1月5日，晶升股份公布投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表，介紹了公司碳化硅（SiC）長(zhǎng)晶設(shè)備的價(jià)格及研發(fā)進(jìn)展。
據(jù)介紹，晶升股份8英寸SiC長(zhǎng)晶設(shè)備目前進(jìn)展順利，已通過(guò)了客戶處的批量驗(yàn)證。價(jià)格方面，6英寸SiC長(zhǎng)晶設(shè)備已大批量出貨，價(jià)格趨于穩(wěn)定，相對(duì)較低；8英寸SiC長(zhǎng)晶設(shè)備根據(jù)不同設(shè)計(jì)和配置，價(jià)格比6英寸設(shè)備高30%至50%左右。
圖源：晶升股份
襯底作為SiC產(chǎn)業(yè)鏈中價(jià)值量最高的一環(huán)，目前正在朝著8英寸的方向發(fā)展。而“兵馬未動(dòng)，糧草先行”，設(shè)備企業(yè)也在不斷更新?lián)Q代，8英寸SiC設(shè)備新動(dòng)態(tài)頻傳。
晶盛機(jī)電于2023年6月宣布成功研發(fā)出具有國(guó)際先進(jìn)水平的8英寸單片式SiC外延生長(zhǎng)設(shè)備。據(jù)介紹，該設(shè)備可兼容6/8英寸SiC外延生產(chǎn)，在6英寸外延設(shè)備原有的溫度高精度閉環(huán)控制、工藝氣體精確分流控制等技術(shù)基礎(chǔ)上，解決了腔體設(shè)計(jì)中的溫場(chǎng)均勻性、流場(chǎng)均勻性等控制難題，實(shí)現(xiàn)了成熟穩(wěn)定的8英寸碳化硅外延工藝。
特思迪8英寸SiC全自動(dòng)減薄設(shè)備已投入市場(chǎng)、8英寸雙面拋光設(shè)備已通過(guò)工藝測(cè)試進(jìn)入量產(chǎn)階段。2023年12月，特思迪完成B輪融資，所獲資金將進(jìn)一步推動(dòng)公司在技術(shù)突破、產(chǎn)能擴(kuò)充、產(chǎn)品研發(fā)、產(chǎn)業(yè)布局、人才引進(jìn)等關(guān)鍵環(huán)節(jié)的發(fā)展進(jìn)程，加快8英寸SiC等半導(dǎo)體材料磨拋設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化。
電科裝備在2023上海國(guó)際半導(dǎo)體展覽會(huì)上發(fā)布了最新研制的8英寸SiC外延設(shè)備。該設(shè)備有三個(gè)突破性的指標(biāo)，分別是采用該設(shè)備生產(chǎn)的8英寸生長(zhǎng)厚度均勻性小于1.5%、摻雜濃度均勻性小于4%、表面致命缺陷小于0.4個(gè)/c㎡。
納設(shè)智能在2023年8月宣布成功研制出8英寸SiC外延設(shè)備。該設(shè)備具備獨(dú)特反應(yīng)腔室設(shè)計(jì)、可獨(dú)立控制的多區(qū)進(jìn)氣方式以及智能的控制系統(tǒng)，將更好地提高外延片的均勻性，降低外延缺陷及生產(chǎn)中的耗材成本。（集邦化合物半導(dǎo)體 Winter整理）
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