2024年1月18日，納設智能在先進材料制造裝備領域邁出了重要一步——自主研發(fā)的首臺原子層沉積設備已經(jīng)完成了所有生產(chǎn)和測試流程，順利出貨！
source：納設智能
原子層沉積（Atomic Layer Deposition，簡稱ALD）是一種薄膜沉積技術，可歸于化學氣相沉積大類。相對于一般化學氣相沉積，其具有獨特的表面自限制化學效應，因而可以逐個原子層生長各種化合物或單質薄膜材料，實現(xiàn)更精確的厚度控制。該技術制備的薄膜具有良好的的厚度均勻性，優(yōu)異的一致性，突出的三維保型性，可用于各類襯底材料的薄膜沉積。
納設智能利用自身在半導體外延設備、化學氣相沉積技術等方面積累的經(jīng)驗及軟硬件基礎，推出了規(guī)格更嚴、性能更優(yōu)的ALD設備。
圖片
納設智能的ALD設備可對玻璃、硅片等襯底材料進行超薄氧化物、氮化物等材料的鍍膜，可以制備出均勻性好、保形性優(yōu)、致密性佳的薄膜材料，可應用于對超薄薄膜（1nm~50nm）有需求的各個領域。
來源：納設智能
更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。