中電科SiC襯底二期項(xiàng)目預(yù)計(jì)3月試生產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 01 月 08 日 18:05 | 分類 企業(yè)

近日,山西爍科晶體有限公司(以下簡(jiǎn)稱爍科晶體)中國(guó)電科(山西)碳化硅(SiC)材料產(chǎn)業(yè)基地(二期)項(xiàng)目正在進(jìn)行消防管道、機(jī)電安裝施工和保溫材料安裝等,為月底設(shè)備進(jìn)場(chǎng)全力沖刺。

圖片來(lái)源:拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

據(jù)介紹,中國(guó)電科(山西)SiC材料產(chǎn)業(yè)基地二期項(xiàng)目于2023年9月份開(kāi)始建設(shè),10月份進(jìn)入主體鋼結(jié)構(gòu)施工,11月主體完成封頂,現(xiàn)在已具備設(shè)備進(jìn)廠條件,預(yù)計(jì)將在今年1月底前開(kāi)始設(shè)備進(jìn)場(chǎng),3月可投入試生產(chǎn),預(yù)計(jì)2025年投產(chǎn),投產(chǎn)后年產(chǎn)能可達(dá)30萬(wàn)片SiC襯底。

據(jù)悉,中國(guó)電科(山西)SiC材料產(chǎn)業(yè)基地二期項(xiàng)目投資5億元,主要建設(shè)包括單晶生產(chǎn)車間、動(dòng)力配套等在內(nèi)的總面積1.6萬(wàn)平方米的綜合性廠房。

此前,中國(guó)電科(山西)SiC材料產(chǎn)業(yè)基地一期項(xiàng)目于2019年4月開(kāi)工建設(shè),9月主體封頂,12月設(shè)備開(kāi)始搬入,2020年2月實(shí)現(xiàn)項(xiàng)目投產(chǎn)。一期項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后,將形成年產(chǎn)18萬(wàn)片N型SiC單晶襯底、5萬(wàn)片高純半絕緣型SiC單晶襯底的產(chǎn)能。

資料顯示,爍科晶體成立于2018年,從事第三代半導(dǎo)體材料SiC生產(chǎn)和研發(fā)。公司通過(guò)自主創(chuàng)新和自主研發(fā)掌握了SiC生長(zhǎng)裝備制造、高純SiC粉料制備工藝,N型SiC單晶襯底和高純半絕緣SiC單晶襯底的制備工藝,形成了SiC粉料制備、單晶生長(zhǎng)、晶片加工等整套生產(chǎn)線,并在國(guó)內(nèi)率先完成4、6、8英寸高純半絕緣SiC單晶襯底技術(shù)攻關(guān)。

2021年8月,爍科晶體成功研制出8英寸SiC晶體。2022年1月,爍科晶體實(shí)現(xiàn)8英寸N型SiC襯底小批量生產(chǎn),向8英寸國(guó)產(chǎn)N型SiC襯底的批量化生產(chǎn)邁出了關(guān)鍵一步。

成立至今,爍科晶體共完成兩輪融資,分別是2019年12月的A輪和2023年1月的B輪,投資方分別為中國(guó)電科和電科投資。

近年來(lái),中電科在SiC領(lǐng)域動(dòng)作頻頻。例如:2023年11月,中電科半導(dǎo)體材料有限公司南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地宣布正式投產(chǎn)運(yùn)行。

據(jù)悉,中電科半導(dǎo)體材料有限公司南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目于2021年9月27日簽約落戶南京江寧開(kāi)發(fā)區(qū)綜合保稅區(qū),占地面積約10萬(wàn)平方米。2022年11月,中電科南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地實(shí)現(xiàn)了首片硅外延和SiC外延下線,標(biāo)志著該產(chǎn)業(yè)基地進(jìn)入試生產(chǎn)和驗(yàn)證階段。該項(xiàng)目分兩期實(shí)施,其中一期投資19.3億元,將建設(shè)成立第三代化合物外延材料產(chǎn)業(yè)基地等,項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后,將形成6-8英寸化合物外延片12.6萬(wàn)片/年的產(chǎn)能。

此外,據(jù)中國(guó)電科2023年7月消息,隨著中國(guó)新能源汽車生產(chǎn)量突破2000萬(wàn)輛大關(guān),中國(guó)電科國(guó)基南方、55所研制的新能源汽車用650V-1200V SiC MOSFET出貨量突破1200萬(wàn)只,實(shí)現(xiàn)大批量穩(wěn)定供貨。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)

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