其中，時代電氣旗下中車時代半導體于9月26日全資成立了合肥中車時代半導體有限公司，該公司法定代表人為羅海輝，注冊資本3.1億元，經(jīng)營范圍含半導體分立器件制造、半導體分立器件銷售等。

目前，時代電氣碳化硅產品已完成第4代溝槽柵芯片開發(fā)，碳化硅產線改造完成，新能源車用碳化硅產品處于持續(xù)驗證階段。

在碳化硅芯片技術方面，時代電氣突破了高可靠性低界面缺陷柵氧氮化、低損傷高深寬比溝槽刻蝕、亞微米精細光刻、高溫離子選區(qū)注入、高溫激活退火等關鍵工藝技術。

同時，時代電氣攻克了有源區(qū)柵氧電場屏蔽、JFET區(qū)摻雜、載流子擴展以及高可靠性、高效率空間電場調制場環(huán)終端設計等功率芯片結構設計技術。

此外，時代電氣掌握了具有核心自主知識產權的MOSFET芯片及SBD芯片的設計與制造技術，構建了全套特色先進碳化硅工藝技術的6英寸專業(yè)碳化硅芯片制造平臺，全電壓等級MOSFET及SBD芯片產品可應用于新能源汽車、軌道交通、光伏、工業(yè)傳動等多個領域。

江豐電子則于9月19日全資成立了寧波江豐同創(chuàng)電子材料有限公司，該公司法定代表人為姚力軍，注冊資本5000萬元，經(jīng)營范圍含電子專用材料研發(fā)；電子專用材料制造；電子專用材料銷售；顯示器件制造；電子元器件制造；電力電子元器件銷售；光伏設備及元器件制造；光伏設備及元器件銷售；電子專用設備銷售；電子專用設備制造等。

江豐電子主要專注于超高純金屬濺射靶材、半導體精密零部件的研發(fā)、生產和銷售，其中，超高純?yōu)R射靶材包括鋁靶、鈦靶、鉭靶、銅靶以及各種超高純金屬合金靶材等，這些產品主要應用于超大規(guī)模集成電路芯片、平板顯示器的物理氣相沉積（PVD）工藝，用于制備電子薄膜材料。

半導體精密零部件包括金屬、陶瓷、樹脂等多種材料經(jīng)復雜工藝加工而成的精密零部件，主要用于半導體芯片以及平板顯示器生產線的機臺，覆蓋了包括PVD、CVD、刻蝕、離子注入以及產業(yè)機器人等應用領域。

目前，江豐電子已經(jīng)在化合物半導體材料領域取得一定進展，其控股子公司寧波江豐同芯已搭建完成國內首條具備世界先進水平、自主化設計的化合物半導體功率器件模組核心材料制造生產線，掌握了覆銅陶瓷基板DBC及AMB生產工藝，主要產品高端覆銅陶瓷基板已初步獲得市場認可。其控股子公司晶豐芯馳正在全面布局碳化硅外延領域，碳化硅外延片產品已經(jīng)得到多家客戶認可。（集邦化合物半導體Zac整理）

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資料顯示，江豐電子創(chuàng)建于2005年，專業(yè)從事超大規(guī)模集成電路制造用超高純金屬材料及濺射靶材的研發(fā)生產，公司已于2017年6月在深交所成功上市。通過天眼查大數(shù)據(jù)分析，江豐電子共對外投資了50家企業(yè)，參與招投標項目27次；知識產權方面有商標信息1條，專利信息1450條，著作權信息1條；此外企業(yè)還擁有行政許可11個。

由于SiC業(yè)務并非其主業(yè)，此前在今年9月25日，江豐電子攜SiC外延片等多種產品亮相北京微電子國際研討會暨IC WORLD大會，引發(fā)了外界對其SiC外延片業(yè)務進展的持續(xù)關注。

值得一提的是，浙江六方半導體科技有限公司（以下簡稱六方半導體）在今年3月完成A+輪融資，投資方之一便是江豐電子。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

官網(wǎng)資料顯示，六方半導體致力于半導體新材料研發(fā)，聚焦SiC涂層技術的研發(fā)及其在半導體產業(yè)中的應用，公司主要產品為LED芯片外延用SiC涂層基座、第三代半導體外延基座和組件等。據(jù)悉，六方半導體已在第三代半導體外延等領域實現(xiàn)了量產供應。

六方半導體在SiC外延技術方面具有一定的實力，并實現(xiàn)了產品落地，江豐電子投資六方半導體，有助于接觸到先進的SiC外延技術，提升自身的技術水平。

既通過控股子公司進行自主研發(fā)，又投資相關廠商，江豐電子正在通過多種手段入局SiC領域，為產業(yè)未來的爆發(fā)提前準備技術和產能。（集邦化合物半導體Zac整理）

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