一期產(chǎn)能15萬片/年,集芯先進(jìn)SiC項(xiàng)目首批設(shè)備進(jìn)場

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 11 月 21 日 15:40 | 分類 企業(yè)

11月16日,江蘇集芯先進(jìn)材料有限公司(以下簡稱集芯先進(jìn))一期年產(chǎn)15萬片碳化硅(SiC)襯底片制造基地搬入首批生產(chǎn)設(shè)備。

資料顯示,集芯先進(jìn)成立于2019年,專注于第三代半導(dǎo)體SiC材料研發(fā)與制造,集芯先進(jìn)前身系江蘇集芯半導(dǎo)體硅材料研究院。

據(jù)集芯先進(jìn)介紹,該公司產(chǎn)品種類齊全,包括不低于6N的高純SiC合成粉料,6/8英寸SiC籽晶、晶錠及襯底片等。集芯先進(jìn)通過自主研發(fā)和技術(shù)整合,形成自有專利近100件,其中發(fā)明專利34件,專利范圍覆蓋SiC粉料合成、涂層制備、裝備設(shè)計(jì)、熱場設(shè)計(jì)、長晶工藝和襯底加工等制造全流程,形成了SiC襯底材料生產(chǎn)的優(yōu)勢閉環(huán)。

近年來,在新能源汽車、光伏等行業(yè)助推下,SiC市場呈現(xiàn)出騰飛之勢。全球主流SiC器件廠商或并購、或合作、或建廠,紛紛通過各種手段積極擴(kuò)充產(chǎn)能,以期提前占據(jù)主動(dòng)。各大企業(yè)增資擴(kuò)產(chǎn),在提升自身實(shí)力的同時(shí),推動(dòng)了整個(gè)SiC產(chǎn)業(yè)鏈共同繁榮。

圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫

集芯先進(jìn)SiC襯底片項(xiàng)目首批設(shè)備進(jìn)場只是SiC賽道紅火發(fā)展的一個(gè)縮影,還有更多大小項(xiàng)目正在建設(shè)當(dāng)中。

例如,今年9月,重慶高新區(qū)發(fā)布2023年重大項(xiàng)目名單,其中就包括ST意法半導(dǎo)體與三安光電共建的SiC相關(guān)項(xiàng)目。據(jù)悉,該項(xiàng)目預(yù)計(jì)總投資約230億元,由三安和意法半導(dǎo)體集團(tuán)在重慶共同設(shè)立一家SiC外延、芯片代工合資公司,擬建設(shè)一條8英寸4萬片/月的SiC外延、襯底制造生產(chǎn)線。此次合作有助于雙方做大做強(qiáng)SiC業(yè)務(wù),帶動(dòng)營收增長。

10月底,中電化合物宣布成功向客戶交付首批次8英寸SiC外延片產(chǎn)品,這標(biāo)志著中電化合物的外延產(chǎn)品邁上新臺(tái)階,可為行業(yè)提供更加先進(jìn)的技術(shù)支持,從而推動(dòng)碳化硅行業(yè)加速發(fā)展。據(jù)中電化合物介紹,相比6英寸,8英寸SiC外延片面積增加78%,能夠較大幅度降低SiC器件成本,進(jìn)而推動(dòng)碳化硅材料降本增效。

11月初,晶盛機(jī)電“年產(chǎn)25萬片6英寸、5萬片8英寸SiC襯底片項(xiàng)目”正式簽約啟動(dòng)。據(jù)悉,此次簽約項(xiàng)目總投資達(dá)21.2億元。此舉不僅是晶盛機(jī)電實(shí)現(xiàn)增長的重要布局,也有望攻克SiC材料端關(guān)鍵核心技術(shù),最終實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)替代。(化合物半導(dǎo)體市場Zac整理)

更多SiC和GaN的市場資訊,請關(guān)注微信公眾賬號:集邦化合物半導(dǎo)體。