長光華芯化合物半導(dǎo)體項目正式封頂

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 09 月 23 日 16:30 | 分類 企業(yè)

據(jù)長光華芯官微消息,9月20日,長光華芯先進(jìn)化合物半導(dǎo)體光電子平臺項目正式封頂。

長光華芯

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長光華芯指出,本次項目封頂標(biāo)志著長光華芯在多種化合物半導(dǎo)體光電芯片、器件等方面的產(chǎn)能、研發(fā)水平、橫向擴(kuò)展和縱向延伸能力都將邁上新臺階。

橫向覆蓋從可見光、近紅外、中波、長波多波段激光芯片和硅光集成芯片,縱向延伸從激光顯示、工業(yè)激光、光通訊、激光傳感到生命科學(xué)與健康等主流應(yīng)用和未來產(chǎn)業(yè)。

集邦化合物半導(dǎo)體了解到,長光華芯先進(jìn)化合物半導(dǎo)體光電子平臺項目位于蘇州科技城普陀山路北側(cè)、漓江路東側(cè)地塊,項目總占地面積約31畝,含生產(chǎn)中心、研發(fā)中心、動力站及配套設(shè)施,旨在建設(shè)國內(nèi)一流的半導(dǎo)體激光芯片研發(fā)及生產(chǎn)平臺。

作為省重點項目,該項目將打造先進(jìn)化合物半導(dǎo)體光電子研發(fā)生產(chǎn)平臺,進(jìn)行氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等激光器和探測器用2-3英寸芯片產(chǎn)線建設(shè)及器件封裝等。項目于2023年12月開工,預(yù)計2025年建成并全面投產(chǎn)。

項目建成后,將具備年產(chǎn)1億顆芯片、500萬器件的能力,在目前國際領(lǐng)先的6英寸化合物生產(chǎn)線基礎(chǔ)上,推動研發(fā)硬件條件以及研發(fā)生產(chǎn)水平全面達(dá)到國際頂尖,具備多領(lǐng)域的國產(chǎn)器件與模塊進(jìn)口替代能力,全力構(gòu)建上下游創(chuàng)新協(xié)同、供應(yīng)鏈互通的新一代中國激光國產(chǎn)化產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈,推動蘇州高新區(qū)光子產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。

據(jù)公開資料顯示,長光華芯成立于2012年,聚焦半導(dǎo)體激光器行業(yè),專注于半導(dǎo)體激光芯片、器件、模塊及激光器等。公司于2022年4月1日登陸科創(chuàng)板,成為A股第一家半導(dǎo)體激光芯片上市公司。其股東陣容豪華,包括華為哈勃、國投創(chuàng)投(上海)、華工科技、華泰證券、匯鴻集團(tuán)等。

今年4月,長光華芯車載激光雷達(dá)芯片產(chǎn)品順利通過車規(guī)級AEC-Q102認(rèn)證,加上去年12月份通過的IATF16949質(zhì)量體系認(rèn)證,長光華芯已拿到進(jìn)入汽車電子行業(yè)的兩張通行證。7月,長光華芯攜手鎵銳芯光,共同進(jìn)軍可見光領(lǐng)域,填補(bǔ)國內(nèi)在氮化鎵藍(lán)綠光激光器領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)化的空白。(集邦化合物半導(dǎo)體整理)

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