作為第三代半導體兩大代表材料，SiC產(chǎn)業(yè)正在火熱發(fā)展，頻頻傳出各類利好消息；GaN產(chǎn)業(yè)熱度也正在持續(xù)上漲中，圍繞新品新技術、融資并購合作、項目建設等動作，不時有新動態(tài)披露。
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在關注度較高的擴產(chǎn)項目方面，上個月，能華半導體張家港制造中心（二期）項目在張家港經(jīng)開區(qū)再制造基地正式開工建設。
據(jù)悉，能華半導體張家港制造中心（二期）項目總投資6000萬元，總建筑面積約10000平方米，將新建GaN外延片產(chǎn)線。項目投產(chǎn)后，將形成月產(chǎn)15000片6英寸GaN外延片的生產(chǎn)能力。
而在近日，又有一個GaN外延片項目取得新進展。5月13日，埃特曼半導體技術有限公司（以下簡稱埃特曼半導體）全資子公司埃特曼（廈門）光電科技有限公司舉行了埃特曼半導體廈門外延工廠開業(yè)儀式。
根據(jù)集美產(chǎn)業(yè)投資官微消息，該工廠是埃特曼半導體打造的第二個示范外延工廠，將布局14臺MBE設備，其中包含8臺先進的1400型號Hybrid-MBE，該設備可大幅提升外延片產(chǎn)能，為射頻、功率器件提供高性能、低成本的GaN外延片。
埃特曼半導體官網(wǎng)資料顯示，作為一家化合物半導體設備及應用服務商，埃特曼半導體以分子束外延（MBE）技術為核心，為客戶提供GaAs、InP、GaN等化合物半導體材料的解決方案，助力光通訊、5G、數(shù)據(jù)中心、新能源、Micro LED等領域發(fā)展。據(jù)了解，分子束外延技術作為化合物半導體工藝的核心之一，廣泛應用于射頻、光通信及功率電子等領域，同時也是量子技術、國防安全等戰(zhàn)略性行業(yè)不可或缺的核心技術。
為推進GaN技術研發(fā)，2023年6月，由埃特曼半導體與西安電子科技大學廣州研究院合作共建的“氮化鎵半導體研究中心”正式簽約。（集邦化合物半導體Zac整理）
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