source：香港應科院

據(jù)介紹，去年7月，應科院“國際化應用基礎研究機構項目”在河套深港科技創(chuàng)新合作區(qū)正式啟動。至今，深圳應科院已開展多個項目的研發(fā)及測試，主要圍繞第三代半導體和新一代通訊技術領域，建立三個技術平臺，包括氮化鎵高端電源技術開發(fā)及測試平臺、碳化硅智能電力系統(tǒng)開發(fā)及測試平臺、智慧校園模擬及實測平臺，實現(xiàn)技術轉(zhuǎn)化和產(chǎn)品的商業(yè)化。

據(jù)了解，第三代半導體是香港近年來重點發(fā)展的科技領域。今年5月，據(jù)港媒報道，香港立法會財務委員會批準了高達28.4億港元（約25.85億人民幣）的撥款，用于設立一個專注于半導體研發(fā)的中心——香港微電子研發(fā)院。

香港微電子研發(fā)院將專注支持第三代半導體，包括碳化硅和氮化鎵，該研究中心將率先在大學、研發(fā)中心和業(yè)界之間就第三代半導體進行合作。

據(jù)報道，香港微電子研發(fā)院將落地元朗創(chuàng)新園，容納兩條第三代半導體的試驗生產(chǎn)線，并允許初創(chuàng)公司、中小企業(yè)在將產(chǎn)品商業(yè)化之前完成運行測試。此外，該中心生產(chǎn)的半導體還有望用于開發(fā)新能源汽車、實現(xiàn)可再生能源解決方案。

而在7月30日，據(jù)香港中通社消息，香港科技園公司與麻省光子技術(香港)有限公司（以下簡稱麻省光子技術）聯(lián)合舉行香港首條超高真空第三代半導體氮化鎵外延片中試線啟動儀式。

儀式上，專注研發(fā)氮化鎵外延技術的麻省光子技術宣布，該公司計劃于香港科技園設立全港首個第三代半導體氮化鎵外延工藝全球研發(fā)中心，并于香港科技園微電子中心（MEC）開設首條超高真空量產(chǎn)型氮化鎵外延片中試線，預計將在香港投資至少2億港元（約1.82億人民幣），帶動第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展。（集邦化合物半導體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。