9月10日，晶圓代工大廠世界先進宣布，擬投資24.8億新臺幣（折合人民幣約5.5億元），以獲取漢磊科技公司（下文簡稱“漢磊”）13%的股權(quán)。雙方將進行策略合作，共同推動8英寸碳化硅（SiC）晶圓技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造。
source：漢磊
資料顯示，漢磊位于中國臺灣新竹科學園，專注于碳化硅以及氮化鎵的代工，目前企業(yè)擁有1座4/5英寸及2座6英寸晶圓廠。
近年來，隨著國際大廠與國內(nèi)相關(guān)企業(yè)相繼開始建設(shè)8英寸碳化硅產(chǎn)線，漢磊此前就有意愿布局8英寸化合物半導體，卻受制于自建8英寸廠房過高的成本。今年6月，有媒體曝漢磊為進軍8英寸領(lǐng)域，考慮與現(xiàn)有8英寸廠商合作。
而世界先進目前有5座8英寸晶圓廠，自身也有8英寸氮化鎵代工業(yè)務(wù)，但缺乏碳化硅技術(shù)。雙方合作能實現(xiàn)資源互補，并可節(jié)約成本，創(chuàng)造更多經(jīng)濟效益。
在漢磊與世界先進的合作中，相關(guān)技術(shù)初期將由漢磊轉(zhuǎn)移，預計2026下半年開始量產(chǎn)。
漢磊董事長徐建華表示：“漢磊與世界先進的合作將在漢磊現(xiàn)有6英寸晶圓制造技術(shù)及客戶的基礎(chǔ)上，共同合作進行8英寸碳化硅技術(shù)平臺開發(fā)及產(chǎn)能布建，以提供全球IDM及Fabless客戶具有長期競爭力的解決方案。”
世界先進董事長方略表示：“憑借公司領(lǐng)先的特殊積體電路制造專業(yè)，以及漢磊在化合物半導體領(lǐng)域的卓越技術(shù)，使公司基于現(xiàn)有的電源管理IC，分立器件以及氮化鎵外，再導入碳化硅后，更能成為具備完整第三代化合物半導體的8英寸晶圓廠，為拓展電源管理產(chǎn)品相關(guān)業(yè)務(wù)市場，提供從低功耗到高功率、從低頻到高頻操作，更加完整的電源管理技術(shù)平臺，有望能為客戶的產(chǎn)品提供更具競爭力的全方位解決方案。”（集邦化合物半導體Morty整理）
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