車規(guī)級SiC半導體功率模塊產業(yè)化項目簽約

8月13日，據瑞福芯科技官微消息，瑞福芯科技總經理周旭光與協(xié)同創(chuàng)新基金管理有限公司董事長李萬壽及總經理丘煒雄、中科院先進研究院中科中孵總經理涂樂平、桉森芯（上海）微電子有限公司董事長陳建璋于8月9日組成項目調研團，一起就瑞福芯科技“車規(guī)級SiC半導體功率模塊產業(yè)化項目”落地江蘇東臺高新區(qū)進行投資實地考察。

source：瑞福芯科技

考察后，瑞福芯科技與江蘇東臺高新區(qū)簽定了《車規(guī)級SiC半導體功率模塊產業(yè)化項目戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》。瑞福芯科技擬落地江蘇東臺高新區(qū)，投資10-15億元建設第二研發(fā)中心和產業(yè)化生產基地，首期啟動資金投入1億元。

資料顯示，瑞福芯科技成立于2022年10月，注冊資本1000萬人民幣，經營范圍含半導體分立器件制造、半導體分立器件銷售、電子元器件制造、電力電子元器件制造等。

碳化硅業(yè)務進展方面，瑞福芯科技在去年2月與愛仕特簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，共同推動SiC功率模塊在新能源汽車領域的應用。

據悉，瑞福芯科技已建立預計年產30萬只的模塊工廠，主要產品為車用SiC MOS功率模塊。基于雙方簽署的戰(zhàn)略合作協(xié)議，在未來數年內瑞福芯科技生產的SiC MOS模塊將全部采用愛仕特的SiC MOS芯片，愛仕特將為瑞福芯科技批量供應車用功率模塊所需的1200V/17mΩ及1700V/17mΩ的SiC MOS芯片，并協(xié)助瑞福芯科技建設模塊工廠，保證其后續(xù)的量產需求。

納設智能南通新生產基地環(huán)評獲批

8月5日，據南通高新區(qū)消息，納設智能位于南通市南通高新技術產業(yè)開發(fā)區(qū)雙福路126號半導體光電產業(yè)園N2棟1F、4F的廠房近日獲得環(huán)評審批。

環(huán)評信息顯示，該項目總投資6000萬元，通過購置超聲波清洗機、電加熱烤箱、光學裝配平臺、氦檢儀、CV測試儀等生產設備進行CVD外延設備生產，項目建成后，預計形成年產R02型號CVD外延設備230臺、R04型號CVD外延設備220臺的生產能力。

在碳化硅外延設備細分領域，納設智能6英寸碳化硅外延設備在2023年已批量出貨給多家外延客戶，也獲得了批量驗收，業(yè)績相較于2022年增長了10倍。

在6英寸碳化硅外延設備出貨基礎上，納設智能研發(fā)并交付了8英寸碳化硅外延設備，其具備獨特的反應腔室設計、可獨立控制的多區(qū)進氣方式等特點，將更好的提高外延片的均勻性，降低外延缺陷及生產中的耗材成本。目前，該設備已銷售給多個客戶。

在碳化硅襯底細分領域，納設智能自主研發(fā)的首臺原子層沉積設備在完成所有生產和測試流程后，于今年1月順利出貨。原子層沉積（Atomic Layer Deposition，簡稱ALD）是一種薄膜沉積技術，可歸于化學氣相沉積大類。相對于一般化學氣相沉積，其具有獨特的表面自限制化學效應，因而可以逐個原子層生長各種化合物或單質薄膜材料，實現更精確的厚度控制，可用于各類襯底材料的薄膜沉積。（集邦化合物半導體Zac整理）

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據集邦化合物半導體不完全統(tǒng)計，今年上半年共有納設智能、邑文科技、芯長征、芯三代、萊普科技、拉普拉斯、頂立科技等9家碳化硅相關廠商IPO傳出最新動態(tài)，其中大部分動態(tài)都是企業(yè)開啟上市輔導，正式開始沖刺IPO。

碳化硅設備廠商占據IPO舞臺C位

據集邦化合物半導體觀察，上述9家廠商當中，有6家均為碳化硅設備相關廠商，在一定程度上顯示了碳化硅設備在碳化硅產業(yè)各細分領域中發(fā)展情況相對較好。

這6家碳化硅設備廠商當中，納設智能于2022年2月生產的CVD外延設備據稱是國內首臺完全自主創(chuàng)新的碳化硅外延設備，有望加速該類設備國產替代進程。在此基礎上，納設智能進一步研制出更大尺寸具有更多創(chuàng)新技術的8英寸碳化硅外延設備，順應了碳化硅產業(yè)由6英寸向8英寸轉型趨勢，在技術上具有前瞻性。

芯三代與納設智能同為碳化硅外延設備廠商，芯三代研發(fā)的碳化硅CVD設備在高產能、6/8英寸兼容、CoO成本、長時間多爐數連續(xù)自動生長控制、低缺陷率、維護便利性和可靠性等方面都具有一定優(yōu)勢。

邑文科技主營業(yè)務為半導體前道工藝設備研發(fā)、制造。目前，邑文科技設備已導入泰科天潤、三安光電、積塔半導體、比亞迪半導體等國內碳化硅知名企業(yè)。

萊普科技在晶圓制造領域推出了碳化硅晶圓激光退火設備；拉普拉斯則推出了碳化硅基半導體器件用超高溫氧化爐和碳化硅基半導體器件用超高溫退火爐，其中，碳化硅基半導體器件用超高溫退火爐用于碳化硅的高溫退火活化工藝，可以消除晶格缺陷，有效提高器件的可靠性和成品率；頂立科技主要產品則是碳及碳化硅復合材料熱工裝備、高端真空熱處理系列裝備、粉末冶金系列熱工裝備、霧化制粉裝備等。

從碳化硅產品生產流程來看，碳化硅粉末需要經過長晶形成晶碇，再經過切片、打磨和拋光等一系列步驟方可制成碳化硅襯底；襯底通過外延生長形成外延片；外延片再經過光刻、刻蝕、離子注入、沉積等工序制造成器件，整個流程涉及到豐富多樣的設備。

上述6家廠商盡管主營設備類別不盡相同，但都有一定的技術優(yōu)勢，在碳化硅產品相應生產環(huán)節(jié)扮演了關鍵角色。得益于此，相關企業(yè)獲得了包括投資者在內的市場各方大力支持。

從融資情況來看，納設智能、邑文科技、芯長征、芯三代等設備廠商都在近幾年連續(xù)完成了多輪融資。一方面，融資多意味著企業(yè)處于良性發(fā)展態(tài)勢；另一方面，融資資金有助于廠商進一步加強運營及研發(fā)方面的投入，進而推動長期業(yè)績增長。

碳化硅設備廠商業(yè)績報喜

在IPO大舞臺，碳化硅設備廠商占據C位，其中一個很重要的原因，是各大碳化硅設備企業(yè)戰(zhàn)果頗豐。尤其是對比部分碳化硅材料、器件等其他環(huán)節(jié)的廠商，碳化硅設備玩家普遍業(yè)績表現亮眼。

近期，國際碳化硅設備關鍵廠商愛思強、Aehr和Axcelis相繼發(fā)布了最新業(yè)績，均符合或超出預期。

其中，愛思強2024年第二季度初步總營收為1.32億歐元，相比去年同期的1.73億歐元有所下降，但也符合預期。其第二季度實現訂單總額1.76億歐元，其中，碳化硅/氮化鎵設備訂單占比最高，分別為58%和29%。愛思強表示，其主要客戶正在持續(xù)推進第三代功率半導體工廠的擴產建設，愛思強作為上游設備主要供應商之一，有望保持訂單增長，進而達成更好的業(yè)績表現。

Aehr 2024財年第四季度營收約1660萬美元，凈利潤約為2380萬美元；其2024財年營收約6620萬美元，凈利潤約為3310萬美元。Aehr總裁兼首席執(zhí)行官Gayn Erickson表示，公司全年營收和凈利潤結果超過了此前提供的至少6500萬美元營收和1100萬美元凈收入的指引，并超過了分析師的普遍預期。

Axcelis 2024年第二季度業(yè)績同樣超出預期：當前預計營收將超過2.52億美元，每股攤薄收益將超過1.38美元，相比之下，Axcelis此前發(fā)布的營收指引為2.45億美元，每股攤薄收益為1.30美元。此外，Axcelis繼續(xù)預計下半年業(yè)績將強于上半年。

國內碳化硅設備廠商方面，晶升股份、北方華創(chuàng)兩家企業(yè)近日發(fā)布了2024年上半年業(yè)績預告，均實現凈利潤預增。

其中，晶升股份預計2024年上半年實現歸母凈利潤3300-3650萬元，同比增加118.72%-141.92%。2023年，晶升股份開拓了三安光電、東尼電子、比亞迪、合晶科技、上海新昇、金瑞泓、神工股份等眾多客戶。在此基礎上，晶升股份2024年上半年繼續(xù)深化客戶合作、持續(xù)拓展技術應用領域，帶動其營收進一步增長。

北方華創(chuàng)則預計2024年上半年實現營收114.1-131.4億元，同比增長35.40%-55.93%；歸母凈利潤25.7-29.6億元，同比增長42.84%-64.51%。目前，北方華創(chuàng)已具備碳化硅、氮化鎵等多種材料外延生長技術能力，覆蓋功率半導體、化合物半導體等領域應用需求。截至2023年底，北方華創(chuàng)已發(fā)布20余款量產型外延設備，累計出貨超1000腔。在2023年出貨基礎上，2024年上半年，北方華創(chuàng)刻蝕、薄膜沉積、清洗、爐管和快速退火等工藝裝備工藝覆蓋度及市場占有率持續(xù)穩(wěn)步攀升，帶動業(yè)績同比穩(wěn)健增長。

在已有戰(zhàn)果基礎上，碳化硅設備廠商致力于獲得更多業(yè)績增量。例如：Aehr積極與大量新的潛在碳化硅器件和模塊供應商接觸，以滿足他們的預期產能需求；愛思強已收購位于意大利皮埃蒙特區(qū)都靈附近的一座生產基地，目的是擴充設備產能，擴大歐洲市場業(yè)務。

在各大廠商積極拓展業(yè)務的同時，訂單隨之而來。例如：安世半導體近日訂購了愛思強用于8英寸碳化硅量產的新型G10-SiC設備，安世半導體還訂購了愛思強的G10-GaN設備；一家碳化硅測試和預燒客戶近日向Aehr訂購了多套WaferPak?全晶圓接觸器；最近幾個月，Axus公司的Capstone?CS200系列CMP設備收到了來自歐洲、亞洲和北美地區(qū)碳化硅半導體制造商的訂單；此外，今年上半年在不到一個月時間內，Axcelis已完成三起碳化硅設備訂單的出貨。

國內廠商方面，優(yōu)睿譜今年6月成功交付客戶一款晶圓邊緣檢測設備SICE200，該設備可用于硅基以及化合物半導體襯底及外延晶圓的邊緣缺陷檢測。這是優(yōu)睿譜時隔一個月后，再次實現碳化硅設備交付。

據觀察，碳化硅設備廠商普遍業(yè)績報喜，疊加今年下半年的持續(xù)簽單與交貨，各大碳化硅設備廠商有望繼續(xù)保持業(yè)績增長。

擴產潮、8英寸轉型，碳化硅設備廠商前景光明

碳化硅設備廠商產銷兩旺，與碳化硅產業(yè)高速發(fā)展密切相關。

近年來，在市場需求驅動下，大規(guī)模擴產成為碳化硅產業(yè)重頭戲，僅2022年新立項/簽約碳化硅相關項目就超過20個。2023年，據集邦化合物半導體不完全統(tǒng)計，國內外共有近60項碳化硅相關擴產項目啟動。這些項目當中，有不少投資數十億甚至上百億的大手筆。

這數十個項目落地實施，對產線上各類碳化硅相關設備的需求數量相當可觀。對于給這些項目供貨的碳化硅設備廠商而言，在項目實現產出之前，這些設備供應商將提前收獲一波紅利，后續(xù)隨著項目改擴建，相關設備廠商將持續(xù)受益。

今年以來，碳化硅賽道擴產熱度依舊居高不下，各大設備廠商有望持續(xù)獲得業(yè)績增量。

隨著碳化硅市場規(guī)模持續(xù)擴大，將會吸引更多新玩家入局，其中也包括新的設備企業(yè)，碳化硅設備賽道競爭也會日趨激烈，更契合市場和用戶需求的產品更有可能在競爭中勝出，獲得應用機會。其中，降本是一個很好的賣點。據硅酷科技近日透露，一條投入過億元的產線，使用硅酷科技的設備可節(jié)省50%成本。

除了持續(xù)涌動的擴產潮，8英寸設備也已成為各大碳化硅設備廠商發(fā)力的方向之一。在碳化硅產業(yè)由6英寸向8英寸轉型升級過程中，有望釋放大量8英寸碳化硅設備需求，也是各大設備廠商不容忽視的機會。

目前，愛思強等國際廠商8英寸設備已陸續(xù)簽單，連科半導體、優(yōu)晶科技等國內廠商8英寸設備也在近期取得積極進展。

短期來看，碳化硅設備細分領域訂單能見度高，各大廠商將持續(xù)分食市場大蛋糕；長期來看，未來8英寸產線釋放的設備需求也將給各大設備廠商帶來一波紅利。此外，市場競爭有望推動設備企業(yè)打磨出更優(yōu)質的產品，進而推動碳化硅產品向更多領域、更多場景深度滲透。（文：集邦化合物半導體Zac）

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source：納設智能

原子層沉積（Atomic Layer Deposition，簡稱ALD）是一種薄膜沉積技術，可歸于化學氣相沉積大類。相對于一般化學氣相沉積，其具有獨特的表面自限制化學效應，因而可以逐個原子層生長各種化合物或單質薄膜材料，實現更精確的厚度控制。該技術制備的薄膜具有良好的的厚度均勻性，優(yōu)異的一致性，突出的三維保型性，可用于各類襯底材料的薄膜沉積。

納設智能利用自身在半導體外延設備、化學氣相沉積技術等方面積累的經驗及軟硬件基礎，推出了規(guī)格更嚴、性能更優(yōu)的ALD設備。
圖片

納設智能的ALD設備可對玻璃、硅片等襯底材料進行超薄氧化物、氮化物等材料的鍍膜，可以制備出均勻性好、保形性優(yōu)、致密性佳的薄膜材料，可應用于對超薄薄膜（1nm~50nm）有需求的各個領域。

來源：納設智能

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圖源：拍信網正版圖庫

資料顯示，納設智能成立于2018年10月，致力于第三代半導體碳化硅（SiC）外延設備、石墨烯等先進材料制造裝備的研發(fā)、生產、銷售和應用推廣。公司自有第三代半導體SiC高溫化學氣相沉積外延設備（用于第三代半導體SiC芯片生產的核心環(huán)節(jié)-外延生長）,是一款工藝指標優(yōu)異、耗材成本低、維護頻率低的中國首臺完全自主創(chuàng)新的SiC外延設備。

據悉，SiC外延設備是第三代半導體產業(yè)鏈中的核心環(huán)節(jié)，是為新能源汽車、高速軌道交通、特高壓傳輸、5G通信、大數據中心、工業(yè)互聯網、光伏、風電等迫切需要大功率電力電子器件的新基建領域提供SiC外延生長的核心裝備。

近兩年來，納設智能SiC外延設備進入收獲期。2022年2月27日，納設智能新制造車間成功出廠了上述高溫化學氣相沉積外延設備，這標志著納設智能具有大規(guī)模產能的新制造車間正式投產輸出。該新制造車間是納設智能2022年新增的研發(fā)、生產制造車間，于2022年1月份正式投入使用。

據介紹，納設智能6英寸SiC外延設備在國內市場中占據了重要地位，截至2023年8月，累計獲得10+個客戶超過150臺設備訂單，訂單金額累計數億元。

同在2023年8月，納設智能成功研制出更大尺寸具有更多創(chuàng)新技術的8英寸SiC外延設備，該設備具備獨特反應腔室設計、可獨立控制的多區(qū)進氣方式、以及智能控制系統(tǒng)，能夠提高SiC外延片的均勻性，降低外延缺陷及生產中的耗材成本。

目前，SiC產業(yè)正在由6英寸向8英寸邁進，納設智能開發(fā)的8英寸SiC外延設備順應了SiC產業(yè)發(fā)展趨勢，在技術上具有前瞻性。

成立至今，納設智能共完成4輪融資，分別是2019年4月的種子輪、2020年11月的天使輪、2021年11月的Pre-A輪和2023年3月的A輪，投資方包括深創(chuàng)投、粵財創(chuàng)投、基石資本、廣東省半導體及集成電路產業(yè)投資基金、華業(yè)天成資本、前海母基金、智慧互聯產業(yè)基金、比鄰資本、東方富海、嘉遠資本等眾多機構。（集邦化合物半導體Zac整理）

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院企強強聯合

據了解，研究中心成立于2008年，專注于高性能多元化合物半導體材料的前沿技術研究，在光電傳感半導體材料制造方面取得了一系列成就。

納設智能成立于2018年10月，致力于第三代半導體碳化硅外延設備、石墨烯等先進材料制造裝備的研發(fā)、生產、銷售和應用推廣。該公司自有第三代半導體碳化硅高溫化學氣相沉積外延設備，是中國首臺完全自主創(chuàng)新的碳化硅外延設備。

據聯合實驗室負責人、深圳先進院研究中心副研究員寧德在接受采訪時表示，2022年，研究中心因為要進行一系列SiC外延的實驗研究，于是了解到在材料設備方面較有名氣的納設智能，湊巧的是當時納設智能的相關領導也在研究中心參觀學習，雙方得以深入交流。

研究中心專注于先進材料的應用研究，納設智能在先進材料的設備制造方面頗有心得，二者一拍即合。

據悉，雙方接下來將進一步融合彼此的研究方向與內容，同時在聯合實驗室組織架構、工作機制和運營規(guī)范等方面不斷探討、不斷優(yōu)化，進一步推進院企之間的研究和教學、高層次人才實踐基地建設以及創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)實踐指導等方面的合作。

據介紹，目前雙方除了著重于工藝和設備的合作外，聯合實驗室還將對其他半導體先進材料進行研究，如氮化鋁、氮化鎵、石墨烯等先進材料生長設備及工藝。雙方的合作將進一步提高研發(fā)效率，縮短研發(fā)周期，推動先進材料領域的技術創(chuàng)新。

圖片來源：拍信網正版圖庫

“20+8”產業(yè)政策助推

2022年6月，深圳出臺《關于發(fā)展壯大戰(zhàn)略性新興產業(yè)集群和培育發(fā)展未來產業(yè)的意見》重要政策文件，培育發(fā)展壯大“20+8”產業(yè)集群，前瞻布局8大未來產業(yè)。預計到2025年，深圳戰(zhàn)略性新興產業(yè)增加值將超過1.5萬億元。

半導體與集成電路產業(yè)是深圳“20+8”產業(yè)集群之一，此次深圳先進院與納設智能的合作是科研力量賦能深圳“20+8”產業(yè)集群發(fā)展的一個縮影。雙方的“牽手”，是新型研發(fā)機構以協(xié)同創(chuàng)新的特色方法助力深圳“20+8”產業(yè)集群建設的標志性體現。

今年8月，在以“新型研發(fā)機構助力深圳產業(yè)集群發(fā)展”為主題的“科創(chuàng)中國”企業(yè)家論壇上，深圳先進院與8家科技企業(yè)簽約，促進科技成果轉化和產業(yè)化，納設智能就是其中之一。
（文：集邦化合物半導體Morty整理）

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