123,123,123 http://szzm-kj.com 集邦化合物半導(dǎo)體是化合物半導(dǎo)體行業(yè)門戶網(wǎng)站,提供SiC、GaN等化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資訊、研討會以及分析報告。 Fri, 11 Oct 2024 07:24:25 +0000 zh-CN hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.3.1 研發(fā)測試第三代半導(dǎo)體,深圳應(yīng)科院揭牌 http://szzm-kj.com/info/newsdetail-69748.html Fri, 11 Oct 2024 10:00:25 +0000 http://szzm-kj.com/?p=69748 據(jù)香港應(yīng)用科技研究院(以下簡稱:香港應(yīng)科院)官微消息,香港應(yīng)科院全資子公司應(yīng)科院科技研究(深圳)有限公司(以下簡稱:深圳應(yīng)科院)于年初進駐河套深港科技創(chuàng)新合作區(qū)深圳園區(qū)并于10月9日正式揭牌。

深圳應(yīng)科院揭牌

source:香港應(yīng)科院

據(jù)介紹,去年7月,應(yīng)科院“國際化應(yīng)用基礎(chǔ)研究機構(gòu)項目”在河套深港科技創(chuàng)新合作區(qū)正式啟動。至今,深圳應(yīng)科院已開展多個項目的研發(fā)及測試,主要圍繞第三代半導(dǎo)體和新一代通訊技術(shù)領(lǐng)域,建立三個技術(shù)平臺,包括氮化鎵高端電源技術(shù)開發(fā)及測試平臺、碳化硅智能電力系統(tǒng)開發(fā)及測試平臺、智慧校園模擬及實測平臺,實現(xiàn)技術(shù)轉(zhuǎn)化和產(chǎn)品的商業(yè)化。

據(jù)了解,第三代半導(dǎo)體是香港近年來重點發(fā)展的科技領(lǐng)域。今年5月,據(jù)港媒報道,香港立法會財務(wù)委員會批準了高達28.4億港元(約25.85億人民幣)的撥款,用于設(shè)立一個專注于半導(dǎo)體研發(fā)的中心——香港微電子研發(fā)院。

香港微電子研發(fā)院將專注支持第三代半導(dǎo)體,包括碳化硅和氮化鎵,該研究中心將率先在大學(xué)、研發(fā)中心和業(yè)界之間就第三代半導(dǎo)體進行合作。

據(jù)報道,香港微電子研發(fā)院將落地元朗創(chuàng)新園,容納兩條第三代半導(dǎo)體的試驗生產(chǎn)線,并允許初創(chuàng)公司、中小企業(yè)在將產(chǎn)品商業(yè)化之前完成運行測試。此外,該中心生產(chǎn)的半導(dǎo)體還有望用于開發(fā)新能源汽車、實現(xiàn)可再生能源解決方案。

而在7月30日,據(jù)香港中通社消息,香港科技園公司與麻省光子技術(shù)(香港)有限公司(以下簡稱麻省光子技術(shù))聯(lián)合舉行香港首條超高真空第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延片中試線啟動儀式。

儀式上,專注研發(fā)氮化鎵外延技術(shù)的麻省光子技術(shù)宣布,該公司計劃于香港科技園設(shè)立全港首個第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延工藝全球研發(fā)中心,并于香港科技園微電子中心(MEC)開設(shè)首條超高真空量產(chǎn)型氮化鎵外延片中試線,預(yù)計將在香港投資至少2億港元(約1.82億人民幣),帶動第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)

更多SiC和GaN的市場資訊,請關(guān)注微信公眾賬號:集邦化合物半導(dǎo)體。

]]>
長光華芯:公司及全資子公司獲得政府補助1127.40萬元 http://szzm-kj.com/Company/newsdetail-69552.html Sat, 14 Sep 2024 10:00:33 +0000 http://szzm-kj.com/?p=69552 9月9日晚間,長光華芯發(fā)布關(guān)于獲得政府補助的公告(以下簡稱:公告)。

公告顯示,長光華芯及全資子公司截至本公告披露之日,共獲得政府補助款項共計人民幣1127.40萬元,其中與收益相關(guān)的政府補助1117.40萬元,與資產(chǎn)相關(guān)的政府補助10萬元。

圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫

長光華芯表示,其根據(jù)《企業(yè)會計準則第16號——政府補助》的有關(guān)規(guī)定,確認上述事項并劃分補助類型,上述政府補助預(yù)計對其利潤產(chǎn)生一定積極影響。

根據(jù)長光華芯8月30日晚間發(fā)布的2024年半年度報告,其上半年實現(xiàn)營收1.27億元,同比下滑10.39%;歸母凈利潤-0.42億元,歸母扣非凈利潤-0.73億元。

關(guān)于業(yè)績下滑原因,長光華芯表示,由于春節(jié)前后人員波動,出現(xiàn)產(chǎn)能瓶頸,2024年一季度僅實現(xiàn)營收0.52億元,同比減少41.91%,二季度克服相關(guān)瓶頸實現(xiàn)營收0.75億元,同比增加44.62%;科研類模塊由于生產(chǎn)難度大,出現(xiàn)產(chǎn)出不足,不能完全交付情況,導(dǎo)致收入下降,其本年加大研發(fā)投入,研發(fā)費用同比上升13.56%。

長光華芯主營業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體激光芯片、器件及模塊等激光行業(yè)核心元器件的研發(fā)、制造與銷售。目前,長光華芯已建成覆蓋芯片設(shè)計、外延生長、晶圓處理工藝(光刻)、解理/鍍膜、封裝測試、光纖耦合等IDM全流程工藝平臺和2英寸、3英寸、6英寸量產(chǎn)線,應(yīng)用于多款半導(dǎo)體激光芯片開發(fā)。

材料方面,長光華芯構(gòu)建了GaAs(砷化鎵)、InP(磷化銦)、GaN(氮化鎵)三大材料體系,建立了邊發(fā)射和面發(fā)射兩大工藝技術(shù)和制造平臺,縱向延伸開發(fā)器件、模塊及直接半導(dǎo)體激光器等下游產(chǎn)品,橫向擴展VCSEL及光通信激光芯片領(lǐng)域。(集邦化合物半導(dǎo)體整理)

更多SiC和GaN的市場資訊,請關(guān)注微信公眾賬號:集邦化合物半導(dǎo)體。

]]>
華為、小米投資,射頻芯片廠商昂瑞微再闖IPO http://szzm-kj.com/RF/newsdetail-69400.html Fri, 30 Aug 2024 09:36:05 +0000 http://szzm-kj.com/?p=69400 8月28日,射頻、模擬芯片廠家北京昂瑞微電子技術(shù)股份有限公司(以下簡稱“昂瑞微”)在北京證監(jiān)局辦理輔導(dǎo)備案登記,擬公開發(fā)行股票并上市,輔導(dǎo)券商為中信建投。據(jù)《科創(chuàng)板日報》報道,知情人士透露,昂瑞微大概率想上滬深A(yù),但目前還沒最終確定,該公司現(xiàn)階段的想法是先進入輔導(dǎo)期排隊。

值得注意的是,這次昂瑞微第二次沖刺IPO。2023年2月26日,昂瑞微便與中信建設(shè)簽署了輔導(dǎo)協(xié)議,并向北京監(jiān)管局報送了輔導(dǎo)備案登記材料,但在2023年輔導(dǎo)結(jié)束后撤回輔導(dǎo)備案。據(jù)悉,撤回申請主要是受到監(jiān)管IPO政策收緊影響,暫停了近半年時間的新股受理之后已重新啟動,昂瑞微順勢打算重啟上市計劃。

昂瑞微曾獲華為哈勃、小米集團投資

官網(wǎng)顯示,昂瑞微成立于2012年,是一家深耕射頻前端和無線通信領(lǐng)域、多元化前瞻布局的復(fù)合型芯片設(shè)計公司,國家重點專精特新小巨人企業(yè)。公司總部位于北京,在北京、大連、廣州設(shè)有研發(fā)中心,在深圳、上海、西安、韓國設(shè)有銷售/技術(shù)支持中心,在蘇州設(shè)有生產(chǎn)運營中心。

企查查官網(wǎng)顯示,昂瑞微成立至今已完成7輪融資,其中2020年共完成兩輪戰(zhàn)略融資,分別由小米集團及華為哈勃投資,持股比例均為4.1626%。

昂瑞微融資情況

來源:企查查

昂瑞微擁有基于CMOS、GaAs、SiGe、SOI、GaN等多種工藝的芯片設(shè)計和大規(guī)模量產(chǎn)經(jīng)驗,核心產(chǎn)品線涵蓋三大類:射頻前端芯片、無線連接芯片、模擬類芯片,主要應(yīng)用于智能手機、汽車電子、儲能、工業(yè)、高性能計算、物聯(lián)網(wǎng)、智能穿戴等領(lǐng)域。據(jù)悉,昂瑞微每年芯片的出貨量超過10億顆。

據(jù)悉,昂瑞微的產(chǎn)品拓展已進入全線突破階段,射頻前端系列產(chǎn)品客戶包括榮耀、小米、三星、摩托羅拉、中興、聯(lián)想、OPPO、vivo、傳音、華勤、龍旗、聞泰等已進入的知名品牌和方案商。

射頻前端市場國產(chǎn)化替代加速推進

射頻前端行業(yè)涵蓋了射頻功率放大器、濾波器、射頻開關(guān)、射頻低噪聲放大器等產(chǎn)品,該市場目前仍被美國Skyworks、Qorvo、Broadcom、Qualcomm等和日本Murata壟斷,集中度很高。

不過,在5G技術(shù)的推動及國家政策的支持下,國內(nèi)射頻前端技術(shù)正加速縮小與國際先進水平的差距。隨著5G通信技術(shù)的廣泛應(yīng)用和物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展,射頻前端芯片的市場需求將持續(xù)增長,這為國內(nèi)廠商提供了巨大的市場機遇。

據(jù)悉,國內(nèi)射頻前端廠商通過技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品升級,在5G相關(guān)的射頻前端器件需求方面取得了進展,尤其是在5G手機射頻前端方案方面,國內(nèi)廠商已取得一些突破,例如在Sub-6GHz UHB L-PAMiF產(chǎn)品中的競爭力逐漸增強。

目前,國內(nèi)射頻前端主要玩家包括唯捷創(chuàng)芯、卓勝微、飛驤科技等,前兩家已是A股上市公司,飛驤科技科創(chuàng)板IPO申請已到問詢狀態(tài)。其中,唯捷創(chuàng)芯在國產(chǎn)化率較低的射頻放大器領(lǐng)域占據(jù)國產(chǎn)主要份額。

近日,唯捷創(chuàng)芯及卓勝微已披露了2024年上半年業(yè)績。

唯捷創(chuàng)芯上半年實現(xiàn)營收10.71億元,同比增長20.28%;歸屬于上市公司股東的凈利潤為1126.86萬元,同比扭虧為盈。報告期內(nèi),唯捷創(chuàng)芯滲透新的客戶群體,高集成度模組L-PAMiD產(chǎn)品和接收端產(chǎn)品市場規(guī)模逐步擴大,推動營收同比增長。

卓勝微實現(xiàn)營收22.85億元,同比增長37.20%;實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤3.54億元,同比下降3.32%。上半年,卓勝微擴大了對射頻模組產(chǎn)品的市場開拓力度,其中,濾波器模組在產(chǎn)品中成長速度位居第一,是其業(yè)績增長的根本驅(qū)動因素。

目前,昂瑞微暫未披露業(yè)績相關(guān)數(shù)據(jù),但從獲得華為哈勃和小米集團等投資可見,其發(fā)展?jié)撃苁艿缴漕l前端市場以及資本市場的認可,未來發(fā)展值得期待。

長遠來看,隨著射頻前端市場國產(chǎn)化替代加速進行,包括昂瑞微等在內(nèi)的國內(nèi)廠商在技術(shù)、市場、資本等多方面均取得了積極的進展,未來隨著5G技術(shù)的進一步普及和應(yīng)用,國產(chǎn)射頻前端廠商有望獲得更多的市場機會。(集邦化合物半導(dǎo)體Jenny整理)

更多SiC和GaN的市場資訊,請關(guān)注微信公眾賬號:集邦化合物半導(dǎo)體。

]]>
化合物半導(dǎo)體廠商新增2起戰(zhàn)略合作 http://szzm-kj.com/Company/newsdetail-69370.html Tue, 27 Aug 2024 10:00:22 +0000 http://szzm-kj.com/?p=69370 近日,碳化硅相關(guān)廠商合盛硅業(yè)和氮化鎵企業(yè)能華半導(dǎo)體分別與合作方簽署了新的戰(zhàn)略合作協(xié)議,推進各自在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)布局。

source:合盛硅業(yè)

合盛硅業(yè)與桑達股份簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議

8月26日,據(jù)合盛硅業(yè)官微消息,合盛硅業(yè)與深圳市桑達實業(yè)股份有限公司近日在北京正式簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議,后者是中國電子旗下的首家信創(chuàng)企業(yè),為黨政及關(guān)鍵行業(yè)客戶提供數(shù)字化服務(wù)。

根據(jù)協(xié)議,雙方將持續(xù)深入開展新型數(shù)字化、探索碳資產(chǎn)合作、聯(lián)合推動行業(yè)數(shù)字轉(zhuǎn)型等,特別是加快推動化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的合作,不斷提升科技創(chuàng)新水平。

目前,合盛硅業(yè)在新疆、浙江、四川、云南、黑龍江等地設(shè)有數(shù)字化智造基地,在上海和海南擁有高新技術(shù)研發(fā)中心,旗下主要涵蓋能源、工業(yè)硅、有機硅、碳素、新材料、碳化硅、光伏全產(chǎn)業(yè)鏈、儲能等多元業(yè)務(wù),相關(guān)產(chǎn)品廣泛用于航天軍工、電子通訊、醫(yī)療健康、汽車制造等各個領(lǐng)域。

在碳化硅領(lǐng)域,合盛硅業(yè)從2019年開始開展相關(guān)研發(fā),建成了高純料合成實驗室、長晶實驗室、襯底加工實驗室、外延實驗室等,配備了從粉料合成到外延整線的生產(chǎn)設(shè)備和各個環(huán)節(jié)檢測儀器等。

今年以來,合盛硅業(yè)持續(xù)推進碳化硅相關(guān)業(yè)務(wù)。5月14日,合盛硅業(yè)在業(yè)績說明會上披露,其8英寸碳化硅襯底研發(fā)進展順利,并實現(xiàn)了樣品的產(chǎn)出,正在推進8英寸襯底的量產(chǎn)。具體來看,合盛硅業(yè)計劃今年二季度末實現(xiàn)8英寸襯底片量產(chǎn)。

隨后在7月15日,合盛硅業(yè)旗下內(nèi)蒙古賽盛新材料有限公司年產(chǎn)800噸碳化硅顆粒項目點火成功。該項目是合盛硅業(yè)布局呼和浩特“源網(wǎng)荷儲一體化”項目之一,也是合盛硅業(yè)在內(nèi)蒙古投資建設(shè)的首個產(chǎn)業(yè)類項目。

合作方面,8月21日,合盛硅業(yè)還與華能新能源股份有限公司以及華能投資管理有限公司正式簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議,三方將在新能源領(lǐng)域開展合作。

能華半導(dǎo)體與南京大學(xué)創(chuàng)新中心簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議

8月24日,據(jù)能華半導(dǎo)體官微消息,能華半導(dǎo)體與南京大學(xué)固態(tài)照明與節(jié)能電子學(xué)協(xié)同創(chuàng)新中心近日在江蘇無錫共同簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議。

據(jù)介紹,此次合作,雙方將通過共同開展科技創(chuàng)新項目,加速科技成果的轉(zhuǎn)化應(yīng)用,提升創(chuàng)新能力,并助力能華半導(dǎo)體拓展業(yè)務(wù)范圍。此外,雙方還將通過聯(lián)合舉辦論壇,研討會等活動以提高行業(yè)外對氮化鎵材料和應(yīng)用優(yōu)勢的了解,促進行業(yè)內(nèi)的交流,同時讓行業(yè)各方更深入地了解能華半導(dǎo)體的技術(shù)和產(chǎn)品。另外,雙方將通過及時的信息共享機制更快了解市場的需求,為客戶提供更加有針對性的產(chǎn)品。

能華半導(dǎo)體于2010年成立,專注于氮化鎵領(lǐng)域,是少數(shù)同時掌握增強型GaN技術(shù)、耗盡型GaN技術(shù)以及耗盡型GaN直驅(qū)方案的半導(dǎo)體公司。

能華半導(dǎo)體采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式,致力于硅基GaN(GaN-on-Si)、藍寶石基GaN(GaN-on-Sapphire)、碳化硅基GaN(GaN-on-SiC)晶圓與器件的研發(fā)、設(shè)計、制造與銷售。其6英寸/8英寸GaN晶圓和功率器件涵蓋650V-1200V,產(chǎn)能為6000片/月。

目前,能華半導(dǎo)體已實現(xiàn)了GaN器件全功率范圍的量產(chǎn),主要應(yīng)用市場包括消費電子、電動工具、數(shù)據(jù)中心、照明電源、便攜儲能、微型逆變器、電動汽車、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。

合作方面,能華半導(dǎo)體在今年4月還與芯賽威簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議。據(jù)介紹,能華半導(dǎo)體與芯賽威的合作主要以電源驅(qū)動芯片和氮化鎵器件技術(shù)為基礎(chǔ),為客戶提供更加小型化、高功率密度、高性價比的新一代電源管理方案。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)

更多SiC和GaN的市場資訊,請關(guān)注微信公眾賬號:集邦化合物半導(dǎo)體。

]]>
2024 全球GaN Power Device市場分析報告 http://szzm-kj.com/Report/newsdetail-69144.html Wed, 14 Aug 2024 07:55:45 +0000 http://szzm-kj.com/?p=69144 語系:中文/英文 丨 格式:PDF 丨 頁數(shù):約70頁 出刊時間:2024年8月

一、概況

-全球GaN Power Device產(chǎn)業(yè)格局
-全球GaN Power Device供應(yīng)鏈情形
-全球GaN Power Device產(chǎn)業(yè)并購動態(tài)
-全球主要半導(dǎo)體廠商布局

二、GaN Power Device產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)分析

-GaN Power Device產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析
-GaN Power Device成本結(jié)構(gòu)分析
-GaN Epiwafer價格情況
-MOCVD設(shè)備情況
-GaN Power Device價格情況
-GaN Power Device供應(yīng)商分布
-GaN Power Device供應(yīng)商產(chǎn)品線情況
-GaN Power Device供應(yīng)商市場份額
-GaN Power Device市場分析 – 按應(yīng)用場景
-GaN Power Device市場分析 – 按元件類型
-GaN Power Device市場分析 – 按電壓等級
-Foundry情況
-GaN Power Device封裝方案
-GaN-on-Sapphire產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析
-Vertical GaN產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析
-GaN-on-Qst產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析
-GaN Power IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析

三、GaN Power Device應(yīng)用場景分析

-GaN Power Device應(yīng)用趨勢
-Data Center – AI芯片的功耗演進
-Data Center – 服務(wù)器電源發(fā)展趨勢
-Data Center – GaN于服務(wù)器電源應(yīng)用分析
-Data Center – GaN應(yīng)用案例
-Data Center – AI服務(wù)器市場情況
-Data Center – GaN市場規(guī)模
-Motor Drive – GaN應(yīng)用概況
-Motor Drive – 機器人發(fā)展趨勢
-Motor Drive – GaN于人形機器人應(yīng)用分析
-Motor Drive – GaN市場規(guī)模
-Automotive – GaN應(yīng)用概況
-Automotive – GaN于激光雷達應(yīng)用分析
-Automotive – GaN于車載充電機應(yīng)用分析
-Automotive – GaN于牽引逆變器應(yīng)用分析
-Automotive – GaN廠商進展
-Automotive – 新能源汽車市場情況
-Automotive – GaN市場規(guī)模
-Solar – GaN應(yīng)用概況
-Solar – 微型逆變器發(fā)展趨勢
-Solar – GaN應(yīng)用案例
-Solar – GaN市場規(guī)模
-Consumer – GaN應(yīng)用概況
-Consumer – 快速充電器發(fā)展趨勢
-Consumer – GaN應(yīng)用案例
-Consumer – GaN市場規(guī)模

四、主要廠商動態(tài)分析

-Efficient Power Conversion
-Infineon
-Innoscience
-Navitas
-Power integrations
-Renesas
-Texas Instruments

]]>
TrendForce:2030年全球GaN功率元件市場規(guī)模有望升至43.76億美元 http://szzm-kj.com/Research/newsdetail-69140.html Wed, 14 Aug 2024 07:55:06 +0000 http://szzm-kj.com/?p=69140 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新報告《2024全球GaN Power Device市場分析報告》顯示,隨著英飛凌、德州儀器對GaN技術(shù)傾注更多資源,功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場規(guī)模約2.71億美元,至2030年有望上升至43.76億美元,CAGR(復(fù)合年增長率)高達49%。其中非消費類應(yīng)用比例預(yù)計會從2023年的23%上升至2030年的48%,汽車、數(shù)據(jù)中心和電機驅(qū)動等場景為核心。

– 01 -AI應(yīng)用普及,GaN有望成為減熱增效的幕后英雄

AI技術(shù)的演進,帶動算力需求持續(xù)攀升,CPU/GPU的功耗問題日益顯著。為了應(yīng)對更高端的AI運算,服務(wù)器電源的效能、功率密度必須進一步提高,GaN已成為關(guān)鍵解決技術(shù)之一。臺達為全球最大的服務(wù)器電源供應(yīng)商,市占率近5成。觀察其服務(wù)器電源的進階過程,功率密度在過去10年里由33.7W/in3上升至100.3W/in3,同時功率等級來到了3.2kW甚及5.5kW,而下一代預(yù)計將達到8 kW以上。
TrendForce集邦咨詢研究表明,2024年AI服務(wù)器占整體服務(wù)器出貨的比重預(yù)估將達12.2%,較2023年提升約3.4%,而一般型服務(wù)器出貨量年增率僅有1.9%。

為了搶占商機,英飛凌與納微半導(dǎo)體均在今年公布了針對AI數(shù)據(jù)中心的技術(shù)路線圖。英飛凌表示,將液冷技術(shù)與GaN相結(jié)合,在較低結(jié)溫下具有明顯的優(yōu)勢,為數(shù)據(jù)中心提供了巨大的機會,可以最大程度地提高效率,滿足不斷增長的電力需求,并克服服務(wù)器發(fā)熱量不斷增加所帶來的挑戰(zhàn)。

– 02 -電機驅(qū)動場景,GaN高頻特性潛力凸顯

在機器人等電機驅(qū)動場景,GaN的應(yīng)用潛力逐漸浮現(xiàn)。相對工業(yè)機器人,人形機器人(Humanoid Robot)由于自由度(Degrees of Freedom, DoF)急劇上升,對電機驅(qū)動器的需求量大幅增加。人形機器人的關(guān)節(jié)模組承擔(dān)了主要的發(fā)力與制動任務(wù),為了獲得更高的爆發(fā)力,需要配置高功率密度、高效率、高響應(yīng)的電機驅(qū)動器,GaN因此受到市場關(guān)注,特別是在腿部等負載較高的部位。
德州儀器、EPC(宜普電源轉(zhuǎn)換)持續(xù)推動著GaN于電機驅(qū)動領(lǐng)域的應(yīng)用,并不斷吸引新玩家進入。未來的機器人定會超乎想象,而精確、快速和強大的運動能力是其中之關(guān)鍵,驅(qū)動其運動所需的電機也勢必隨之進步,GaN將因此受益。

– 03 -GaN為汽車功率電子提供新方案

相對于SiC在汽車產(chǎn)業(yè)的繁榮景象,GaN汽車應(yīng)用亦不斷吸引著業(yè)界關(guān)注,其中車載充電機(OBC)被視為最佳突破點。第一個符合汽車AEC-Q101標(biāo)準的功率GaN產(chǎn)品在2017年由Transphorm(現(xiàn)Renesas-瑞薩電子)發(fā)布,截至目前,已有多家廠商推出豐富的汽車級產(chǎn)品。
整體而言,雖然GaN進入Inverter、OBC等動力系統(tǒng)組件還面臨著多個技術(shù)問題,但相信在英飛凌、瑞薩等汽車芯片大廠的持續(xù)投資推動下,GaN不久就會成為汽車功率組件中的關(guān)鍵角色。

– 04 -消費電子仍是GaN的主戰(zhàn)場

消費電子是功率GaN產(chǎn)業(yè)的主戰(zhàn)場,并由快速充電器迅速延伸至家電、智能手機等領(lǐng)域。
具體而言,GaN已經(jīng)在低功率的手機快速充電器中被大規(guī)模采用,下一步GaN將進入可靠性要求更為嚴格的筆電、家電電源。另外,其他蘊藏潛力的消費場景包括Class-D Audio、Smartphone OVP等。

TrendForce集邦咨詢認為,功率GaN產(chǎn)業(yè)正處于關(guān)鍵的突圍時刻,幾大潛力應(yīng)用同步推動著產(chǎn)業(yè)規(guī)模加速成長。同時,為了進入更為復(fù)雜的大功率、高頻化場景,GaN在可靠性基礎(chǔ)上有望引入新結(jié)構(gòu)、新工藝,為產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入新動能。另外,從產(chǎn)業(yè)發(fā)展進程來看,F(xiàn)abless(無晶圓廠)公司在過去一段時間里表現(xiàn)較為活躍,但隨著產(chǎn)業(yè)不斷整合以及應(yīng)用市場逐步打開,未來將看到傳統(tǒng)IDM(集成器件制造)大廠的話語權(quán)顯著上升,為產(chǎn)業(yè)格局的未來圖景帶來新的重大變數(shù)。(文:TrendForce集邦咨詢)

更多SiC和GaN的市場資訊,請關(guān)注微信公眾賬號:集邦化合物半導(dǎo)體。

]]>
納微半導(dǎo)體、MACOM、Qorvo公布最新業(yè)績 http://szzm-kj.com/info/newsdetail-69089.html Fri, 09 Aug 2024 10:00:13 +0000 http://szzm-kj.com/?p=69089 繼英飛凌和Axcelis之后,納微半導(dǎo)體、MACOM和Qorvo三家第三代半導(dǎo)體相關(guān)廠商近日也發(fā)布了最新的季度業(yè)績,3家企業(yè)季度營收均實現(xiàn)同比增長。

納微Q2營收同比增長13%,推出16款GaNFast充電器

8月5日,納微半導(dǎo)體公布了截至2024年6月30日的第二季度未經(jīng)審計的財務(wù)業(yè)績。其2024年第二季度營收增長至2050萬美元(約1.47億人民幣),比2023年第二季度的1810萬美元增長了13%。

按美國通用會計準則(GAAP)計算,納微半導(dǎo)體2024年第二季度營業(yè)虧損為3110萬美元(約2.23億人民幣),而2023年第二季度的虧損為2720萬美元;按非美國通用會計準則(non-GAAP)計算,納微半導(dǎo)體本季度營業(yè)虧損為1330萬美元,而2023年第二季度的虧損為960萬美元。

分業(yè)務(wù)來看,企業(yè)/AI數(shù)據(jù)中心方面,納微擁有第三代快速碳化硅(Gen-3 Fast SiC)和大功率氮化鎵旗艦GaNSafe?的產(chǎn)品組合,將二者進行混合設(shè)計的方案開創(chuàng)了全新的AC-DC效率(97%)和功率密度(140W/in3)基準。自2023年12月投資者日以來,納微數(shù)據(jù)中心在研客戶項目翻了一番,目前開發(fā)中的客戶項目超過60個,24年第二季度又有7個數(shù)據(jù)中心電源項目推進至客戶評審階段。

電動汽車/電動交通方面,納微22kW車載充電機(OBC)方案在2024年第二季度有15個客戶項目推進至評審階段。納微預(yù)計在2025年底,電動汽車業(yè)務(wù)將獲得首批由氮化鎵技術(shù)帶來的收入。

太陽能/儲能方面,納微目前有主要來自全球前10太陽能公司的超100個在研客戶項目。第二季度有6個客戶項目推進至評審階段,預(yù)計明年在美國實現(xiàn)氮化鎵基微型逆變器的量產(chǎn)。

移動/消費電子方面,移動電子客戶持續(xù)增加納微氮化鎵在快充產(chǎn)品中的應(yīng)用。預(yù)計2024年小米和OPPO對納微氮化鎵的采用率將達30%,在獲三星Galaxy S23和S24手機接連采用后,納微方案獲三星智能手機家族廣泛采用,包括新款Galaxy Z Flip6、Z Fold6和所有A系列手機。筆電方面,聯(lián)想和戴爾也再次采用了納微GaNFast技術(shù)。納微第二季度推出了16款全新納微GaNFast充電器,使采用納微方案的快充總數(shù)超過470款。

展望Q3,納微預(yù)計其營收為2200萬美元,上下浮動50萬美元;預(yù)計其Q3的非GAAP毛利率為40%,上下浮動50個基點;預(yù)計其非GAAP運營費用約為2150萬美元。

MACOM 2024財年Q3實現(xiàn)營收1.905億美元,同比增28.3%

8月1日,半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM公布了截至2024年6月28日的2024財年第三季度財務(wù)業(yè)績。2024財年第三季度,MACOM實現(xiàn)營收1.905億美元(約13.66億人民幣),同比增長28.3%,環(huán)比增長5.1%;毛利率為53.2%,去年同期為58.0%,上一財季為52.5%;調(diào)整后的毛利率為57.5%,去年同期為60.1%,上一財季為57.1%。

2024財年第三季度,MACOM凈利潤為1990萬美元(約1.43億人民幣),或每股攤薄收益0.27美元;去年同期凈利潤為1190萬美元,或每股攤薄收益0.17美元;上一財季凈利潤為1500萬美元,或每股攤薄收益0.20美元。調(diào)整后的凈利潤為4890萬美元,或每股攤薄收益0.66美元;去年同期調(diào)整后的凈利潤為3850萬美元,或每股攤薄收益0.54美元;上個財季調(diào)整后的凈利潤為4320萬美元,或每股攤薄收益0.59美元。

展望截至2024年9月27日的第四財季,MACOM預(yù)計營收將在1.97億美元至2.03億美元之間。調(diào)整后毛利率預(yù)計在57%到59%之間,基于3%非GAAP所得稅稅率和7500萬股完全稀釋流通股的調(diào)整后每股攤薄收益預(yù)計在0.70至0.76美元之間。

Qorvo 2025年財年Q1實現(xiàn)營收8.87億美元,已推出D2PAK封裝碳化硅FET

7月30日,連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo發(fā)布了截至2024年6月29日的2025財年第一季度的財務(wù)業(yè)績。根據(jù)GAAP計算,Qorvo 2025財年第一季度實現(xiàn)營收8.87億美元(約63.59億人民幣),毛利率為37.5%,營業(yè)利潤為460萬美元(約3297.74萬人民幣),每股攤薄收益為0.00美元。根據(jù)non-GAAP計算,毛利率為40.9%,營業(yè)利潤為9810萬美元,每股攤薄收益為0.87美元。

今年上半年,Qorvo發(fā)布了一款符合車規(guī)標(biāo)準的碳化硅場效應(yīng)晶體管(FET)產(chǎn)品,在緊湊型D2PAK-7L封裝中實現(xiàn)業(yè)界卓越的9mΩ導(dǎo)通電阻RDS(on)。此款750V碳化硅FET作為Qorvo全新引腳兼容碳化硅FET系列的首款產(chǎn)品,導(dǎo)通電阻值最高可達60mΩ,適合車載充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器和正溫度系數(shù)(PTC)加熱器模塊等電動汽車(EV)類應(yīng)用。

展望2025財年第二季度,Qorvo預(yù)計實現(xiàn)營收約10.25億美元,上下浮動2500萬美元,按non-GAAP計算毛利率在46%到47%之間,按non-GAAP計算每股攤薄收益在1.75美元到1.95美元之間。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)

更多SiC和GaN的市場資訊,請關(guān)注微信公眾賬號:集邦化合物半導(dǎo)體。

]]>
“國家隊”下場,各國角逐三代半產(chǎn)業(yè) http://szzm-kj.com/info/newsdetail-69057.html Wed, 07 Aug 2024 10:00:24 +0000 http://szzm-kj.com/?p=69057 以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料被認為是當(dāng)今電子電力產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要推動力,已在新能源汽車、光儲充、智能電網(wǎng)、5G通信、微波射頻、消費電子等領(lǐng)域展現(xiàn)出較高應(yīng)用價值,并具有較大的遠景發(fā)展空間。以碳化硅為例,根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新《2024全球SiC Power Device市場分析報告》,預(yù)估2028年全球碳化硅功率器件市場規(guī)模有望達到91.7億美元(約663.53億人民幣)。

各國政府對第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展給予了高度重視,從戰(zhàn)略高度出臺了一系列利好政策,為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)穩(wěn)健發(fā)展保駕護航。

碳化硅、氮化鎵相關(guān)政策密集出臺

國內(nèi)方面,早在2021年,國家就出臺了一系列相關(guān)政策,全面加大了對第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的支持和投入力度。

例如,科技部在2021年12月發(fā)布了《國家重點研發(fā)計劃“新型顯示與戰(zhàn)略性電子材料”重點專項2021年度公開指南擬立項項目公示清單》,其中包括了“面向大數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的8英寸硅襯底上氮化鎵基外延材料、功率電子器件及電源模塊關(guān)鍵技術(shù)研究”、“大尺寸SiC單晶襯底制備產(chǎn)業(yè)化技術(shù)”、“基于氮化物半導(dǎo)體的納米像元發(fā)光器件研究”、“中高壓SiC超級結(jié)電荷平衡理論研究及器件研制”、“晶圓級Si(100)基GaN單片異質(zhì)集成關(guān)鍵技術(shù)研究”、“GaN單晶新生長技術(shù)研究”等眾多第三代半導(dǎo)體項目。

工信部則在2021年12月公布了《重點新材料首批次應(yīng)用示范指導(dǎo)目錄(2021年版)》,目錄按照《新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展指南》對新材料的劃分方法,分為先進基礎(chǔ)材料、關(guān)鍵戰(zhàn)略材料和前沿新材料三大類,每個大類里面又細分小類。其中,關(guān)鍵戰(zhàn)略材料中的先進半導(dǎo)體材料和新型顯示材料包括了氮化鎵單晶襯底、氮化鎵外延片、碳化硅同質(zhì)外延片、碳化硅單晶襯底等第三代半導(dǎo)體材料。

而在近期,河北、陜西等省發(fā)布了第三代半導(dǎo)體相關(guān)支持政策,表明各地進一步加大對第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的扶持力度。

其中,河北印發(fā)的《關(guān)于支持第三代半導(dǎo)體等5個細分行業(yè)發(fā)展的若干措施》,包括在第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵芯片與器件、襯底和外延、光刻膠等領(lǐng)域組織實施一批技術(shù)改造項目,積極爭取將在建和擬建第三代半導(dǎo)體重點項目納入國家“十四五”重大項目儲備庫。

陜西則印發(fā)《陜西省培育千億級第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新集群行動計劃》,將重點開展第三代半導(dǎo)體材料工藝技術(shù)與核心產(chǎn)品攻關(guān),打通晶體材料高效生長、器件設(shè)計制造等產(chǎn)業(yè)發(fā)展關(guān)鍵節(jié)點,打造千億級第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新集群。

國際方面,美國政府高度重視半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,特別是第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域。美國通過《芯片與科學(xué)法案》(Chips for America Act)等立法,提供資金支持和稅收優(yōu)惠,以促進本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。此外,美國還通過國防高級研究計劃局(DARPA)等機構(gòu),支持第三代半導(dǎo)體材料的研究和應(yīng)用。

歐盟通過“地平線2020”計劃(Horizon 2020)等項目,支持半導(dǎo)體材料的研究和創(chuàng)新。歐盟還通過“歐洲共同利益重要項目”(IPCEI)等機制,提供資金支持,促進成員國在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的合作和創(chuàng)新。

此外,日本通過“新經(jīng)濟成長戰(zhàn)略”等政策,韓國通過“半導(dǎo)體超級大國戰(zhàn)略”等政策,德國政府通過“高科技戰(zhàn)略”等政策,支持半導(dǎo)體材料的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化,其中包括促進第三代半導(dǎo)體材料的發(fā)展。

目前,全球各國都在從政策方面持續(xù)對第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進行引導(dǎo)和扶持,有助于推動第三代半導(dǎo)體在各個領(lǐng)域的進一步滲透。

真金白銀扶持三代半產(chǎn)業(yè)

除政策引導(dǎo)和扶持外,在資金補貼方面,各國對于第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展投入較大,且正在不斷加碼。

今年6月28日晚間,三安光電發(fā)布公告稱,其收到政府補助資金約3.64億元,占公司最近一期經(jīng)審計歸屬于上市公司股東凈利潤的99.41%。這將對三安光電2024年第二季度損益產(chǎn)生積極影響,進而對其全年業(yè)績產(chǎn)生積極影響。天岳先進則在2022年1-7月累計獲得政府補助1843.42萬元。

從三安光電、天岳先進等廠商收到金額可觀的政府補助資金,可以窺見我國對于第三代半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)的補貼力度較大。

此外,東尼電子、時代電氣、晶湛半導(dǎo)體、中微公司等碳化硅相關(guān)廠商也都曾獲得政府的財政支持。

國際市場方面,美國持續(xù)向各大三代半相關(guān)廠商發(fā)放大額補貼。其中,作為芯片和科學(xué)法案的一部分,美國商務(wù)部今年2月宣布計劃向格芯(GF)提供15億美元(約108.54億人民幣)的直接資助,用于擴大其在美國的氮化鎵晶圓廠產(chǎn)能。2023年10月,格芯氮化鎵項目已獲得美國政府3500萬美元(約2.53億人民幣)的資助。

而在今年4月,據(jù)外媒報道,韓國半導(dǎo)體晶圓制造商SK siltron宣布將從美國密歇根州政府獲得7700萬美元(約5.57億人民幣)的補貼,這筆資金包括投資補貼和稅收優(yōu)惠。報道稱,SK siltron正在擴建其位于美國密歇根州貝城的碳化硅晶圓工廠,由其美國子公司SK siltron CSS主導(dǎo)建設(shè),SK siltron CSS計劃利用美國政府和密歇根州政府提供的資金,在2027年之前完成貝城工廠的擴建。

日本政府通過“特定半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施建設(shè)補助項目”對企業(yè)在日本建設(shè)先進半導(dǎo)體工廠進行補助,補助率最多可達項目所需費用的1/3。其中,日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省向Resonac(原昭和電工)和住友電工提供了超過10億元人民幣的國家補貼,以擴大碳化硅材料的生產(chǎn)規(guī)模。

這些補助體現(xiàn)了各國政府對第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重要性的認識,以及確保本國在全球第三代半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中保持競爭力的決心。通過這些補助,各國旨在推動第三代半導(dǎo)體技術(shù)升級、產(chǎn)能擴大。

除直接的資金補貼外,“國家隊”還通過投資入股相關(guān)廠商推動第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。今年上半年,中車時代半導(dǎo)體、長電科技子公司等紛紛完成了新一輪融資或增資,背后都有國資的身影。

其中,中車時代半導(dǎo)體今年4月完成新一輪融資,由電投融合創(chuàng)新(常州)股權(quán)投資合伙企業(yè)(有限合伙)(以下簡稱電投融合創(chuàng)新基金)投資。電投融合創(chuàng)新基金成立于2022年6月,由國家電投產(chǎn)業(yè)基金聯(lián)合常州市產(chǎn)業(yè)投資基金(有限合伙)、常州市武進區(qū)基金及其他國有資本共同發(fā)起成立。

而在今年6月,長電科技汽車電子(上海)有限公司(以下簡稱長電汽車電子)完成了注冊資本變更。變更后,長電汽車電子新增國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司、上海集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(二期)有限公司等為股東,注冊資本由4億元增加11倍至48億元。

在當(dāng)前國際貿(mào)易形勢復(fù)雜、產(chǎn)業(yè)鏈自主可控需求日益迫切的背景下,國資的介入有助于減少對外依賴,增強第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)安全性。

第三代半導(dǎo)體翻開新篇章

在從多個方面支持第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上下游廠商的同時,各國的“國家隊”親自出手,參與這場日益火熱的全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)爭奪戰(zhàn)。

國內(nèi)方面,今年3月,上海首次舉辦第三代半導(dǎo)體推介活動。活動中,“寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地”揭牌,未來將由臨港新片區(qū)牽頭,代表上海把臨港新片區(qū)建設(shè)成為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地。據(jù)介紹,上海臨港新片區(qū)計劃在未來3年內(nèi),通過相關(guān)措施,打造從器件設(shè)計、襯底生產(chǎn)、晶圓制造、模組封裝到終端應(yīng)用的全產(chǎn)業(yè)鏈條。

國際方面,今年2月?lián)饷綀蟮?,英國想要通過一個名為ORanGaN的項目,來構(gòu)建全新的自主供應(yīng)鏈,該項目專注于研發(fā)用于5G通信的射頻氮化鎵產(chǎn)品和設(shè)備。目前,英國還不完全具備開發(fā)和制造應(yīng)用于5G且商用的射頻氮化鎵器件的能力,ORanGaN項目的建立正是為了補強這一短板。ORanGaN項目得到了英國科學(xué)、創(chuàng)新和技術(shù)部(DSIT)的支持。

而在今年4月,韓國釜山市政府宣布投資400億韓元(約2.1億人民幣),在東南放射科學(xué)產(chǎn)業(yè)園區(qū)增建采用碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體材料的8英寸化合物功率半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施,該項目已獲國家及市級基金資助。

“國家隊”出手,在壯大本國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實力的同時,有望帶動更多本國廠商加入投建第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的大軍。

在政策扶持和資金支持雙重力量推動下,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)加速發(fā)展態(tài)勢,從項目落地實施方面可窺見一斑。僅2024年上半年,國內(nèi)就有數(shù)十個碳化硅相關(guān)項目披露新進展。

而在技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化方面,通過產(chǎn)學(xué)研合作,國家主導(dǎo)建設(shè)的科研機構(gòu)和高校助力三代半相關(guān)廠商加速實現(xiàn)技術(shù)升級迭代和產(chǎn)業(yè)化。其中,清華大學(xué)蘇州汽車研究院和至信微電子簽約共建“碳化硅聯(lián)合研發(fā)中心”;安森德半導(dǎo)體與南方科技大學(xué)合作共建“南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院-安森德半導(dǎo)體聯(lián)合實驗室”;長飛先進與懷柔實驗室于近日舉辦了碳化硅項目科技成果合作轉(zhuǎn)化意向簽約儀式。

總結(jié)

各國對于本國三代半產(chǎn)業(yè)的引導(dǎo)和扶持,體現(xiàn)了各國對相關(guān)領(lǐng)域的重視,尤其是在三代半產(chǎn)業(yè)全球競爭日益加劇的大背景下,國家的大力支持可以為國內(nèi)三代半廠商提供良好的營商環(huán)境,推動國內(nèi)企業(yè)更好地參與全球市場的競爭。

具體來看,各國的相關(guān)補助和產(chǎn)業(yè)基金可以為第三代半導(dǎo)體廠商的研發(fā)和技術(shù)創(chuàng)新提供資金支持,加速技術(shù)突破,縮小與國際先進水平的差距。在國內(nèi),國家大基金一期和二期此前均投資過相關(guān)廠商,覆蓋碳化硅、氮化鎵產(chǎn)業(yè)的材料、設(shè)備、器件、模組等企業(yè),如士蘭微、華潤微、三安光電、天科合達、世紀金光、賽微電子、北方華創(chuàng)、中微半導(dǎo)體等。

同時,國家的重視和支持,還能夠帶動地方政府和民間資本的投入,形成國家引導(dǎo)、地方支持、民間投資的多元化投融資格局,為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供更加充足的資金保障。

此外,各國從戰(zhàn)略高度,一方面推動第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)化和升級,促進產(chǎn)業(yè)持續(xù)降本增效,提升整個產(chǎn)業(yè)鏈的競爭力;另一方面,通過扶持產(chǎn)業(yè)鏈上下游的關(guān)鍵環(huán)節(jié),促進產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的協(xié)同發(fā)展,形成第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群效應(yīng),壯大產(chǎn)業(yè)實力。

整體來看,各國引導(dǎo)和扶持第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),不僅能夠推動產(chǎn)業(yè)的技術(shù)進步和產(chǎn)業(yè)升級,還能夠在保障產(chǎn)業(yè)鏈安全、提升國際競爭力等方面發(fā)揮重要作用。隨著各國加大扶持力度,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的國際競爭將加劇。(文:集邦化合物半導(dǎo)體Zac)

更多SiC和GaN的市場資訊,請關(guān)注微信公眾賬號:集邦化合物半導(dǎo)體。

]]>
長電科技與氮化鎵柵極驅(qū)動器頭部廠商合作 http://szzm-kj.com/Company/newsdetail-68985.html Fri, 02 Aug 2024 10:00:13 +0000 http://szzm-kj.com/?p=68985 長電科技今(2)日宣布,公司與磁性傳感器IC和功率IC領(lǐng)域的制造商Allegro MicroSystems達成戰(zhàn)略合作,雙方將進一步強化供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性和高效性,更好地服務(wù)中國客戶的需求。

長電科技表示,此次合作,雙方將重點建立高精度磁傳感器和電源管理解決方案的本地化封裝和測試能力,相關(guān)產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于汽車電子、工業(yè)等領(lǐng)域。

資料顯示,Allegro是一家傳感器和專用模擬功率IC無晶圓廠制造商,該公司的產(chǎn)品組合可為車輛電氣化、汽車ADAS安全功能、工業(yè)自動化以及數(shù)據(jù)中心和清潔能源等領(lǐng)域的節(jié)能技術(shù)提供解決方案。

據(jù)悉,Allegro于2022年完成了對Heyday Integrated Circuits的收購,后者專門生產(chǎn)緊湊型、全集成的隔離式柵極驅(qū)動器,可在高壓氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體設(shè)計中實現(xiàn)能量轉(zhuǎn)換。

2023年7月,Allegro宣布推出新型power-Thru隔離柵極驅(qū)動器AHV85110,這款隔離柵極驅(qū)動器提供了一種能夠驅(qū)動GaN場效應(yīng)晶體管(FET)的單封裝解決方案,是Power-Thru系列第一款產(chǎn)品。與競品相比,該解決方案占位面積減少50%,效率提高40%。

迄今為止,Allegro已推出了4款GaN柵極驅(qū)動器和1款SiC柵極驅(qū)動器,工作電壓分別為1000V和1500V。(集邦化合物半導(dǎo)體整理)

更多SiC和GaN的市場資訊,請關(guān)注微信公眾賬號:集邦化合物半導(dǎo)體。

]]>
東漸氮化鎵與海神機器人簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議 http://szzm-kj.com/Company/newsdetail-68962.html Thu, 01 Aug 2024 10:00:24 +0000 http://szzm-kj.com/?p=68962 據(jù)東漸第三代半導(dǎo)體官微消息,7月25日,杭州東漸氮化鎵半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱東漸氮化鎵)與上海海神機器人科技有限公司(以下簡稱海神機器人)在東漸氮化鎵上??偛颗e行戰(zhàn)略合作協(xié)議簽約儀式。

source:東漸第三代半導(dǎo)體

據(jù)介紹,雙方將聯(lián)合研發(fā)適用于海、陸、空機器人的新一代高性能芯片;同時,打造“光儲充一體化”與“智慧物業(yè)管理機器人”的多場景應(yīng)用,實現(xiàn)多維度降本增效。

官微資料顯示,東漸氮化鎵成立于2024年4月,是一家專注于氮化鎵半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化的新興企業(yè)。東漸氮化鎵致力于推動氮化鎵技術(shù)在電力電子、低空探測導(dǎo)航控制、5G/6G通信、新能源汽車、醫(yī)療等領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用,為客戶提供氮化鎵半導(dǎo)體解決方案。

海神機器人成立于2014年,總部位于上海,是“無人車+無人機+無人船”立體安防無人裝備制造廠商,并在全球范圍內(nèi)建立了多個研發(fā)、制造、銷售和服務(wù)中心。海神機器人的核心技術(shù)包括自動駕駛、遠程駕駛、艦載起降、域控制器、整車制造和智控云平臺等。

此次東漸氮化鎵與海神機器人達成戰(zhàn)略合作,有望推動氮化鎵技術(shù)在機器人領(lǐng)域的滲透應(yīng)用。

據(jù)了解,氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用可以提高機器人驅(qū)動系統(tǒng)的能效比、熱管理性能,并實現(xiàn)更緊湊的設(shè)計。氮化鎵器件的高速開關(guān)特性有助于提高開關(guān)頻率,減少電機電流紋波,降低電機溫度,提升系統(tǒng)效率。

目前,國內(nèi)外多家電機企業(yè),包括西門子、安川電機、Elmo等,已經(jīng)在機器人電機中導(dǎo)入了氮化鎵技術(shù)。同時,英飛凌、德州儀器、EPC、瑞薩電子等氮化鎵相關(guān)廠商也在積極布局該領(lǐng)域。

應(yīng)用案例方面,新工綠氫自主研發(fā)的“天工一號”自動駕駛充電機器人,就采用了氮化鎵技術(shù)作為其核心技術(shù)之一,展示了氮化鎵技術(shù)在機器人產(chǎn)品中的應(yīng)用潛力。

除機器人領(lǐng)域外,氮化鎵技術(shù)在其他領(lǐng)域的應(yīng)用熱度也在上漲,例如車用場景。電動汽車氮化鎵器件廠商VisIC近日宣布已與全球電子行業(yè)器件組裝和封裝材料廠商賀利氏和燒結(jié)設(shè)備制造商PINK達成合作,利用D3GaN技術(shù)開發(fā)一種先進的功率模塊。

據(jù)悉,這種開創(chuàng)性的功率模塊基于氮化硅陶瓷基板、創(chuàng)新的銀燒結(jié)工藝等先進技術(shù),為電池電動汽車(BEVs)提供了更高的可靠性和更好的性能,有望加速硅基氮化鎵技術(shù)在電動汽車中的應(yīng)用。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)

更多SiC和GaN的市場資訊,請關(guān)注微信公眾賬號:集邦化合物半導(dǎo)體。

]]>