source：鑫威源電子

據(jù)悉，氮化鎵激光器芯片是一種基于氮化鎵材料制成的激光器芯片。這種芯片利用氮化鎵的優(yōu)異光電特性，具有高功率、高速光電轉(zhuǎn)換能力，能夠在不使用非線性半導體泵浦固體激光器的條件下產(chǎn)生紫光激光。

氮化鎵激光器芯片的研發(fā)成功，不僅解決了傳統(tǒng)激光器在高溫、高功率應用中的限制，還為光電領(lǐng)域帶來了新的技術(shù)突破。特別是在紫光激光技術(shù)方面，氮化鎵激光器芯片能夠在更廣泛的波長范圍內(nèi)產(chǎn)生高質(zhì)量的激光輸出，為光電顯示、光存儲、光通信等領(lǐng)域提供了新的解決方案。

官網(wǎng)資料顯示，鑫威源電子從事氮化鎵半導體激光器相關(guān)材料、芯片、封裝等的設計與開發(fā)，以及產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售，致力于實現(xiàn)國產(chǎn)氮化鎵半導體激光器的產(chǎn)業(yè)化。

據(jù)悉，鑫威源電子投資打造的大功率氮化鎵半導體激光器產(chǎn)業(yè)化項目，于今年4月在武漢市江夏區(qū)大橋智能制造產(chǎn)業(yè)園完成廠房建設，無塵車間內(nèi)的恒溫恒濕、凈化、水處理及安全系統(tǒng)相繼達標并投入使用。

廠房竣工后，鑫威源電子完成了超過一百臺套制造設備的安裝和調(diào)試，打通了芯片制造產(chǎn)線。在廠區(qū)內(nèi)，鑫威源電子還完成了相關(guān)技術(shù)能力的轉(zhuǎn)移，并進行了產(chǎn)品試驗生產(chǎn)。

今年9月，鑫威源電子實現(xiàn)了藍光450nm激光芯片的重大技術(shù)突破：閾值電流小于0.25A，功率大于7W@3.5A，光電轉(zhuǎn)換效率WPE達到45%，產(chǎn)品技術(shù)可以滿足市場對大功率氮化鎵半導體激光器的應用要求。

鑫威源電子表示，氮化鎵半導體激光器芯片項目正式投產(chǎn)后，將有效填補國內(nèi)高端可見光激光器市場的研發(fā)與制造空白，加速氮化鎵半導體激光器在國內(nèi)的普及與應用。

目前，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)界在氮化鎵激光器芯片研發(fā)制造方面已取得一定進展。例如，北京大學物理學院的?胡曉東教授團隊通過獨創(chuàng)的晶體外延技術(shù)和一系列創(chuàng)新工藝，成功攻克了氮化鎵激光芯片的制備與封裝難題，這些技術(shù)突破不僅提升了氮化鎵激光器芯片的性能，也為未來的大規(guī)模生產(chǎn)和應用奠定了基礎(chǔ)。（集邦化合物半導體整理Zac整理）

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