文章分類: 企業(yè)

這家美國化合物半導體設備產(chǎn)商收購了意大利TFE公司,以求拓寬歐洲市場

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 21 日 17:50 |
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這家美國化合物半導體設備產(chǎn)商收購了意大利TFE公司,以求拓寬歐洲市場 據(jù)外媒消息,美國的化合物半導體設備生產(chǎn)商Plasma Therm收購了意大利的TFE公司,該公司是一家濺射設備供應商,在PVD濺射和蒸發(fā)工藝設備以及薄膜應用的高純度材料方面擁有專業(yè)知識。 Plasma-Ther...  [詳內(nèi)文]

這家院企合資公司已交付超500片新能源車用主驅(qū)SiC MOSFET晶圓

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 21 日 17:50 |
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這家院企合資公司已交付超500片新能源車用主驅(qū)SiC MOSFET晶圓 9月20日,江蘇中科漢韻半導體有限公司(下文簡稱“中科漢韻”)官方公眾號發(fā)文稱,公司已成功交付超500片車規(guī)級 SiC MOSFET 晶圓。該產(chǎn)品包括1200V/17mohm、750V/13mohm兩種型號產(chǎn)...  [詳內(nèi)文]

半導體安全性提升,湖南三安半導體獲得“半導體器件”專利授權(quán)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 21 日 15:00 |
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據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局公告,湖南三安半導體有限公司(下文簡稱湖南三安半導體)獲得名為“半導體器件”專利授權(quán),授權(quán)公告日為9月15日,授權(quán)公告號為CN219696448U。 source:國家知識產(chǎn)權(quán)局 根據(jù)摘要可知,該申請公開了一種半導體器件,屬于半導體技術(shù)領(lǐng)域。 半導體器件包括芯片...  [詳內(nèi)文]

三安光電間接控股股東增持近1億元,持股比例已超5%

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 20 日 14:16 |
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8月2日,三安光電公布了間接控股股東三安集團及其一致行動人增持股份的計劃,該計劃實施完畢后,三安集團將合計增持金額5,000萬至1億元。昨日(9/19)日晚間,三安光電發(fā)布公告宣布間接控股股東的增持計劃實施完畢。 公告顯示,截至9月19日,三安集團通過上海證券交易所交易系統(tǒng)累計增...  [詳內(nèi)文]

突破,三安集成發(fā)布自研HP-SAW,可實現(xiàn)極高Q值及優(yōu)異溫漂特性

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 19 日 17:45 |
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9月19日,三安集成官方公眾號發(fā)文稱,公司基于自研鍵合多層壓電襯底技術(shù),在新材料及新建模的基礎上,推出HP-SAW濾波器系列產(chǎn)品。 濾波器通過電容、電阻、電感等元件組合來濾除特定頻率外的信號,起到保留特定頻率的功能。其作為選頻過濾功能實現(xiàn)的重要器件,可以保障通訊鏈路在“特定工作頻...  [詳內(nèi)文]

拓荊科技:業(yè)績與訂單雙豐收!

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 19 日 17:45 |
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拓荊科技作為國內(nèi)薄膜沉積行業(yè)領(lǐng)軍者,其產(chǎn)品線包括離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設備、原子層沉積(ALD)設備和次常壓化學氣相沉積(SACVD)設備三大系列。產(chǎn)品已廣泛用于中芯國際、華虹集團、長江存儲、長鑫存儲、廈門聯(lián)芯、燕東微電子等國內(nèi)主流晶圓廠產(chǎn)線。 近期接受調(diào)研表示,公...  [詳內(nèi)文]

這家公司與北京大學成立第三代半導體聯(lián)合研發(fā)中心

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 19 日 17:45 |
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東科半導體官方公眾號發(fā)文稱,9月15日,東科半導體(安徽)股份有限公司與北京大學共同組建的第三代半導體聯(lián)合研發(fā)中心正式揭牌成立。由北京大學科學研究部謝冰部長及馬鞍山市委書記袁方共同為北大-東科聯(lián)合研發(fā)中心揭牌。 source:東科半導體 北京大學集成電路學科作為我國第一個半導體...  [詳內(nèi)文]

這家公司第三代半導體器件明年有望大量出貨

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 18 日 17:48 |
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9月15日,長電科技在互動平臺表示,公司封裝的第三代半導體器件,已經(jīng)應用于汽車,工業(yè)儲能等領(lǐng)域并進入產(chǎn)能擴充階段。 預計2024年起相關(guān)產(chǎn)品營收規(guī)模有望大幅增長,并在未來幾年顯著成長,將有利促進第三代半導體器件在全球應用市場上的快速上量。 圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫 根據(jù)Tren...  [詳內(nèi)文]

深圳院企聯(lián)手,拓展第三代半導體先進材料研發(fā)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 18 日 17:45 |
| 分類: 企業(yè)
近日,中國科學院深圳先進技術(shù)研究院(下文簡稱“深圳先進院”)光子信息與能源材料研究中心(下文簡稱“研究中心”)與深圳市納設智能裝備有限公司(下文簡稱“納設智能”)成立了先進材料聯(lián)合實驗室,推進產(chǎn)學研深度融合。 院企強強聯(lián)合 據(jù)了解,研究中心成立于2008年,專注于高性能多元化合物...  [詳內(nèi)文]

比亞迪獲得“一種溝槽型半導體器件及其制造方法”專利授權(quán)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 15 日 17:45 |
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9月12日,比亞迪股份有限公司獲得“一種溝槽型半導體器件及其制造方法”專利授權(quán),其授權(quán)公號為CN114122122B。 根據(jù)專利摘要可知,此發(fā)明屬于電氣元件領(lǐng)域,特別是涉及一種溝槽型半導體器件及其制造方法。 溝槽型半導體器件包括半導體基板、漏電極區(qū)、柵電極區(qū)、源電極區(qū)和絕緣柵介質(zhì)...  [詳內(nèi)文]