鴻海入局氧化鎵

近期媒體報道，鴻海研究院半導體所與陽明交大電子所合作，雙方研究團隊在第四代半導體的關鍵技術上取得重大突破，提高了氧化鎵在高壓、高溫應用領域的高壓耐受性能。

本次研究利用磷離子布植和快速熱退火技術實現(xiàn)了第四代半導體P型氧化鎵的制造，并在其上重新生長N型和 N+型Ga2O3，形成了PN Ga2O3 二極體，結果展示出優(yōu)異的電性表現(xiàn)，這一突破性技術除了能大幅提升元件的穩(wěn)定性和可靠性，并顯著降低電阻。

論文詳細闡述了這種新型Ga2O3 PN二極體的制作過程和性能特征。實驗結果顯示，該元件具有4.2 V的開啟電壓和900 V的擊穿電壓，展現(xiàn)出元件優(yōu)異的高壓耐受性能。

資料顯示，氧化鎵作為第四代半導體材料代表，具備禁帶寬度大、臨界擊穿場強高、導通特性好（幾乎是碳化硅的10倍）、材料生長成本低等優(yōu)勢，這些特性使得氧化鎵特別適用于電動汽車、電網(wǎng)系統(tǒng)、航空航天等高功率應用場景。

鴻海認為，氧化鎵將有望成為具有競爭力的電力電子元件，能直接與碳化硅競爭。展望未來，鴻海研究院表示，隨著氧化鎵技術的進一步發(fā)展，可以期待其在更多高壓、高溫和高頻領域中有更廣泛應用。

氧化鎵技術不斷突破

資料顯示，當前日本、美國與中國對氧化鎵領域的研究較為積極。

日本相關廠商已經(jīng)實現(xiàn)了4英寸與6英寸氧化鎵的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展，2023年底，日本NCT（novel crystal technology）公司宣布全球首次采用垂直布里奇曼（VB）法成功制備出6英寸β型氧化鎵單晶。
美國Kyma科技公司在氧化鎵基片、外延晶片和器件的生產(chǎn)上具有優(yōu)勢，并且與美國國防部達成緊密的合作關系。

我國同樣也在加速布局氧化鎵，并取得了一系列重要研究成果。

去年2月，中國電科46所成功制備出6英寸氧化鎵單晶，技術達到了國際一線水平。

去年10月，北京鎵和半導體有限公司實現(xiàn)了4英寸氧化鎵晶圓襯底技術突破，推出多規(guī)格氧化鎵單晶襯底并首發(fā)4英寸(100)面單晶襯底參數(shù)。

今年3月，鎵仁半導體聯(lián)合浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院、硅及先進半導體材料全國重點實驗室，采用自主開創(chuàng)的鑄造法于今年2月成功制備了高質量6英寸非故意摻雜及導電型氧化鎵(β-Ga2O3)單晶，并加工獲得了6英寸氧化鎵襯底片。同年7月，鎵仁半導體制備出了3英寸晶圓級（010）氧化鎵單晶襯底。

今年4月，媒體報道廈門大學電子科學與技術學院楊偉鋒教授團隊在第四代半導體氧化鎵（β-Ga2O3）外延生長技術和日盲光電探測器制備方面取得重要進展。

在β-Ga2O3薄膜生長方面，研究團隊利用分子束外延技術（MBE）實現(xiàn)了高質量、低缺陷密度的外延薄膜生長，并通過改變反應物前驅體和精密控制生長參數(shù)，成功實現(xiàn)了β-Ga2O3外延薄膜的均勻生長和優(yōu)良的晶體質量，有力地推動了β-Ga2O3薄膜的高質量異質外延的發(fā)展。同時，研究團隊還通過對MBE外延生長過程中的β-Ga2O3薄膜生長機制進行詳細探究，揭示了其成核、生長的差異性，并建立了相對應的外延生長機理模型圖。據(jù)悉，β-Ga2O3材料因其本征日盲光吸收(254 nm)，簡單二元組成，帶隙可調，制備工藝簡單等優(yōu)勢在日盲光電探測器領域受到廣泛關注。

另外，該研究團隊在MBE異質外延β-Ga2O3生長機制的基礎上，結合半導體光電響應原理，探究了異質外延β-Ga2O3薄膜日盲光電探測器的性能指標。研究團隊利用臭氧作為前驅體所制備的金屬-半導體-金屬結構日盲光電探測器表現(xiàn)出7.5 pA的暗電流、1.31×107的光暗電流比、1.31×1015 Jones的比檢測率和 53 A/W的光響應度，表現(xiàn)出相當優(yōu)異的對日盲紫外光的探測性能。

氧化鎵材料MBE異質外延生長機理研究和材料表征分析圖

圖片來源：電子科學與技術學院官網(wǎng)

來源：全球半導體觀察

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鴻騰表示，公司海外擴張計劃主要優(yōu)先考慮核心客戶的需求，以及“3+3”策略發(fā)展電動車、聲學及人工智能物聯(lián)網(wǎng)（5G AIoT）領域。其中，1.5億美元用于印度子公司，5000萬美元用于越南子公司，另有2億美元則為年初宣布的德國車用線束廠并購案做準備。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

此前，在股東會上，鴻海董事長劉揚偉表示公司未來三年將聚焦電動車、低軌衛(wèi)星、半導體三大領域。

電動車方面，2025年市占率達5%、產(chǎn)業(yè)營收規(guī)模達到一萬億元新臺幣、出貨量為每年50-75萬臺。劉揚偉稱今年10月18日將舉辦第三屆鴻?？萍既?，除了展示出量產(chǎn)版的model C之外，也會有兩部全新、會讓大家耳目一新的車款亮相。

半導體方面，立下三大目標，包含自有車用關鍵IC量產(chǎn)、自有車用小IC涵蓋90%規(guī)格、車用小IC足量不缺料供應等，要成為首家能提供電動車（EV）與信息通信領域（ICT）客戶不缺料半導體方案的系統(tǒng)廠。

其中，車載充電器碳化硅預計2023年量產(chǎn)，車用微處理器（MCU）2024年投片，自駕光達（LiDAR）則預計2024年量產(chǎn)，自有車用小IC也會涵蓋90%規(guī)格。（文：集邦化合物半導體 Amber整理）

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根據(jù)目前榮創(chuàng)資料顯示，鴻海集團通過寶鑫國際投資，擁有榮創(chuàng)兩席法人董事，代表人分別是董事暨總經(jīng)理黃郁良，以及董事張登凱，不過榮創(chuàng)今年公告的改選名單卻顯示，張登凱已改為用自然人身分擔任董事，至于黃郁良則未在提名名單上，也就是說，鴻海旗下寶鑫國際投資，已退出榮創(chuàng)董事會，改為單純投資持股關系。

榮創(chuàng)今年提名七席董事，其中原本是四席董事加上三席獨董，今年提名名單改為三席董事加上四席獨董，三席現(xiàn)任董事與三席獨立董事提名續(xù)任，董事包含榮創(chuàng)董事長方榮熙、董事莊宏仁、董事張登凱，獨立董事則包含留溪鶴、游象燉與杜武青，并新增一任王淑蘭。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

面板大廠群創(chuàng)近期公告董事候選人名單中，鴻海集團也未在董事會推派代表名單，此舉外界解讀鴻海是19年來首度撤出群創(chuàng)董事會，鴻海陸續(xù)退出面板、LED布局，市場議論鴻海正在加速調整轉投資布局，強化汰弱留強。

榮創(chuàng)是鴻海集團過去LED布局的重要伙伴，鴻海為布局MicroLED，轉投資公司夏普2017年便攜手泛鴻海集團的群創(chuàng)、榮創(chuàng)等3家公司，收購研發(fā)MicroLED面板的美國新創(chuàng)公司eLux。

除鴻海外，日本LED大廠日亞化也是榮創(chuàng)過去大股東，但日亞化已在2019年解除持股榮創(chuàng)。

榮創(chuàng)為臺灣地區(qū)SMDLED封裝廠，第一季營收8.85億元（新臺幣，下同），季減6.8%、年減42.3%，毛利率19.4%，季增1.5%、年增7.54%，營益率4.07%，季減0.61%，年增2.01%，稅后純益4756萬元，季增21.9%、年增48.6%，每股純益0.33元。（來源：鉅亨網(wǎng)）

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