4月17日，納芯微官微消息顯示，其推出首款1200V SiC MOSFET NPC060N120A系列產品，該產品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可提供車規(guī)與工規(guī)兩種等級。
source：納芯微
據介紹，納芯微的SiC MOSFET具有RDSon溫度穩(wěn)定性、門極驅動電壓覆蓋度更寬、具備高可靠性，適用于電動汽車（EV）OBC/DC-DC、熱管理系統(tǒng)、光伏和儲能系統(tǒng)（ESS）以及不間斷電源（UPS）等領域。
據悉，為了提供更可靠的SiC MOSFET產品，納芯微在SiC芯片生產過程中施行嚴格的質量控制，所有SiC產品做到100%靜態(tài)電參數測試，100%抗雪崩能力測試。此外，會執(zhí)行比AEC-Q101更加嚴格的測試條件來驗證產品可靠性。
作為一家高性能高可靠性模擬及混合信號芯片公司，納芯微自2013年成立以來，聚焦傳感器、信號鏈、電源管理三大方向，提供半導體產品及解決方案，并被廣泛應用于汽車、工業(yè)、信息通訊及消費電子領域。
2023年，納芯微開始布局SiC產業(yè)并于當年7月推出1200V系列SiC二極管產品，該系列產品專為光伏、儲能、充電等工業(yè)場景而設計。其在單相或三相PFC、隔離或非隔離型DC-DC電路中均能展現出卓越的效率特性，能夠滿足中高壓系統(tǒng)的需求。
據介紹，納芯微的SiC二極管采用MPS結構設計，與傳統(tǒng)的JBS結構相比，具有較大優(yōu)勢。MPS結構中的PN結構在大電流下更容易開啟，通過向高電阻的漂移區(qū)注入少數載流子形成電導調節(jié)效應，從而降低漂移區(qū)的導通電阻。在保持器件正向導通電壓不變的情況下，器件的抗浪涌電流能力得到增強。
同時，納芯微NPD020N120A SiC二極管在額定電流下的正向導通電壓實測典型值為1.39V，而單次浪涌電流的實測典型值可以達到220A，是正向額定電流的11倍，性能優(yōu)于行業(yè)水平。（集邦化合物半導體Zac整理）
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