限公司（正定縣政府產(chǎn)業(yè)投資基金）領(lǐng)投。

晶馳機(jī)電表示，本次融資將有助于推動(dòng)其在第三代、第四代半導(dǎo)體材料裝備的研發(fā)和市場(chǎng)推廣，提升其在國(guó)內(nèi)第三代、第四代半導(dǎo)體裝備行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力，加速推動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。

官微資料顯示，晶馳機(jī)電成立于2021年7月，其總部與研發(fā)中心位于杭州市浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心，專注于碳化硅、金剛石、氮化鋁等第三、四代半導(dǎo)體材料裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和應(yīng)用推廣。

目前，晶馳機(jī)電主要產(chǎn)品有六英寸和八英寸碳化硅外延設(shè)備（LPCVD法）、金剛石單晶生長(zhǎng)及外延設(shè)備（MPCVD法）、氮化鋁晶體生長(zhǎng)設(shè)備（PVT法）、碳化硅粉料合成設(shè)備、碳化硅晶錠及晶片退火設(shè)備和碳化硅晶片氧化設(shè)備。其在第三代、第四代半導(dǎo)體材料裝備方面產(chǎn)品線豐富，具備提供整套材料制造解決方案的能力。

晶馳機(jī)電已分別與浙江大學(xué)、杭州電子科技大學(xué)共建聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，擁有一支由中國(guó)科學(xué)院院士及多名教授專家領(lǐng)銜的技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊(duì)，擁有15項(xiàng)已授權(quán)及在申請(qǐng)專利，預(yù)計(jì)每年新增10余項(xiàng)技術(shù)專利。

產(chǎn)線建設(shè)方面，晶馳機(jī)電在今年7月11日與河北正定縣舉行半導(dǎo)體材料裝備研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目簽約儀式。簽約儀式上，正定縣人民政府、正定國(guó)控集團(tuán)分別與晶馳機(jī)電簽署招商入駐協(xié)議和投資合作協(xié)議。

市場(chǎng)拓展方面，晶馳機(jī)電在5月末中標(biāo)了清華柔性電子技術(shù)研究院?jiǎn)尉PCVD設(shè)備采購(gòu)項(xiàng)目。

碳化硅材料廠云嶺半導(dǎo)體完成天使輪融資

企查查資料顯示，9月26日，無錫云嶺半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱：云嶺半導(dǎo)體）完成天使輪融資，投資方為無錫創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)天使投資引導(dǎo)基金（有限合伙）。

公開資料顯示，云嶺半導(dǎo)體成立于2023年5月，是一家主要做碳化硅晶圓片原材料的公司，經(jīng)營(yíng)范圍含新材料技術(shù)研發(fā)、電子元器件零售、電子專用設(shè)備制造、電子專用設(shè)備銷售、半導(dǎo)體器件專用設(shè)備制造等。

據(jù)悉，今年2月，云嶺半導(dǎo)體拿到了無錫的環(huán)評(píng)審批文件，將在無錫投資2億元，建設(shè)擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的碳化硅晶圓片用CMP研磨液為α態(tài)納米氧化鋁顆粒的生產(chǎn)線。

該項(xiàng)目是云嶺半導(dǎo)體的二廠，其一廠可生產(chǎn)研磨液600噸，碳化硅襯底材料6000片，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體精密加工所需材料以及CMP拋光液的空白。

氮化鎵芯片廠氮矽科技獲得千萬級(jí)戰(zhàn)略投資

近日，氮矽科技完成千萬級(jí)人民幣戰(zhàn)略融資，本次投資方為諾輝投資和上海矽米企業(yè)管理合伙企業(yè)（有限合伙），融資資金將主要用于產(chǎn)品研發(fā)以及產(chǎn)品銷售等方面。

自2019年4月成立以來，氮矽科技專注于氮化鎵產(chǎn)品的研發(fā)與銷售，致力于推動(dòng)氮化鎵技術(shù)在多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域的創(chuàng)新與應(yīng)用。

近年來，隨著全球?qū)Ω咝?、?jié)能、環(huán)保技術(shù)的需求日益增長(zhǎng)，氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，以其超低導(dǎo)通電阻、超高頻、無反向?qū)〒p耗等優(yōu)異性能，在快充、5G基站電源、數(shù)據(jù)中心、新能源汽車、光伏儲(chǔ)能等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出較大的應(yīng)用潛力。

氮矽科技先后推出了“E-mode GaN HEMT、GaN Driver、GaN PIIP?（Power Integrated in Package）和PWM GaN”四大產(chǎn)品線，產(chǎn)品覆蓋多種封裝形式，電壓范圍涵蓋40V-650V，能夠滿足不同領(lǐng)域客戶的多樣化需求。

目前，氮矽科技致力于研發(fā)分離式氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)芯片及增強(qiáng)型氮化鎵晶體管，其驅(qū)動(dòng)及晶體管產(chǎn)品已完成流片、封裝及應(yīng)用搭建，正在進(jìn)行客戶導(dǎo)入。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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source：鑫威源電子

據(jù)悉，氮化鎵激光器芯片是一種基于氮化鎵材料制成的激光器芯片。這種芯片利用氮化鎵的優(yōu)異光電特性，具有高功率、高速光電轉(zhuǎn)換能力，能夠在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器的條件下產(chǎn)生紫光激光。

氮化鎵激光器芯片的研發(fā)成功，不僅解決了傳統(tǒng)激光器在高溫、高功率應(yīng)用中的限制，還為光電領(lǐng)域帶來了新的技術(shù)突破。特別是在紫光激光技術(shù)方面，氮化鎵激光器芯片能夠在更廣泛的波長(zhǎng)范圍內(nèi)產(chǎn)生高質(zhì)量的激光輸出，為光電顯示、光存儲(chǔ)、光通信等領(lǐng)域提供了新的解決方案。

官網(wǎng)資料顯示，鑫威源電子從事氮化鎵半導(dǎo)體激光器相關(guān)材料、芯片、封裝等的設(shè)計(jì)與開發(fā)，以及產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售，致力于實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)氮化鎵半導(dǎo)體激光器的產(chǎn)業(yè)化。

據(jù)悉，鑫威源電子投資打造的大功率氮化鎵半導(dǎo)體激光器產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，于今年4月在武漢市江夏區(qū)大橋智能制造產(chǎn)業(yè)園完成廠房建設(shè)，無塵車間內(nèi)的恒溫恒濕、凈化、水處理及安全系統(tǒng)相繼達(dá)標(biāo)并投入使用。

廠房竣工后，鑫威源電子完成了超過一百臺(tái)套制造設(shè)備的安裝和調(diào)試，打通了芯片制造產(chǎn)線。在廠區(qū)內(nèi)，鑫威源電子還完成了相關(guān)技術(shù)能力的轉(zhuǎn)移，并進(jìn)行了產(chǎn)品試驗(yàn)生產(chǎn)。

今年9月，鑫威源電子實(shí)現(xiàn)了藍(lán)光450nm激光芯片的重大技術(shù)突破：閾值電流小于0.25A，功率大于7W@3.5A，光電轉(zhuǎn)換效率WPE達(dá)到45%，產(chǎn)品技術(shù)可以滿足市場(chǎng)對(duì)大功率氮化鎵半導(dǎo)體激光器的應(yīng)用要求。

鑫威源電子表示，氮化鎵半導(dǎo)體激光器芯片項(xiàng)目正式投產(chǎn)后，將有效填補(bǔ)國(guó)內(nèi)高端可見光激光器市場(chǎng)的研發(fā)與制造空白，加速氮化鎵半導(dǎo)體激光器在國(guó)內(nèi)的普及與應(yīng)用。

目前，國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)界在氮化鎵激光器芯片研發(fā)制造方面已取得一定進(jìn)展。例如，北京大學(xué)物理學(xué)院的?胡曉東教授團(tuán)隊(duì)通過獨(dú)創(chuàng)的晶體外延技術(shù)和一系列創(chuàng)新工藝，成功攻克了氮化鎵激光芯片的制備與封裝難題，這些技術(shù)突破不僅提升了氮化鎵激光器芯片的性能，也為未來的大規(guī)模生產(chǎn)和應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。（集邦化合物半導(dǎo)體整理Zac整理）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

公告顯示，聞泰科技全資子公司安世半導(dǎo)體擬投資境外基金Amadeus APEX Technology EuVECA GmbH & Co KG，并承諾初始資本投資為385萬歐元，后續(xù)將根據(jù)實(shí)際情況追加投資，總投資額不超過500萬歐元。

聞泰科技表示，標(biāo)的基金的重點(diǎn)投資方向包括人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)、量子技術(shù)/光子學(xué)、移動(dòng)性與空間創(chuàng)新、自主系統(tǒng)與機(jī)器人技術(shù)，以及其他新興科技領(lǐng)域（如新型材料）。安世半導(dǎo)體參與的重點(diǎn)仍然是其核心競(jìng)爭(zhēng)力相關(guān)領(lǐng)域，旨在增強(qiáng)為上述技術(shù)領(lǐng)域的基本應(yīng)用開發(fā)基本半導(dǎo)體解決方案的經(jīng)驗(yàn)。

目前，聞泰科技主營(yíng)業(yè)務(wù)分為半導(dǎo)體與產(chǎn)品集成兩大方向。其中，半導(dǎo)體業(yè)務(wù)采用IDM垂直整合制造模式，產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaN FET）、碳化硅（SiC）二極管、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）以及模擬IC和邏輯IC。

在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，2023年，聞泰科技實(shí)現(xiàn)了氮化鎵產(chǎn)品D-mode系列產(chǎn)品工業(yè)和消費(fèi)領(lǐng)域的銷售，同時(shí)D-mode產(chǎn)品通過所有測(cè)試認(rèn)證，于2024年開始銷售。碳化硅方面，聞泰科技實(shí)現(xiàn)了碳化硅整流管的工業(yè)消費(fèi)級(jí)的量產(chǎn)和MOS的工業(yè)消費(fèi)級(jí)的測(cè)試驗(yàn)證，以及碳化硅MOS產(chǎn)品線的建立，推動(dòng)產(chǎn)品進(jìn)入1200V高壓市場(chǎng)，拓展新的增長(zhǎng)空間。今年上半年，聞泰科技加快了功率分立器件（IGBT、SiC和GaN）和模塊等的研發(fā)。

作為聞泰科技全資子公司，安世半導(dǎo)體在今年6月宣布，計(jì)劃投資2億美元（約14億人民幣）開發(fā)碳化硅和氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體，并在德國(guó)漢堡工廠建立生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施。

為了滿足對(duì)高效功率半導(dǎo)體日益增長(zhǎng)的長(zhǎng)期需求，從今年6月開始，安世半導(dǎo)體三種工藝（SiC、GaN和Si）器件都將在德國(guó)開發(fā)和生產(chǎn)。

同月，安世半導(dǎo)體首批高壓氮化鎵D-mode晶體管和碳化硅二極管生產(chǎn)線投產(chǎn)。安世半導(dǎo)體指出，下一個(gè)里程碑將是建設(shè)碳化硅MOSFET和低壓氮化鎵HEMT8英寸現(xiàn)代化高性價(jià)比生產(chǎn)線，這些產(chǎn)線預(yù)計(jì)在未來兩年內(nèi)在漢堡工廠建成。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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晶通半導(dǎo)體成立于2020年，是一家專注于氮化鎵功率器件、氮化鎵集成驅(qū)動(dòng)芯片和氮化鎵肖特基二極管的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售的科技型企業(yè)，已獲國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)、專精特新中小企業(yè)資質(zhì)認(rèn)定，也是國(guó)內(nèi)少數(shù)能提供氮化鎵功率器件和驅(qū)動(dòng)芯片共同優(yōu)化及設(shè)計(jì)集成方案的功率半導(dǎo)體公司。

公司核心團(tuán)隊(duì)來自英飛凌、意法半導(dǎo)體、PI及Cree等一線半導(dǎo)體原廠，歷史投資方包括矽力杰、中芯聚源、GRC富華資本等著名企業(yè)及投資機(jī)構(gòu)。公司自成立以來，始終堅(jiān)持以人才為本、誠(chéng)信立業(yè)的經(jīng)營(yíng)原則，為消費(fèi)電子、白色家電、工業(yè)電源、光伏儲(chǔ)能等應(yīng)用市場(chǎng)帶來高能源效率、高可靠性、高集成性價(jià)比的全方位產(chǎn)品解決方案。（來源：晶通半導(dǎo)體）

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source：SweGaN

Navigare Ventures作為一家活躍的風(fēng)險(xiǎn)投資公司，專注于早期階段的投資。其具有豐富的投資經(jīng)驗(yàn)和成功案例，尤其在科技和創(chuàng)新領(lǐng)域展現(xiàn)了其敏銳的投資眼光。

Navigare Ventures的投資案例包括AlixLabs，后者是一家專注于原子層蝕刻工藝的服務(wù)商，通過提供使用原子層蝕刻工藝的納米結(jié)構(gòu)制造方法，實(shí)現(xiàn)了在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的創(chuàng)新。Navigare Ventures的投資不僅為AlixLabs提供了資金支持，還幫助AlixLabs加速了技術(shù)創(chuàng)新和市場(chǎng)拓展。

據(jù)報(bào)道，SweGaN本次1200萬歐元融資的投資方還包括全球范圍內(nèi)一系列專注于半導(dǎo)體的投資者：中國(guó)臺(tái)灣的Wafer Works、RFHIC，韓國(guó)的Ignite Innovation和BRV Capital Management，以及美國(guó)的Lifelike Capital。

除融資進(jìn)展外，SweGaN近期在業(yè)務(wù)方面也取得了多項(xiàng)成果。今年8月，SweGaN宣布，其生產(chǎn)碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）晶圓的新工廠已開始出貨，產(chǎn)品將用于下一代5G先進(jìn)網(wǎng)絡(luò)高功率射頻應(yīng)用。

據(jù)悉，SweGaN新工廠于2023年3月動(dòng)工建設(shè)，可年產(chǎn)4萬片4/6英寸碳化硅基氮化鎵外延片。SweGaN表示，旗下新工廠開始出貨標(biāo)志著公司從一家無晶圓廠設(shè)計(jì)廠商，正式轉(zhuǎn)型為一家半導(dǎo)體制造商。

此外，2024上半年，SweGaN與未公開的電信和國(guó)防公司簽訂了三份重要的供貨協(xié)議，這使其訂單量翻了一番，達(dá)到1700萬瑞典克朗（約1182萬人民幣）。

值的一提的是，SweGaN近期還與一家器件制造商完成了首個(gè)QuanFINE外延片客戶資格認(rèn)證計(jì)劃。

SweGaN首席執(zhí)行官Jr-Tai Chen博士表示：”目前，電信行業(yè)正大力推動(dòng)從5G到5G Advanced的技術(shù)升級(jí)。SweGaN獲得專利的QuanFINE無緩沖區(qū)碳化硅基氮化鎵材料非常適合滿足新技術(shù)的苛刻要求，尤其是在器件效率和熱管理方面。材料適用于電信新標(biāo)準(zhǔn)5G Advanced，以及滿足對(duì)國(guó)防應(yīng)用中增強(qiáng)傳感能力的迫切需求?！保罨衔锇雽?dǎo)體Zac整理）

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公告顯示，冠鼎半導(dǎo)體氮化鎵功率半導(dǎo)體生產(chǎn)項(xiàng)目選址位于江門市新會(huì)區(qū)崖門鎮(zhèn)，屬于新建項(xiàng)目，項(xiàng)目總投資1.055億元，租賃江門市旭暉紡織有限公司已建廠房，廠房面積為2630平方米。

該項(xiàng)目計(jì)劃年加工氮化鎵功率半導(dǎo)體1500萬件，主要生產(chǎn)設(shè)施包括萬級(jí)潔凈室和十萬級(jí)潔凈室，將配備固晶機(jī)、焊線機(jī)、離子清洗機(jī)等關(guān)鍵設(shè)備。

資料顯示，冠鼎半導(dǎo)體成立于2023年8月，為江門市鼎翔電子科技有限公司控股（持股比例82%）子公司。鼎翔電子成立于2012年6月，是一家集模具設(shè)計(jì)、開發(fā)、生產(chǎn)、銷售為一體的，專業(yè)從事發(fā)光二極管（LED）引線框架（2002系列、2003系列、2004系列、紅外發(fā)射接收管等）、塑封三極管引線框架（TO-92系列、TO-126系列、SOT-23系列、SOD系列）和精密電子元器件生產(chǎn)的工廠。

近期，氮化鎵產(chǎn)線建設(shè)熱度不減，8月18日，WaveLoad對(duì)外宣布，其計(jì)劃明年年初量產(chǎn)氮化鎵外延片。WaveLoad已在韓國(guó)京畿道華城市建成占地300平方米、潔凈度達(dá)1000級(jí)的無塵室，可批量生產(chǎn)氮化鎵外延片。該設(shè)施可生產(chǎn)4英寸和8英寸氮化鎵外延片，產(chǎn)能分別為2,000片/月和500片/月。

9月2日晚，國(guó)內(nèi)廠商芯聯(lián)集成披露了2024年上半年業(yè)績(jī)電話說明會(huì)相關(guān)內(nèi)容。會(huì)上，芯聯(lián)集成表示，其將增加氮化鎵產(chǎn)品線，來滿足新應(yīng)用的需求。

值得一提的是，英飛凌近日宣布已成功開發(fā)出全球首款12英寸功率氮化鎵晶圓。英飛凌表示，12英寸晶圓與8英寸晶圓相比，每片能多生產(chǎn)2.3倍數(shù)量的芯片，技術(shù)和效率顯著提升。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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9月12日，據(jù)杭州富加鎵業(yè)科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱：富加鎵業(yè)）官微消息，富加鎵業(yè)6英寸氧化鎵單晶及外延片生長(zhǎng)線于9月10日在杭州富陽開工建設(shè)。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

資料顯示，富加鎵業(yè)成立于2019年12月，致力于超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料的產(chǎn)業(yè)化工作，主要從事氧化鎵單晶材料生長(zhǎng)、氧化鎵襯底及外延片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售工作，產(chǎn)品主要應(yīng)用于功率器件、微波射頻及光電探測(cè)等領(lǐng)域。

據(jù)稱，富加鎵業(yè)是國(guó)內(nèi)目前唯一一家同時(shí)具備6英寸單晶生長(zhǎng)及外延的公司，開工建設(shè)的6英寸氧化鎵單晶及外延片生長(zhǎng)線也是國(guó)內(nèi)第一條6英寸氧化鎵單晶及外延片生長(zhǎng)線。

據(jù)富加鎵業(yè)介紹，氧化鎵單晶可以通過熔體法生長(zhǎng)，從而在制備成本、單晶質(zhì)量、缺陷或尺寸等方面相對(duì)于寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵材料及超寬禁帶半導(dǎo)體氮化鋁、金剛石材料有明顯優(yōu)勢(shì)。

此外，氧化鎵材料的熱處理溫度及硬度均與單晶硅較為接近，從單晶硅器件線轉(zhuǎn)為氧化鎵器件線僅僅需要更換5%設(shè)備，相比而言，碳化硅材料硬度較大，且熱處理溫度較高，從單晶硅器件線轉(zhuǎn)為碳化硅器件線，需要更換25%設(shè)備。

富加鎵業(yè)表示，現(xiàn)存單晶硅的器件線以6英寸及8英寸為主，氧化鎵單晶材料及外延片需要跨過6英寸門檻后才能進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化快車道?，F(xiàn)階段，富加鎵業(yè)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了6英寸導(dǎo)電型及絕緣型氧化鎵單晶襯底的制備，單晶外延技術(shù)也取得重要進(jìn)展，已達(dá)到6英寸硅基器件線產(chǎn)業(yè)化門檻。

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體了解，包括富加鎵業(yè)在內(nèi)的國(guó)內(nèi)廠商和研究機(jī)構(gòu)正在加速布局氧化鎵產(chǎn)業(yè)，并取得了一系列成果。

去年2月，中國(guó)電科46所成功制備出6英寸氧化鎵單晶，技術(shù)達(dá)到了國(guó)際一流水平。

同年10月，北京鎵和半導(dǎo)體有限公司實(shí)現(xiàn)了4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破，推出多規(guī)格氧化鎵單晶襯底并首發(fā)4英寸（100）面單晶襯底參數(shù)。

而在今年2月，鎵仁半導(dǎo)體聯(lián)合浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院、硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，采用自主開創(chuàng)的鑄造法成功制備了高質(zhì)量6英寸非故意摻雜及導(dǎo)電型氧化鎵單晶，并加工獲得了6英寸氧化鎵襯底片。在此基礎(chǔ)上，鎵仁半導(dǎo)體于今年7月制備出了3英寸晶圓級(jí)（010）氧化鎵單晶襯底。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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