全球電力電子行業(yè)的頂級展會PCIM Europe 2024于6月11日盛大召開，此次參展的中國企業(yè)（含港澳臺）數(shù)量達到了142家，其中不少企業(yè)在第三代半導體領域有所布局。在本屆PCIM上，中外多家企業(yè)向世界展示了SiC/GaN在電子電力領域的最新技術(shù)及應用。
國內(nèi)企業(yè)
本屆PCIM展會，多家國內(nèi)廠商攜新品新技術(shù)亮相，如英諾賽科、三安半導體、士蘭微、基本半導體、瑞能半導體、芯聚能等，其中，部分廠商亮點匯總?cè)缦拢?/p>
01、三安半導體
在本次PCIM Europe上，三安以“推動低碳化和電氣化”為主旨，展示其在功率半導體和寬禁帶技術(shù)方面的最新產(chǎn)品如何賦能綠色低碳和電氣化轉(zhuǎn)型。
source：PCIM
三安通過展出豐富的功率產(chǎn)品矩陣，全面展示了其強大的垂直整合產(chǎn)業(yè)鏈，從批量SiC晶錠生長到一流的分立封裝、集成模塊解決方案和應用。產(chǎn)品與服務覆蓋8吋/6吋SiC晶錠、8吋/6吋SiC襯底、8吋/6吋SiC外延、SiC Diodes/MOSFETs芯片/器件以及車規(guī)級SiC功率模塊代工，其中器件包含十余種封裝類型和數(shù)十個規(guī)格型號的產(chǎn)品。
02、英諾賽科
英諾賽科在PCIM展會上展示多樣化分立氮化鎵和集成氮化鎵產(chǎn)品，以及基于高性能氮化鎵的多種解決方案。
英諾賽科展示了多形態(tài)產(chǎn)品組合，包含30V-700V的氮化鎵分立芯片、氮化鎵合封芯片（SolidGaN）和雙向?qū)ㄐ酒╒-GaN）。同時也將采用InnoGaN的多領域應用解決方案一一呈現(xiàn)，展示氮化鎵技術(shù)帶來的進步，讓電源轉(zhuǎn)換和電源管理解決方案“更快，更小，更輕，更環(huán)保，更高效，性價比更高”。
source：英諾賽科
03、士蘭微電子
士蘭微此次全面展示車規(guī)級功率器件、驅(qū)動和控制芯片產(chǎn)品，以及多種應用于汽車、新能源、白電、工業(yè)等領域的產(chǎn)品和應用方案。
source：PCIM
04、基本半導體
基本半導體此次在展會上，正式發(fā)布2000V/1700V系列高壓碳化硅MOSFET、車規(guī)級碳化硅MOSFET、第三代碳化硅MOSFET、工業(yè)級碳化硅功率模塊PcoreTM2 E2B等系列新品。
source：PCIM
05、派恩杰半導體
此次展會上，派恩杰半導體帶來了最新車規(guī)級封裝產(chǎn)品及更小的比導通電阻展品。
source：派恩杰半導體
派恩杰半導體推出的Easy 1B、62mm和SOT227封裝系列產(chǎn)品，涵蓋多種電路拓撲，SiC MOSFET和SiCSBD模塊產(chǎn)品，可應用于光伏發(fā)電、白色家電、射頻電源等領域。
此外，結(jié)合銀燒結(jié)和CuClip鍵合技術(shù)，派恩杰半導體自主開發(fā)了車規(guī)級塑封半橋HEPACK封裝，可有效降低新能源汽車能耗等級。
對于HPD模塊，引入了銀燒結(jié)和DTS技術(shù)，派恩杰半導體正積極布局1200V600A乃至800A高功率模塊。
06、瑞能半導體
瑞能半導體展出的產(chǎn)品陣容涵蓋了瑞能最新的高性能、高效率、高功率的技術(shù)，以及諸如1200V碳化硅功率模塊、650V / 1200V SiC MOSFET、快恢復二極管、可控硅整流器、IGBT和其他可應用于工業(yè)，汽車，消費電子等領域的功率器件。
source：PCIM
SiC產(chǎn)品中，全新系列的SiC MOSFET & SiC肖特基二極管 (SBD) 采用 TSPAK 封裝的，適用于電動汽車充電、車載充電器 (OBC)、光伏逆變器和高功率密度PSU應用。新型MOSFET有650V、750V、1200V和1700V四種型號，電阻范圍從20mΩ到150mΩ。新型SiC SBD的電流范圍為10至40A（650V、750V和1200V）。
全新SiC功率模塊包含半橋、四組、六組、雙增壓和NPC 3L拓撲的 SiC 功率模塊，主要針對于電動汽車充電、儲能系統(tǒng)、電機驅(qū)動器、工業(yè)電源裝置 (PSU)、測試儀器和光伏逆變器。
瑞能半導體全新的1700V SiC 技術(shù)& 汽車級1200V / 750V車規(guī)SiC MOSFET提供多種封裝選項和產(chǎn)品配置，包括表面貼裝器件 (SMD) 分立器件和頂部冷卻，實現(xiàn)可再生能源和電動汽車的高功率、高密度設計。
07、中車時代半導體
中車時代半導體攜多款功率半導體元件及模塊、傳感器產(chǎn)品隆重亮相PCIM Europe德國紐倫堡展會。
據(jù)介紹，采用中車第五代TMOS高壓溝槽柵、第二代SiC平面柵芯片、AISiC基板、AIN襯板，具有高熱循環(huán)能力、高可靠性等特點，可滿足車輛頻繁啟停和長距離可靠性運行的需求，批量應用于軌道交通領域。
source：PCIM
08、安世半導體
在功率場效應晶體管(FET)方面，Nexperia展示了首款H橋配置的SMD SiC MOSFET，產(chǎn)品展現(xiàn)出卓越的R DS(on)溫度穩(wěn)定性；以及用于對E型GaN FET開關性能進行基準測試的半橋評估板。
source：PCIM
09、芯聚能半導體
芯聚能車規(guī)級模塊為800V新能源汽車平臺進一步釋放了SiC高溫高速特性，實現(xiàn)了超低熱阻、拓展了工作范圍；具有高機械結(jié)構(gòu)強度、高功率循環(huán)壽命、高溫度沖擊穩(wěn)定性。
source：PCIM
10、忱芯科技
忱芯科技展出業(yè)內(nèi)領先的SiC動態(tài)測試系統(tǒng)以及動態(tài)可靠性測試系統(tǒng)，并提供現(xiàn)場的測試演示。公司也已推出用于CP階段和KGD階段測試的晶圓級動態(tài)可靠性(WLR)測試系統(tǒng)及裸芯片KGD測試系統(tǒng)。
source：PCIM
11、利普思半導體
PCIM Europe 2024現(xiàn)場，利普思發(fā)布了新一代主驅(qū)用塑封半橋SiC模塊（LPS-Pack系列）。據(jù)悉，該系列模塊是為滿足某海外知名車企差異化需求而開發(fā)的新品。
source：利普思
12、安建科技
此次展會上安建展出的產(chǎn)品陣容涵蓋了IGBT、SGT MOSFET、SiC和其他可用于電能轉(zhuǎn)換、電動汽車、消費電子、新能源和工業(yè)自動化等領域的多款功率器件。
source：PCIM
13、賽晶科技
賽晶SiC芯片首次亮相PCIM Europe，芯片采用頂部金屬化，以便進行鍵合或者DTS，靜態(tài)性能匹配先進的汽車MOSFET產(chǎn)品性能需求，動態(tài)開關性能適用于EVD和HEEV模塊的應用，具有高可靠性、高魯棒性。
source：賽晶科技
14、富樂華半導體
富樂華攜手富樂華歐洲團隊、日本團隊對功率半導體行業(yè)的封裝基板做了全方位的展示，分享了公司最新的創(chuàng)新型產(chǎn)品和技術(shù)解決方案，產(chǎn)品陣容涵蓋了適用于IGBT、SiC-MOSFET和其他可用于電動汽車、消費電子、新能源和工業(yè)自動化等領域的覆銅陶瓷基板。
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15、卓爾半導體
卓爾半導體專注于研發(fā)碳化硅塑封模塊專用設備，主營芯片分選機、塑封自動化、切筋成型、激光去膠打標等。
source：PCIM
16、飛仕得科技
本次展會飛仕得展出SiC應用一站式解決方案，包括電源、驅(qū)動解決方案、功率模組及測試設備。并發(fā)布新一代多并聯(lián)驅(qū)動解決方案、新一代SiC器件動態(tài)測試設備等多款新品。
source：PCIM
17、悉智科技
悉智科技此次帶來旗下SiC封裝產(chǎn)品出席展會，其中自主研發(fā)的塑封SiC DCM模塊獲得海外客戶關注。
source：悉智科技
國外企業(yè)
海外市場方面， Wolfspeed、羅姆、英飛凌、三菱電機、納微半導體、CGD等悉數(shù)亮相，看點頗多，部分企業(yè)的亮點匯總?cè)缦拢?/p>
18、Wolfspeed
Wolfspeed多位工程師在PCIM Europe 2024上發(fā)表演講，內(nèi)容涵蓋電動汽車電氣化、電動汽車實現(xiàn)、可再生能源賦能到電機驅(qū)動以及公司最新的SiC技術(shù)。
source：PCIM
19、羅姆
ROHM向外展示了其新的功率半導體解決方案。ROHM的SiC、Si和GaN產(chǎn)品組合專注于電動汽車和電源應用，旨在滿足各個行業(yè)的需求。
source：PCIM
SiC方面，ROHM在PCIM Europe 2024上首次推出用于汽車應用的新型SiC 功率模塊。除此之外，ROHM 還展示了其生產(chǎn)的8英寸SiC 晶圓，并透露了有關其SiC產(chǎn)品開發(fā)的愿景。
ROHM的第四代SiC MOSFET實現(xiàn)了業(yè)界領先的低導通電阻水平，最大限度地降低了開關損耗，并支持15V和18V柵極源電壓。
GaN方面，ROHM展示了EcoGaN?系列150V和650V GaN HEMT。ROHM還展示其EcoGaN? 系列的10多塊電路板，并介紹它們在工業(yè)解決方案中的作用。
20、英飛凌
英飛凌此次向外展示了業(yè)界廣泛的電力電子產(chǎn)品組合，涵蓋硅 (Si)、碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 相關的電力技術(shù)。
source：PCIM
寬帶隙技術(shù)方面：英飛凌展示了可用于提高整體能源效率的第二代CoolSiC? MOSFET 650V和1200V。此外，其還展示擴展的GaN解決方案組合，提供各種創(chuàng)新封裝、分立和集成解決方案。
信息和通信技術(shù)：英飛凌展示了包括Si、SiC和GaN電源開關在內(nèi)的尖端解決方案，以滿足服務器技術(shù)和電信網(wǎng)絡不斷發(fā)展的需求。
21、意法半導體
此次意法半導體帶來了GaN在電源中的應用方案、SiC MOSFET、SiC功率模塊、SiC電源模塊等產(chǎn)品。
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22、賀利氏
賀利氏在展會上向外呈現(xiàn)PE360模塊焊接燒結(jié)漿料和無銀活性金屬釬焊氮化硅基板（AMB-Si3N4）等尖端創(chuàng)新產(chǎn)品，并展示旗下功率模塊封裝方案。
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23、納微半導體
納微半導體此次主要技術(shù)更新和發(fā)布包括GaNSafe?、Gen-4 GaNSense?半橋IC和Gen-3 Fast GeneSiC功率FET。
source：PCIM
24、PI電源
PI電源分享其在AC-DC轉(zhuǎn)換、柵極驅(qū)動器、電機驅(qū)動器和汽車解決方案方面的最新創(chuàng)新。
source：PCIM
25、IV Works
在此次展會上，IV Works向外展示了GaN作為高壓應用解決方案的材料創(chuàng)新以及n+GaN、p-GaN選擇性區(qū)域再生技術(shù)。
source：PCIM
結(jié)語
本次PCIM上，能明顯感受到國內(nèi)出海企業(yè)增多，從側(cè)面反映出不少三代半企業(yè)已將目光從國內(nèi)市場轉(zhuǎn)移至全球市場。對于國內(nèi)三代半廠商而言，國內(nèi)業(yè)務發(fā)展到一定階段，出海尋求更廣闊的增長空間順理成章，尤其是在技術(shù)、產(chǎn)能等方面擁有一定的實力后，拓展海外市場也更加從容。
隨著國內(nèi)三代半企業(yè)的出海動作開展，競爭更加激烈的同時，行業(yè)會更加多元化，產(chǎn)業(yè)業(yè)務整合的步伐也將加快，有助于推動行業(yè)的全球化發(fā)展和技術(shù)進步。（來源：PCIM官方、各公司、集邦化合物半導體整理）
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