9月29日，據(jù)武漢鑫威源電子科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱：鑫威源電子）官微消息，鑫威源電子近日在高性能氮化鎵半導(dǎo)體激光器芯片方面取得重大技術(shù)突破，同時(shí)氮化鎵半導(dǎo)體激光器芯片產(chǎn)線完成通線試產(chǎn)。
source：鑫威源電子
據(jù)悉，氮化鎵激光器芯片是一種基于氮化鎵材料制成的激光器芯片。這種芯片利用氮化鎵的優(yōu)異光電特性，具有高功率、高速光電轉(zhuǎn)換能力，能夠在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器的條件下產(chǎn)生紫光激光。
氮化鎵激光器芯片的研發(fā)成功，不僅解決了傳統(tǒng)激光器在高溫、高功率應(yīng)用中的限制，還為光電領(lǐng)域帶來(lái)了新的技術(shù)突破。特別是在紫光激光技術(shù)方面，氮化鎵激光器芯片能夠在更廣泛的波長(zhǎng)范圍內(nèi)產(chǎn)生高質(zhì)量的激光輸出，為光電顯示、光存儲(chǔ)、光通信等領(lǐng)域提供了新的解決方案。
官網(wǎng)資料顯示，鑫威源電子從事氮化鎵半導(dǎo)體激光器相關(guān)材料、芯片、封裝等的設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)，以及產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售，致力于實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)氮化鎵半導(dǎo)體激光器的產(chǎn)業(yè)化。
據(jù)悉，鑫威源電子投資打造的大功率氮化鎵半導(dǎo)體激光器產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，于今年4月在武漢市江夏區(qū)大橋智能制造產(chǎn)業(yè)園完成廠房建設(shè)，無(wú)塵車間內(nèi)的恒溫恒濕、凈化、水處理及安全系統(tǒng)相繼達(dá)標(biāo)并投入使用。
廠房竣工后，鑫威源電子完成了超過(guò)一百臺(tái)套制造設(shè)備的安裝和調(diào)試，打通了芯片制造產(chǎn)線。在廠區(qū)內(nèi)，鑫威源電子還完成了相關(guān)技術(shù)能力的轉(zhuǎn)移，并進(jìn)行了產(chǎn)品試驗(yàn)生產(chǎn)。
今年9月，鑫威源電子實(shí)現(xiàn)了藍(lán)光450nm激光芯片的重大技術(shù)突破：閾值電流小于0.25A，功率大于7W@3.5A，光電轉(zhuǎn)換效率WPE達(dá)到45%，產(chǎn)品技術(shù)可以滿足市場(chǎng)對(duì)大功率氮化鎵半導(dǎo)體激光器的應(yīng)用要求。
鑫威源電子表示，氮化鎵半導(dǎo)體激光器芯片項(xiàng)目正式投產(chǎn)后，將有效填補(bǔ)國(guó)內(nèi)高端可見(jiàn)光激光器市場(chǎng)的研發(fā)與制造空白，加速氮化鎵半導(dǎo)體激光器在國(guó)內(nèi)的普及與應(yīng)用。
目前，國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)界在氮化鎵激光器芯片研發(fā)制造方面已取得一定進(jìn)展。例如，北京大學(xué)物理學(xué)院的?胡曉東教授團(tuán)隊(duì)通過(guò)獨(dú)創(chuàng)的晶體外延技術(shù)和一系列創(chuàng)新工藝，成功攻克了氮化鎵激光芯片的制備與封裝難題，這些技術(shù)突破不僅提升了氮化鎵激光器芯片的性能，也為未來(lái)的大規(guī)模生產(chǎn)和應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。（集邦化合物半導(dǎo)體整理Zac整理）
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