source:國家知識產(chǎn)權(quán)局

根據(jù)摘要可知，該申請公開了一種半導(dǎo)體器件，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。

半導(dǎo)體器件包括芯片；基板，基板包括安裝部和第一端子，第一端子連接在安裝部的第一端部；塑封體，安裝部包括裸露在塑封體的頂面的第一面和被塑封體包裹的第二面，芯片安裝在安裝部的第二面，第一端子從塑封體的第一側(cè)伸出并向塑封體的底面彎折；第二端子和第三端子，第二端子和第三端子與芯片電連接且從與塑封體的第一側(cè)相對的第二側(cè)的中部伸出；安裝部還包括與第一端部相對設(shè)置的第二端部，在安裝部的第二端部與第二端子和第三端子之間的塑封體上設(shè)置有凹槽，可增大基板與第二端子和第三端子之間的爬電距離，從而提高了半導(dǎo)體器件的安全性。

據(jù)悉，本月初湖南三安半導(dǎo)體就在SEMICON TaiWan 2023展會上，除了推出650V-1700V寬電壓范圍的SiC MOSFET外，三安半導(dǎo)體還首發(fā)了8英寸碳化硅襯底。

從產(chǎn)能來看，湖南三安現(xiàn)有SiC產(chǎn)能15,000片/月，較2022年底新增3,000片/月，提升25%；GaN-on-Si（硅基氮化鎵）產(chǎn)能2,000片/月。其6英寸碳化硅襯底已通過數(shù)家國際大客戶驗證，并實現(xiàn)批量出貨，且2023年、2024年供應(yīng)已基本鎖定。

此次獲取專利授權(quán)也是從側(cè)面表示，三安光電在積極擴大產(chǎn)能的同時，亦重視技術(shù)創(chuàng)新，其大有產(chǎn)能和技術(shù)兩手都抓的態(tài)勢。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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