WaveLoad計劃明年初量產(chǎn)氮化鎵外延片

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 08 月 19 日 17:25 | 分類 企業(yè)

8月18日,WaveLoad對外宣布,公司計劃明年年初量產(chǎn)氮化鎵外延片。

WaveLoad已在韓國京畿道華城市建成占地300平方米、潔凈度達1000級的無塵室,可批量生產(chǎn)氮化鎵外延片。該設(shè)施可生產(chǎn)4英寸和8英寸氮化鎵外延片,產(chǎn)能分別為2,000片/月和500片/月。目前,WaveLoad正在向多個客戶提供樣品,以便對批量生產(chǎn)的產(chǎn)品性能和質(zhì)量進行評估。

WaveLoad產(chǎn)品主要用于有源電子掃描陣列(AESA)雷達、5G移動通信和衛(wèi)星通信等領(lǐng)域。

圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫

WaveLoad計劃先從高頻、高輸出功率放大器半導(dǎo)體所需的4英寸碳化硅基氮化鎵(GaN on SiC)外延片開始量產(chǎn),后續(xù)再將其產(chǎn)品線擴展到用于高頻、低輸出功率放大器半導(dǎo)體的8英寸硅基氮化鎵(GaN on Si)外延片。

此外,用于電動汽車和新能源發(fā)電與存儲系統(tǒng)(ESS)所需功率轉(zhuǎn)換的8英寸硅基氮化鎵外延片計劃于2026年底前量產(chǎn)。

資料顯示,WaveLoad由LG Innotek LED業(yè)務(wù)部門前主管Jun-Oh Song于2019年底成立。由于氮化鎵外延片上需要生長的襯底和材料各不相同,這增加了人們使用MOCVD設(shè)備的難度,但WaveLoad的優(yōu)勢在于其工程師曾在LG Innotek量產(chǎn)過用于LED發(fā)光設(shè)備的氮化鎵外延片。目前,該公司目前已擁有約160項專利。(文:集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理)

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