PCIM Asia 2023直擊 | 數(shù)十家化合物半導體相關(guān)企業(yè)亮相

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 09 月 04 日 11:38 | 分類 展會

8月29日,為期三天的PCIM Asia 2023上海國際電力元件、可再生能源展覽會在上海新國際博覽中心盛大開幕。

展覽范圍包括功率半導體、集成電路、被動元件、電磁及磁性材料、散熱管理、傳感器、裝配和子系統(tǒng)、電氣傳動、功率轉(zhuǎn)換器、電能質(zhì)量和儲能、測量和測試、軟件開發(fā)、信息及服務等,為各領(lǐng)域的行業(yè)人士提供了交流技術(shù)以及分享產(chǎn)業(yè)最新發(fā)展趨勢的平臺。

據(jù)TrendForce集邦咨詢化合物半導體研究中心了解到,此次展會,三菱電機、英飛凌、羅姆、安森美、富士電機、中車、東芝、Power Integrations、賽米控-丹佛斯等業(yè)內(nèi)領(lǐng)先企業(yè)在會上展示了以SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)為核心的最新研發(fā)成果和先進技術(shù),面向工業(yè)、能源、汽車和消費電子等領(lǐng)域。

三菱電機

此次展會現(xiàn)場,三菱電機重點展示了用于工業(yè)新能源、軌道交通、電動汽車、家用電器等領(lǐng)域的功率半導體解決方案。

三菱電機目前正在開發(fā)下一代電動汽車專用功率模塊。該系列模塊擁有1300V和750V兩個電壓等級,分別采用SiC MOSFET和RC-IGBT芯片技術(shù)。同時該系列模塊將采用三菱電機擅長的壓注模工藝,在保證可靠性的同時,大大提升生產(chǎn)效率。

三菱還展示了高頻用混合SiC模塊等產(chǎn)品,有助于小型化輕量化,同時低電感封裝有助于減小浪涌電壓。

英飛凌

英飛凌本次設(shè)立了“綠色能源與工業(yè)”、“電動交通和電動出行”、“智能家居”三大主題展區(qū),展示相應的功率半導體和寬禁帶技術(shù)方面的最新解決方案。

在電動交通和電動出行展區(qū),英飛凌展示了HybridPACK? Drive產(chǎn)品系列、CoolGaN? SG HEMT開關(guān)等。在綠色能源與工業(yè)展區(qū),英飛凌展示了用于風光儲系統(tǒng)的多種解決方案,包括用于光伏發(fā)電的2000V 60A EasyPACK? CoolSiC? MOSFET 3B碳化硅模塊和45A三電平Boost MPPT模塊等。

羅姆

針對日益增長的中國市場需求,羅姆本次重點展示了最新的SiC和GaN產(chǎn)品解決方案。

SiC方面,羅姆帶來了面向車載應用的第3代以及第4代SiC MOSFET系列產(chǎn)品展示以及8英寸SiC襯底。羅姆在SiC功率器件和模塊的開發(fā)領(lǐng)域處于先進地位,其先進的SiC MOSFET技術(shù)實現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的低導通電阻,充分地減少了開關(guān)損耗。

GaN方面,羅姆分別展示了150V和650V的GaN HEMT,同時還推出了EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”,該產(chǎn)品集GaN HEMT和柵極驅(qū)動器于一體,使GaN器件輕輕松松即可實現(xiàn)安裝,助力減少服務器和AC適配器等的損耗和體積。

安森美

本次展會上,安森美重點展示了其完全垂直整合的SiC生態(tài)系統(tǒng),從基本的原材料到完整封裝的SiC器件的交付。

具體來看,本次安森美展示了1200V M3S EliteSiC MOSFET、全新半橋1200V EliteSiC PIM、以及用于光儲充市場的功率集成模塊、用于電動汽車主驅(qū)逆變器的VE-Trac系列等等。

功率器件作為光儲充系統(tǒng)的核心器件,安森美現(xiàn)場展示了為上能電氣、古瑞瓦特實現(xiàn)商用與住宅光儲充一體化系統(tǒng)的關(guān)鍵技術(shù),提供涵蓋低、中、高功率范圍的功率集成模塊(PIM),實現(xiàn)高能效、高可靠性的逆變器設(shè)計。

東芝

東芝本次主要面向風力發(fā)電、牽引、電力輸配電、工業(yè)變頻器等領(lǐng)域的應用,推出相應的功率器件解決方案。

本次東芝展出產(chǎn)品包括雙柵極RC-IEGT、大功率器件IEGT、IEGT PPI Stack、全SiC模塊、智能功率器件、車載分立器件以及分立器件封裝產(chǎn)品線。

對于SiC產(chǎn)品,東芝本次重點展出1700V和3300V的SiC模塊MG400Q2YMS3和MG800FXF2YMS3,這兩款產(chǎn)品是更小、更高效的工業(yè)設(shè)備的理想選擇。

富士電機

富士電機一直是全球功率半導體主流供應商之一,其本次展示了豐富的產(chǎn)品線。

第二代1200V/1700V全SiC模塊是富士電機本次的重點展示產(chǎn)品。封裝主端子部分采用層壓結(jié)構(gòu),降低了內(nèi)部電感。另外模塊的封裝外形繼續(xù)保持了與傳統(tǒng)的硅模塊的封裝兼容,避免客戶在系統(tǒng)結(jié)構(gòu)上做重新設(shè)計,節(jié)省開發(fā)資源。

中車

中車本次攜多款功率半導體器件及模塊、傳感器產(chǎn)品隆重亮相PCIM Asia,致力于展現(xiàn)中國“芯”的智慧力量,并為清潔能源的變換與高效利用提供領(lǐng)先的傳感測量解決方案。

中車本次展示了最新的SiC模塊及芯片,芯片采用第三代SiC MOSFET、體二極管續(xù)流,電壓等級覆蓋750V~3300V,比導通電阻最低可到3.2mΩ·cm2。模塊采用AlSiC基板設(shè)計,高性能導熱材料,進一步提高模塊功率密度,滿足汽車、OBC、DC/DC、光伏、軌道交通等復雜應用工況需求。

賽米控-丹佛斯

賽米控-丹佛斯是全球電力電子領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)導者,本次展出產(chǎn)品包括功率模塊和系統(tǒng)等。

DCM1000X SiC功率模塊是本次賽米控-丹佛斯的重點展品之一,其耐壓從原來DCM1000的900V提高到了1200V。DCM1000X通過將先進的封裝設(shè)計與最新的SiC MOSFET相結(jié)合,證明了自己是下一代電動汽車牽引逆變器的卓越模塊平臺。

宏微科技

宏微科技本次攜帶全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品及解決方案參展亮相,產(chǎn)品覆蓋工業(yè),光伏儲能以及新能源汽車相關(guān)方向的全域功率半導體領(lǐng)域。

宏微科技主要從事IGBT、VDMOS、FRED等芯片及分立器件、模塊的設(shè)計、研發(fā)、制造和銷售,本次其帶來了最新的SiC二極管和MOSFET產(chǎn)品。

天域半導體

天域半導體是全球領(lǐng)先的SiC外延片供應商,本次其重點展示了6/8英寸SiC外延片產(chǎn)品。

天域半導體是我國SiC領(lǐng)域少數(shù)具備國際競爭力的企業(yè)之一,以先進的SiC外延生長技術(shù)為客戶提供優(yōu)良產(chǎn)品和服務,并持續(xù)加碼大尺寸SiC外延生長技術(shù)研發(fā),積極布局8英寸SiC產(chǎn)線。

瞻芯電子

瞻芯電子是專注于SiC技術(shù)的功率半導體供應商,本次分享了最新的SiC功率半導體產(chǎn)品。

具體產(chǎn)品包括最新的第二代650V/1200V和1700V SiC MOSFET、隔離型驅(qū)動IVCO1A0x、圖騰柱PFC控制芯片IVCC1104等。同時,瞻芯面向不同應用場景開發(fā)了多種應用方案,比如20kW 三相PFC、11kW SiC三相電機驅(qū)動、2500W 圖騰柱PFC電源、200W 1000V反激電源,以及雙脈沖測試等輔助測試設(shè)備,為客戶朋友提供高效的參考設(shè)計。

賽晶科技

賽晶科技在本次PCIM Asia展上正式發(fā)布了為電動汽車應用量身定做的HEEV封裝SiC模塊,導通阻抗低至1.8mΩ(@25℃),可用于高達250kW電驅(qū)系統(tǒng),并滿足電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)對高功率、小型化和高可靠性功率的需求。

賽晶科技還展示了第二款SiC模塊 – EVD封裝SiC模塊。該款產(chǎn)品采用乘用車領(lǐng)域普遍采用的全橋封裝。通過內(nèi)部優(yōu)化設(shè)計,具有出色的性能表現(xiàn)。與業(yè)界頭部企業(yè)相同規(guī)格封裝模塊對比,賽晶EVD封裝SiC模塊的導通電阻低10%至30%,連接阻抗低33%,開關(guān)損耗相近或者更低。

IVWorks

IVWorks是一家從事寬禁帶半導體外延片產(chǎn)品及相關(guān)服務的公司,公司致力于成為一家擁有智能化生產(chǎn)和材料技術(shù)的獨創(chuàng)型企業(yè)。

本次IVWorks主要展示了6、8英寸的硅基GaN外延片等產(chǎn)品。IVWorks曾在去年收購了法國材料制造商圣戈班(Saint Gobain)的GaN襯底業(yè)務,借此在大功率應用領(lǐng)域提供GaN-on-GaN外延片來擴大產(chǎn)品組合。

派恩杰

派恩杰半導體本次攜全品類SiC器件、模塊及應用技術(shù)亮相了PCIM Asia。

派恩杰半導體在650V、1200V、1700V三個電壓平臺已發(fā)布100余款不同型號的SiC二極管、SiC MOSFET、SiC功率模塊和GaN HEMT產(chǎn)品,量產(chǎn)產(chǎn)品已在電動汽車、IT設(shè)備電源、光伏逆變器、儲能系統(tǒng)、工業(yè)應用等領(lǐng)域廣泛使用。

鎵未來

本次展會上,鎵未來攜最新的高壓D-mode GaN功率器件以及系列應用方案隆重亮相。

目前鎵未來可向客戶提供PQFN、DFN、TOLL、TOLT、TO-252等貼片封裝以及TO-220、TO-247-3L、TO-247-4L等插件封裝全系列產(chǎn)品。同時,鎵未來可提供涵蓋小中大功率段的全線GaN應用方案,產(chǎn)品覆蓋PD快充適配器、電動工具充電器、儲能雙向逆變器等諸多場景。

士蘭微

士蘭微本次攜高能效IGBT器件、高壓大功率模塊、高功率SiC器件等系列產(chǎn)品亮相展會。

士蘭微針對光伏、汽車等應用的SiC產(chǎn)品系列具有更高的參數(shù)一致性,更低的失效不良率,從而滿足高端客戶需求。據(jù)了解,其SiC MOSFET汽車主驅(qū)模塊已通過部分客戶測試,有望在今年實現(xiàn)批量生產(chǎn)和交付。

瑞能半導體

瑞能半導體在本次展會上展示了全新的功率半導體實踐應用。

瑞能半導體SiC二極管產(chǎn)品已完成六代產(chǎn)品開發(fā),擁有1.26V超低Vf。第二代SiC MOSFET產(chǎn)品已實現(xiàn)業(yè)內(nèi)最低比導電阻: Ron,sp=2.6mΩ·cm2,目前瑞能半導正在進行第三代trench gate產(chǎn)品開發(fā)。另外,由瑞能半導體全資控股的模塊生產(chǎn)工廠瑞能微恩模塊工廠已在近期正式投入運營。

Soitec

Soitec是設(shè)計和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導體材料的全球領(lǐng)先企業(yè),以其獨特的技術(shù)和半導體領(lǐng)域的專長服務于電子市場。

憑借深耕SmartCut? 工藝三十年的專業(yè)積淀,Soitec推出了全新的顛覆性優(yōu)化襯底 SmartSiC?,為晶圓電氣性能、供應鏈生產(chǎn)力以及器件功率密度帶來了全新解決方案。與傳統(tǒng)SiC襯底相比,Soitec專利的SmartSiC?襯底可降低 75% 溫室氣體排放。

安世半導體

本次展會上,安世半導體展示了最新的功率半導體器件及晶圓產(chǎn)品。

安世半導體在今年推出了650V SiC肖特基二極管,主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應用,并計劃不斷增加SiC 二極管產(chǎn)品組合,包括工作電壓為650V和1200 V、電流范圍為6~20 A 的和車規(guī)級器件。同時,安世半導體已經(jīng)推出了三代650V GaN場效應晶體管,將晶體管封裝技術(shù)引入到氮化鎵技術(shù)中,并在不斷的根據(jù)市場需求,降低成本,提高性能。

揚杰科技

揚杰科技本次攜帶硅晶圓、IGBT、SiC、可控硅等產(chǎn)品首次亮相PCIM Asia展。

揚杰科技此次重點展出了IGBT系列產(chǎn)品,包括650V 50A/75A/100A IGBT單管,160A/200A/400A/450A/650V IGBT三電平模塊,相關(guān)系列產(chǎn)品與市場主流產(chǎn)品完全pin to pin兼容替代應用,并第一次展出新能源汽車主驅(qū)的HP1/HPD模塊。

同時,揚杰科技還展示了全系列SiC產(chǎn)品,重點展示SiC MOSFET,電壓等級覆蓋650V/1200V/1700V,導通電阻覆蓋20~1000mΩ,可應用于新能源汽車統(tǒng)OBC和DC/DC,光伏儲能逆變器,充電樁和工業(yè)電源等應用。

納芯微

納芯微在本次展會現(xiàn)場全面展示了其在傳感器、信號鏈、電源管理三大方向的創(chuàng)新產(chǎn)品和解決方案。

納芯微具體展出產(chǎn)品包括電流傳感器、數(shù)字隔離器、接口、隔離采樣、隔離電源、柵極驅(qū)動、電機驅(qū)動,以及其SiC系列產(chǎn)品等。納芯微在今年推出了專為光伏、儲能、充電等工業(yè)場景而設(shè)計的1200V系列SiC二極管產(chǎn)品,同時也在積極開發(fā)和驗證車規(guī)級1200V SiC MOSFET產(chǎn)品。

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本次展會上,希科半導體展示了自有高品質(zhì)6英寸SiC外延片。該公司憑借業(yè)內(nèi)先進的高品質(zhì)量產(chǎn)工藝和最先進的測試設(shè)備,為客戶提供低缺陷率和高均勻性要求的6英寸導電型SiC外延片,目前已對十余個業(yè)內(nèi)標桿客戶完成送樣并實現(xiàn)了采購訂單。

百識電子

百識電子在本次展會上重點展示了6英寸SiC外延片以及6/8英寸硅基GaN外延片。

百識電子是在南京設(shè)立研發(fā)總部和制造工廠的專業(yè)團隊,其可提供4/6英寸的SiC外延片服務,以及6/8英寸的硅基氮化鎵和4/6英寸的碳化硅基氮化鎵外延片服務。除了標準規(guī)格外延片,百識電子亦可針對特殊應用市場需求,提供客制化規(guī)格外延服務及器件開發(fā)所需的關(guān)鍵制程。

Power Integrations

PI本次攜帶數(shù)款門極驅(qū)動、汽車電子、電機驅(qū)動產(chǎn)品參展,展示了他們在功率半導體的全面方案以及強硬的實力。

PI能夠提供一個高集成度的方案,將功率器件和保護機制都集成在一個輕薄的封裝里面,實現(xiàn)高集成度無散熱片的工業(yè)的或者是家電的電機驅(qū)動方案。同時,PI提供了相對應的軟件包,方便快速實現(xiàn)無傳感器的電機控制設(shè)計,便于軟件工程師能夠快速高效地實現(xiàn)軟件開發(fā),為電機驅(qū)動測試帶來極大的便利,極快地完成產(chǎn)品設(shè)計,實現(xiàn)高集成度高效的電機驅(qū)動解決方案。

AOS

本次展會上,AOS展出了應用于新能源汽車、電力電源、電機驅(qū)動IC、計算機系統(tǒng)方案以及家電等的相關(guān)產(chǎn)品及技術(shù)。

其中包括最新高壓超結(jié)MOSFETs、熱插拔MOSFETs、αSiC MOSFETs、IMVP多相控制芯片以及符合PD3.1規(guī)范的Type C負載開關(guān)。

AOM033V120X2Q采用優(yōu)化的TO-247-4L封裝,符合AEC-Q101標準的新型1200V SiC MOS管(αSiC MOSFET)。這款1200V SiC MOS管為可接受15V標準柵極驅(qū)動器的TO-247-4L車規(guī)封裝,并提供行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的最低導通電阻,滿足電動汽車(EV)車載充電機、電機驅(qū)動逆變器和車載充電樁的高效率和可靠性要求。

翠展微電子

翠展微電子本次主要展出了IGBT、SiC功率模塊產(chǎn)品。

翠展微電子是一家以車規(guī)級功率模塊為核心,同時覆蓋光伏、儲能、電網(wǎng)、工控領(lǐng)域的功率半導體設(shè)計生產(chǎn)廠家,主要產(chǎn)品有IGBT單管/模塊、SiC單管/模塊,以及汽車軟件一站式工具鏈解決方案等。
在車規(guī)功率模塊領(lǐng)域,翠展微電子產(chǎn)品基本涵蓋了國內(nèi)車規(guī)功率模塊封裝需求和電流規(guī)格,主要封裝包括HP1、DC6、DC6I、HPD、Econodual系列、TPAK及TO-247PLUS系列等,可滿足250KW以內(nèi)新能源汽車主驅(qū)的應用需求。

CGD

CGD是一家專注于GaN技術(shù)的無晶圓廠設(shè)計公司,本次展示了其獨有的高能效GaN解決方案。

CGD 本次在中國首推其第二個易用可靠的 ICeGaN? GaN HEMT 產(chǎn)品系列。CGD H1和H2系列是單芯片增強模式HEMT,具有3V閾值電壓、真正的0V關(guān)斷,以及可在高達20V電壓下工作的革命性柵極方案。無級聯(lián)、無復雜多芯片配置、無復雜熱集成解決方案:嵌入式專有邏輯單芯片,可與標準柵極驅(qū)動器或控制器配對。此外,CGD展出了最新的評估板,包含65W QRF評估板、1.6kW LLC評估板、3kW 光伏逆變器和USB PD參考設(shè)計。

新微半導體

新微半導體本次攜豐富的硅基GaN功率產(chǎn)品平臺精彩亮相PCIM Asia。

新微半導體展示了40V/100V/150V/650V等低、中、高壓GaN功率器件工藝平臺系列展品,并重點展示了面向不同終端應用領(lǐng)域的外延制造和晶圓代工產(chǎn)品以及先進的技術(shù)解決方案。

合盛新材

合盛新材本次攜帶最新的6英寸SiC襯底產(chǎn)品亮相本次展會。

合盛新材是由上市公司合盛硅業(yè)股份發(fā)起成立并控股,業(yè)務涵蓋SiC襯底及外延的研發(fā),生產(chǎn)與銷售。目前合盛新材料正在建設(shè)導電型6英寸SiC襯底與外延片產(chǎn)線,已實現(xiàn)投資規(guī)模超過10億元。

芯長征

芯長征本次分別展示了IGBT、MOSFET、SiC等產(chǎn)品。

在汽車領(lǐng)域,芯長征重點展示其針對商用車主驅(qū)開發(fā)的1200V 450A/600A EconoDUAL3 IGBT模塊、針對乘用車主驅(qū)開發(fā)的750V 820A HPD IGBT模塊及750V 400A/600A HybridPACK 1 模塊及1200V 40/80mΩ的SiC MOS產(chǎn)品。

忱芯科技

忱芯科技本次展示了動態(tài)特性測試系統(tǒng)與動態(tài)可靠性測試系統(tǒng)DEMO。

忱芯科技提供SiC/GaN、IGBT功率半導體器件實驗室版與產(chǎn)線版全系列ATE測試系統(tǒng),實現(xiàn)功率半導體器件前道、后道到應用級測試全覆蓋。目前,忱芯科技SiC ATE設(shè)備已實現(xiàn)批量出貨,成功交付功率半導體IDM企業(yè)、芯片設(shè)計公司、功率器件封裝公司與新能源車廠及Tier1企業(yè)。

安建半導體

本次展會上,安建半導體展示了IGBT、SiC、SGT-MOS、SJ-MOS四類全新產(chǎn)品。

SiC方面,安建半導體本次展示了650V/1200V的SiC二極管和MOSFET。安建半導體總部位于浙江寧波,并在寧波自建了模塊封裝工廠——吉賽半導體。

功成半導體

功成半導體本次攜高效的功率器件組合產(chǎn)品及應用方案亮相PCIM Asia。

本次功成半導體展出產(chǎn)品主要包括六大類:Elite MOSFET(SGT)、Elite MOSFET(SJ)、高壓高頻IGBT、SiC SBD & MOSFET、GaN HEMT以及IPM智能功率模塊。

特勵達力科

特勵達力科是高端示波器、協(xié)議分析儀和其他測試儀器的領(lǐng)先制造商,可快速全面地驗證電子系統(tǒng)的性能和合規(guī)性,并進行復雜的調(diào)試分析。

特勵達力科的寬禁帶半導體測試系統(tǒng)包含DL-ISO高壓光隔離探頭、功率器件分析軟件和12bit高精度示波器。DL-ISO 高壓光隔離探頭具有 1 GHz 帶寬、2500 V 差分輸入范圍和 60 kV 共模電壓范圍,與力科 12 位高精度示波器 (HDO) 相結(jié)合,可獲得 1.5% 的系統(tǒng)精度,幾乎是市場上替代解決方案的兩倍。同時可提供豐富的連接方式,是GaN 和 SiC 器件測試的理想探頭。

悉智科技

悉智科技本次攜多款應用于電動汽車、工業(yè)場景的功率模塊產(chǎn)品亮相PCIM Asia。

悉智科技當前產(chǎn)品聚焦在智能電車和清潔能源的功率與電源塑封模塊創(chuàng)新領(lǐng)域,擁有國內(nèi)最先進的車規(guī)級塑封產(chǎn)線和性能測試(包括系統(tǒng)級)&可靠性測試&失效分析實驗室。

華太電子

本次展會上,華太電子展示了SiC、IGBT等功率半導體產(chǎn)品,。

華太電子主要從事射頻/功率產(chǎn)品、高端散熱材料的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售,并提供大功率封測業(yè)務,產(chǎn)品可廣泛應用于通信基站、光伏發(fā)電與儲能、半導體裝備、智能終端、新能源汽車、工業(yè)控制等大功率場景。

此外,其他參展廠商還包括韓國功率半導體展團,以及芯源新材料、先進連接技術(shù)、MacDermid Alpha、DOWA、銦泰、賀利氏、京瓷等封裝材料廠商。(文:集邦化合物半導體 Matt)

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