其中，碳化硅功率器件加速“上車”趨勢(shì)已十分明朗，近年來(lái)，越來(lái)越多的新能源新車型導(dǎo)入了碳化硅技術(shù)，而在近期，星途品牌全新純電SUV星紀(jì)元STERRA ES、第二代AION V埃安霸王龍、鴻蒙智行首款豪華旗艦轎車享界S9、2025款海豹、2025款極氪007、嵐圖汽車旗下嵐圖知音SUV等搭載碳化硅的新車型密集發(fā)布，碳化硅和新能源汽車組“CP”已蔚然成風(fēng)。

與此同時(shí)，氮化鎵在車用場(chǎng)景的應(yīng)用探索持續(xù)取得新進(jìn)展。圍繞車載充電器、車載激光雷達(dá)等場(chǎng)景，英飛凌、EPC等廠商紛紛推出了相關(guān)產(chǎn)品，推動(dòng)著氮化鎵車規(guī)級(jí)應(yīng)用熱度上漲。

碳化硅/氮化鎵功率器件龍頭角逐車用場(chǎng)景

當(dāng)前，業(yè)界普遍認(rèn)為碳化硅/氮化鎵功率器件在新能源汽車領(lǐng)域有較大的應(yīng)用潛力，因此各大頭部廠商正在積極布局車用場(chǎng)景。

意法半導(dǎo)體、英飛凌、安森美等國(guó)際半導(dǎo)體大廠在碳化硅功率器件領(lǐng)域深耕多年，在技術(shù)和市場(chǎng)方面占據(jù)了先發(fā)優(yōu)勢(shì)，有利于更好地拓展全球業(yè)務(wù)，其中就包括中國(guó)市場(chǎng)。

近年來(lái)，隨著國(guó)內(nèi)新能源汽車市場(chǎng)持續(xù)爆發(fā)式增長(zhǎng)，車用碳化硅需求水漲船高，國(guó)際巨頭們紛紛加碼中國(guó)業(yè)務(wù)，而與車企合作是搶占市場(chǎng)份額最便捷的方式之一。僅2024年以來(lái)，圍繞車用碳化硅功率器件和模塊，國(guó)際廠商和本土汽車制造商達(dá)成了一系列新的合作，包括意法半導(dǎo)體與長(zhǎng)城汽車達(dá)成碳化硅戰(zhàn)略合作、英飛凌與小米達(dá)成協(xié)議、安森美與理想汽車簽署長(zhǎng)期合作協(xié)議等。

為降低供應(yīng)鏈成本，意法半導(dǎo)體還與國(guó)內(nèi)碳化硅頭部玩家三安合作，斥資數(shù)十億美元在國(guó)內(nèi)投建碳化硅器件合資工廠。意法半導(dǎo)體將碳化硅器件產(chǎn)能本地化，不僅有助于降低供貨成本，也有利于其通過(guò)產(chǎn)能保障進(jìn)一步開(kāi)拓中國(guó)車用碳化硅業(yè)務(wù)。

降本增效有利于拓展市場(chǎng)，強(qiáng)化技術(shù)優(yōu)勢(shì)同樣有助于吸引客戶目光，進(jìn)而達(dá)成合作。例如：2024年上半年，英飛凌推出新一代碳化硅MOSFET溝槽柵技術(shù)，在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標(biāo)提高了20%，在一定程度上提升了整體能效。

目前，產(chǎn)能建設(shè)和技術(shù)迭代升級(jí)都是國(guó)際巨頭們關(guān)注的焦點(diǎn)，未來(lái)各大廠商有望在這兩個(gè)方向持續(xù)取得突破。

在國(guó)內(nèi)新能源汽車市場(chǎng)，國(guó)際碳化硅功率器件大廠正在加速導(dǎo)入相關(guān)產(chǎn)品，本土相關(guān)企業(yè)則奮起直追，想要分一杯羹。

在PCIM Asia 2024國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)期間，集邦化合物半導(dǎo)體分別和英飛凌、安森美、EPC、賽米控丹佛斯、Soitec和斯達(dá)半導(dǎo)體進(jìn)行了交流，了解到6家國(guó)內(nèi)外功率器件知名廠商在碳化硅、氮化鎵車用場(chǎng)景的布局及進(jìn)展情況。

英飛凌

國(guó)際廠商方面，英飛凌目前致力于從性價(jià)比、可靠性、效率等三個(gè)方面全面提升碳化硅功率器件產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力，疊加作為國(guó)際IDM大廠在技術(shù)、市場(chǎng)等方面的深厚積累，使其能夠更好地響應(yīng)包括車用在內(nèi)的功率器件各類市場(chǎng)需求。

在PCIM Asia 2024國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)上，在電動(dòng)交通出行展區(qū)，英飛凌首次向國(guó)內(nèi)市場(chǎng)展示了旗下汽車半導(dǎo)體領(lǐng)域的HybridPACK Drive G2 Fusion模塊和Chip Embedding功率器件，其中HybridPACK Drive G2 Fusion模塊融合了IGBT和碳化硅芯片，在有效減少碳化硅模塊成本的情況下同時(shí)顯著提升了模塊的應(yīng)用效率，而Chip Embedding則可以直接集成在PCB板中，做到極小的雜散和高集成度的融合。

針對(duì)汽車電控，英飛凌電控系統(tǒng)解決方案采用第二代HybridPACK Drive碳化硅功率模塊的電機(jī)控制器系統(tǒng)進(jìn)行演示，該系統(tǒng)集成了AURIX TC4系列產(chǎn)品、第二代1200V SiC HybridPACK Drive模塊、第三代EiceDRIVER驅(qū)動(dòng)芯片1EDI30XX、無(wú)磁芯電流傳感器等。

針對(duì)OBC（車載充電器）/DC-DC應(yīng)用，英飛凌展示了其完整的頂部散熱方案：7.2kW磁集成Tiny Box頂部散熱解決方案，實(shí)現(xiàn)了高功率密度的電氣以及高集成結(jié)構(gòu)方案的有效融合。

安森美

安森美現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師Sangjun Koo表示，安森美在碳化硅領(lǐng)域的布局具備兩大優(yōu)勢(shì)，其一是針對(duì)碳化硅功率器件的市場(chǎng)需求反應(yīng)速度快，能夠快速針對(duì)產(chǎn)品布局做出決策；其二是作為全球第二大碳化硅功率器件供應(yīng)商，具備規(guī)?；a(chǎn)能力，能夠保障供貨，基于這些優(yōu)勢(shì)，安森美能夠更好地滿足包括車用在內(nèi)的市場(chǎng)需求。目前，安森美還積極布局AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域，有望與車用業(yè)務(wù)協(xié)同發(fā)展。

為滿足800V架構(gòu)下的充電需求，高功率OBC逐漸走向市場(chǎng)。安森美的OBC方案采用碳化硅產(chǎn)品，在11kW時(shí)的峰值系統(tǒng)效率達(dá)到97%，功率密度高達(dá)2.2?kW/l。此外，這一設(shè)計(jì)還可減少使用無(wú)源器件，從而減少PCB面積，有助于實(shí)現(xiàn)汽車輕量化。

為應(yīng)對(duì)主驅(qū)逆變器高功率的需求，安森美推出了1200V碳化硅半橋功率模塊B2S，支持最高400kw的輸出功率。該模塊采用了轉(zhuǎn)模注塑封裝方式，同時(shí)芯片連接采用銀燒結(jié)工藝，實(shí)現(xiàn)了高可靠性和低熱阻。模塊雜散電感約4nH，內(nèi)部集成onsemi最新的M3碳化硅技術(shù)，確保模塊的高性能。

EPC

EPC公司可靠性副總裁張盛科表示，EPC的低壓GaN器件能夠覆蓋所有48V至12V服務(wù)器電源轉(zhuǎn)換器、激光雷達(dá)（LiDAR）以及與太空相關(guān)的應(yīng)用需求。他們還在探索人形機(jī)器人和太陽(yáng)能場(chǎng)景。EPC的LiDAR GaN器件也適用于汽車應(yīng)用。

在PCIM Asia 2024國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)上，EPC展示了一款人形機(jī)器人樣品。該機(jī)器人中的一些關(guān)節(jié)組件很可能采用GaN技術(shù)。此外，EPC還帶來(lái)了一輛無(wú)人駕駛電動(dòng)小車，配備了采用EPC GaN功率器件的激光雷達(dá)組件。

賽米控丹佛斯

據(jù)賽米控丹佛斯大中華區(qū)方案和系統(tǒng)銷售總監(jiān)&大中華區(qū)技術(shù)總監(jiān)Norbert Pluschke介紹，賽米控丹佛斯作為碳化硅模塊封裝領(lǐng)先廠商之一，擁有兩種專為碳化硅優(yōu)化設(shè)計(jì)的封裝形式：一是全橋功率模塊eMPack?平臺(tái)，擁有極低的雜散電感（2.5nH），有助于實(shí)現(xiàn)碳化硅的高開(kāi)關(guān)速度；二是為嚴(yán)苛的汽車牽引逆變器應(yīng)用而開(kāi)發(fā)的直接冷卻注塑半橋模塊DCM平臺(tái)，這項(xiàng)技術(shù)也適用于未來(lái)氮化鎵領(lǐng)域。

在PCIM Asia 2024國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)上，賽米控丹佛斯展示了在工業(yè)能源和汽車領(lǐng)域的解決方案，其中包括采用eMPack?和DCM碳化硅模塊的雪鐵龍、伊控動(dòng)力等公司的新能源汽車電機(jī)控制器產(chǎn)品。

Soitec

Soitec公司業(yè)務(wù)發(fā)展經(jīng)理Gonzalo Picun表示，大尺寸碳化硅（SiC）襯底是當(dāng)前SiC行業(yè)的關(guān)鍵發(fā)展趨勢(shì)，能夠有效提升SiC功率器件的生產(chǎn)效率并降低成本。同時(shí)，新的材料技術(shù)也在涌現(xiàn)，例如我們SmartSiC襯底產(chǎn)品線中使用的多晶SiC（poly-SiC），它提高了單晶材料的利用效率，同時(shí)提升了器件的性能和可靠性。

此外，Soitec還發(fā)現(xiàn)多種創(chuàng)新的SiC生長(zhǎng)方法正在開(kāi)發(fā)中，如液相生長(zhǎng)（Liquid Phase growth）和高溫化學(xué)氣相沉積（HT-CVD），這些方法有助于提升單晶SiC的質(zhì)量，從而應(yīng)用于SmartSiC襯底。在此背景下，Soitec正在積極開(kāi)發(fā)高質(zhì)量的襯底技術(shù)，包括大尺寸襯底。

在產(chǎn)能方面，Soitec位于法國(guó)Bernin的新工廠于2023年10月完工，總投資額為3.8億歐元（約合30億元人民幣），占地2,500平方米。該工廠在全面投產(chǎn)后，每年可生產(chǎn)50萬(wàn)片晶圓，其中80%為SmartSiC晶圓。

Soitec獨(dú)特的技術(shù)——Smart Cut，能夠?qū)⒁粚颖〉母哔|(zhì)量單晶SiC與多晶SiC襯底結(jié)合起來(lái)。由此生成的SmartSiC襯底最大限度地提高了SiC材料的利用率，并顯著提升了生產(chǎn)產(chǎn)量?？傮w而言，Soitec具備在新能源車輛（NEVs）SiC應(yīng)用中占據(jù)重要地位的實(shí)力。

斯達(dá)半導(dǎo)體

斯達(dá)半導(dǎo)體在車用領(lǐng)域進(jìn)展較快，據(jù)斯達(dá)半導(dǎo)體副總經(jīng)理湯藝博士介紹，2022年，斯達(dá)半導(dǎo)體成為國(guó)內(nèi)首家碳化硅模塊批量進(jìn)入車企（用于小鵬G9車型）的廠商；2023年，其自研碳化硅芯片向北汽等多家車企批量供貨；斯達(dá)半導(dǎo)體自建產(chǎn)線今年也已開(kāi)始供貨，應(yīng)用范圍覆蓋主驅(qū)逆變器、電源及車載空調(diào)。

斯達(dá)半導(dǎo)體等國(guó)內(nèi)碳化硅器件廠商正在持續(xù)推進(jìn)碳化硅“上車”進(jìn)程，各大廠商大有與國(guó)際巨頭分庭抗禮之勢(shì)。

在碳化硅功率器件加速“上車”的同時(shí)，氮化鎵“上車”也已經(jīng)被各大頭部玩家提上日程。其中，意法半導(dǎo)體、英飛凌、安森美等雙管齊下，同時(shí)挖掘車用碳化硅和車用氮化鎵的機(jī)會(huì)。其中，意法半導(dǎo)體碳化硅產(chǎn)品已經(jīng)或即將導(dǎo)入理想汽車、長(zhǎng)城汽車等新能源汽車頭部廠商旗下車型中，同時(shí)，其PowerGaN系列產(chǎn)品，在功率更高的應(yīng)用中，也適用于電動(dòng)汽車及其充電設(shè)施。

EPC公司已經(jīng)開(kāi)發(fā)了基于氮化鎵的飛行時(shí)間（ToF）/激光雷達(dá)參考設(shè)計(jì)，這些設(shè)計(jì)利用了氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaN FETs），在激光雷達(dá)電路中提供了快速切換速度、更小的占地面積、高效率和卓越可靠性等優(yōu)勢(shì)。目前，EPC公司的eGaN FET已經(jīng)在汽車應(yīng)用中積累了數(shù)十億小時(shí)的成功經(jīng)驗(yàn)，包括激光雷達(dá)及雷達(dá)系統(tǒng)。

氮化鎵的汽車應(yīng)用目前還處于早期階段，在車載激光雷達(dá)產(chǎn)品的應(yīng)用相對(duì)成熟，并正在往其他車用場(chǎng)景滲透。預(yù)計(jì)到2025年左右，氮化鎵會(huì)小批量地滲透到低功率的OBC和DC-DC中，再遠(yuǎn)到2030年，OEM或考慮將氮化鎵引入到主驅(qū)逆變器。

碳化硅/氮化鎵車用趨勢(shì)

在國(guó)內(nèi)外碳化硅、氮化鎵功率器件廠商的共同努力下，全球汽車產(chǎn)業(yè)尤其是新能源汽車領(lǐng)域正在發(fā)生革命性的轉(zhuǎn)變。

目前，新能源汽車領(lǐng)域正在經(jīng)歷由400V電壓系統(tǒng)向800V電壓系統(tǒng)的轉(zhuǎn)變，在各大廠商最新發(fā)布的新能源車型中，800V高壓碳化硅平臺(tái)幾乎成為標(biāo)配，這一轉(zhuǎn)變主要是為了提升電池充電速度、減少電池發(fā)熱、提高電機(jī)工作效率、提升車輛續(xù)航里程并降低制造成本。在這個(gè)過(guò)程中，碳化硅功率器件發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。

在車用領(lǐng)域，1200V甚至是1700V碳化硅功率器件正在成為主流，以便更好地匹配800V或更高電壓等級(jí)的車用平臺(tái)需求。

400V向800V的轉(zhuǎn)變過(guò)程，也是新能源汽車加速普及的過(guò)程，從近期主流新能源車企發(fā)布的數(shù)據(jù)情況來(lái)看，各大廠商在8月份普遍實(shí)現(xiàn)了銷量大幅增長(zhǎng)，并有望延續(xù)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，碳化硅功率器件廠商也將持續(xù)受益。

同時(shí)，伴隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，對(duì)減少能量損耗和可靠性的要求越來(lái)越高，碳化硅模塊的集成化需求越來(lái)越多。

總結(jié)

近年來(lái)，隨著合成技術(shù)的進(jìn)步以及生產(chǎn)規(guī)模的擴(kuò)大，碳化硅襯底、外延成本呈下降趨勢(shì)，推動(dòng)器件、模塊等相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下探，有利于其向各類應(yīng)用場(chǎng)景進(jìn)一步滲透，尤其是正在大批量導(dǎo)入的新能源汽車領(lǐng)域，規(guī)模效應(yīng)之下，價(jià)格降低更有助于車企加大碳化硅“上車”力度。

與此同時(shí)，碳化硅產(chǎn)業(yè)正在由6英寸向8英寸轉(zhuǎn)型。盡管目前主流產(chǎn)品仍然為6英寸，但8英寸在降本增效方面的效果是顯著的，已成為各大廠商爭(zhēng)相布局的重點(diǎn)方向。未來(lái)，隨著8英寸產(chǎn)能逐步釋放，也有望進(jìn)一步推動(dòng)碳化硅在包括新能源汽車、光儲(chǔ)充等領(lǐng)域的普及應(yīng)用。

目前，碳化硅在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用大多數(shù)集中在中高端車型，隨著成本和價(jià)格的下降，其有望向新能源汽車中低端車型持續(xù)滲透，進(jìn)一步提升在新能源汽車領(lǐng)域的參與度。

此外，在產(chǎn)業(yè)整合趨勢(shì)下，越來(lái)越多的碳化硅功率器件廠商選擇與新能源車企合作開(kāi)發(fā)車用碳化硅產(chǎn)品，以市場(chǎng)和用戶需求為導(dǎo)向，從產(chǎn)業(yè)鏈源頭入手，實(shí)現(xiàn)技術(shù)和產(chǎn)品研發(fā)定制化，縮短產(chǎn)品從研發(fā)、驗(yàn)證到批量應(yīng)用的流程，在實(shí)現(xiàn)降本增效的同時(shí)，更好地抓住市場(chǎng)機(jī)遇。

氮化鎵方面，在新能源汽車領(lǐng)域，氮化鎵器件目前主要占據(jù)400V以下應(yīng)用，但部分廠商正在推進(jìn)氮化鎵器件的高壓應(yīng)用研發(fā)，其中包括博世正在開(kāi)發(fā)一種用于汽車的1200V氮化鎵技術(shù)。未來(lái)，氮化鎵功率器件將由低壓車載激光雷達(dá)應(yīng)用，逐步向需要更高電壓的主驅(qū)逆變器等應(yīng)用延伸。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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source：英飛凌

英飛凌表示，公司是全球首家在現(xiàn)有可擴(kuò)展的大批量生產(chǎn)環(huán)境中掌握這一突破性技術(shù)的公司。這一突破將極大地推動(dòng)氮化鎵功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展。

英飛凌表示，12英寸晶圓與8英寸晶圓相比，每片能多生產(chǎn)2.3倍數(shù)量的芯片，技術(shù)和效率顯著提升。

基于氮化鎵的功率半導(dǎo)體在工業(yè)、汽車、消費(fèi)類、計(jì)算和通信應(yīng)用中迅速獲得采用，涵蓋AI系統(tǒng)的電源、太陽(yáng)能逆變器、充電器、適配器以及電機(jī)控制系統(tǒng)。

先進(jìn)的氮化鎵制造工藝提高了設(shè)備性能，它實(shí)現(xiàn)了更高的效率性能、更小的尺寸、更小的重量和更低的總體成本，為客戶帶來(lái)便利。此外，12英寸氮化鎵制造通過(guò)可擴(kuò)展性確保了供應(yīng)穩(wěn)定性。

英飛凌首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck表示：“這一技術(shù)突破將改變行業(yè)格局，并使公司能夠釋放氮化鎵的全部潛力。在收購(gòu)GaN Systems近一年后，英飛凌掌握了硅、碳化硅和氮化鎵三種相關(guān)材料的技術(shù)?！?/p>

source：英飛凌

英飛凌利用現(xiàn)有成熟生產(chǎn)12英寸硅晶圓和8英寸氮化鎵晶圓的能力，公司已成功在奧地利維拉赫的功率工廠中現(xiàn)有的12英寸硅晶圓生產(chǎn)線上制造12英寸氮化鎵晶圓。

后續(xù)，英飛凌將根據(jù)市場(chǎng)需求進(jìn)一步擴(kuò)大GaN產(chǎn)能。英飛凌表示，12英寸氮化鎵晶圓的生產(chǎn)將使英飛凌在不斷增長(zhǎng)的氮化鎵市場(chǎng)中占據(jù)有利地位。

據(jù)集邦咨詢最新的《2024全球GaN Power Device市場(chǎng)分析報(bào)告》顯示，2023年全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復(fù)合年增長(zhǎng)率）高達(dá)49%。其中非消費(fèi)類應(yīng)用比例預(yù)計(jì)會(huì)從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數(shù)據(jù)中心和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景為核心。

目前，英飛凌正在推動(dòng)12英寸氮化鎵技術(shù)，以加強(qiáng)現(xiàn)有的解決方案和應(yīng)用領(lǐng)域，并使新的解決方案和應(yīng)用領(lǐng)域具有越來(lái)越高的成本效益價(jià)值主張，并能夠滿足客戶系統(tǒng)的全方位需求。后續(xù)，英飛凌將于2024年11月在慕尼黑舉辦的電子展（electronica）上向公眾展示首批12英寸氮化鎵晶圓。

英飛凌表示，12英寸氮化鎵技術(shù)的一大優(yōu)勢(shì)是可以利用現(xiàn)有的12英寸硅晶圓制造設(shè)備，這是因?yàn)榈壓凸璧闹圃旃に嚪浅Ｏ嗨啤Ｓw凌現(xiàn)有的大規(guī)模12英寸硅晶圓生產(chǎn)線是試點(diǎn)可靠氮化鎵技術(shù)的理想選擇，有利于加快實(shí)施速度并有效利用資金。

全面規(guī)?；慨a(chǎn)12英寸氮化鎵生產(chǎn)將有助于氮化鎵在RDS(on)水平上與硅的成本平價(jià)，這意味著同類硅和氮化鎵產(chǎn)品的成本持平。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯）

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source：英飛凌汽車電子生態(tài)圈

據(jù)介紹，HybridPACK Drive是英飛凌電動(dòng)汽車功率模塊系列產(chǎn)品，英飛凌此次為零跑C16供應(yīng)的是1200V HybridPACK Drive G2 CoolSiC模塊。

在碳化硅加速“上車”趨勢(shì)下，國(guó)際碳化硅功率器件巨頭持續(xù)推進(jìn)與國(guó)內(nèi)新能源車企的合作進(jìn)程，除英飛凌外，羅姆也在近期宣布了相關(guān)進(jìn)展。

今年8月，羅姆宣布，其第四代碳化硅MOSFET裸芯片已被吉利汽車旗下ZEEKR品牌的三款電動(dòng)車車型采用，用于其牽引逆變器中。這些功率模塊自2023年以來(lái)已由羅姆與正海集團(tuán)的合資企業(yè)HAIMOSIC有限公司批量生產(chǎn)，并交付給吉利旗下的一級(jí)供應(yīng)商Viridi E-Mobility Technology公司。

據(jù)悉，自2018年以來(lái)，吉利與羅姆持續(xù)展開(kāi)合作，最初通過(guò)技術(shù)交流打下基礎(chǔ)，并于2021年形成了專注于碳化硅功率器件的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。這一合作關(guān)系促成了羅姆碳化硅MOSFET的集成，成功應(yīng)用于ZEEKR X、009和001三款車型的牽引逆變器中。在這些電動(dòng)車中，羅姆的碳化硅MOSFET功率解決方案在延長(zhǎng)續(xù)航里程和提升整體性能方面發(fā)揮了關(guān)鍵作用。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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消費(fèi)電子市場(chǎng)走向成熟，GaN初闖高功率市場(chǎng)受挫

GaN（氮化鎵）和SiC（碳化硅）同為性能優(yōu)異的寬禁帶半導(dǎo)體材料，二者在擊穿電場(chǎng)、高溫性能、高功率處理能力以及化學(xué)穩(wěn)定性等方面存在共同之處，但相比之下，GaN在開(kāi)關(guān)頻率和能效上更加突出，因此更適合高頻應(yīng)用領(lǐng)域，有助于實(shí)現(xiàn)高效功率轉(zhuǎn)換、減少開(kāi)關(guān)損耗、降低熱耗散、縮小元件尺寸等。

按應(yīng)用劃分，GaN主要面向光電子、射頻通訊、功率半導(dǎo)體三大應(yīng)用領(lǐng)域，對(duì)應(yīng)消費(fèi)電子、無(wú)線通信、數(shù)據(jù)中心、汽車、航空航天、國(guó)防軍工等細(xì)分場(chǎng)景。其中，光電子是GaN最快普及的應(yīng)用，至今已有很多年的發(fā)展歷史，但GaN真正“火”起來(lái)是在近幾年的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，并首先崛起于消費(fèi)電子快充應(yīng)用。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢《2024全球GaN Power Device市場(chǎng)分析報(bào)告》數(shù)據(jù)顯示，2020年全球GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為0.5億美金，至2022年成長(zhǎng)至1.8億美金，年復(fù)合增長(zhǎng)率約53%。其中，2022年的市場(chǎng)規(guī)模相比2021年大幅增長(zhǎng)了125%。

也就是在這一年，GaN高速滲透快充市場(chǎng)，并開(kāi)始向家電、智能手機(jī)等其他消費(fèi)場(chǎng)景拓展；與此同時(shí)，新能源汽車、光儲(chǔ)充、數(shù)據(jù)中心等產(chǎn)業(yè)的迭代升級(jí)，使得GaN作為更為符合新需求的理想材料之一亦被寄予了厚望。在此背景下，GaN廠商從低功率朝向高功率市場(chǎng)延伸便順理成章。

然而，據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體觀察，一方面，快充、適配器等消費(fèi)電子市場(chǎng)不斷成熟，可供廠商發(fā)揮的空間、可分的“蛋糕”持續(xù)縮小；另一方面，在汽車、數(shù)據(jù)中心等高功率應(yīng)用領(lǐng)域，由于技術(shù)可靠性、成本等問(wèn)題，多數(shù)GaN廠商處于產(chǎn)品研發(fā)、驗(yàn)證、送樣、項(xiàng)目合作階段，真正落地的案例鮮少，這也側(cè)面反映GaN打開(kāi)高功率市場(chǎng)需更多的技術(shù)和時(shí)間沉淀。

GaN產(chǎn)業(yè)步入整合期，量到質(zhì)的改變開(kāi)始顯現(xiàn)

為了突破高壓大功率市場(chǎng)，不少?gòu)S商開(kāi)始嘗試新結(jié)構(gòu)、新工藝路線，其中包括有望全面解鎖GaN優(yōu)良特性的垂直GaN元件，但這條路并不好走。隨著時(shí)間的推移，各家廠商面臨前期大量投入難以兌現(xiàn)的壓力，而持續(xù)創(chuàng)新的研發(fā)投入需求則帶來(lái)了資金的壓力，多方面承壓之下，退場(chǎng)者隨之出現(xiàn)。據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體不完全統(tǒng)計(jì)，今年1-3月，美國(guó)垂直GaN器件廠NexGen Power Systems與Odyssey Semiconductor相繼宣布倒閉、破產(chǎn)。

同樣地，GaN頭部廠商也面臨更進(jìn)一步發(fā)展以及長(zhǎng)遠(yuǎn)立足的難題，于是有了GaN Systems并入功率半導(dǎo)體大廠英飛凌（Infineon），Transphorm并入全球半導(dǎo)體芯片大廠瑞薩電子（Renesas），Odyssey Semiconductor并入Power Integrations（PI）。

雖然沒(méi)有出現(xiàn)產(chǎn)能過(guò)?；驉盒詢r(jià)格戰(zhàn)等現(xiàn)象，但GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)顯然也進(jìn)入了一輪洗牌調(diào)整期。從并購(gòu)、倒閉破產(chǎn)案可見(jiàn)，未來(lái)能夠馳騁GaN“沙場(chǎng)”的定是具備過(guò)硬綜合競(jìng)爭(zhēng)力的廠商，這其實(shí)對(duì)于GaN產(chǎn)業(yè)而言利大于弊，因?yàn)閮?yōu)勢(shì)資源的不斷集中有利于推動(dòng)技術(shù)加快產(chǎn)業(yè)化，實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)應(yīng)用。

在供應(yīng)鏈資源大整合之際，廠商的技術(shù)沉淀與項(xiàng)目開(kāi)發(fā)進(jìn)展也到了一個(gè)新的階段，隨之而來(lái)的便是GaN技術(shù)逐步從量到質(zhì)的改變。

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體了解，經(jīng)過(guò)幾年的技術(shù)儲(chǔ)備，GaN相關(guān)廠商目前在消費(fèi)電子增量市場(chǎng)、電動(dòng)汽車、光儲(chǔ)充、數(shù)據(jù)中心等市場(chǎng)都取得了更多實(shí)質(zhì)性的進(jìn)展，并逐步收獲成果。

以汽車和新能源應(yīng)用為例，納微半導(dǎo)體（Navitas）2023年針對(duì)車載OBC及路邊充電樁場(chǎng)景引入新的GaNSafe技術(shù)（配合其SiC技術(shù)），截至今年第二季度，納微22kW車載充電機(jī)（OBC）方案已有15個(gè)客戶項(xiàng)目在推進(jìn)至評(píng)審階段，其預(yù)計(jì)電動(dòng)汽車領(lǐng)域?qū)⒃?025年底獲得首批由GaN技術(shù)帶來(lái)的收入。

在太陽(yáng)能/儲(chǔ)能市場(chǎng)，納微此前已打入美國(guó)前五大太陽(yáng)能設(shè)備制造商中三家的供應(yīng)鏈，截至今年第二季度，納微已有6個(gè)相關(guān)的客戶項(xiàng)目推進(jìn)至評(píng)審階段，預(yù)計(jì)將于明年在美國(guó)實(shí)現(xiàn)GaN基微型逆變器的量產(chǎn)。

國(guó)內(nèi)廠商中，鎵未來(lái)（GaNext）實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)GaN突破光伏微逆市場(chǎng)，其集成型Cascode 技術(shù)GaN功率器件設(shè)計(jì)已用在微型逆變器龍頭廠商的2000W新型逆變器中；氮矽科技也與全球頭部逆變器設(shè)計(jì)公司及知名制造商建立了戰(zhàn)略合作關(guān)系，共同開(kāi)發(fā)一款基于GaN技術(shù)的新一代微型逆變器。

汽車應(yīng)用方面，氮矽科技今年發(fā)布了一款超高開(kāi)關(guān)頻率（>100MHz）驅(qū)動(dòng)芯片，適用于高速汽車激光雷達(dá)系統(tǒng)；同時(shí)，該公司正在推進(jìn)多款100V集成驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品的車規(guī)級(jí)驗(yàn)證，這些產(chǎn)品主要適用于車載無(wú)線充和DC-DC；鎵未來(lái)目前也正在推進(jìn)產(chǎn)品的車規(guī)級(jí)認(rèn)證，同步與車廠展開(kāi)相關(guān)項(xiàng)目研究；IDM廠商能華微則在推進(jìn)1200V產(chǎn)品的車規(guī)級(jí)認(rèn)證······

AI數(shù)據(jù)中心、人形機(jī)器人等引燃，GaN“上大分”

AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器

數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域也是近幾年GaN廠商重點(diǎn)耕耘的方向之一，從相關(guān)廠商的進(jìn)展可見(jiàn)，GaN在數(shù)據(jù)中心電源市場(chǎng)的應(yīng)用已經(jīng)邁出了一大步，而AI技術(shù)的興起為該市場(chǎng)再添了一把火。

在AI生態(tài)中，數(shù)據(jù)中心對(duì)高速運(yùn)算和電力都有著龐大的需求。根據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查，NVIDIA（英偉達(dá)） Blackwell平臺(tái)將于2025年正式放量，取代既有的Hopper平臺(tái)，成為NVIDIA高端GPU（圖形處理器）主力方案，占整體高端產(chǎn)品近83%。在B200和GB200等追求高效能的AI Server機(jī)種，單顆GPU功耗可達(dá)1,000W以上。

面對(duì)高漲的功率需求，每個(gè)數(shù)據(jù)中心機(jī)柜的功率規(guī)格將從30-40kW推高至100kW，對(duì)于數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)來(lái)說(shuō)挑戰(zhàn)極大，而GaN與液冷技術(shù)的結(jié)合，將成為提升AI 數(shù)據(jù)中心能效的關(guān)鍵。

芯片功耗的大幅上升需要服務(wù)器擁有更高的功率密度和效能，GaN能夠降低損耗、提高功率密度，已被視為AI數(shù)據(jù)中心優(yōu)化能源效率的關(guān)鍵技術(shù)之一，吸引了英飛凌、德州儀器（TI）、納微、英諾賽科、Transphorm、能華微、氮矽科技、鎵未來(lái)等大批GaN玩家加入布局陣列。其中，納微和英飛凌均公布了AI數(shù)據(jù)中心電源技術(shù)路線圖，表明搶占該市場(chǎng)制高點(diǎn)的決心。

英飛凌AI數(shù)據(jù)中心電源路線圖

英飛凌融合Si、SiC以及GaN的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，已推出輸出功率為3 kW和3.3 kW的PSU，8 kW PSU預(yù)計(jì)將于2025年第一季度上市，全新8 kW PSU支持最高輸出功率達(dá)300 kW或以上的AI機(jī)架。與3 kW PSU的32 W/in3 相比，其效率和功率密度提升至100 W/in3，進(jìn)一步縮小了系統(tǒng)尺寸并節(jié)省了運(yùn)營(yíng)商的成本。

以GaN技術(shù)來(lái)看，英飛凌的CoolGaN? 解決方案可為PFC拓?fù)涮峁┏^(guò)99%的系統(tǒng)效率。此外，英飛凌收購(gòu)的GaN Systems則早在2022年就發(fā)布了3.2kW AI服務(wù)器電源供應(yīng)器，并于2023年推出第四代GaN平臺(tái)，效率超過(guò)鈦金級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)，功率密度從100W/in3提升至120W/in3。因此，雙方結(jié)合后在GaN領(lǐng)域產(chǎn)生的效應(yīng)備受看好。

納微去年全新GaNSafe?和Gen-3 Fast碳化硅技術(shù)以及納微專用設(shè)計(jì)中心已設(shè)計(jì)完成4.5kW CRPS，實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)硅解決方案兩倍以上功率密度。在此基礎(chǔ)上，納微7月發(fā)布全新的CRPS185 4.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源方案，功率密度達(dá)137W/in3，效率超97%。

納微AI數(shù)據(jù)中心電源路線圖

納微透露，3.2kW和4.5kW電源方案已有超過(guò)60個(gè)數(shù)據(jù)中心客戶項(xiàng)目正在研發(fā)中，預(yù)計(jì)將在2024-2025年間為納微GaN和SiC的營(yíng)收帶來(lái)數(shù)百萬(wàn)美元的增長(zhǎng)。據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體進(jìn)一步了解，納微預(yù)計(jì)用于AI數(shù)據(jù)中心電源方案有望于年底實(shí)現(xiàn)小批量生產(chǎn)。

面對(duì)AI服務(wù)器興起創(chuàng)造的商機(jī)，GaN廠商顯然加快了步伐。除了英飛凌和納微之外，其他廠商也在通過(guò)各自的發(fā)展路線悶聲謀大事，如TI、EPC（宜普電源轉(zhuǎn)換）、能華微、鎵未來(lái)、氮矽科技等。

TI早在2021年便與全球最大的服務(wù)器電源供應(yīng)商臺(tái)達(dá)（市占率近5成）就數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源達(dá)成合作，基于其GaN技術(shù)和C2000 MCU實(shí)時(shí)控制解決方案，為數(shù)據(jù)中心開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)高效、高功率的企業(yè)用服務(wù)器電源供應(yīng)器（PSU）?；陂L(zhǎng)期的合作伙伴關(guān)系，雙方在AI服務(wù)器電源市場(chǎng)的合作成果將備受期待。

鎵未來(lái)已與知名院校達(dá)成合作，由其提供理論依據(jù)和技術(shù)支持，共同完成 3.5kW 無(wú)風(fēng)扇服務(wù)器電源的開(kāi)發(fā),通過(guò)兩相交錯(cuò)圖騰柱 PFC及 LLC實(shí)現(xiàn)高效率和高功率密度48V電源方案。鎵未來(lái)指出，AI 服務(wù)器與傳統(tǒng)服務(wù)器相比具有功率等級(jí)高且長(zhǎng)時(shí)間滿載工作的特性，對(duì)于電源的轉(zhuǎn)換效率要求更高，因此采用GaN器件的圖騰柱PFC拓?fù)鋵⑹亲顑?yōu)選擇。

產(chǎn)品開(kāi)發(fā)方面，EPC將在本月底的PCIM Asia展會(huì)展示最新一代GaN FET和IC，涵蓋包括AI服務(wù)器、機(jī)器人等在內(nèi)的各種實(shí)際應(yīng)用；氮矽科技多款相關(guān)產(chǎn)品已送樣國(guó)內(nèi)頭部知名企業(yè)，并完成了相關(guān)的可靠性測(cè)試；能華微1200V GaN產(chǎn)品也已經(jīng)送樣知名服務(wù)器電源廠，正在進(jìn)行可靠性評(píng)估。

人形機(jī)器人

事實(shí)上，不止AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器，更多新興市場(chǎng)正在為GaN產(chǎn)業(yè)注入活力，如今年發(fā)展一樣如火如荼的人形機(jī)器人等電機(jī)驅(qū)動(dòng)產(chǎn)業(yè)。

人形機(jī)器人的系統(tǒng)主要由傳感系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、電機(jī)系統(tǒng)以及電池系統(tǒng)四部分構(gòu)成，而GaN的“用武之地”包括激光雷達(dá)系統(tǒng)、電機(jī)控制器、DC-DC轉(zhuǎn)換器及電池BMS。其中，電機(jī)驅(qū)動(dòng)扮演關(guān)鍵角色。

TrendForce集邦咨詢研究顯示，由于自由度急劇上升，人形機(jī)器人對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的需求量大幅增加，為了獲得更高的爆發(fā)力，需要配置高功率密度、高效率、高響應(yīng)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，而GaN能夠滿足這些需求，還可以在熱管理、緊湊設(shè)計(jì)等方面提高人形機(jī)器人的整體性能，優(yōu)化整體設(shè)計(jì)。

據(jù)悉，西門子、安川電機(jī)、Elmo等已經(jīng)在機(jī)器人電機(jī)中導(dǎo)入了GaN技術(shù)，而GaN產(chǎn)業(yè)鏈也正摩拳擦掌。據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體了解，TI、EPC、Transphorm、英諾賽科、納微、能華微等正在推動(dòng)GaN于電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域的應(yīng)用。其中，Transphorm已為安川電機(jī)的新型伺服電機(jī)提供了GaN FET 產(chǎn)品。

TrendForce集邦咨詢表示，未來(lái)的機(jī)器人定會(huì)超乎想象，而精確、快速和強(qiáng)大的運(yùn)動(dòng)能力是其中之關(guān)鍵，驅(qū)動(dòng)其運(yùn)動(dòng)所需的電機(jī)也勢(shì)必隨之進(jìn)步，GaN將因此受益。

綜合當(dāng)前廠商頻繁的動(dòng)作來(lái)看，AI數(shù)據(jù)中心、人形機(jī)器人等新興產(chǎn)業(yè)無(wú)疑引燃了GaN市場(chǎng)，相關(guān)廠商多年的儲(chǔ)備和積累可望加快變現(xiàn)。譬如，英飛凌預(yù)估來(lái)自AI電源領(lǐng)域的營(yíng)收將在2025財(cái)年實(shí)現(xiàn)同比翻番，同時(shí)將在2-3年內(nèi)突破10億歐元。

GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提速，誰(shuí)將占據(jù)龍頭寶座？

短期而言，消費(fèi)電子市場(chǎng)仍將是功率GaN的主舞臺(tái)，并且，家電、智能手機(jī)等更多消費(fèi)電子應(yīng)用正在為GaN提供新的發(fā)展空間。但長(zhǎng)期而言，電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心等將成為GaN更重要的增長(zhǎng)引擎。

據(jù)TrendForce集邦咨詢最新報(bào)告《2024全球GaN Power Device市場(chǎng)分析》顯示，長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的主要?jiǎng)恿?lái)自電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景，受此驅(qū)動(dòng)，全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模預(yù)估從2023年的2.71億美金左右上升至2030年的43.76億美金，年復(fù)合年增長(zhǎng)率（CAGR）高達(dá)49%。其中，非消費(fèi)類應(yīng)用的比例預(yù)計(jì)將從2023年的23%上升至2030年的48%。

足見(jiàn)，電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用動(dòng)能強(qiáng)勁，GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)未來(lái)可期，這也側(cè)面解釋了英特爾（Intel）、臺(tái)積電（TSMC）等集成電路賽道的大廠同樣青睞GaN的原因。其中，英特爾去年底就透露已集成CMOS硅晶體管與GaN功率晶體管，用于高度集成的48V設(shè)備。

從區(qū)域市場(chǎng)層面觀察，GaN正在吸引更多的戰(zhàn)略投資。以中國(guó)香港為例，該地在7月底啟動(dòng)了首條超高真空GaN外延片中試線，由香港科技園公司與GaN外延技術(shù)商麻省光子技術(shù)(香港)有限公司聯(lián)合于7月底舉行了啟動(dòng)儀式，麻省光子技術(shù)預(yù)計(jì)將在香港投資至少2億港元，帶動(dòng)當(dāng)?shù)鼗衔锇雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

可以預(yù)見(jiàn)，未來(lái)會(huì)有更多玩家和資金涌入GaN功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，而市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)也將逐步激烈化。然而，市場(chǎng)格局目前撲朔迷離，未來(lái)誰(shuí)能占據(jù)龍頭寶座仍是未知數(shù)。

TrendForce集邦咨詢指出，從產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)程來(lái)看，F(xiàn)abless（無(wú)晶圓廠）公司在過(guò)去一段時(shí)間里表現(xiàn)較為活躍，但隨著產(chǎn)業(yè)不斷整合以及應(yīng)用市場(chǎng)逐步打開(kāi)，未來(lái)傳統(tǒng)IDM大廠的話語(yǔ)權(quán)有望顯著上升，為產(chǎn)業(yè)格局的未來(lái)圖景帶來(lái)新的重大變數(shù)。

當(dāng)前，從商業(yè)模式劃分，GaN玩家包括英飛凌、瑞薩（Transphorm）等傳統(tǒng)綜合型的IDM（集成器件制造）大廠，PI、納微、EPC等Fabless設(shè)計(jì)廠，英諾賽科、能華微等專業(yè)型IDM廠。

在消費(fèi)電子應(yīng)用仍占大比重的背景下，英諾賽科占據(jù)較大的市場(chǎng)份額，加上其努力推廣工業(yè)應(yīng)用，整體市占率位居前列。據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，2023年GaN功率半導(dǎo)體市占率前五大廠商分別是英諾賽科、PI、納微、EPC、英飛凌。

而數(shù)據(jù)中心、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車、光伏逆變器等更高功率的應(yīng)用對(duì)廠商的集成整合能力以及產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同效應(yīng)等各方面提出了更高的要求，因此，英飛凌、瑞薩、TI等傳統(tǒng)IDM廠商，以及TI等在這方面的優(yōu)勢(shì)將逐步顯現(xiàn)。

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體觀察，作為全球最大的功率半導(dǎo)體以及車用半導(dǎo)體廠商，目前英飛凌正在充分發(fā)揮和融合Si、SiC以及GaN的獨(dú)有優(yōu)勢(shì)，技術(shù)創(chuàng)新與集成能力以及綜合成本優(yōu)勢(shì)有望逐步凸顯。Fabless廠商中，納微也在發(fā)揮其在SiC、GaN以及驅(qū)動(dòng)技術(shù)的集成能力和協(xié)同優(yōu)勢(shì)，筑高自身的競(jìng)爭(zhēng)壁壘。

而英諾賽科、能華微等專業(yè)型廠商技術(shù)專注度高、創(chuàng)新速度快、決策鏈條短、市場(chǎng)靈活性高，能夠以深厚的技術(shù)積累，適時(shí)調(diào)整產(chǎn)品線和業(yè)務(wù)戰(zhàn)略，快速響應(yīng)GaN市場(chǎng)新需求。

綜合而言，不同模式下的廠商實(shí)力與水平各有千秋，布局策略和發(fā)展路線也有所不同，目前在新興應(yīng)用賽道上各方都處于前期起跑蓄力階段，勝負(fù)未分。不過(guò)，英飛凌、TI等廠商今年明顯向GaN傾注了更多資源，均展現(xiàn)出勇奪龍頭寶座之勢(shì)。未來(lái)，GaN功率半導(dǎo)體的“天平”將傾向哪一方？答案或許將隨之市場(chǎng)的打開(kāi)逐步揭曉。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 陳佳純）

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source：英飛凌

據(jù)了解，該工廠的一期項(xiàng)目投資額高達(dá)20億歐元，將重點(diǎn)生產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體，并涵蓋氮化鎵外延的生產(chǎn)。目前該工廠已經(jīng)獲得了總價(jià)值約50億歐元的設(shè)計(jì)訂單，并且收到了來(lái)自新老客戶約10億歐元的預(yù)付款。

寬禁帶半導(dǎo)體是英飛凌的重點(diǎn)戰(zhàn)略方向，作為全球最大的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商，目前英飛凌在碳化硅和氮化鎵兩大領(lǐng)域均未拿下龍頭寶座。對(duì)于碳化硅領(lǐng)域，據(jù)TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計(jì)，2023年英飛凌的營(yíng)收市占率約16.5%，排名第三。

為了維持在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的龍頭地位，英飛凌努力將硅基業(yè)務(wù)的發(fā)展保持在市場(chǎng)的平均增速，同時(shí)將研發(fā)資源和資金重點(diǎn)投入到碳化硅領(lǐng)域。英飛凌是第一家將商用碳化硅產(chǎn)品推向市場(chǎng)的公司，在2001年便推出了碳化硅二極管，同時(shí)其對(duì)溝槽柵碳化硅MOSFET的部署也處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位。

隨著Kulim 3工廠的投產(chǎn)，英飛凌將擁有更強(qiáng)的成本競(jìng)爭(zhēng)力，也有望推動(dòng)其市場(chǎng)地位的提升。后續(xù)英飛凌將重點(diǎn)著力于兩項(xiàng)工作，即Kulim 3工廠的產(chǎn)能提升和8英寸晶圓轉(zhuǎn)型。

對(duì)于具體市場(chǎng)而言，在車用碳化硅領(lǐng)域，英飛凌仍然保持著良好的發(fā)展勢(shì)頭。隨著汽車市場(chǎng)迅速變化，具有性價(jià)比的創(chuàng)新是未來(lái)英飛凌的關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)，特別是在封裝和系統(tǒng)理解層面。另外，彈性的供應(yīng)鏈?zhǔn)瞧淞硪淮髢?yōu)勢(shì)。

與此同時(shí)，AI數(shù)據(jù)中心的迅速發(fā)展正在拉升寬禁帶半導(dǎo)體需求。對(duì)此，英飛凌不久前公布了針對(duì)AI數(shù)據(jù)中心的電源裝置（PSU）產(chǎn)品路線圖，展現(xiàn)了硅、碳化硅和氮化鎵三種半導(dǎo)體材料的混合應(yīng)用方案，來(lái)幫助數(shù)據(jù)中心系統(tǒng)提升效能。

英飛凌預(yù)計(jì)，來(lái)自AI電源領(lǐng)域的營(yíng)收將在FY2025實(shí)現(xiàn)同比翻番，同時(shí)將在2~3年內(nèi)突破10億歐元。
整體而言，Kulim 3工廠的啟動(dòng)對(duì)于英飛凌意義非凡，有助于其在SiC領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力更上一層樓。同時(shí)，對(duì)于馬來(lái)西亞這一正在崛起的半導(dǎo)體中心而言，英飛凌的投資也進(jìn)一步增強(qiáng)了當(dāng)?shù)氐漠a(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)。（集邦化合物半導(dǎo)體Rany）

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英飛凌2024財(cái)年Q3營(yíng)收和凈利潤(rùn)小幅增長(zhǎng)

8月5日，英飛凌官微披露了其2024財(cái)年第三季度財(cái)報(bào)（截至2024年6月30日）。財(cái)報(bào)顯示，英飛凌2024財(cái)年第三季度營(yíng)收和凈利潤(rùn)實(shí)現(xiàn)小幅增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)2024財(cái)年第四季度將進(jìn)一步改善，整個(gè)2024財(cái)年的營(yíng)收預(yù)期符合之前給出的業(yè)績(jī)指導(dǎo)范圍。

具體來(lái)看，在2024財(cái)年第三季度，英飛凌營(yíng)收小幅增至37.02億歐元（約289.36億人民幣），比上一季度的36.32億歐元增長(zhǎng)了2%。其營(yíng)收增長(zhǎng)的主要貢獻(xiàn)來(lái)自汽車（ATV）和功率與傳感器系統(tǒng)（PSS）部門，綠色工業(yè)電源（GIP）和互聯(lián)安全系統(tǒng)（CSS）部門的營(yíng)收與上一季度幾乎持平。

2024財(cái)年第三季度，英飛凌的毛利率提高到40.2%，相比上一季度的38.6%有所增長(zhǎng)。調(diào)整后的毛利率增加到42.2%，與第二季度的41.1%相比同樣有所提升。

英飛凌2024財(cái)年第三季度的凈利潤(rùn)從上一季度的7.07億歐元提高到7.34億歐元（約57.37億人民幣），利潤(rùn)率提高到19.8%，第二季度的利潤(rùn)率為19.5%。

業(yè)務(wù)進(jìn)展方面，據(jù)外媒報(bào)道，今年6月，英飛凌完成了位于馬來(lái)西亞居林的8英寸碳化硅晶圓廠第一階段建設(shè)。英飛凌計(jì)劃于今年8月正式啟用居林Module 3廠區(qū)，并于2024年底開(kāi)始生產(chǎn)碳化硅。據(jù)了解，該晶圓廠總投資達(dá)70億歐元。

展望未來(lái)，假設(shè)匯率為1美元兌1.10歐元，英飛凌預(yù)計(jì)在2024財(cái)年第四季度實(shí)現(xiàn)營(yíng)收約40億歐元，在此基礎(chǔ)上，利潤(rùn)率預(yù)計(jì)將達(dá)到20%左右；基于前三季度的業(yè)績(jī)表現(xiàn)以及對(duì)第四季度的業(yè)績(jī)展望，英飛凌預(yù)計(jì)整個(gè)2024財(cái)年的營(yíng)收將達(dá)到150億歐元左右，利潤(rùn)率約為20%，調(diào)整后的毛利率預(yù)計(jì)在40%至45%之間。

Axcelis Q2營(yíng)收2.565億美元，碳化硅成為關(guān)鍵增長(zhǎng)動(dòng)力

7月31日，Axcelis公布了截至2024年6月30日的第二季度財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示，Axcelis 2024年第二季度實(shí)現(xiàn)營(yíng)收2.565億美元（約18.33億人民幣），而2024年第一季度的營(yíng)收為2.524億美元，環(huán)比增長(zhǎng)1.62%；本季度毛利率為43.8%，第一季度為46.0%；本季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為5280萬(wàn)美元，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率20.6%，第一季度為5650萬(wàn)美元；本季度凈利潤(rùn)為5090萬(wàn)美元（約3.64億人民幣），攤薄后每股收益1.55美元，而第一季度為5160萬(wàn)美元，攤薄后每股收益1.57美元。

關(guān)于業(yè)績(jī)表現(xiàn)，Axcelis總裁兼首席執(zhí)行官拉塞爾·洛（Russell Low）表示，Axcelis在第二季度實(shí)現(xiàn)了強(qiáng)勁的財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)，超出了預(yù)期。這得益于功率器件部門的持續(xù)強(qiáng)勁需求，碳化硅仍然是Axcelis的關(guān)鍵增長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)力。

業(yè)務(wù)進(jìn)展方面，今年4月17日，Axcelis宣布向知名碳化硅功率器件芯片制造商交付多批Purion Power系統(tǒng)離子注入器系統(tǒng)。這些設(shè)備包括Purion H200 SiC大電流、Purion XE SiC高能和Purion M SiC中電流注入機(jī)，且均在第一季度發(fā)貨。這些6英寸和8英寸設(shè)備將用于支持汽車、工業(yè)、能源和其他電力密集型應(yīng)用的功率器件的大批量生產(chǎn)。

值得一提的是，今年上半年在不到一個(gè)月時(shí)間內(nèi)，Axcelis已完成三起碳化硅設(shè)備訂單的出貨，客戶包括中國(guó)、日本等地的功率器件制造商。

展望第三季度（截至2024年9月30日），Axcelis預(yù)計(jì)營(yíng)收約為2.55億美元，每股攤薄收益約為1.43美元。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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source：寧波江豐電子材料股份有限公司

全球最大8英寸碳化硅工廠即將落成

7月24日，英飛凌在社交平臺(tái)上發(fā)布了一則視頻，官宣其馬來(lái)西亞居林第三工廠將在8月份舉行晶圓廠落成典禮，并將于年底開(kāi)始生產(chǎn)碳化硅產(chǎn)品。這意味著全球最大的8英寸碳化硅功率晶圓廠正式進(jìn)入投產(chǎn)倒計(jì)時(shí)。

據(jù)悉，英飛凌于2022年2月宣布將斥資逾20億歐元，在馬來(lái)西亞居林工廠建造第三廠區(qū)，建成后將用于生產(chǎn)碳化硅和氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，每年可為英飛凌創(chuàng)造20億歐元的收入。

2023年8月，英飛凌又宣布在原始投資之上，大幅擴(kuò)建居林晶圓廠，投建全球最大的8英寸碳化硅功率晶圓廠，且在未來(lái)五年內(nèi)，將再投入高達(dá)50億歐元用于馬來(lái)西亞居林第三廠區(qū)的二期建設(shè)。至此，居林工廠計(jì)劃投資總額從20億歐元增至70億歐元。

隨著英飛凌馬來(lái)西亞居林第三工廠的投產(chǎn)，全球碳化硅產(chǎn)能有望進(jìn)一步擴(kuò)大，碳化硅器件的成本也將逐步降低，從而推動(dòng)碳化硅技術(shù)在更多領(lǐng)域的應(yīng)用和普及。

目前，除英飛凌外，國(guó)內(nèi)外各大碳化硅頭部廠商均積極布局8英寸。國(guó)際廠商方面，Wolfspeed是最早量產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓的廠商；意法半導(dǎo)體將從明年第三季度開(kāi)始將其碳化硅功率半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝從6英寸升級(jí)為8英寸；三菱電機(jī)位于熊本縣正在建設(shè)的8英寸碳化硅晶圓廠將提前開(kāi)始運(yùn)營(yíng)，該工廠的運(yùn)營(yíng)日期從2026年4月變更為2025年11月，運(yùn)營(yíng)時(shí)間提前了約5個(gè)月。

國(guó)內(nèi)三安半導(dǎo)體、南砂晶圓、士蘭微等企業(yè)也都在推進(jìn)8英寸轉(zhuǎn)型：三安半導(dǎo)體在長(zhǎng)沙擁有一條從粉料到長(zhǎng)晶-襯底-外延-芯片-封測(cè)的8英寸碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)線，今年將實(shí)現(xiàn)通線；南砂晶圓計(jì)劃將中晶芯源項(xiàng)目打造成為全國(guó)最大的8英寸碳化硅襯底生產(chǎn)基地；士蘭微旗下士蘭集宏半導(dǎo)體的8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目也已正式開(kāi)工。

年產(chǎn)15萬(wàn)片，這個(gè)碳化硅相關(guān)項(xiàng)目正式開(kāi)工

8月1日，據(jù)“臨平經(jīng)開(kāi)區(qū)”官微消息，臨平政工出〔2024〕3號(hào)年產(chǎn)15萬(wàn)片集成電路核心零部件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目正式開(kāi)工。

該項(xiàng)目主導(dǎo)方為江豐電子控股公司杭州睿昇半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱睿昇半導(dǎo)體），主要從事集成電路用易脆材料零部件的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，聚焦于易脆材料核心零部件的定制化配套生產(chǎn)和國(guó)產(chǎn)化替代，主要生產(chǎn)各種復(fù)雜結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體硅電極、硅環(huán)等易脆材料零部件產(chǎn)品。

據(jù)介紹，該項(xiàng)目總用地面積約55畝，總建筑面積達(dá)58483平方米，將專注于石英、硅、陶瓷、碳化硅等集成電路核心零部件的生產(chǎn)，旨在為國(guó)內(nèi)外設(shè)備廠及晶圓廠提供定制化的產(chǎn)品和服務(wù)。

作為該項(xiàng)目主導(dǎo)方睿昇半導(dǎo)體的母公司，江豐電子創(chuàng)建于2005年，專業(yè)從事超大規(guī)模集成電路制造用超高純金屬材料及濺射靶材的研發(fā)生產(chǎn)。

盡管碳化硅業(yè)務(wù)并非其主業(yè)，但江豐電子去年12月在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示，其通過(guò)控股子公司從事研發(fā)、生產(chǎn)和銷售碳化硅半導(dǎo)體外延晶片業(yè)務(wù)，目前相關(guān)產(chǎn)線建設(shè)正在積極推進(jìn)中，已具備一定的生產(chǎn)能力。隨著此次新項(xiàng)目開(kāi)工，江豐電子碳化硅產(chǎn)業(yè)布局進(jìn)一步加深。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體觀察，本屆慕尼黑上海電子展匯聚了英飛凌、德州儀器、湖南三安半導(dǎo)體、泰科天潤(rùn)、華潤(rùn)微、英諾賽科、鎵未來(lái)、平偉實(shí)業(yè)、飛锃半導(dǎo)體、天域半導(dǎo)體、捷捷微電、聚能創(chuàng)芯、清純半導(dǎo)體、極海半導(dǎo)體、矽力杰半導(dǎo)體、杰平方半導(dǎo)體、芯達(dá)茂微電子、方正微電子、氮矽科技、納芯微、瞻芯電子、揚(yáng)杰科技、東科半導(dǎo)體、國(guó)基南方、能華半導(dǎo)體、愛(ài)仕特、威兆半導(dǎo)體、中微半導(dǎo)體、晶彩科技、蓉矽半導(dǎo)體、宇騰電子、昕感科技、瀚薪科技、瑞能半導(dǎo)體、極海半導(dǎo)體、翠展微電子、Vishay威世科技、Qorvo等眾多第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域知名廠商，展示了第三代半導(dǎo)體SiC、GaN在電子行業(yè)豐富多樣的應(yīng)用案例，彰顯了第三代半導(dǎo)體對(duì)于電子行業(yè)發(fā)展的巨大推動(dòng)作用，各大廠商亮點(diǎn)展品匯總?cè)缦拢?/p>

三安半導(dǎo)體

本屆展會(huì)，三安半導(dǎo)體帶來(lái)了8英寸SiC襯底/外延、SiC二極管、SiC MOSFET等各類產(chǎn)品。

三安半導(dǎo)體擁有完備的SiC二極管產(chǎn)品系列，包含650V/1A-50A，1200V/1A-60A以及1700V等不同電壓電流平臺(tái)，累計(jì)出貨量2億顆，目前已迭代至第5代產(chǎn)品。三安半導(dǎo)體SiC MOSFET系列產(chǎn)品覆蓋650V-1700V、8mΩ-1Ω范圍，應(yīng)用領(lǐng)域包括光伏儲(chǔ)能、車載充電機(jī)、充電樁、電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)等。

此外，基于三安1700V 1Ω高性能SiC MOSFET產(chǎn)品，三安半導(dǎo)體自主設(shè)計(jì)了高壓反激電源參考板demo，分為直插焊接式和IMS插拔式兩個(gè)版本，具有高效率、小體積、高功率密度等特點(diǎn)。

英飛凌

在本屆展會(huì)，英飛凌帶來(lái)了覆蓋工業(yè)、光伏儲(chǔ)能、智能家居、新能源汽車等領(lǐng)域的圍繞第三代半導(dǎo)體的最新產(chǎn)品及解決方案。

在電動(dòng)汽車展區(qū)，英飛凌進(jìn)行了一系列技術(shù)演示，其中包括使用英飛凌第二代HybridPACK Drive碳化硅功率模塊的電機(jī)控制器系統(tǒng)演示，該系統(tǒng)集成了Aurix TC3XX、第二代1200V SiC HybridPACK Drive模塊、第三代EiceDrive驅(qū)動(dòng)芯片1EDI30XX、無(wú)磁芯電流傳感器等。

在功率電源領(lǐng)域，英飛凌六月最新推出的中壓CoolGaN器件也亮相本屆展會(huì)，英飛凌還展出了基于中壓氮化鎵的2KW馬達(dá)驅(qū)動(dòng)解決方案。

德州儀器

本屆展會(huì)，在能源基礎(chǔ)設(shè)施方面，德州儀器（TI）展示了用于打造更安全、更智能、更可靠的太陽(yáng)能系統(tǒng)和儲(chǔ)能系統(tǒng)的基于氮化鎵的1.6kW雙向微型逆變器參考設(shè)計(jì)（TIDA-010933），以及采用TI氮化鎵LMG2100R044、搭載TI第三代C2000 TMS320F280039C的正浩創(chuàng)新（EcoFlow）800W車載超充。

在機(jī)器人領(lǐng)域，TI展示了適用于機(jī)器人和伺服驅(qū)動(dòng)器的三相GaN逆變器，以及專為BLDC電機(jī)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的先進(jìn)650V三相GaN IPM。

泰科天潤(rùn)

本屆展會(huì)，泰科天潤(rùn)帶來(lái)了6英寸SiC MOSFET、Si IGBT+SiC Diode混合單管、SiC 2in1半橋模塊等各類產(chǎn)品。

其1200V/80mΩ SiC MOSFET閾值電壓高達(dá)3.6V，能夠顯著降低橋臂短路風(fēng)險(xiǎn)。雪崩能量超過(guò)1000mJ，擊穿電壓超過(guò)1500V以上，保障了器件在應(yīng)用過(guò)程中安全可靠的運(yùn)行。此外，其導(dǎo)通電阻隨溫度增大的比例與業(yè)內(nèi)同行相比更確保在高溫運(yùn)行時(shí)依舊具有較低的導(dǎo)通損耗。

目前，泰科天潤(rùn)1200V40/80mΩ SiC MOSFET已經(jīng)應(yīng)用在大功率充電模塊上，累計(jì)經(jīng)受了88萬(wàn)小時(shí)的電動(dòng)汽車充電實(shí)戰(zhàn)應(yīng)用，包括夏季戶外高溫場(chǎng)景，累計(jì)為新能源汽車進(jìn)行了800多萬(wàn)度電的超快充電。

泰科天潤(rùn)還展示了超巧致精系列SUPERSMART易用·快捷·高效SiC 2in1半橋模塊，致力于打造低成本SiC模塊解決方案。該模塊具備高電壓耐受力、快速開(kāi)關(guān)速度、NTC溫度監(jiān)控、簡(jiǎn)化研發(fā)設(shè)計(jì)、提高功率密度、內(nèi)部絕緣設(shè)計(jì)等特點(diǎn)。

英諾賽科

本屆展會(huì)，英諾賽科在產(chǎn)品方面重點(diǎn)展示了VGaN雙向?qū)ㄏ盗挟a(chǎn)品、SolidGaN合封系列產(chǎn)品等。

應(yīng)用方案也比以往更加豐富，英諾賽科此次在展臺(tái)展示了用于光伏與儲(chǔ)能場(chǎng)景的2kW微逆方案、3kW雙向儲(chǔ)能方案，用于數(shù)據(jù)中心的2kW PSU電源模塊方案、1kW DCDC模塊電源，用于汽車電子的2kW 400V DC/DC方案，用于消費(fèi)與家電的240W LED驅(qū)動(dòng)方案，500W電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案以及4kW PFC（空調(diào)）方案。

揚(yáng)杰科技

本屆展會(huì)，揚(yáng)杰科技帶來(lái)了最新系列產(chǎn)品和全面應(yīng)用解決方案。

其中包括SiC、IGBT、MOSFET等各類新品在變頻器、充電樁充電模塊、光伏逆變器、儲(chǔ)能逆變器等場(chǎng)景中的應(yīng)用解決方案。

東科半導(dǎo)體

本屆展會(huì)，東科半導(dǎo)體重點(diǎn)展示了全新All-in-One全合封氮化鎵AC-DC電源管理芯片（不對(duì)稱半橋系列/有源箝位反激系列）。芯片采用三合一設(shè)計(jì)，單芯片集成AHB/ACF控制+半橋驅(qū)動(dòng)+半橋GAN器件，實(shí)現(xiàn)了優(yōu)異的總線控制功能，提供卓越的性能和效率。

在氮化鎵AC-DC電源管理芯片領(lǐng)域，東科半導(dǎo)體還帶來(lái)了全合封QR-LOCK AC-DC電源管理芯片DK0XX/DK80XXAP系列。產(chǎn)品輸出功率覆蓋12-75W。支持250KHz開(kāi)關(guān)頻率，待機(jī)功耗低于50mW，內(nèi)置高低壓輸入功率補(bǔ)償電路。

國(guó)基南方

本屆展會(huì)，國(guó)基南方帶來(lái)了SiC功率器件與模塊、FRED器件、OLED微顯示器件與模組、AR眼鏡、紫外探測(cè)成像組件、GaN/GaAs射頻芯片和模塊、聲表濾波器、射頻開(kāi)關(guān)、封裝管殼與掩膜版等多種產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于通信基站、移動(dòng)終端、新能源汽車、風(fēng)光發(fā)電與儲(chǔ)能、智能穿戴、衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)、低空飛行器、高壓電網(wǎng)等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。

晶彩科技

本屆展會(huì)，晶彩科技帶來(lái)了第三代半導(dǎo)體SiC單晶專用的多晶粉體、高純碳粉、高純石墨件、高純石墨氈等多款產(chǎn)品。

晶彩科技半導(dǎo)體級(jí)3C晶型大顆粒SiC多晶粉主要針對(duì)SiC單晶不同生長(zhǎng)工藝特殊的需求，粒徑可達(dá)百微米，屬于國(guó)內(nèi)首創(chuàng)技術(shù)，產(chǎn)品純度達(dá)到6N。

其中，半絕緣型半導(dǎo)體級(jí)SiC多晶粉主要針對(duì)半絕緣型SiC單晶的生長(zhǎng)需求，粒徑可實(shí)現(xiàn)百微米到毫米級(jí)精準(zhǔn)控制，產(chǎn)品純度可達(dá)到6N和6.8N兩個(gè)級(jí)別，氮含量低于0.5ppm；導(dǎo)電型半導(dǎo)體級(jí)SiC多晶粉主要針對(duì)導(dǎo)電型SiC單晶的生長(zhǎng)需求，粒徑和產(chǎn)品純度與半絕緣型半導(dǎo)體級(jí)SiC多晶粉相當(dāng)，氮含量可根據(jù)需求選擇不同含量區(qū)間(<20ppm；20ppm-40ppm；40ppm-60ppm；>60ppm)類型。

蓉矽半導(dǎo)體

本屆展會(huì)，蓉矽半導(dǎo)體重點(diǎn)展示了SiC MOSFET/二極管EJBS，以及光伏逆變器、新型儲(chǔ)能方案、直流充電樁和新能源汽車等領(lǐng)域應(yīng)用解決方案。

在光伏逆變器主拓?fù)鋺?yīng)用中，蓉矽半導(dǎo)體工規(guī)級(jí)NovuSiC?光伏逆變器解決方案包含SiC EJBS二極管與1200V 75/40mΩ SiC MOSFET。相較于硅基二極管+硅基IGBT的傳統(tǒng)方案，基于SiC器件的解決方案可將逆變器體積縮小60%左右，大幅提高功率密度。在相同的開(kāi)關(guān)頻率下（20kHz@10kW），蓉矽半導(dǎo)體NovuSiC? MOSFET可降低50%的損耗；在相同損耗下（98W@10kW），蓉矽半導(dǎo)體EJBS+SiC MOSFET方案可將開(kāi)關(guān)頻率提升2倍左右，即可從20kHz提高至40kHz。

宇騰電子

本屆展會(huì)，宇騰電子帶來(lái)了6英寸硅基GaN功率器件晶圓、4英寸藍(lán)寶石基GaN外延片、4英寸SiC基GaN外延片、6英寸硅基GaN外延片等系列產(chǎn)品。

宇騰電子致力于光電與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相關(guān)設(shè)備升級(jí)與改造；第三代半導(dǎo)體GaN外延片、5G光通訊厚氧化層外延硅片設(shè)計(jì)生產(chǎn)；MOCVD反應(yīng)室專用石英與石墨制品設(shè)計(jì)生產(chǎn)等，為客戶提供定制化產(chǎn)品與服務(wù)。

鎵未來(lái)

本屆展會(huì)，鎵未來(lái)帶來(lái)了兩款車規(guī)級(jí)GaN新品，封裝形式分別為ITO-247PLUS-3L和TSPAK-DBC。

其中，ITO-247PLUS-3L為插件式封裝，管腳大小、位置、功能兼容傳統(tǒng)TO-247（PLUS）-3L封裝，散熱基板可以通過(guò)使用導(dǎo)熱硅脂壓緊或直接使用焊料焊接在散熱器上，實(shí)現(xiàn)更低的系統(tǒng)熱阻(RTH，J-HS)，散熱基板可以滿足至少2.5KV電氣隔離，還可根據(jù)客戶需求，提供ITO-247-3L封裝版本（帶緊固鎖孔)。

TSPAK-DBC則為頂部散熱表貼式封裝，散熱基板可以滿足最高4.5KV電氣隔離要求，可以實(shí)現(xiàn)高效率自動(dòng)化組裝，并具有極高的板級(jí)可靠性TCOB。

昕感科技

本屆展會(huì)，昕感科技展示的SiC器件產(chǎn)品涵蓋650V/1200V/1700V等不同電壓等級(jí)，導(dǎo)通電阻覆蓋從7mΩ-1000mΩ各種等級(jí)，功率模塊擁有汽車級(jí)與工業(yè)級(jí)SiC模塊。

目前，昕感科技已在650V、1200V、1700V等電壓平臺(tái)上完成數(shù)十款SiC器件和模塊產(chǎn)品量產(chǎn)，部分產(chǎn)品已通過(guò)AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證。其中，1200V SiC MOSFET產(chǎn)品具有80mΩ、40mΩ、21mΩ、13mΩ、7mΩ等導(dǎo)通電阻規(guī)格，模塊產(chǎn)品對(duì)標(biāo)EasyPACK、62mm、EconoDUAL等封裝形式，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于光伏儲(chǔ)能、新能源汽車、工業(yè)控制等領(lǐng)域。

納芯微電子

本屆展會(huì)，納芯微電子圍繞汽車電子、工業(yè)控制、可再生能源與電源等應(yīng)用領(lǐng)域，展示了其傳感器、信號(hào)鏈、電源管理三大方向的創(chuàng)新產(chǎn)品和解決方案。

在可再生能源領(lǐng)域，提高母線電壓，降低電流是降本增效直接有效的辦法，因此，支持更高電壓的SiC功率器件正越來(lái)越多地應(yīng)用于光儲(chǔ)系統(tǒng)中。本次展會(huì)上，納芯微展示了用于驅(qū)動(dòng)SiC功率器件的隔離驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品，包括帶米勒鉗位功能、可避免功率器件誤導(dǎo)通的NSI6801M，以及在過(guò)流的情況下，通過(guò)DESAT功能來(lái)保障功率器件不損壞的NSI68515。

瀚薪科技

本屆展會(huì)，瀚薪科技展示了最新的國(guó)產(chǎn)化第三代1200V SiC MOSFET產(chǎn)品系列，支持15/18V驅(qū)動(dòng)，這一系列產(chǎn)品涵蓋16mΩ、25mΩ、40mΩ、75mΩ及120mΩ多種RDS(on)規(guī)格，在18V驅(qū)動(dòng)下指標(biāo)表現(xiàn)更優(yōu)，并支持瀚薪科技自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的頂部散熱封裝。

瀚薪科技同時(shí)展出了第二代1700V 500mΩ、750mΩ、1Ω規(guī)格的SiC MOSFET以及3300V 60Ω的第三代SiC MOSFET。在SiC模塊方面，瀚薪科技展示了750V及1200V的三相全橋模塊。

方正微電子

本屆展會(huì)，方正微電子展示了應(yīng)用于新能源汽車、光儲(chǔ)充、數(shù)據(jù)中心、消費(fèi)電子等領(lǐng)域的SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT等系列產(chǎn)品。

其中，應(yīng)用于新能源汽車、光儲(chǔ)充、數(shù)據(jù)中心等場(chǎng)景的1200V SiC SBD、SiC MOSFET產(chǎn)品覆蓋16mΩ-60mΩ、15A-40A；應(yīng)用于消費(fèi)電子場(chǎng)景的GaN HEMT系列產(chǎn)品覆蓋150mΩ-500mΩ，助力打造體積更小、轉(zhuǎn)換更快、能耗更低的消費(fèi)電子產(chǎn)品。

氮矽科技

本屆展會(huì)，氮矽科技帶來(lái)了涵蓋從低壓到高壓應(yīng)用的全系列GaN產(chǎn)品及方案。

其中包括E-mode GaN HEMT、GaN Driver、GaN PIIP?（Power integrated in package）和PWM GaN四大產(chǎn)品線，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、鋰電池以及新能源汽車等領(lǐng)域。

能華半導(dǎo)體

本屆展會(huì)，能華半導(dǎo)體展出了一系列以D-Mode氮化鎵技術(shù)為基礎(chǔ)的功率氮化鎵器件以及6英寸和8英寸的D-Mode和E-Mode氮化鎵晶圓產(chǎn)品。據(jù)稱，能華半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)唯一同時(shí)量產(chǎn)了D-Mode和E-Mode氮化鎵的IDM公司。

能華半導(dǎo)體推出的氮化鎵產(chǎn)品最高耐壓達(dá)到了1200V，內(nèi)阻低至80毫歐，產(chǎn)品封裝形式多樣，涵蓋了從貼片類的DFN、TO252，到插件類的TO系列，再到面向工業(yè)級(jí)和車規(guī)級(jí)市場(chǎng)的TO247、TOLL封裝。

公開(kāi)資料顯示，能華半導(dǎo)體于2010年成立，是全球?yàn)閿?shù)不多同時(shí)掌握增強(qiáng)型GaN技術(shù)、耗盡型GaN技術(shù)以及耗盡型GaN直驅(qū)方案的半導(dǎo)體公司，其采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，致力于硅基GaN（GaN-on-Si）、藍(lán)寶石基GaN（GaN-on-Sapphire）、碳化硅基GaN（GaN-on-SiC）晶圓與器件的研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造與銷售，其6英寸/8英寸GaN晶圓和功率器件涵蓋650V-1200V，目前產(chǎn)能為6000片/月。

愛(ài)仕特

本屆展會(huì)，愛(ài)仕特帶來(lái)了650-3300V的SiC MOSFET（包括最新3300V大電流產(chǎn)品）、650-1700V的SiC功率模塊以及在新能源汽車、光儲(chǔ)充等領(lǐng)域的SiC功率轉(zhuǎn)換解決方案等產(chǎn)品。

其中，3300V/60A大電流SiC MOSFET產(chǎn)品采用了愛(ài)仕特第三代SiC MOSFET技術(shù)，具備3300V高壓、60A大電流、58mQ低導(dǎo)通電阻等特性，低開(kāi)關(guān)損耗支持更高開(kāi)關(guān)頻率運(yùn)行，高耐用性的封裝實(shí)現(xiàn)更高可靠性及更長(zhǎng)的壽命周期，半導(dǎo)體芯片面積更小實(shí)現(xiàn)更加優(yōu)化的成本效益，應(yīng)用領(lǐng)域包括列車牽引系統(tǒng)、不間斷電源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、重型車輛、智能電網(wǎng)3300Vac牽引變頻器、光伏逆變器、儲(chǔ)能電源、高壓DC/DC變換器特種軍用車等大功率高端細(xì)分領(lǐng)域。

瞻芯電子

本屆展會(huì)，瞻芯電子帶來(lái)了SiC分立器件和模塊、驅(qū)動(dòng)和控制芯片產(chǎn)品，以及多種參考設(shè)計(jì)方案。

在SiC器件方面，瞻芯電子展示了最新的第三代1200V SiC MOSFET系列產(chǎn)品，同時(shí)展出多種新規(guī)格，包括1700V、2000V和3300V電壓等級(jí)產(chǎn)品。

在SiC模塊方面，瞻芯電子展示了用于光伏MPPT的2000V 4相升壓3B模塊，以及用于EV主驅(qū)的SiC HPD和DCM模塊。

在SiC驅(qū)動(dòng)IC方面，瞻芯電子展示了最新的比鄰驅(qū)動(dòng)?系列芯片，包括具有隔離功能且集成負(fù)壓驅(qū)動(dòng)或短路保護(hù)功能的SiC專用驅(qū)動(dòng)芯片IVCO141x。

瑞能半導(dǎo)體

本屆展會(huì)，瑞能半導(dǎo)體帶來(lái)了最新的SiC頂部散熱封裝及SiC功率模塊，采用先進(jìn)環(huán)保無(wú)鉛工藝的可控硅器件，新一代IGBT產(chǎn)品，以及專注超級(jí)充電樁的二極管車規(guī)級(jí)產(chǎn)品等各類產(chǎn)品，覆蓋了光伏、工業(yè)、汽車等應(yīng)用領(lǐng)域。

瑞能BYC100MW-600PT2在保持反向恢復(fù)性能基本不變的情況下，降低VF，減少導(dǎo)通損耗，確保了40KW模塊的量產(chǎn)；瑞能WND60P20W在充電模塊中也提高了二極管的雪崩能力，使得在異常情況下，二極管可以耐受更多的雪崩能量，提高了器件的可靠性。

萃錦半導(dǎo)體

本屆展會(huì)，萃錦半導(dǎo)體帶來(lái)了SiC MOSFET、IGBT、SJ MOS以及超薄晶圓等各類產(chǎn)品。

目前，萃錦半導(dǎo)體產(chǎn)品涵蓋600V至2200V電壓范圍的SiC MOSFET、硅基超結(jié)Si SJ MOSFET等分立器件，主要應(yīng)用于新能源汽車、充電樁、光伏、儲(chǔ)能、風(fēng)電、工業(yè)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景和領(lǐng)域。

聚能創(chuàng)芯

本屆展會(huì)，聚能創(chuàng)芯展示了硅基GaN外延、650V GaN功率器件等系列產(chǎn)品。

聚能創(chuàng)芯主要從事硅基氮化鎵（GaN）的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，專注于為業(yè)界提供高性能、低成本的GaN功率器件產(chǎn)品和技術(shù)解決方案。聚能創(chuàng)芯旗下聚能晶源主要從事氮化鎵（GaN）外延材料的研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造和銷售，致力于為客戶提供大尺寸、高性能GaN外延解決方案與材料產(chǎn)品。目前，聚能晶源產(chǎn)品線包括AIGaN/GaN-on-Si、P-cap AlGaN/GaN-on-Si、GaN-on-HR Si，覆蓋GaN功率與微波器件應(yīng)用。

翠展微電子

本屆展會(huì)，翠展微電子發(fā)布了全新的TPAK封裝解決方案。TPAK封裝是專為克服TO-247等傳統(tǒng)封裝方案缺陷而設(shè)計(jì)的，該方案具有高功率密度、可擴(kuò)展性好、可靠性高、抗震動(dòng)性能強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，能夠滿足新能源汽車市場(chǎng)對(duì)高集成度、高性價(jià)比功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求。

此外，翠展微電子推出了基于IGBT和SiC的TO247 PLUS和TPAK產(chǎn)品，還通過(guò)采用銅Clip工藝實(shí)現(xiàn)了器件的高可靠性、低熱阻和低雜散電感性能。

Vishay威世科技

本屆展會(huì)，Vishay在現(xiàn)場(chǎng)展示了各類無(wú)源和分立半導(dǎo)體解決方案。

Vishay最新發(fā)布的1200V MaxSiC系列SiC MOSFET器件采用工業(yè)應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)封裝，具有45mΩ、80mΩ和250mΩ三種可選導(dǎo)通電阻，同時(shí)提供定制產(chǎn)品。此外，Vishay將提供650V至1700V SiC MOSFET路線圖，導(dǎo)通電阻范圍10mΩ到1Ω，包括計(jì)劃發(fā)布的AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)車規(guī)級(jí)產(chǎn)品。

Qorvo

本屆展會(huì)，Qorvo展出的1200V SiC模塊采用緊湊型E1B封裝，可以取代多達(dá)四個(gè)分立式SiC FET，從而簡(jiǎn)化熱機(jī)械設(shè)計(jì)和裝配。并且這些模塊搭載獨(dú)特的共源共柵配置，最大限度地降低導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗，極大地提升能源轉(zhuǎn)換效率。這些SiC模塊可廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)中，以提高能量轉(zhuǎn)化效率、減少散熱需求，從而增強(qiáng)汽車的充電效率和續(xù)航里程。

為發(fā)揮SiC器件的全部潛力，Qorvo推出了面向模擬與混合信號(hào)仿真的QSPICE仿真軟件。QSPICE具有卓越SPICE技術(shù)基礎(chǔ)功能的全新SPICE代碼，實(shí)現(xiàn)了全新一代混合模式電路仿真。通過(guò)提升仿真速度、功能和可靠性，為電源和模擬設(shè)計(jì)帶來(lái)更高的設(shè)計(jì)效率。

小結(jié)

從本屆展會(huì)三代半相關(guān)廠商重點(diǎn)展品來(lái)看，1200V和650V系列產(chǎn)品已占據(jù)SiC和GaN賽道C位，同時(shí)，各大廠商正在向1700V、3300V等更高電壓等級(jí)產(chǎn)品邁進(jìn)，顯示了SiC和GaN在電力電子行業(yè)應(yīng)用向高壓大功率發(fā)展趨勢(shì)。

以SiC和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體對(duì)于綠色能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要推動(dòng)作用也在日益顯現(xiàn)，能夠幫助實(shí)現(xiàn)更高的功效、更小的尺寸、更輕的重量、以及更低的總成本。在當(dāng)前綠色低碳化轉(zhuǎn)型的大背景下，以SiC和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體擁有巨大的發(fā)展?jié)摿瓦h(yuǎn)景發(fā)展空間，將在新能源汽車、光儲(chǔ)充、電力電子等場(chǎng)景和領(lǐng)域持續(xù)滲透，產(chǎn)業(yè)鏈上下游廠商也將獲得發(fā)展機(jī)遇。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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source：英飛凌

英飛凌計(jì)劃于今年8月正式啟用居林Module 3廠區(qū)，并于2024年底開(kāi)始生產(chǎn)SiC。據(jù)了解，該晶圓廠總投資為70億歐元，其也是馬來(lái)西亞政府1000億美元計(jì)劃的核心。

目前，SiC產(chǎn)線的生產(chǎn)設(shè)備正在安裝中，晶圓廠氣體的設(shè)計(jì)可適應(yīng)新型設(shè)備、產(chǎn)量和結(jié)構(gòu)要求。
報(bào)道稱，英飛凌和Wolfspeed將爭(zhēng)奪全球最大的8英寸SiC晶圓廠的頭銜，但雙方都沒(méi)有披露具體產(chǎn)能計(jì)劃。

而在不久前，意法半導(dǎo)體宣布將在意大利卡塔尼亞（Catania）投資50億歐元，建造全球首個(gè)綜合碳化硅晶圓工廠。該工廠以8英寸工藝為基礎(chǔ)，計(jì)劃于2026年開(kāi)始生產(chǎn)，并于2030年滿負(fù)荷運(yùn)行。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯）

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source：小米汽車

此外，英飛凌還將為小米汽車提供更廣泛的產(chǎn)品，包括 EiceDRIVER柵極驅(qū)動(dòng)器和十多個(gè)用于各種應(yīng)用的微控制器。兩家公司還同意在SiC汽車應(yīng)用方面進(jìn)一步合作，以充分利用英飛凌SiC產(chǎn)品組合的優(yōu)勢(shì)。

小米身為智能手機(jī)制造商，于三月份開(kāi)始銷售其首款電動(dòng)汽車。該公司旨在通過(guò)其高端SU7 Max撼動(dòng)電動(dòng)汽車市場(chǎng)，其售價(jià)為299,900元人民幣（41500美元），而特斯拉Model S的售價(jià)為684,900元人民幣，保時(shí)捷電動(dòng)車的售價(jià)為150萬(wàn)元人民幣。

小米汽車副總裁兼供應(yīng)鏈部總經(jīng)理黃振宇表示：“英飛凌是重要的合作伙伴，在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域擁有領(lǐng)先的技術(shù)和彈性制造能力，以及高度可擴(kuò)展的微控制器產(chǎn)品組合。兩家公司的合作不僅有利于穩(wěn)定小米汽車的SiC供應(yīng)，也有利于我們?yōu)榭蛻舸蛟旄咝阅?、安全可靠、功能領(lǐng)先的豪華汽車。”

英飛凌汽車事業(yè)部總裁 Peter Schiefer 表示：“我們非常高興與小米汽車等充滿活力的企業(yè)合作，為他們提供SiC產(chǎn)品，旨在進(jìn)一步提高電動(dòng)汽車的性能。作為汽車行業(yè)的領(lǐng)先合作伙伴，我們憑借廣泛的產(chǎn)品組合、系統(tǒng)理解和多站點(diǎn)制造基地，在塑造未來(lái)移動(dòng)出行方面處于有利地位?！?/p>

根據(jù)國(guó)際能源署（IEA）的數(shù)據(jù)，去年全球電動(dòng)汽車銷量接近1400萬(wàn)輛，其中95%來(lái)自中國(guó)、歐洲和美國(guó)。IEA表示，中國(guó)是最大的電動(dòng)汽車市場(chǎng)，占2023年新電動(dòng)汽車注冊(cè)量的近60%。近25%的電動(dòng)汽車銷量來(lái)自歐洲，10%來(lái)自美國(guó)。

隨著電動(dòng)汽車和綠色能源需求的加速增長(zhǎng)，全球?qū)iC芯片的爭(zhēng)奪也日趨白熱化。SiC是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，它可以承受高電壓和高溫。這些芯片主要用于電動(dòng)汽車電驅(qū)逆變器和充電系統(tǒng)，以及光伏、風(fēng)電等綠色能源領(lǐng)域。

英飛凌正在擴(kuò)大其位于馬來(lái)西亞和奧地利的SiC產(chǎn)能，并與Stellantis、現(xiàn)代等汽車制造商簽署了此類芯片的長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。

多家芯片制造商正在關(guān)注中國(guó)的汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)。美國(guó)芯片制造商英偉達(dá)早些時(shí)候表示，將深化與一系列中國(guó)電動(dòng)汽車制造商的合作關(guān)系，其中包括比亞迪，以開(kāi)發(fā)專為人工智能和自動(dòng)駕駛應(yīng)用而設(shè)計(jì)的先進(jìn)的下一代車載計(jì)算芯片平臺(tái)。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯）

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